KR20040111389A - 중심 리프트 핀 없이 유리 기판을 들어올리는 방법 및 장치 - Google Patents

중심 리프트 핀 없이 유리 기판을 들어올리는 방법 및 장치 Download PDF

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KR20040111389A
KR20040111389A KR10-2004-7014128A KR20047014128A KR20040111389A KR 20040111389 A KR20040111389 A KR 20040111389A KR 20047014128 A KR20047014128 A KR 20047014128A KR 20040111389 A KR20040111389 A KR 20040111389A
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콴유안 상
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

서셉터로부터 기판을 들어올리는 방법이 제공된다. 다수의 리프트 핀은 기판의 중심 부분과 접촉하지 않고 기판이 지지되도록 구성된다. 처리된 기판은 적어도 500mm의 제 1 치수와 적어도 500mm의 제 2 치수를 갖는다. 다수의 리프트 핀에서 각각의 리프트 핀은 기판의 중심부로부터 적어도 120mm 지점으로부터 기판을 지지하도록 구성된다. 다수의 리프트 핀은 서셉터의 각각의 측면이 적어도 3개의 리프트 핀에 의해 지지되도록 구성된다. 소정 실시예에서, 지지 부재는 다수의 리프트 핀의 적어도 서브세트 상부에 놓인다.

Description

중심 리프트 핀 없이 유리 기판을 들어올리는 방법 및 장치{LIFTING GLASS SUBSTRATE WITHOUT CENTER LIFT PINS}
플라즈마 화학적 기상 증착(CVD)은 막을 형성하기 위해 기판 상에 다양한 물질을 증착하는 프로세스이다. 일반적으로, CVD 프로세스에서, 기판은 진공 증착 프로세스 챔버내의 서셉터에 의해 지지되며 프로세싱 동안 섭씨 수백도의 온도로 가열된다. 증착 가스가 챔버에 주입되어, 화학 반응이 발생하여 기판 상에 특정한 막이 증착된다. CVD 챔버에 사용되는 2가지 증착 프로세스로는 플라즈마 강화 CVD(PECVD) 및 열 강화 CVD가 있다. CVD 프로세스는 액정 디스플레이, 평판 디스플레이, 막 트랜지스터 및 다른 반도체 장치를 제조하는데 사용된다.
CVD 서셉터는 CVD 챔버 내에서 증착 동안 접지 전극으로서의 역할을 하며 처리 챔버내의 기판을 지지하는 기계적 부품이다. 서셉터는 스템(stem) 상에 장착된기판 지지 플레이트 및 CVD 처리 챔버내의 기판을 상승 및 하강시키는 리프트 어셈블리를 포함한다.
상업적 생산을 위해, 통상적으로 플라즈마 CVD 장치는 증착 챔버내의 서셉터로 기판을 자동화방식으로 이송시키고, 증착 챔버로부터 기판을 제거하기 위해 서셉터로부터 처리된 기판을 들어올리기 위한 리프팅 장치를 포함한다. 리프팅 장치는 처리된 기판이 서셉터로부터 들어올려질 때 이를 지지하기 위한 리프트 핀을 포함한다.
도 1A는 종래 기술에 따른 CVD 장치의 예시적인 리프트 핀 구성을 나타내는 상부도이다. 도 1A에서, 리프트 핀은 기판(160)의 중심 영역(140)을 지지하는 2개의 중심 리프트 핀(150)이 제공되도록 구성된다. 또한, 기판의 주변부에는 기판(160)을 지지하는 8개의 에지 리프트 핀(110)이 제공된다. 도 1A에 도시된 구성에 있어서, 2개의 에지 핀(110)은 각각 기판(160) 모서리 부근에서 기판을 지지한다. 도 1B는 도 1A의 라인 1-1'에 대한 도 1A의 측단면도이다. 도 1B는 리프트 핀(110, 150)이 서셉터(166)내의 홀(미도시)에 어떻게 위치되는지를 나타낸다. CVD 증착 프로세스 동안, 기판(160)은 서섭터(166) 상에 직접 위치된다. 증착이 완료된 후 기판(166)으로부터 기판(160)을 분리하기 위해, (i) 리프트 핀(110, 150)은 서셉터(166)를 통해 상승되거나, (ii)리프트 핀(110, 150)은 서셉터(166)가 하강하는 동안 고정된채로 유지된다.
종래의 CVD 시스템에서 중심 리프트 핀(150)의 사용과 관련하여 몇가지 문제점이 있다. 이러한 문제점으로는 중심 리프트 핀이 처리된 기판과 접촉하는 위치에 골프 티 마크로 공지되어 있는 불연속 마크의 형성이 포함된다. 종래의 CVD 장치의 동작에 따른 또다른 문제점은 중심 리프트 핀(150)에 의해 직접적으로 지지되는 영역에서 기판 상에 증착되는 막은 기판의 다른 영역에 증착되는 막보다 통상적으로 5 내지 10 퍼센트 얇고 덜 조밀하다는 것이다.
도 2는 처리된 기판 상에서 기판 위치에 따른 막 두께를 나타낸다. 막은 종래의 CVD 장치를 사용하여 증착되는 게이트 질화물막이다. 영역(205)은 중심 리프트 핀(150)이 처리된 기판(160)을 직접적으로 지지하는 위치를 나타낸다. 그래프는 처리된 기판(160) 상에 증착된 막이 영역(205) 바깥쪽 영역과 비교할때 영역(205)에서 덜 두꺼운 것을 나타낸다. 또한, 도 2의 처리된 기판에 대한 증착 두께 균일성은 4.4 퍼센트이다. 여기서, 증착 두께 균일성(두께 편차)은 하기와 같이 정의된다:
( Max - Min )/( Max + Min ) ×100%
여기서, Min은 기판(160) 영역(205) 내의 위치에서 증착된 막 두께이고 Max는 기판(160)의 영역(205) 밖에 있는 기판(160)상의 위치에서 증착된 막 두께이다. 기판의 중심 위치에서 4.4%의 증착 두께 균일성(두께 편차)은 바람직하지 않다.
도 3은 도 2에서 사용된 동일한 기판에 대해 기판 위치와 관련한 습식 에칭 속도를 나타낸 것이다. 도 2에서 처럼, 영역(205)은 중심 리프트 핀(150)이 처리된 기판(160)을 직접 지지하는 위치를 나타낸다. 그래프는 통상적으로 처리된 기판 상에서, 습식 에칭 속도는 영역(205)의 외측 영역에서 보다 영역(205)에서 높다는 것을 나타낸다. 도 3의 처리된 기판은 14.3 퍼센트의 습식 에칭 속도 균일성을가지며, 이는 바람직하지 않게 높다. 여기서, 습식 에칭 균일성(습식 에칭 속도 편차)는 하기와 같이 정의된다:
(Max속도- Min속도)/(Max속도+ Min속도) ×100%
여기서, Min속도는 기판(160)의 영역(205) 외측 위치에서 증착된 막의 습식-에칭 속도이며 Max속도는 기판(160)의 영역(205) 내부에 있는 기판(160) 상의 위치에서 증착된 막의 에칭 속도이다. 전형적으로 습식-에칭 속도는 증착된 막의 밀도에 비례한다. 즉, 습식 에칭 속도가 높을수록 막은 덜 조밀하다는 것에 해당한다. 따라서, 도 3은 기판(160)의 영역(205)에서 막 밀도는 영역(205) 외측에 증착된 막 밀도보다 상당히 덜 조밀한다.
