KR100942068B1 - 열처리 장치 - Google Patents

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Abstract

열처리 장치에서 기판에 대한 열처리 수행 도중 기판 변형 방지를 위한 기판이 탑재되는 홀더 표면에 고압의 기체를 분사하여 파티클을 제거하여 기판의 변형을 방지할 수 있는 열처리 장치가 개시되었다. 본 발명에 의한 열처리 장치는 다결정 폴리 실리콘을 제조하기 위하여 비정질 실리콘이 형성된 기판을 열처리하는 장치로서, 비정질 실리콘이 형성된 기판(12)이 탑재되는 기판 홀더(14)가 적재되는 기판 홀더 스테이지(20); 및 기판 홀더(14)에 탑재된 비정질 실리콘이 형성된 기판(12)에 대하여 열처리 공정을 수행하는 챔버(30)를 포함하고, 기판 홀더 스테이지(20)에는 기판 홀더(14)에 대하여 기체 분사에 의한 클리닝 작업을 수행하는 클리닝부(22)가 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
열처리 장치, 기판, 홀더, 파티클, 클리닝

Description

열처리 장치{Heat treatment Apparatus}
본 발명은 반도체 소자 제조를 위한 반도체 기판의 열처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 열처리 장치에서 기판에 대한 열처리 수행 도중 기판 변형 방지를 위한 기판이 탑재되는 홀더 표면에 고압의 기체를 분사하여 파티클을 제거하여 기판의 변형을 방지할 수 있는 열처리 장치에 관한 것이다.
평판 디스플레이 제조 시 사용되는 대면적 기판 처리 시스템은 크게 증착 장치와 어닐링 장치로 구분될 수 있다.
증착 장치는 평판 디스플레이의 핵심 구성을 이루는 투명 전도층, 절연층, 금속층 또는 실리콘층을 형성하는 단계를 담당하는 장치이다.
또한, 어닐링 장치는 증착 공정 후에 결정화, 상 변화 등을 위해 수반되는 열처리 단계를 담당하는 장치이다.
예를 들자면, LCD의 경우에 있어서, 대표적인 증착 장치로는 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT)의 액티브 물질에 해당하는 비정질 실리콘을 유리 기판 상에 증착하는 실리콘 증착 장치가 있고, 대표적인 어닐링 장치로는 유리 기판 상에 증착된 비정질 실리콘을 폴리 실리콘으로 결정화시키는 실리콘 결정화 장 치가 있다.
비정질 실리콘층을 결정화하는 방법으로는, 반응로(furnace) 속에서 로 가열법을 이용하여 비정질 실리콘을 결정화하는 고상결정화법(Solid Phase Crystallization, SPC법), 비정질 실리콘층 상에 선택적으로 증착된 금속을 씨드(seed)로 하여 결정화를 유도하는 금속유도결정화법(Metal Induced Crystallization) 등으로서, 이들 방법은 모두 비정질 실리콘을 열처리하여 폴리 실리콘을 형성하는 것이라고 할 수 있다.
일반적으로, 증착 공정과 어닐링 공정은 모두 기판을 소정의 온도로 열을 인가하는 열처리 공정을 수행해야 하기 때문에 열처리 장치의 사용이 필수적이다.
도 1은 종래기술에 따른 열처리 장치(10)의 구성을 나타내는 도면으로서, 실제 공정에 적용되는 열처리 장치의 전체 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
기판의 변형을 방지하기 위한 기판이 탑재되는 홀더가 보관되어 있는 홀더 스테이지(20), 기판에 대하여 열처리 공간을 제공하기 위해 석영 재질로 이루어지는 챔버(30), 기판이 탑재된 홀더를 챔버(30) 내부의 보트에 로딩하는 홀더 트랜스퍼 로봇(40)을 포함하고 있음을 도시하고 있다.
챔버(30) 내부에는 기판을 복층으로 적재하는 보트가 설치되고, 챔버(30) 내부에 히팅 환경을 조성하기 위해 챔버(30)의 외주부를 감싸도록 히터가 설치된다.
홀더에 탑재된 기판(12)은 홀더 트랜스퍼 로봇(40)을 이용하여 챔버(30) 내부의 보트에 로딩된 후 열처리 공정이 진행된다.
