TW200415252A - Lifting glass substrate without center lift pins - Google Patents

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TW200415252A TW092132341A TW92132341A TW200415252A TW 200415252 A TW200415252 A TW 200415252A TW 092132341 A TW092132341 A TW 092132341A TW 92132341 A TW92132341 A TW 92132341A TW 200415252 A TW200415252 A TW 200415252A
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Li Hou
Quan-Yuan Shang
Robert I Greene
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Applied Materials Inc
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Description

200415252 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種 法與設備。特定言之， 避免處理基材之中央區 用以自晶座舉升一基材之改良的 本發明係關於一種方法與設備， 域内不連續標記的產生。 方其 【先則技術】 _，匕子氣相/儿積（CVD)為將各式材料沉積於一基 上以形成-薄膜的製程。在CVD製程中，基材大致以蓋 支樓於真空沉積製裎處理…並在處理期間加熱至揭 數百度的溫度。注入沉積氣體於處理室内，並引起叫t 反應以導致基材上沉積一特定薄膜。cvd處理室使用 兩沉積製程包含電聚增冑cvd(pecvD)與熱增進CVI CVD製程用以製造液晶顯示^、平板顯示器、薄膜電晶 與其它半導體元件。 材 座 氏學 之 〇 體 工 ^ 例W 7L什，具 接地電極並在沉積期間支撐基材於處理室内。晶座 基材支撐平板架設於一骨架上以及一舉升組件 CVD處理室内升高與降低基材。 為了商業用途，電漿CVD設備典型包含一舉升 用以自動傳送基材至沉積室内的晶座，並用以自晶 已處理基材以自沉積室移除基材。舉升裝置包含舉 以當已處理基材自晶座舉升時，支撐基材。 第1A圖為先前技術CVD設備之示範舉升銷配 視圖。在帛1A®中，設置舉升銷，以致有兩中央 在 升 上 銷 200415252 150支撐基材160之中央區域14〇。進一步，有八個邊緣舉 升銷11〇支撐基材160之周圍區域。在第1A圖之配置中， 兩邊緣銷110接近基材每一轉角而支撐基材。第1B圖為 沿著第1 A圖剖線1 _ 1，的截面圖。第i B圖說明舉升銷i i 〇 與1 5 0如何定位於晶座1 6 6的孔洞（未顯示）内。在匚v d沉 積製程期間，基材160直接放置於晶座166上。為了在沉 積完成後自晶座166分離基材160，係（i)通經晶座166升 高舉升銷110與150,或（ii)舉升銷110與丨5〇維持固定但 降低晶座166。 傳統CVD系統使用中央舉升銷150係有數個缺點。該 些缺點包含不連續標記的形成，如熟知之因中央舉升銷接 觸到已處理基材而產生之高爾夫球座標記（g〇lf tee mark)。另一缺點係關於傳統cvd設備的操作，基材上沉 積之薄膜被中央舉升銷15〇直接支撐的區域，典型較基材 其它薄膜沉積區域，薄五百分比至十百分比且較不密集。 第2圖說明已處理基材上基材位置與薄膜厚度的函數 關係。薄膜為一閘極氮化物薄膜，其以傳統CVD設備沉 積。區域205代表以中央舉升銷15〇直接支撐基材16〇的 位置。圖形顯示已處理基材160上沉積之薄膜，區域205 的厚度較不厚於區域205外之區域。此外，第2圖之已處 理基材的沉積厚度均一性為4.4百分比。