중심 리프트 핀(150)이 기판(160)을 직접 지지하는 영역에서 나타나는 불연속 마크는 변색된 스폿으로서 육안으로 볼 수 있다. 이들 결함은 중심 리프트 핀(150)과 기판이 접촉하는 위치에서 이질성막(film heterogenity)을 야기시키는 것으로 여겨진다. 중심 리프트 핀(150) 바로 위의 기판(160) 영역은 중심 리프트 핀(150) 바로 위가 아닌 기판(160) 영역과 비교할 때 온도 스트레스, 열팽창, 및 압력이 상이하다.
불연속 마크는 PDA 또는 컴퓨터 스크린과 같이 큰 연속성 기판 영역을 요구하지 않는 제조 설계에서는 무시할 수 있지만, 이들 마크의 존재는 바람직하지 않다. 기판 중심 부근의 불연속 마크로 인해 처리된 기판 표면이 폐기되어 제조 비용을 증가시킨다. 또한, 처리된 기판(160)의 중심부를 사용하지 않도록 설계된 공정은 추가적인 패터닝 단계 및 전체 제조 시간을 증가시키는 과정을 요구한다. 대형 스크린 텔레비젼 제품과 같이 큰 연속성 기판 영역을 요구하는 분야에 있어서는, 이러한 불연속 마크를 단순히 무시할 수 없다. 따라서, 이러한 분야에 있어 불연속 마크의 존재는 제품 품질에 악영향을 미친다.
앞서 설명된 것처럼, 중심 리프트 핀(150)은 바람직하지 않은 품질을 발생시킨다. 종래의 리프트 핀 구성으로부터 중심 리프트 핀(150)의 간단한 제거에 대해서는 방안이 없다. 도 1에 도시된 것처럼, 중심 리프트 핀이 종래의 핀 구성에서 제거되는 경우, 기판이 서셉터로 부터 제거됨에 따라 기판 중심부는 과도하게 쳐지게 된다. 기판이 쳐지는 정도(amount)는 전체 기판 표면 면적, 기판 온도 및 기판 두께에 따라 변한다. 기판은 표면 면적이 클수록, 기판이 얇을수록, 처리 온도가 높을수록 과도하게 쳐지게 된다. 전형적인 제조 조건에 있어, 온도는 처리된 기판이 서셉터로부터 상승됨에 따라 약 350℃로 유지된다. 600 mm ×720 mm의 직경 및 0.7 mm의 두께를 갖는 기판은 과도한 쳐짐이 나타나기 시작하는 치수를 나타낸다. 0.63mm의 두께를 갖는 1100mm ×1250mm 기판(예를 들어, 코닝 1737 글라스)은 중심 리프트 핀이 제거된 종래의 리프트 핀 구성을 이용하는 중심부에 50mm 이상의 쳐지게된다. 이러한 쳐짐도는 바람직하지 못하다. 자동화된 리프팅 어셈블리를 사용하여 프로세싱 챔버로부터 상기 쳐짐량을 갖는 기판을 제거하기는 어렵다.
상기 주어진 조건으로, 프로세싱 챔버 밖으로 기판을 들어올리기 위한 개선된 장치 및 방법이 요구된다.
본 출원은 본 명세서에서 참조되는 2002년 11월 18일자로 출원된 USP No.10/299,216호의 우선권을 청구한다.
본 발명은 서셉터로부터 기판을 들어올리는 방법 및 장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 처리된 기판의 중심 영영에 불연속 마크가 형성되는 것을 방지하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
도 1A 및 도 1B는 종래 기술에 따른 리프트 핀 구성을 나타내는 도면,
도 2는 종래 기술에 따른 게이트 질화물막을 위해 처리된 기판의 지지점과 다른 영역 간에 막 증착 두께 차를 나타내는 그래프,
도 3은 종래 기술에 따른 게이트 질화물막을 위해 처리된 기판의 리프트 핀 지지점과 다른 영역 간의 습식 에칭 속도차를 나타내는 그래프,
도 4는 종래 기술에 따른 CVD 프로세스에서 증착층의 단면도,
도 5는 CVD 프로세싱 챔버의 단면도,
도 6은 CVD 프로세싱 챔버의 단면도,
도7은 본 발명에 따라, 처리된 기판을 들어올리기 전에 서셉터로부터 처리된 기판을 분리시키기 위해 중심 어시시트를 이용하는 프로세싱 챔버의 단면도,
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 리프트 핀 구성의 일 실시예에 대한 평면도,
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 선택적인 리프트 핀의 평면도,
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 리프트 핀 구성의 일 실시예에 대한 평면도,
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 리프트 핀 구성의 평면도,
도 12는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 리프트 핀 구성의 평면도.
동일한 참조 부호들은 도면에 전반에 있어 대응되는 것으로 간주한다.
본 발명은 중심 리프트 핀을 사용할 필요가 없는 리프트 핀 구성을 제공한다. 따라서, 본 발명의 리프트 핀 구성의 사용으로, 기판의 중심 영역에 불연속 마크를 형성하지 않고 프로세싱 챔버로부터 기판을 제거할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 프로세싱 챔버내의 서셉터로부터 기판을 들어올리는 방법 및 장치가 제공된다. 상기 방법은 (ⅰ) 리프트 핀 홀더 상의 다수의 리프트 핀에 있는 각각의 리프트 핀을 위치시키는 단계; 및 (ⅱ) 기판을 지지하도록 다수의 리프트 핀을 상승시키는 단계를 포함한다. 바람직하게, 본 발명의 리프트 핀 구성은 중심 리프트 핀의 사용을 요구하지 않는 구성이지만 과도한 처짐 없이 기판을 지지한다.
본 발명의 방법 및 장치에서, 기판은 전형적으로 적어도 500mm의 제 1 치수 및 적어도 500mm인 제 2 치수를 갖는다. 일부 실시예에서, 기판은 서셉터를 하강시킴으로써 서셉터로부터 분리된다. 서셉터가 하강함에 따라, 다수의 리프트 핀은 서셉터와 접촉하게 되고 서셉터로부터 기판이 분리된다.