여기서, 기판(12)이 홀더에 탑재된 상태에서 보트에 로딩되는 것은 열처리 공정 진행 도중 기판(12)이 변형되는 것을 방지하기 위함이다. 즉, 기판(12) 만이 보트에 로딩되어 기판(12)의 가장자리만 지지된 상태에서 열처리 공정이 진행되면 자중에 의해 기판(12)의 중간 부분이 처지면서 변형되므로, 홀더에 의해 기판(12)을 전체적으로 지지하여 열처리 공정 수행 도중 기판(12)의 변형이 방지되도록 한다.
기판(12)이 기판 홀더(14)에 탑재되는 것을 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 홀더 스테이지(20)의 내부에 설치되어 홀더가 복층으로 탑재되도록 하는 트레이(22)의 구성을 나타내는 도면으로서, 홀더 스테이지(20)의 내부에는 홀더의 탑재를 용이하게 하기 위해 도시된 바와 같은 트레이(22)가 설치된다.
도면에 도시되어 있는 바와 같이, 트레이(22)의 홀더 탑재 부분에는 소정의 길이를 갖는 지지핀(24)이 수직으로 형성되어 있고, 지지핀(24)이 관통할 수 있는 홀이 기판 홀더(14)에 형성된다. 지지핀(24)의 길이는 기판 홀더(14)의 두께보다 충분히 길게 형성한다. 이때 핀(24)은 1개의 기판 당 6개(즉, 직사각형 기판의 장변의 양측에 각각 3개씩)가 대응되도록 하고, 가능한 기판(12)의 최소 면적으로 지지하는 것이 바람직하다.
기판(12)이 장착된 홀더(14)를 트레이(22)로 이송한 후, 트레이(22)에 내려 놓으면 지지핀(24)이 기판 홀더(14)에 형성된 홀로 삽입되고, 지지핀(24)의 단부에는 기판(12)이 접촉된다.
지지핀(24)의 길이가 기판 홀더(14)의 두께보다 충분히 길게 형성되어 있다 면, 지지핀(24)의 단부와 접촉한 기판(12)은 지지핀(24)에 의해 밀어 올려지기 때문에 기판(12)과 기판 홀더(14)는 이격된 상태가 된다.
이와 같이 홀더(14)에 기판(12)이 탑재되어 있는 상태에서 홀더 트랜스퍼 로봇(40)에 의해 기판(12)을 챔버(30) 내부의 보트에 로딩하여 열처리가 진행되도록 한다. 이때, 챔버(30)의 내부를 상부와 하부로 구분하여 기판 열처리부와 기판 냉각부로 각각 형성될 수 있다.
따라서, 챔버(30) 내부의 기판이 로딩된 보트는 보트 승강 장치(미도시)의해 챔버(30) 상부의 기판 열처리부로 이동하여, 기판에 대한 열처리가 진행되도록 한다. 열처리 공정이 완료되면 보트 승강 장치를 이용하여 챔버(30) 하부의 기판 냉각부로 이동시켜 냉각이 진행되도록 할 수 있다.
홀더 트랜스퍼 로봇(40)과 보트 승강 장치의 구성은 공지의 기술이므로 이와 관련한 상세한 설명은 생략한다.
도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 열처리 장치는 챔버(30)가 복수개로 설치되어 있고, 홀더(14)가 탑재되어 있는 홀더 스테이지(20)가 단일개로 설치되어 있다. 홀더 스테이지(20)에서 기판(12)이 탑재된 홀더(14)는 홀더 트랜스퍼 로봇(40)에 의해 챔버(30)로 이송된다.
여기서, 챔버(30)는 복수개로 설치되어 있으나 홀더 트랜스퍼 로봇(40)은 단 일개로 설치되어 있다. 홀더 트랜스퍼 로봇(40)이 각각의 챔버(30)에 대응하여 설치되었다면, 기판이 탑재된 홀더(14)가 챔버(30)로 이송되어 열처리가 진행될 때 홀더 트랜스퍼 로봇(40)은 동작을 하고 있지 않게 되어 유휴 장비가 되므로, 홀더 트랜스퍼 로봇(40)을 단일 개로 설치하되 레일과 같은 이송 수단을 이용하여 각각의 챔버에 대응하도록 이동할 수 있게 설치함으로써 전체적인 설비 비용과 관리 비용을 줄일 수 있도록 한다.