在此沉積厚度均 〜性（厚度變化）係定義為： (最大值-最小值）/(最大值+最小值）xl〇0% 其中最小值為基材160之區域205内的沉積薄膜厚度，而 200415252 最大值為基材 160 度。基材中央位置 欲求的。 在。區域205以外的位置之沉積薄膜厚 /〇的'冗積薄膜均一性（厚度變化）是不 第3圖說明使用第2圖之相同基材，基材位置上 刻的速率。如同第2圖， ‘，、、式飯 £域205代表以中央舉升 直接支樓基材16〇的位置。圖形顯示，在傳統已處( =域，的濕式钱刻速率高於…〇5以外的區：。 第圖之已處理基材之濕式钮刻速率均一性具有不 % 3百刀比。在此濕式蝕刻速率均一性(濕式蝕 變化）定義為： 】逮率 (最大值速率-最小值速率）/(最大值速率+最小值速率）χΐ〇〇% 其中最小值“為基材16G之區域2()5以外位置的沉
濕式蝕刻速率，而最大值“為基材16〇之區域2〇5内’、J =膜：式崎率。式兹刻速率典型正比於沉積 又亦即，較咼濕式速率對應於較低密度薄膜。藉此 第3圖顯示基# 160區域205内之沉積薄膜密度二於 區域205外之薄膜沉積密度。 ，、、'!、於 中央舉升銷150直接支撐基材160之區域所產生之不連 縯標記’常為肉眼可見之變色小點。應相 ^ ^ 〜 逐些缺 曰’、因於中央舉升銷1 5 0接觸基材之位置使薄膜非均一 ，成應瞭解的是，基材1 6 0直接位於中央舉升銷^ 5 〇 的區域相對於基材160非直接位於中央舉升銷15〇上的 區戈 易引起不同溫度應力、熱膨脹率、及壓力。 雖然在一些不需要大型連續基材區域的製造計畫（諸如 5 200415252 PDA或電腦螢幕的製造）中，可避免不連續標記，但仍不欲 求存在該些標記。鄰近基材中央的不連續標記係浪費已處 理基材的表面區域旅因此增加製造成本。此外，設計不需 使用已處理基材1 6 0中央部分的製程’係需要額外的圖案 化步驟，故增加整個製程時間。在需要大型連續基材區域 的應用中，諸如製造大型螢幕電視’此類不連續標記則無 法避免。因此，在此應用中，不連續標記的存在係影響產 品品質。
如上所述，使用中央舉升銷1 5 〇導致不欲求的品質。然 而，單單自傳統舉升銷配置移除中央舉升銷1 5 0並無法提 供一解決方案。當自傳統舉升銷配置移除中央舉升銷時， 諸如第1圖所示，基材中央會在基材至晶座移除時過度下 陷。此基材下陷量係根據整個基材表面面積、基材溫度及
中央區域將產生大& 50mm的下陷量。此下陷量程度係不 欲求的。.而且對於具有此下陷量的基材，係難以使用自動 舉升組件將其自處理室移除。 基材厚度而變化。基材表面面積越大、厚度越薄、處理溫 度越高，基材下陷量傾向越大。在典型製造條件中，已處 理基材舉升離開晶座的溫度約維持在3 5 〇 C。一基材尺寸 為600毫米X 720毫米、厚度為〇 7毫米（inm)，係開始產 生過度的下陷量。而iio〇mmxl25〇mm的基材’具有〇 63mm 厚度，當使用中央舉升銷已移除的傳統舉升銷配置，在其 基於以上描述，亟需一種用 良設備與方法。 以舉升基材離開處理室之改 6 200415252 【發明内容】 本發明提供不需使用中央舉升銷的舉升銷配置。因此， 使用本發明之舉升銷配置，彳自處理室移除基材而無導致 基材中央區域不連續標記的產生。本發明之一實施例提供 -種用以自處理室晶座舉升基材之方法與設備。此方法至 V包3 (1)定位複數個舉升銷之每一舉升銷於舉升銷握持 件上，及（U)升南該複數個舉升銷以支撐基材。雖然本發明 之舉升銷配置不需使用中央舉升鎖，❻其利於支撐基材而 無產生過度下陷。 在本發明之方法與設備中，基材典型具有至少500亳米 的第一尺寸以及至彡500毫米的第二尺寸。在一些實施例 中，基材藉由降低晶座而自晶座分離。當晶座降低時，複 數個舉升銷係接觸晶座，藉此自晶座分離基材。 在本發明之一實施例中，該些舉升銷支撐基材每一邊 緣。在另一實施例中，舉升銷握持件具有大於三個舉升销 (如四個、五個或更多）均一定位於晶座每一側邊上。在本 發明之-態樣中，戶斤有舉升銷自具有預定框架寬度之框架 區域内各點支撐基材。框架區域包含基材之周圍。在一些 實& ϋ中框木區域的框架寬度約為40亳米至約400毫 —實施例中，框架寬度小於基材長度或寬度的十 为之一。.在一些實施例中，設置舉升銷以致每一舉升銷的 支撐點至夕延離基材中央一預定距離。