본 발명의 일 실시예에서는, 기판의 각각의 에지를 3개의 리프트 핀이 지지한다. 또다른 실시예에서, 리프트 핀 홀더는 서셉터 각각의 측면상에 균일하게 위치된 3개 이상의 리프트 핀(예를 들어, 4개, 5개, 또는 그 이상의 리프트 핀)을 갖는다. 본 발명의 일면에서, 모든 리프트 핀은 예정된 프레임 폭을 갖는 프레임 영역내의 지점(point)으로부터 기판을 지지한다. 프레임 영역은 기판 주변부를 포함한다. 일부 실시예에서, 프레임 영역의 프레임 폭은 약 4mm 내지 약 400mm이다. 또다른 실시예에서, 프레임 폭은 기판 길이 또는 폭의 1/10 미만이다. 일부 실시예에서, 리프트 핀은 각각의 리프트 핀 지지점이 기판 중심부로부터 적어도 예정된간격에 있도록 구성된다. 본 명세서에서 사용된 것처럼, 리프트 핀 지지점은 리프트 핀 바로 위에 있는 기판 지점이다. 이러한 실시예에서, 리프트 핀 지지점은 기판 중심 영역내에 있지 않는다. 일부 실시예에서, 기판 중심 영역은 약 40mm 내지 약 400mm의 직경을 갖는다. 또다른 실시예에서, 기판 중심 영역은 기판 길이의 1/5인 직경을 갖는다.
일부 실시예에서, 각각의 리프트 핀 지지점 및 기판의 가장가까운 에지 사이의 간격은 기판 폭(x축) 또는 길이(y축)를 따라 처리된 기판을 양분하는 라인 및 리프트 핀 지지점 사이 간격의 1/5 미만이다. 본 발명의 또다른 실시예에서, 다수의 리프트 핀은 처리된 기판의 가장가까운 에지와 각각의 리프트 핀 지지점 사이의 간격이 처리된 기판의 길이 또는 폭의 1/10 미만이 되도록 구성된다.
본 발명의 일부 실시예는 중심 어시스트(assist)를 이용한다. 중심 어시스트가 사용되는 실시예에서, 중심 어시스트는 다수의 리프트 핀이 처리된 기판과 접촉하기 전 또는 접촉한 직후에 철회된다.
본 발명의 일부 실시예에서, 지지 부재는 다수의 리프트 핀을 커버한다. 이러한 방식에 있어서, 지지 부재는 서셉터로부터 기판을 분리시키기 위해 기판과 접촉한다. 일부 실시예에서, 지지 부재는 실제로 다수의 부재를 포함한다. 이들 각각의 부재는 다수의 리프트 핀의 상이한 서부세트 상에 놓인다.
바람직하게, 본 발명의 방법 및 장치에 의해 처리되는 기판은 처리된 기판의 중심 영역내에 불연속 마크를 갖지 않는다.
본 발명은 프로세싱 챔버 안팎으로 기판을 이송하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 하기에 개시되는 실시예에서, 본 발명은 CVD 챔버에 대해 개시한다. 그러나, 본 발명은 다른 형태의 프로세싱 챔버에 적용될 수도 있다. 예를 들어, 본 발명은 증착 프로세스를 수행하는 임의의 챔버에 사용될 수 있다. 이러한 챔로로는 제한되지 않지만, 플라즈마 강화 CVD(PECVD) 챔버, 에칭 챔버, 물리적 기상 증착(PVD) 챔버, 및 급속 어닐링(RTA) 챔버를 포함한다.
본 발명은 캘리포니아, 산타클라라의 어플라이드 머터리얼스에 의해 제조된 모델 AKT-3500 PECVD 시스템에 사용될 수 있다. AKT-3500 PECVD는 대형 액정 평판 디스플레이에 대한 기판의 제조에 사용되도록 설계되었다. 다수의 프로세스 챔버를 갖는 모듈라 시스템은 비정질 실리콘, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 및 옥시질화물막을 증착하는데 사용된다. AKT-3500과 관련한 보다 상세한 설명은 본 발명의 양수인에게 양도된 "A Deposition Chamber Cleaning Technique Using a High Power Remote Excitation Source"란 명칭의 USP 6,432,255호에 개시되어 있으며, 이는 본 명세서에서 참조된다. 본 발명은 제한되지 않지만, 캘리포니아 산타클라라의 어플라이드 머터리얼스에 의해 제조된 1600 PECVD(예를 들어, AKT PECVD 1600B 버전, 기판 크기 400×500), 3500PECVD, 4300PECVD, 5500PECVD, PECVD 10K, PECVD 15K, 및 PECVD 25K를 포함하는 임의의 상업적으로 이용가능한 증착 시스템을 사용할 수 있다.
본 발명에서 사용되는 기판의 치수
본 명세서에서 사용되는 "기판"이란 용어는 프로세스 챔버내에서 처리되는임의의 물체를 광범위하게 포함한다. 예를 들어, "기판"이란 용어는 평판 디스플레이, 글라스 또는 세라믹 플레이트, 및 글라스 또는 세라믹 디스크에 사용되는 평판 패널을 포함한다. 본 발명은 특히, 500mm ×500mm 이상의 치수를 갖는 글라스 플레이트와 같은 대형 기판에 적용될 수 있다. 일 실시예에서, 기판은 600mm ×720mm 이상의 치수를 갖는다. 본 발명의 또다른 실시예에서, 기판은 1000mm ×1200mm 이상의 치수를 갖는다. 본 발명의 또다른 실시예에서, 기판은 1100mm ×1250mm 이상의 치수를 갖는다.
본 발명의 일부 실시예는 약 0.7mm 이상의 두께를 갖는 기판을 사용한다. 본 발명의 일부 실시예는 0.63mm 이상의 두께를 갖는 기판을 사용한다. 본 발명의 또다른 실시예는 0.60mm 이상의 두께를 갖는 기판을 사용한다. 본 발명의 또다른 실시예는 0.50mm 이상의 두께를 갖는 기판을 사용한다.
기판 상에 증착되는 막들
PECVD 및 CVD는 기판 상에 박막층을 증착하는데 사용되는 프로세스이다. 일반적으로 CVD 프로세스에서, 기판은 진공 증착 프로세스 챔버에서 지지되며 프로세싱 동안 섭씨 수백도로 가열된다. 챔버 속으로 증착 가스가 주입되며, 기판 상에서 박막층을 증착하기 위한 화학 반응이 이루어진다.
도 4는 CVD 프로세스 동안 증착되는 전형적인 막들의 예를 나타낸다. 먼저, 시리콘 질화물층(402)이 기판(400) 상에 증착된다. 층(404)은 비정질 실리콘이다. 제 3 층(406)은 폴리-실리콘이며 제 4층(408)은 실리콘 질화물 패시베이션층이다.