홀더 스테이지(20)가 단일개로 설치되어 있는 것도 홀더 트랜스퍼 로봇(40)의 설치 이유와 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
상기와 같이 기판의 열처리를 위해 홀더에 기판을 탑재하였을 때, 기판이 탑재되는 홀더의 상면에 파티클(particle)이 잔존하고 있다면, 기판의 파티클 접촉부위는 열처리가 제대로 진행되지 못하는 문제점이 있었다.
즉, 도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 홀더(14)와 기판(12)의 접촉면에 잔존하고 있는 파티클(16)에 의해 기판(12)의 파티클이 위치하고 있는 부분에는 국부적인 고온 열변형이 발생되어 기판에 휨(warpage) 현상이 발생되기 때문에 기판의 불량률을 높이는 문제점이 있었다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 화학 약품 또는 순수를 홀더에 분사하여 파티클을 제거하는 기술이 개시되었다.
그러나, 화학 약품을 이용하여 파티클을 제거할 때에는 화학 약품을 제거하기 위하여 세정 과정과 건조 과정이 추가되었고, 순수를 사용하여 파티클을 제거할 때에는 건조 과정이 추가되었기 때문에 전체 공정수가 증가되어 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 작업자가 파티클 제거를 위해 홀더로 고압의 기체를 분사하는 기술이 개시되었다. 기체 분사에 의해 파티클을 제거하는 기술의 경우 작업자가 직접 조작하며 클리닝 작업을 진행하였으나, 작업자의 복장 등에서 새로운 파티클이 발생되어 작업에 영향을 주는 문제점이 있었다.
이에 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 홀더의 기판 탑재면을 향하여 고압의 공기를 분사하는 노즐을 설치한 후 노즐을 동작시켜 분사된 공기에 의해 홀더 표면의 파티클이 제거되도록 한 후 홀더에 탑재된 기판을 챔버로 이송하여 열처리 공정이 진행되도록 함으로써 기판의 불량률을 감소시키고 작업량을 향상시킬 수 있는 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 고압의 공기를 분사하여 홀더 표면의 파티클을 제거하는 클리닝 장치를 사용하여 기판이 탑재된 홀더가 열처리를 위해 챔버로 이송되기 전에 클리닝 작업을 수행함으로써 기판의 불량률을 감소시키고 작업량을 향상시킬 수 있는 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 열처리 장치는, 다결정 폴리 실리콘을 제조하기 위하여 비정질 실리콘이 형성된 기판을 열처리하는 장치로서, 상기 비정질 실리콘이 형성된 기판이 탑재되는 기판 홀더가 적재되는 기판 홀더 스테이지; 및 상기 기판 홀더에 탑재된 상기 비정질 실리콘이 형성된 기판에 대하여 열처리 공정을 수행하는 챔버를 포함하고, 상기 기판 홀더 스테이지에는 상기 기판 홀더에 대하여 기체 분사에 의한 클리닝 작업을 수행하는 클리닝부가 설치되어 있 는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 열처리 장치는, 다결정 폴리 실리콘을 제조하기 위하여 비정질 실리콘이 형성된 기판을 열처리하는 장치로서, 상기 비정질 실리콘이 형성된 기판이 탑재되는 기판 홀더가 적재되는 기판 홀더 스테이지; 및 상기 기판 홀더에 탑재된 상기 비정질 실리콘이 형성된 기판에 대하여 열처리 공정을 수행하는 챔버를 포함하고, 상기 기판 홀더 스테이지 부근의 소정의 위치에 상기 기판 홀더 스테이지와는 독립적으로 상기 기판 홀더에 대하여 기체 분사에 의한 클리닝 작업을 수행하는 클리닝부가 설치될 수 있다.
상기 클리닝부는 고압의 기체를 상기 기판 홀더의 표면으로 분사하는 노즐부; 및 상기 노즐부에서 분사된 기체를 외부로 배출하는 배기부를 포함할 수 있다.