如此所使用的，舉 :銷支撐點為基材直接置於一舉升銷上之一點。在該些實 化例中#舉升銷支禮點位於基材中央區域内。在一些實 7 施例中， ’基材中央區域具有约4 0真本s a 徑。在1 7 40笔未至約400亳米的直 “匕實施例中’基材中央區域且 一的直徑。 穴匕與具有基材長度五分之 些實施例中，每一舉升銷支撐 之距離後 @叉踩點與基材最近邊緣間 (y ^係：於舉升銷支樓點與沿著基材寬度—或長度 之另—分基材之一線間的距離的五分之-。在本發明 汽施例中，設置複數個舉升 撐點與其从 牛开銷，以致母一舉升銷支 、土材最近邊緣間之距離係小於美妯具存々〜, 分之—。 %丞材長度或寬度的十 助件部分實施例係使用―中央輔助件。在使用中央 或之/〜例在複數個舉升销已接觸已處理基材之 ^ 後瞬間，撤回中央辅助件。 在本發m施例中，—支撲元件覆蓋複數個舉升 :此^方式中，支撐元件接觸基材，以自晶座分離基材。 二貝鈿例中，支撐元件事實上包含複數個元件。此每 一元件置於複數個舉升銷之不同組別上。 本發明之方法與設備所處理之基材，有利於在已處理基 材中央區域内，不具有不連續標記。 【實施方式】 本發明為一種用以傳送基材進出處理室之方法與設 備。在以.下實施例中，本發明係以化學氣相沉積（CVD)處 理室為基礎。然而，本發明也可應用於其它形式的處理室。 如，本發明也可用於任何進行沉積製程的處理室。此類處 理室包含’但非侷限於電漿增進CVD(PECVD)處理室、餘 200415252 刻處理室、物理氣相沉積（PVD)處理室、及快速升温回火 (RTA)處理室。 本發明可用於美國加州聖克克拉之應用材料公司所製 造的 AKT-3 5 00 PEVCD 系統。AKT-3500PECVD 係設以生
產用於大型液晶平板顯示器的基材。此為具有多重製程處 理室的模組系統，可用以沉積非晶矽、氮化矽、氧化石夕與 氧氮化物薄膜。美國專利第6432255號，名稱為“A Deposition Chamber Cleaning Technique Using a High Power Remote Excitation Source”，係詳細描述 AKT - 3 5 0 0 的細節’此專利係受讓與本發明並其全文在此併入本文之 參考文獻中。本發明所使用之商業用沉積系統包含，但不 侷限於1 600PECVD(如AKT PECVD 1600B型，基材尺寸 400x500)、3500PECVD、4300PECVD、5500PECVD、PECVD 10K、PECVD 15K及PECVD 2 5K，此全為美國加州聖克克 拉之應用材料公司所製造。 本發明所徒用之基材尺寸 在此所述之「基材」係廣泛含括處理室内所進行處理的 任何物件。「基材」包含，如，平板顯示器之平板、玻璃或 陶究平板、及玻璃或陶瓷盤。本發明特定應用於大型基材， 諸如具有500mmx 500mm甚至更大尺寸的玻璃基材。在一 實施例中，一基材具有6〇〇mm X 720mm或更大尺寸。在本 發明另一實施例中’基材具有l〇〇〇mm X 1200mm或更大尺 寸。在本發明又一實施例中，基材具有！ 100rnm X 1250mm 或更大尺寸。 200415252 本發明一些實施例中係使用具有厚度約〇.7mm或更大 的基材。本發明一些實施例中係使用具有厚度〇 63mm或 更大的基材。本發明又一些實施例中係使用具有厚度 0.6mm或更大的基材。本發明另一些實施例中係使用具有 厚度0.50mm或更大的基材。 基材上沉後之薄膜 PECVD與CVD係進行沉積一薄膜層於基材上。一般在 CVD製程中，基材係支撐於一真空沉積處理室内，並在處 理期間加熱至攝氏數百度的溫卑。注人沉積氣體於處理纟 φ 内並引起一化學反應以沉積一薄膜層於基材上。 第4圖說明CVD製程沉積典型薄膜的實例。首先，沉 積亂化矽層402於基材400上。層4〇4為非晶矽。第三層 406為多晶矽，而第四層408為氮化矽鈍化層。 積設備 在本發明一些實施例中，沉積製程為PEcvd製程。第 5圖D兒明一 pECVD設備53〇，其中本發明舉升銷可用以自 一基材分離一晶座。