증착 장치
본 발명의 일부 실시예에서, 증착 프로세스는 PECVD 프로세스이다. 도 5는 본 발명의 리프트 핀이 기판으로부터 서셉터를 분리시키기 위해 사용될 수 있는 PECVD 장치(530)를 나타낸다. 도 5에 도시된 것처럼, PECVD 장치(530)는 스템(537)상에 장착된 기판 지지 플레이트(520)를 갖는 서셉터(535)를 포함한다. 서셉터(535)는 진공 증착 프로세스 챔버(533)내의 정심에 위치도는 것으로 도시된다. 지지층(522)은 기판 프로세싱 또는 반응 영역(541)내에서 있는 글라스 패널과 같은 기판을 지지하기 위해 지지 플레이트(520) 상에 위치된다. 리프트 메커니즘(미도시)은 서셉터(535)를 상승 및 하강시키기 위해 제공될 수 있다. 리프트 메커니즘(미도시)은 공지된 종래 기술을 이용하여 제어기(미도시)에 의해 제공되는 명령에 의해 조절된다. 기판은 로봇 블레이드(미도시)에 의해 챔버(533) 측벽(534)에 있는 개구부(542)를 통해 챔버(533) 안팎으로 이송된다.
증착 프로세스 가스(화살표(523)로 표시됨)는 내부 매니폴드(526)를 통해 챔버(533)로 흐른다. 다음 가스는 프로세스 가스 분포 면판(525)에 있는 홀(521) 및 천공된 브로커 플레이트(524)를 통과하여 흐른다. 가스 흐름 방향은 도 5의 기판-프로세싱 영역(541)에 작은 화살표로 도시된다. 프로세스 가스 혼합물을 여기시키고 플라즈마를 형성하기 위해, 가스 분포 면판(525)과 서셉터(535) 사이에 전력을 공급하는데 무선 주파수 전원장치가 사용된다. 서셉터의 지지 플레이트(520) 상에 있는 기판의 표면 상에 원하는 막을 증착하도록 플라즈마 성분이 반응한다.
본 발명의 일부 실시예에서, 서셉터(535)는 서셉터의 중심부 내에 리프트 핀 홀을 갖지 않는다. 이러한 실시예에서, 서셉터(535)의 중심 부분은 서셉터 중심부를 포함하며, 서셉터의 중심 부분은 적어도 100mm2의 면적을 갖는다.
증착 프로세스 가스는 반응 영역(541)을 둘러싸는 슬롯-형상 오리피스(531)을 통해 챔버로부터 배기 플래넘(550) 속으로 배기될 수 있다. 배기 플래넘(550)으로부터, 가스는 진공 차단 밸브(522)를 통해 외부 진공 펌프(미도시)와 접속되는 배기 출구(554) 속으로 흐른다.
도 6은 프로세싱 챔버(530)의 단면도이다. 도면은 챔버(530)(도 5)에서 사용되는 기판 지지체(535)와 플라즈마(669)의 상세한 설명을 도시한다. 도면에서는, RF 전원 장치(672)가 가스 분포 면판(525)에 전력을 공급하는 것으로 도시된다. 플라즈마(669)는 면판(525)과 서셉터(535) 사이에서 발생된다.
상기 설명된 바와 같이, 로봇 블레이드는 챔버(533)의 측벽(534)에 있는 개구부(542)(도 5)를 통해 챔버(530) 안팎으로 기판의 이송을 용이하게 한다. 도 6을 참조로, 일단 로봇 블레이트(미도시)가 기판을 리프트 핀 홀더(667) 상에 위치되는 리프트 핀(671) 위치로 이동시키면, 프로세싱 위치속으로 기판이 이동하기 이전에 지지 플레이트(665)로 상향 이동된다. 특히, 리프트 핀(671)은 기판(665)과 접촉하고 기판을 지지하도록 서셉터(535)의 리프트 핀 홀(662)을 지나 이동한다. 리프트 핀(671)은 공지된 이송 메커니즘 또는 선형 피드쓰로우를 사용하여 리프트 수단(680)의 동작에 의해 리프트 핀 홀(662)을 지나 이동할 수 있다.
주목할 것은 AKT-1600 PECVD 시스템(캘리포니아, 산타클라라 어플라이드 머터리얼스)과 같은 일부 프로세싱 챔버에서, 기판은 서셉터(535)의 이동으로 인해 프로세싱 위치로 이동한다는 것이다. 로봇 블레이드(미도시)가 리프트 핀(671) 상으로 기판(665)을 이동시킨 후, 서셉터(535)는 기판(665)을 접촉시키기 위해 상향 이동한다.
본 발명의 일부 실시예는 리프트 핀(671)으로서 알루미나 리프트 핀을 사용한다. 알루미나 리프트 핀은 식별 번호 11875000(캘리포니아, 프레몬트, 스트라타메트, 인크.), 제품 번호 0200-71597 Rev.E1로서 상업적으로 이용된다.
바람직하게, 본 발명의 리프트 핀(671)은 기판(665)의 중심 영역의 지지점에서 기판을 지지하지 않는다. 용어정의에 있어, 기판(665) 중심 영역은 기판(655)의 중심부로부터 예정된 간격(예를 들어, 100mm, 200mm 이상)내의 영역으로 정의된다. 중심 리프트 핀을 사용하는 대신, 본 발명의 리프트 핀은 기판(665)의 프레임 부분에 있는 지지점으로부터 기판을 지지한다. 프레임 부분(665)은 기판 주변부를 포함한다.
본 발명에서, 리프트 핀(671)이 기판(665)과 접촉한 후에, 로봇 블레이드는 철회되고 기판(665)은 프로세싱을 위한 위치로 이동된다. 서셉터에 대해 평탄하게 놓이도록 기판(665)을 위치시키는 방법중 하나는 본 발명의 양수인에게 양도된 USP 6,177,023호에 개시되어 있으며, 이는 본 명세서에서 참조된다.
원하는 화학물이 처리된 기판(665) 상에 하나 이상의 막으로서 증착된 후에, 기판이 서셉터(535)로부터 분리되고 증착 챔버 밖으로 들어올려진다. 기판(665)으로부터 서셉터(535)를 분리시키는 방법은 본 발명의 양수인에게 양도된 USP 5,380,566호에 개시되어 있으며, 이는 본 명세서에서 참조된다. 상기 방법은 기판(665)상의 막에 악영향을 미치지않고 기판(665) 상에 이미 있는 막에 부가층을 추가하지 않는 불활성 가스(669)(도 6)(예를 들어, 수소, 질소, 아르곤 또는 암모니아)로 처리된 기판을 플라즈마 처리하는 단계를 수반한다. 플라즈마(669)와 기판(665) 사이의 전하의 상호작용은 기판과 서셉터(535) 사이의 결합을 느슨하게 한다. 리프트 핀(671)은 서셉터(535)로부터 기판(665)을 들어올리는데 사용된다. 일부 실시예에서, 리프트 핀(671)이 서셉터(535)로부터 기판을 상승시키는 경우, 플라즈마(669)는 더이상 이용되지 않는다. 또다른 실시예에서, 플라즈마(669)는 리프트 핀(671)이 서셉터(535)(도 6)로부터 기판을 상승시킨 후에도 사용될 수 있다. 도 6에서, 플라즈마는 챔버내에서 기판(665)이 리프트 핀(671)에 의해 서셉터(535)로부터 상승되는 시기를 나타낸다. 도 6에 도시되지는 않았지만, 기판을 상승시키기 위해 리프트 핀(671)을 사용하기 전에 서셉터로부터 기판 제거를 돕기 위해 기판(665)이 서셉터(535) 상에 있는 경우의 일부 실시예에는 플라즈마(669)가 사용된다.