상기 노즐부는 상기 기판 홀더의 표면을 따라 진행하며 기체를 분사할 수 있도록 설치될 수 있다.
상기 배기부는 상기 노즐부와 대향하여 설치되되 상기 기판 홀더의 상부측과 하부측에 각각 설치될 수 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 홀더 스테이지의 내부에 기판이 홀더에 탑재되는 면을 향하여 고압의 공기를 분사하는 노즐을 설치한 후 노즐을 동작시켜 홀더 표면의 파티클을 제거함으로써, 기판을 챔버로 이송하여 열처리 공정을 진행할 때 기판의 불량률이 감소되고 작업량을 향상시키는 효과를 갖는다.
또한, 고압의 공기를 분사하여 홀더 표면의 파티클을 제거하는 클리닝 장치 를 홀더 스테이지 부근의 소정 위치에 설치한 후 홀더 스테이지에 홀더가 탑재되기 전 또는 기판이 탑재된 홀더가 열처리를 위해 챔버로 이송되기 전에 홀더에 대한 클리닝 작업을 수행함으로써 기판의 불량률을 감소시키고 작업량을 향상시키는 효과를 갖는다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세하게 설명하도록 한다.
도 4는 본 발명에 의한 열처리 장치에서 사용하는 클리닝부의 일 실시예의 구성을 나타내는 도면으로서, (a)는 내부 구성을 나타내는 평면도이고, (b)는 내부 구성을 나타내는 측면도이다.
도면에 도시되어 있는 바와 같이, 고압의 기체를 홀더의 표면으로 분사하는 노즐부(22a) 및 노즐부(22a)에서 분사된 기체와 분사된 기체에 의해 홀더에서 분리된 파티클을 외부로 배출하는 배기부(22b)로 구성되어 기판 홀더에 대하여 클리닝 작업을 수행하는 클리닝부(22)가 홀더 스테이지(20)의 내측에 설치되어 있음을 알 수 있다.
클리닝부(22)를 구성하는 노즐부(22a)와 배기부(22b)의 구성을 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.
홀더 스테이지(20)의 내측으로는 노즐부(22a)와 배기부(22b)로 구성되는 클리닝부(22)를 설치한다. 도면에서는 클리닝부(22)의 구성을 명확히 나타내기 위해 홀더가 탑재되는 부분에 대한 도시를 생략하였다.
홀더 표면의 파티클 제거를 효과적으로 수행하기 위해 노즐부(22a)의 폭은 홀더(14)의 폭과 동일하거나 그 이상으로 형성되고, 노즐부(22a)에서의 분사되는 기체의 두께는 가능한 얇게 형성하여 노즐부(22a)에서 분사된 기체가 홀더의 소정 부분에 집속될 수 있도록 하는 나이프 클리너(knife cleaner)를 사용한다.
노즐부(22a)가 홀더(14)의 표면 전체를 클리닝하기 위해서는, 기체를 분사하는 노즐부(22a)가 홀더(14)의 표면을 따라 홀더(14)의 일단에서 타단으로 진행하면서 홀더(14)의 표면에 기체를 분사할 수 있도록 설치되고, 기체의 분사 방향은 홀더(14)의 표면에 대하여 경사지게 이루어지는 것이 바람직하다.
노즐부(22a)가 이동하면서 기체의 분사가 계속적으로 진행되기 위해서 노즐부(22a)에는 벨로우즈(bellows)와 같은 길이의 신축이 가능한 구성 요소를 이용하여 노즐부(22a)로의 기체 공급이 이루어지도록 하는 것이 바람직하다. 이외에도 노즐부(22a)의 진행에 따라 기체의 길이의 신축이 가능하다면 에어 호스(air hose)와 같은 다른 구성 요소를 사용할 수도 있다.
노즐부(22a)로 분사되는 기체는 필터링에 의해 미세한 이물질까지 제거된 기체로서, 파티클 제거를 위해 사용되므로 불활성 기체와 같은 특수한 성분의 기체는 사용하지 않아도 무방하다.