기판(665)상에 원하는 막이 증착된 후에, 리프팅 메커니즘(680)은 리프트 핀 홀(662)을 지나 이동하여 처리된 기판(665)과 접촉도록 리프트 핀(671)을 상승시킨다. 리프트 메커니즘(680)은 제어기(677)에 의해 제어된다. 도시되지는 않았지만 AKT-1600 PECVD와 같은 일부 프로세싱 챔버에서 서셉터의 하향 이동은 서셉터로부터 처리된 기판을 효과적으로 들어올린다. 서셉터가 하강함에 따라, 리프트 핀은처리된 기판과 접촉하여 기판을 지지한다.
도 7은 본 발명에 따라 처리된 기판이 상승되기 전에 서셉터로부터 기판을 분리시키는 선택적 방법을 나타낸다. 중심 어시스트(730)는 기판 중심 부근에서 처리된 기판(665)과 접촉하여 철회되기 전에 서셉터(535)의 지지층(522)으로부터 기판(665)을 포커싱한다. 공지된 기술을 이용하여 제어기(777)에 의해 중심 어시스트(730)로 명령이 전송된다. 중심 어시스트(730)(도 7)는 기판을 지지하기 보다는 서셉터(535)로부터 기판(665)을 조금씩 이동시키는데(nudge) 사용된다는 의미에서 중심 리프트 핀(150)(도 1)과는 상이하다. 이와 같은, 전형적인 실시예에서, 간단히 말해 중심 어시스트(730)는 서셉터로부터 기판을 해체시키기 위해(knock) 기판(665)과 접촉한다. 다음, 중심 어시스트는 철회되고 기판 주변부 상의 리프트 핀은 로봇 블레이드가 기판 밑면으로 슬라이드될 수 있도록 서셉터로부터 상승시키는데 사용된다. 로봇 블레이드가 기판과 접촉하면, 블레이드는 증착 챔버로부터 기판을 제거하는데 사용될 수 있다.
리프트 핀 구성
독특하게 도 8에 도시된 리프트 핀의 구성은 중심 리프트 핀을 사용하지 않고 기판(665)을 지지하도록 구성된다. 도 8에 도시된 리프트 핀의 구성은 도 1에 개시된 공지된 리프트 핀 구성과 상이하다. 도 8에서 제 3 리프트 핀은 기판 각 측면상에 존재한다. 도 8에서 기판 각 측면상에서 제 3 리프트 핀은 기판이 과도하게 쳐지지 않도록 서셉터로부터 기판(665)을 분리하기에 충분한 지지체를 제공한다. 일부 실시예에서, 처리된 기판(665) 각각의 에지상에서 리프트 핀(871)은 균일하게 이격된다.
도 9는 본 발명에 따른 리프트 핀(871)의 또다른 구성의 평면도이다. 도 9에 도시된 구성에서, 기판(665)의 각 측면은 N개의 리프트 핀(871)에 의해 지지되며, 여기서 N은 3, 4, 5, 6 또는 6 이상의 정수이다. 일부 실시예에서, 리프트 핀(871)은 기판(665)의 각 측면을 따라 균일하게 이격된다.
도 10은 본 발명의 또다른 구성에 대한 평면도이다. 리프트 핀(871)은 기판(665)을 지지한다. 각각의 리프트 핀(871)은 리프트 핀(871)에 대응되는 기판 상의 특정 지점에서 기판(665)을 지지한다. 본 명세서에서 리프트 핀(871)이 기판(665)을 지지하는 지점은 리프트 핀 지지점으로 정의된다. 도 10에 도시된 실시예에서 모든 리프트 핀 지지점은 기판(665)의 프레임 부분(1080)내에 위치한다. 본 발명의 일부 실시예에서, 프레임 부분(1080)은 예정된 폭(1020)을 갖는다. 일 실시예에서, 예정된 프레임 폭은 약 40mm 내지 약 400mm이다. 또다른 실시예에서, 프레임 부분(1080)의 예정된 폭은 기판(665)의 가장긴 치수의 1/10 또는 그 이하이다. 따라서, 600mm ×720mm 치수를 갖는 기판에 대해, 프레임 폭은 약 72mm 이하이다. 일부 실시예에서, 프레임 부분(1080)의 예정된 폭은 기판(665)의 길이 또는 폭의 약 1/5 또는 그 이하이다. 일부 실시예에서, 프레임 부분(1080)의 폭은 기판 각각의 측면상에서 상이하다. 도 10에는 기판(665)의 각 에지를 지지하는 3개의 균일하게 이격된 리프트 핀(871)을 갖는 리프트 핀 구성을 도시하였지만, 프레임 부분(1080)내에서 기판(665)을 지지하는 또다른 리프트 핀 구성이 가능하다. 예를들어, 도 9의 리프트 핀 구성이 사용될 수 있으며, 각각의 리프트 핀(871-N)(도 9)은 프레임 영역(1080)내에 위치한다.
도 11은 본 발명에 따른 리프트 핀(871)의 또다른 구성의 평면도이다. 각각의 리프트 핀 지지점은 처리된 기판(665)의 중심부(1170)로부터 적어도 예정된 간격에 있다. 도 11에서 리프트 핀(871)은 모든 리프트 핀 지지점이 기판 중심부(1110)로부터 적어도 예정된 간격에 있도록 처리된 기판(665)을 지지하는 것으로 도시된다. 다른 말로, 리프트 핀 지지점은 기판의 영역(1140)(중심부분)내에 있지 않다. 일 실시예에서, 예정된 간격(1160)은 약 100mm 이상, 약 120mm 이상, 약 200mm 이상, 또는 약 400mm 이상이다. 또다른 실시예에서, 예정된 간격(1160)은 기판의 가장긴 치수의 약 1/5 이하이다. 따라서, 1100mm ×1250mm 치수를 갖는 기판에 대해, 예정된 간격은 250mm이다. 일부 실시예에서, 예정된 간격(1160)은 기판(665)의 길이 또는 폭의 약 1/5이다. 일부 실시예에서, 리프트 핀은 기판(665)의 중심 영역(1140)(도 11)내에 있지 않으며 중심 영역(1140)은 적어도 100mm의 직경을 갖는다. 일부 실시예에서, 리프트 핀은 기판(665)의 중심 영역(1140)(도 11)내에 있지 않으며 중심 영역(1140)은 적어도 200mm의 직경을 갖는다. 도 11은 기판 각각의 에지를 둘러싸는 3개의 균일하게 이격된 리프트 핀(880)을 갖는 리프트 핀 구성을 도시하였지만, 중심 영역 밖의 또다른 리프트 핀 구성이 사용될 수 있다. 예를 들어, 도 9에 도시된 리프트 핀 구성이 사용될 수 있다.
도 12는 본 발명의 또다른 실시예의 평면도이다. 기판(665)은 리프트 핀(871)에 의해 지지된다. 지지 부재(1270)는 적어도 리프트 핀의 서브세트 위에 놓이며 리프트 핀이 서셉터로부터 기판을 분리시키는데 사용되는 경우 기판과 접촉한다. 도 12에 도시된 것처럼, 지지 부재(1270-1)는 리프트 핀(1371)의 상부에 놓인다. 유사하게, 지지 부재(1270-2, 1270-3, 1270-4)는 리프트 핀(871)의 상이한 서브세트 상부에 놓인다. 지지 부재(1270) 상부에 놓이는 부재, 구성 및 치수는 본 발명에 따라 다양할 수 있다.
선택적 실시예 및 참조 문헌
본 명세서에서 인용된 모든 참조 문헌들은 각각의 개별 공보 또는 특허 또는 특허 출원이 다목적으로 특정하게 개별적으로 참조되는 범위로 본 명세서에서 참조된다. 본 발명은 몇개의 특정 실시예를 참조로 개시되었지만, 상세한 설명은 본 발명을 설명하는 것으로 본 발명을 제한하도록 구성된 것은 아니다. 당업자는 첨부되는 청구항에 정의된 본 발명의 범주 및 사상을 이탈하지 않는 한 다양한 변형을 달성할 것이다.

Claims (85)

  1. 프로세싱 챔버내의 서셉터로부터 기판을 들어올리는 방법으로서,
    중심 리프트 핀을 포함하지 않는 다수의 리프트 핀을 사용하여 상기 기판을 지지하는 단계를 포함하는, 프로세싱 챔버내의 서셉터로부터 기판을 들어올리는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 적어도 500mm의 제 1 치수 및 적어도 500mm인 제 2 치수를 갖는 것을 특징으로 하는, 프로세싱 챔버내의 서셉터로부터 기판을 들어올리는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 서셉터가 상기 다수의 리프트 핀의 리프트 핀 팁 아래로 하강될 때, 상기 다수의 리프트 핀이 상기 기판을 지지하는 것을 특징으로 하는, 프로세싱 챔버내의 서셉터로부터 기판을 들어올리는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀의 각각의 리프트 핀은 상기 기판의 중심부로부터 적어도 120mm에 있는 지점으로부터 상기 기판을 지지하도록 구성되는 것을 특징으로 하는, 프로세싱 챔버내의 서셉터로부터 기판을 들어올리는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀은 상기 다수의 리프트 핀의 각각의 리프트 핀이 상기 기판의 프레임 부분에 있는 지점으부터 상기 기판을 지지하도록 구성되며, 상기 프레임 부분은 상기 기판의 주변부를 포함하며 약 40mm 미만의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는, 프로세싱 챔버내의 서셉터로부터 기판을 들어올리는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀은 각각의 리프트 핀이 리프트 핀 지지점에서 상기 기판을 지지하도록 구성되며, 상기 기판 에지상에는 적어도 3개의 리프트 핀 지지점이 있는 것을 특징으로 하는, 프로세싱 챔버내의 서셉터로부터 기판을 들어올리는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀은 각각의 리프트 핀이 리프트 핀 지지점에서 상기 기판을 지지하고 각각의 리프트 핀 지지점과 상기 기판의 가장가까운 에지 사이의 간격이 상기 기판의 길이 또는 폭의 1/5 미만이 되도록 구성되는 것을 특징으로 하는, 프로세싱 챔버내의 서셉터로부터 기판을 들어올리는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 핀은 각각의 리프트 핀이 해당 리프트 핀 지지점에서 상기 기판을 지지하고 상기 다수의 리프트 핀의 핀은 상기 기판의 중심 영역에서는 해당 리프트 핀 지지점을 갖지 않도록 구성되는 것을 특징으로 하는, 프로세싱 챔버내의 서셉터로부터 기판을 들어올리는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 기판의 중심 영역은 적어도 100mm의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는, 프로세싱 챔버내의 서셉터로부터 기판을 들어올리는 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 기판의 중심 영역은 적어도 200mm의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는, 프로세싱 챔버내의 서셉터로부터 기판을 들어올리는 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 기판을 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 프로세싱 챔버내의 서셉터로부터 기판을 들어올리는 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 기판과 중심 어시스트를 접촉시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 프로세싱 챔버내의 서셉터로부터 기판을 들어올리는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 다수의 리프트 핀이 상기 기판을 지지할때 상기 중심 어시트를 철회시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 프로세싱 챔버내의 서셉터로부터 기판을 들어올리는 방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 핀의 적어도 서브세트 위에놓인 지지 부재는 상기 이용되는 단계의 적어도 일부 동안 상기 기판과 접촉하는 것을 특징으로 하는, 프로세싱 챔버내의 서셉터로부터 기판을 들어올리는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 지지 부재는 다수의 부재를 포함하며, 상기 다수의 부재에서 각각의 부재는 상기 다수의 리프트 핀의 상이한 서브세트 상에 놓이는 것을 특징으로 하는, 프로세싱 챔버내의 서셉터로부터 기판을 들어올리는 방법.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 글라스를 포함하는 것을 특징으로 하는, 프로세싱 챔버내의 서셉터로부터 기판을 들어올리는 방법.
  17. 증착 방법에 의해 처리되는 기판으로서,
    상기 기판은 상기 기판의 중심부를 포함하는 중심 영역내에 불연속 마크를 갖지 않으며 적어도 500mm의 제 1 치수와 적어도 500mm의 제 2 치수를 갖는 기판.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 중심 영역은 적어도 200mm의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 기판.