그리고, 노즐부(22a)에서 분사된 기체와 분사된 기체에 의해 홀더 표면에서 제거된 파티클을 외부로 배기하는 배기부(22b)는 노즐부(22a)에 대향하여 고정 설치된다. 이때, 배기부(22b)는 홀더(14)의 상부와 하부에 각각 설치되어 홀더(14)의 상부와 하부에서 제거된 파티클과 파티클 제거에 사용된 기체의 배출 효율을 향상시킬 수 있도록 구성된다. 도면에 의하면 홀더(14)의 상부와 하부에 설치되는 배기 부는 상부와 하부에 각각 단일개로 설치되어 있으나, 파티클과 기체의 배출 효율을 향상시키기 위해 홀더(14)의 상부와 하부에 각각 복수개로 설치할 수도 있으며, 홀더(14)의 정면과 측면으로 설치될 수도 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예의 동작을 설명하면 다음과 같다.
기판에 대한 열처리 진행 도중 기판의 변형을 방지하기 위한 홀더(14)가 홀더 스테이지(20)에 탑재되는 것은 종래의 기술과 동일하다. 이때, 홀더 스테이지(20)에 탑재된 홀더(14)에 기판(12)을 탑재하기 전에 홀더(14) 표면에 대한 클리닝 작업을 진행하도록 한다.
홀더 스테이지(20)에 홀더(14)가 탑재된 상태에서 작업자가 노즐부(22a)를 동작시키면, 도 5에 도시되어 있는 바와 같이, 홀더 스테이지(20)에 탑재된 홀더(14)의 일단 상부에 위치되어 있는 노즐부(22a)는 홀더(14)의 일단 표면을 향하여 고압의 기체를 분사한다.
클리닝 공정 초기에는 노즐부(22a)는 홀더(14)의 일단을 향하여 고압의 기체가 분사되고, 분사된 기체는 홀더(14)의 표면에 닿게 된다. 홀더(14)의 표면에 파티클이 있는 경우, 파티클은 분사된 기체의 분사압에 의해 홀더(14) 표면에서 날리면서 제거되고, 제거된 파티클은 노즐부(22a)에 대향하여 설치되어 있는 배기부(22b)를 통하여 외부로 배기된다. 이때, 홀더(14)에서 분리된 파티클은 홀더(14)의 상부측에 설치된 배기부(22b)를 통하여 우선적으로 배출되지만, 파티클의 홀더(14) 상의 위치에 따라서는 홀더(14)의 상부측에 설치된 배기부(22b)로 유입되지 못하고, 홀더(14)의 양측을 통해 하부로 떨어질 수도 있다. 상부측 배기부(22b)를 통해 배출되지 못하고 홀더(14)의 양측으로 떨어진 파티클은 홀더(14)의 하부측 배기부(22b)를 통해 배출된다.
배기부(22b)를 통해 홀더(14)에서 분리된 파티클이 배출될 때, 파티클 분리를 위해 노즐부(22a)에서 분사된 기체도 함께 배기된다.
이때, 배기부(22b)가 홀더(14)의 주위에 복수개로 설치되어 있다면 파티클과 기체의 배기 효율을 상승시킬 수 있다.
상기와 같이, 노즐부(22a)에서 분사된 고압의 기체에 의해 홀더(14)에 대한 클리닝이 진행되면서 노즐부(22a)는 홀더(14)의 타단을 향하여 이동한다.
노즐부(22a)가 홀더(14)의 타단에 도착하면 클리닝 작업이 완료된 것으로 인식하여, 노즐부(22a)는 원래의 위치로 복원되고, 이후 홀더 스테이지(20) 내부에 탑재되어 있는 홀더(14)에는 기판(12)이 탑재되며, 기판(12)이 탑재된 홀더(14)는 홀더 트랜스퍼 로봇(40)에 의해 챔버(30)로 이송되어 열처리 작업이 진행됨으로써, 다결정 폴리 실리콘을 제조하기 위하여 기판에 형성된 비정질 실리콘으로 다결정 폴리 실리콘을 제조한다.
이때, 다음과 같은 방식으로도 클리닝 작업이 진행할 수 있다.