  19. 기판의 중심 영역에 불연속 마크를 형성하지 않는 기판 처리 방법으로서,
    상기 기판이 증착 챔버내의 서셉터 상에 있을 때 상기 기판 상에 층을 증착하는 단계;
    상기 서셉터로부터 상기 기판을 분리시키는 단계; 및
    상기 기판의 프레임 부분내에서 상기 기판과 접촉하는 리프트 핀들을 결합시킴으로써 상기 서셉터로부터 기판을 들어올리는 단계를 포함하며,
    상기 리프트 핀은 상기 기판의 중심 영역내에서는 기판과 접촉하지 않는, 기판 처리 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 중심 영역은 적어도 200mm의 직경을 가지며 상기 기판의 중심부를 포함하며, 상기 프레임 부분은 상기 기판의 길이 또는 폭의 1/10 미만의 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  21. 서셉터로부터 기판을 들어올리는 리프팅 장치로서,
    다수의 리프트 핀; 및
    상기 다수의 리프트 핀을 조절하여 상기 기판을 지지하는 리프팅 메커니즘을 포함하며, 중심 리프트 핀을 포함하지 않는 리프팅 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 기판은 적어도 500mm인 제 1 치수 및 적어도 500mm인 제 2 치수를 갖는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 리프팅 메커니즘은 상기 다수의 리프트 핀의 리프트 핀 팁 아래로 서셉터를 하강시키는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  24. 제 21 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀은 각각의 리프트 핀이 상기 기판의 중심부로부터 적어도 120mm 떨어져 있는 상기 지점으로부터 상기 기판을 지지하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  25. 제 21 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀은 각각의 리프트 핀이 상기 기판의 프레임 영역내의 지점으로부터 상기 기판을 지지하도록 구성되며, 상기 프레임 영역은 상기 기판의 주변부를 포함하며 상기 프레임 영역은 약 40mm 미만의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  26. 제 21 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀은 적어도 3개의 리프트 핀이 상기 기판의 에지를 지지하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  27. 제 21 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀 각각의 핀은 해당 리프트 핀 지지점에서 상기 기판을 지지하며,
    상기 각각의 리프트 핀 지지점과 상기 기판의 가장가까운 에지로부터의 간격은 상기 기판의 길이 또는 폭의 약 1/10 미만인 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  28. 제 21 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀 각각의 핀은 해당 리프트 핀 지지점에서 상기 기판을 지지하며,
    상기 각각의 리프트 핀 지지점과 상기 기판의 가장가까운 에지 사이의 간격은 상기 기판의 길이 또는 폭의 약 1/10 미만인 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  29. 제 21 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀은 상기 다수의 리프트 핀의 핀이 상기 기판의 중심부의 리프트 핀 지지점에서는 상기 기판을 지지하지 않도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  30. 제 21 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀의 각각의 핀은 해당 리프트 핀 지지점에서 상기 기판을 지지하며,
    상기 다수의 리프트 핀은 상기 다수의 리프트 핀의 핀이 상기 기판 중심부의 적어도 100mm 이내에서 해당 리프트 핀 지지점을 갖지 않도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  31. 제 21 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀의 각각의 핀은 해당 리프트 핀 지지점에서 상기 기판을 지지하며,
    상기 다수의 리프트 핀은 상기 다수의 리프트 핀의 핀이 상기 기판 중심부의 적어도 200mm 이내에 있는 해당 리프트 핀 지지점을 갖지 않도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  32. 제 21 항에 있어서,
    상기 장치는 상기 서셉터로부터 기판을 분리시키는(loosen) 플라즈마를 발생시키기 위해 무선 주파수 전원장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  33. 제 21 항에 있어서,
    상기 기판을 분리시키는 중심 어시스트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  34. 제 33 항에 있어서,
    상기 중심 어시스트는 상기 다수의 리프트 핀이 상기 기판을 지지하는 경우 철회되는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  35. 제 21 항에 있어서,
    상기 다수의 핀의 적어도 서브세트 위에 놓인 지지 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  36. 제 37 항에 있어서,
    상기 지지 부재는 다수의 부재를 포함하며, 각각의 부재는 상기 다수의 핀의 상이한 서브세트 위에 놓이는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  37. 제 21 항에 있어서,
    상기 서셉터는 상기 서셉터의 중심 부분에 리프트 핀 홀을 갖지 않으며, 상기 서셉터의 중심 부분은 상기 서셉터의 중심부를 포함하며, 상기 서셉터의 중심 부분은 적어도 100㎟의 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  38. 제 21 항에 있어서,
    상기 기판은 600mm ×720mm 이상의 치수를 갖는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  39. 제 21 항에 있어서,
    상기 기판은 1000mm ×1200mm 이상의 치수를 갖는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  40. 프로세싱 챔버내의 서셉터로부터 기판을 들어올리는 방법으로서,
    다수의 핀을 이용하여 상기 기판을 지지하는 단계를 포함하며,
    상기 다수의 핀은 상기 기판의 프레임 부분 내에서만 상기 기판을 지지하는, 기판을 들어올리는 방법.
  41. 제 40 항에 있어서,
    상기 기판은 적어도 500mm의 제 1 치수와 적어도 500mm의 제 2 치수를 갖는 것을 특징으로 하는, 기판을 들어올리는 방법.
  42. 제 40 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀은 서셉터가 상기 다수의 리프트 핀의 리프트 핀 팁 아래로 하강할 때 상기 기판을 지지하는 것을 특징으로 하는, 기판을 들어올리는 방법.
  43. 제 40 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀의 각각의 핀은 상기 기판의 중심부로부터 적어도 120mm인 포인트로부터 기판을 지지하도록 구성되는 것을 특징으로 하는, 기판을 들어올리는 방법.
  44. 제 40 항에 있어서,
    상기 프레임 부분은 상기 기판의 주변부를 포함하며 상기 프레임 부분은 약 400mm 미만의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는, 기판을 들어올리는 방법.
  45. 제 40 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀은 각각의 리프트 핀이 리프트 핀 지지점에서 상기 기판을 지지하도록 구성되며 상기 기판의 에지 상에서는 적어도 3개의 리프트 핀 지지점이 있는 것을 특징으로 하는, 기판을 들어올리는 방법.
  46. 제 40 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀은 각각의 리프트 핀이 리프트 핀 지지점에서 상기 기판을 지지하고 상기 각각의 리프트 핀 지지점과 상기 기판의 가장가까운 에지 사이의 간격이 상기 기판의 가장 긴 치수의 1/10 미만이 되도록 구성되는 것을 특징으로 하는, 기판을 들어올리는 방법.
  47. 제 40 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀은 각각의 리프트 핀이 리프트 핀 지지점에서 기판을 지지하고 상기 각각의 리프트 핀 지지점과 상기 기판의 가장가까운 에지 사이의 간격이 상기 기판의 길이 또는 폭의 1/5 미만이 되도록 구성되는 것을 특징으로 하는, 기판을 들어올리는 방법.
  48. 제 40 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀은 각각의 리프트 핀이 해당 리프트 핀 지지점에서 기판을 지지하고 상기 다수의 리프트 핀에서 핀은 상기 기판의 중심 영역에는 해당 리프트 핀 지지점을 갖지 않도록 구성되는 것을 특징으로 하는, 기판을 들어올리는 방법.
  49. 제 48 항에 있어서,
    상기 기판의 중심 영역은 적어도 100mm의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는, 기판을 들어올리는 방법.