즉, 홀더 스테이지(20) 내부로 홀더(14)가 유입되는 유입구를 노즐부(22a)의 하부로 형성하여, 홀더(14)가 유입구를 통해 홀더 스테이지(20)의 내부로 유입될 때 노즐부(22a)를 통하여 홀더(14)로 기체를 분사하면 홀더(14)가 홀더 스테이지(20)로 유입됨과 동시에 클리닝이 진행되고, 노즐부(22a)는 클리닝을 위하여 이동하지 않아도 된다.
따라서, 홀더 스테이지(20) 내부로 홀더(14)가 유입될 때 노즐부(22a)를 통해 기체를 분사하면, 클리닝을 위한 시간과 노즐부(22a)의 이동을 위한 장치를 추가하지 않고 홀더(14)에 대한 클리닝 작업을 수행할 수 있다.
도 6는 본 발명에 의한 열처리 장치의 다른 실시예의 구성을 나타내는 블록도로서, 기판이 탑재되는 홀더가 복수개로 탑재되어 있는 홀더 스테이지(120), 기판에 대한 열처리 진행 공간을 제공하는 챔버(130) 및 기판(12)이 탑재된 홀더(14)를 챔버(130)로 이송하는 홀더 트랜스퍼 로봇(140)을 포함한 열처리 장치를 도시하고 있다.
그리고, 홀더 스테이지(120)의 부근의 소정 위치 즉, 홀더 스테이지(120)에 홀더(14)를 탑재하기 위하여 홀더(14)가 이동하는 경로 또는 기판이 탑재된 홀더(14)가 홀더 스테이지(120)에서 챔버(130)로 이송되는 경로상에는 홀더(14) 표면의 파티클을 고압의 기체 분사에 의해 제거할 수 있는 클리너(200)가 설치될 수 있다.
클리너(200)의 내부에 고압의 기체를 홀더(14)의 표면으로 분사하는 노즐부와 배기부(222)가 설치된다. 이때, 노즐부와 배기부의 구성은 홀더 스테이지의 외부에 클리너로서 별도로 설치되는 것을 제외하고는, 도 3에 도시되어 있는 이전의 실시예의 구성과 동일하므로 상세한 설명과 도시는 생략한다.
그리고, 클리너(200)의 내부에는 복수개로 탑재된 홀더(14)가 탑재된 상태를 지지 및 유지할 수 있는 트레이가 설치될 수 있다.
상기와 같이 구성된 클리너는 다음과 같이 설치될 수 있다.
홀더 스테이지(120)에 홀더(14)가 탑재되기 직전에 홀더(14)가 클리너(200)를 통과하며 클리닝 공정이 진행되도록 설치할 수도 있고, 홀더 스테이지(120)에서 기판(12)이 홀더(14)에 탑재된 후 챔버(130)로 로딩되는 도중에 클리너(200)를 설치하여 홀더에 대한 클리닝을 진행할 수도 있다.
클리너로 홀더가 탑재되거나 클리너에서 홀더가 인출되는 것은 홀더 트랜스퍼 로봇(140)의 동작에 의해 수행된다.
본 발명의 다른 실시예의 동작을 설명하면 다음과 같다.
도 6는 본 발명의 다른 실시예에 의한 열처리 장치의 구성을 나타내는 블록도로서, 도면에 도시되어 있는 바와 같이, 내부에 노즐부와 배기부가 설치되어 있는 클리너(200)가 홀더 스테이지(120)에 홀더(14)를 탑재하기 위한 홀더(14)의 이동 경로 상에 또는 기판이 탑재된 상태의 홀더(14)가 챔버(130)로 이송되는 경로상에 설치될 수 있음을 도시하고 있다.
홀더(14)는 홀더 스테이지(120)의 내부에서 기판(12)이 탑재되므로, 홀더(14)를 홀더 스테이지(120)에 탑재하기 위해 이동하는 경로상에서 홀더 스테이지(20)의 부근 위치인 A 지점 또는 B 지점에 클리너(200)가 설치될 수 있고, A 지점과 B 지점 양 지점에 클리너(200)가 설치될 수도 있다.
A 지점 및/또는 B 지점에 클리너(200)가 설치된 후, 클리너(200)의 내측에 설치된 노즐부와 배기부에 의한 홀더(14) 표면의 클리닝 작업은 도 4에 도시된 이전의 실시예에서 노즐부(22a)와 배기부(22b)에 의한 클리닝 작업과 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
홀더 스테이지(120)에 홀더(14)가 탑재되기 이전에 클리너(200)를 통해 홀더(14) 표면의 파티클을 제거한 후, 홀더 스테이지(120)에 홀더(14)가 탑재되면 홀더(14)에 기판(12)을 탑재하며, 이후에는 기판(12)이 탑재된 홀더(14)를 챔버(130)로 이송하여 열처리 작업이 진행됨으로써, 다결정 폴리 실리콘을 제조하기 위하여 기판에 형성된 비정질 실리콘으로 다결정 폴리 실리콘을 제조한다.
이외에도 홀더 스테이지(120)로 홀더(14)를 탑재하거나, 홀더 스테이지(120)에서 챔버(130)로 홀더(14)를 이송하는 경로 상에는 기판(12)과 홀더(14)의 이송 작업을 방해하지 않는다면 위에선 언급한 지점에 한정되지 않고 여러 위치에 클리너(200)가 설치될 수 있다.
또한, 기판(12)을 홀더(14)에 탑재하지 않은 상태에서 홀더(14)에 대하여 클리닝 작업을 수행하거나, 위에서 언급한 클리너의 위치에 한정되지 않고 사용자의 필요에 의해 변경될 수 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
도 1은 종래기술에 따른 열처리 장치의 구성을 나타내는 도면.
도 2는 트레이의 구성을 나타내는 도면.
도 3는 홀더 표면에 파티클이 남았을 경우의 문제점을 설명하는 도면.
도 4은 본 발명에 의한 열처리 장치에서 사용하는 클리닝부의 일 실시예의 구성을 나타내는 도면.
도 5는 도 4에 도시된 클리닝부의 동작을 설명하는 도면.
도 6는 본 발명에 의한 열처리 장치의 다른 실시예의 구성을 나타내는 블록도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10, 100: 열처리 장치
12: 기판
14: 홀더
20, 120: 홀더 스테이지
22: 클리닝부
22a: 노즐부
22b: 배기부
30, 130: 챔버
40, 140: 홀더 트랜스퍼 로봇
200: 클리너
210: 본체

Claims (5)

  1. 다결정 폴리 실리콘을 제조하기 위하여 비정질 실리콘이 형성된 기판을 열처리하는 장치로서,
    상기 비정질 실리콘이 형성된 기판이 탑재되는 기판 홀더가 적재되는 기판 홀더 스테이지; 및
    상기 기판 홀더에 탑재된 상기 비정질 실리콘이 형성된 기판에 대하여 열처리 공정을 수행하는 챔버;
    를 포함하고,
    상기 기판 홀더 스테이지에는 상기 기판 홀더에 대하여 기체 분사에 의한 클리닝 작업을 수행하는 클리닝부가 설치되며,
    상기 클리닝부는 고압의 기체를 상기 기판 홀더의 표면으로 분사하는 노즐부, 및 상기 노즐부에서 분사된 기체를 외부로 배출하는 배기부를 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  2. 다결정 폴리 실리콘을 제조하기 위하여 비정질 실리콘이 형성된 기판을 열처리하는 장치로서,
    상기 비정질 실리콘이 형성된 기판이 탑재되는 기판 홀더가 적재되는 기판 홀더 스테이지; 및
    상기 기판 홀더에 탑재된 상기 비정질 실리콘이 형성된 기판에 대하여 열처리 공정을 수행하는 챔버;
    를 포함하고,
    상기 기판 홀더 스테이지 부근의 소정의 위치에 상기 기판 홀더 스테이지와는 독립적으로 상기 기판 홀더에 대하여 기체 분사에 의한 클리닝 작업을 수행하는 클리닝부가 설치되며,
    상기 클리닝부는 고압의 기체를 상기 기판 홀더의 표면으로 분사하는 노즐부, 및 상기 노즐부에서 분사된 기체를 외부로 배출하는 배기부를 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 노즐부는 상기 기판 홀더의 표면을 따라 진행하며 기체를 분사할 수 있도록 설치되는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 배기부는 상기 노즐부와 대향하여 설치되되 상기 기판 홀더의 상부측과 하부측에 각각 설치되는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
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