  50. 제 48 항에 있어서,
    상기 기판의 중심 영역은 적어도 200mm의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는, 기판을 들어올리는 방법.
  51. 제 40 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 기판을 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판을 들어올리는 방법.
  52. 제 40 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 기판과 중심 어시스트를 접촉시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판을 들어올리는 방법.
  53. 제 52 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 다수의 리프트 핀이 상기 기판을 지지할 때 상기 중심 어시스트를 철회시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판을 들어올리는 방법.
  54. 제 40 항에 있어서,
    상기 다수의 핀의 적어도 서브세트 상에 놓인 지지 부재는 상기 이용되는 단계의 적어도 일부 동안 상기 기판과 접촉하는 것을 특징으로 하는, 기판을 들어올리는 방법.
  55. 제 40 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀은 상기 기판 각각의 에지상에 균일하게 이격되는 것을 특징으로 하는, 기판을 들어올리는 방법.
  56. 제 40 항에 있어서,
    상기 기판 각각의 에지 상에 있는 프레임 부분은 적어도 상기 기판의 또다른 에지의 프레임 부분 폭과 상이한 폭을 갖는 것을 특징으로 하는, 기판을 들어올리는 방법.
  57. 기판의 중심 영역에 불연속 마크를 형성하지 않고 기판을 처리하는 방법으로서,
    상기 기판이 증착 챔버내의 지지체 상에 있는 경우 상기 기판 상에 층을 증착하는 단계;
    상기 서셉터로부터 상기 기판을 분리시키는 단계; 및
    상기 기판의 프레임 부분에서만 상기 기판과 접촉하는 리프트 핀을 결합시킴으로써 상기 서셉터로부터 상기 기판을 들어올리는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  58. 제 57 항에 있어서,
    상기 기판의 중심 영역은 적어도 200mm의 직경을 가지며 상기 프레임 부분은 상기 기판의 길이 또는 폭의 1/5 미만의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  59. 제 57 항에 있어서,
    상기 프레임 부분은 약 40mm 내지 약 400mm 범위에 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  60. 제 57 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀은 상기 기판 각각의 에지상에서 균일하게 이격되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  61. 서셉터로부터 기판을 들어올리는 리프팅 장치로서,
    다수의 리프트 핀; 및
    상기 기판의 프레임 부분에서만 상기 기판을 지지하도록 상기 다수의 리프트핀을 조절하는 리프팅 메커니즘을 포함하는 리프팅 장치.
  62. 제 61 항에 있어서,
    상기 기판은 적어도 500mm인 제 1 치수 및 적어도 500mm인 제 2 치수를 갖는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  63. 제 61 항에 있어서,
    상기 리프팅 메커니즘은 상기 다수의 리프트 핀의 리프트 핀 팁 아래로 상기 서셉터를 하강시키는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  64. 제 61 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀은 각각의 리프트 핀이 상기 기판의 중심부로부터 적어도 120mm 떨어진 지점으로부터 상기 기판을 지지하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  65. 제 61 항에 있어서,
    상기 프레임 영역은 상기 기판의 주변부를 포함하며 상기 프레임 영역은 약 400mm 미만의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  66. 제 61 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀은 적어도 3개의 리프트 핀이 상기 기판의 에지를 지지하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  67. 제 61 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀의 각각의 핀은 해당 리프트 핀 지지점에서 상기 기판을 지지하며, 각각의 리프트 핀 지지점과 상기 기판의 가장가까운 에지로부터의 간격은 상기 기판의 가장긴 치수의 약 1/10 미만인 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  68. 제 61 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀의 각각의 핀은 해당 리프트 핀 지지점에서 상기 기판을 지지하며, 각각의 리프트 핀 지지점과 상기 리프트 핀 지지체와 가장가까운 기판의 에지 사이의 간격은 상기 기판 길이 또는 폭의 1/5 미만인 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  69. 제 61 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀은 상기 다수의 리프트 핀의 핀이 상기 기판의 중심부에서의 리프트 핀 지지점에서 상기 기판을 지지하지 않도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  70. 제 61 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀에서 각각의 핀은 해당 리프트 핀 지지점에서 상기 기판을 지지하며, 상기 다수의 리프트 핀은 상기 다수의 리프트 핀의 핀이 상기 기판 중심부의 적어도 100mm내에 있는 해당 리프트 핀 지지점을 갖지 않도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  71. 제 61 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀에서 각각의 핀은 해당 리프트 핀 지지점에서 상기 기판을 지지하며, 상기 다수의 리프트 핀은 상기 다수의 리프트 핀의 핀이 상기 기판 중심부의 적어도 200mm 내에 있는 해당 리프트 핀 지지점을 갖지 않도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  72. 제 61 항에 잇어서,
    상기 장치는 상기 서셉터로부터 상기 기판을 느슨하게 하는 플라즈마를 발생시키기 위해 무선 주파수 전원장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  73. 제 61 항에 있어서,
    상기 기판을 분리시키는 중심 어시스트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  74. 제 73 항에 있어서,
    상기 중심 어시스트는 상기 다수의 리프트 핀이 상기 기판을 지지할 때 철회되는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  75. 제 61 항에 있어서,
    상기 다수의 핀의 적어도 서브세트 상부에 놓인 지지 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  76. 제 75 항에 있어서,
    상기 지지 부재는 다수의 부재를 포함하며, 각각의 부재는 상기 다수의 핀의 상이한 서브세트 상부에 놓이는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  77. 제 61 항에 있어서,
    상기 서셉터는 상기 서셉터의 중심 부분에 리프트 핀 홀을 갖지 않으며, 상기 서셉터의 상기 중심 부분은 상기 서셉터의 중심부를 포함하며, 상기 서셉터의 중심 부분은 적어도 100㎟ 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  78. 제 61 항에 있어서,
    상기 기판은 600mm ×720mm 이상의 치수를 갖는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  79. 제 61 항에 있어서,
    상기 기판은 1000mm ×1200mm 이상의 치수를 갖는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  80. 제 61 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀은 상기 기판의 각각의 에지 상에 균일하게 이격되는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  81. 제 61 항에 있어서,
    상기 기판의 각각의 에지 상에 있는 프레임 부분은 적어도 상기 기판의 또다른 에지의 프레임 부분 폭과 상이한 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  82. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀은 각각의 리프트 핀이 리프트 핀 지지점에서 상기 기판을 지지하고 각각의 리프트 핀 지지점과 상기 기판의 가장가까운 에지 사이의 간격이 상기 기판의 가장긴 치수의 1/10 미만이 되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  83. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 리프트 핀은 상기 기판의 각각의 에지 상에서 균일하게 이격되는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  84. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 각각의 에지 상에 있는 프레임 부분은 상기 기판의 임의의 다른 에지 폭과 상이한 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
  85. 제 17 항에 있어서,
    상기 중심 영역은 적어도 100mm의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.
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