如第5圖所示，一 pECVD設備530 φ 包各一晶座535具有基材支撐平台52〇設於一骨架537 卞。、支撐層522位於支撐平台上，以在基材處理區或反應 區域541内支撐一基材，諸如一玻璃基板。一舉升裝置（未 =不）可甩以升高與降低晶座535。舉升裝置（未顯示）藉由 白、控制器（未顯示）所提供之指令而加以調整。基材藉由 機械槳（未顯示）經由處理室53 3側牆534内之一開口 Ια 而傳送進出處理室5 3 3。 10 200415252 沉積製程氣體經由注入岐管5 2 6而流入處理室5 3 3 i 頭523方向）。而後，氣體經由穿孔阻隔板524與孔洞52i 而在製程氣體分散面板5 2 5内流動。氣流方向為第5圖烏 材處理區域5 4 1内所指的小箭頭方向。以射頻電源供鹿器 供應電源於氣體分散面板5 2 5與晶座5 3 5間，以激發製程 氣體混合物並形成電漿。電漿組成進行反應，以沉積欲长 薄膜於晶座支撐板520上之基材表面上。 在本發明部分實施例中，晶座5 3 5在其中央部分不具有 舉升銷孔洞。在此類實施例中，晶座5 3 5的中央部分包含 晶座的中央，而晶座中央部分具有至少1 〇〇min2的面積。 沉積製程氣體可經由環繞反應區域5 4 1的狹縫形通道 531自處理室排放至排氣腔體550。氣體自排氣腔體55〇 流經真空關閉閥5 52，並進入連接至外部真空泵（未顯示） 之排放輸出口 5 5 4。 第6圖為處理室5 3 0截面圖。此圖詳細說明處理室 53 0(第5圖）内之基材支撐件535與電漿669。在說明中， RF源供應器672提供電源至一氣體分散面板525。電漿產 生於面板525與晶座5 3 5間。 如上所述’機械槳利於通經處理室5 33側牆534内一開 口 542，傳送基材進出處理室53〇(第$圖卜回到第6圖， 機械4 (未顯示）移動基材6 6 5至一位置，位於舉升銷 握持件667上之舉升鎖，671係在基材移入處理位！前，向 上移動以支撑其# < < 土 。特定言之，舉升銷6 7 1通經晶座 之舉升鎖孔洞662而銘叙，，、,拉雜μ . …咖 200415252 升銷6 7 1可使用習知傳送裝置 置6sn ^ 寻I褒置$線性輸送裝置驅動舉升裝 置680 ’而通經舉升銷孔洞662移動。
=t的是’在—些處理s内，諸如如测PEW 的=聖克克拉之應用材料公司），基材係因晶座535 665 =.入至一處理位置。在機械柴(未顯示)移動基材 牛銷671上後，晶座係向上移動以接觸基材⑹。 本發明—些實施例係使用氧化紹舉升銷作為舉升銷 Μ卜產品編號0200-7 1 597Rev· E卜認證編號ιΐ 875〇〇〇(加 州Fremort之stratamet公司）為商業用氧化鋁舉升銷。 本發明舉升銷671在基材665中央區域之支撐點上，並 …、支撐基材。基材665之中央區域定義為與基材中心 相距一預定距離（如1〇〇mm、2〇〇mm或更大）内之面積區 域。本發明舉升銷係在基材665框架部分之支撐點上支撐 基材，而非使用中央舉升銷。框架部分包含基材周圍。
在本發明中’舉升銷671接觸基材665後，係撤回機械 々並將基材攜至處理位置。美國專利第6177〇23號係描述 一種定位基材665以將其平放於晶座上之方法，此專利係 文讓與本發明，其全文在此併入本文參考文獻中。 當欲求化合物沉積為基材665上之一或多層薄膜後，基 材係自晶座53 5分離，並被舉升離開沉積室。美國專利第 5380566號係描述一種分離晶座535與基材665的方法， 此專利受讓與本發明，其全文在此併入本文參考文獻中。 此方法涉及將已處理基材置於非活性氣體669(如氫氣、氮 氣、氬氣或氨氣）之電漿（第6圖）中，而無不力地影響基材 12 200415252 上665之薄膜且無增加額外層於基材665之已存在的薄膜 電裝669與基材665間的電荷作用助於鬆弛基材與晶 座 5 3 5 ' 一 θ1的鍵結。而後，使用舉升銷671以自晶座535升 向移除| 40· zr 。土材665。在一些實施例中，當舉升銷671自晶座 多動移除基材665時，係不再使用電漿669。在其它實 665 ，即使在舉升銷671已自晶座53 5升高移除基材 ―仍使用電漿6 6 9 (第6圖所示）。在第6圖中，處理室 =之電漿669顯示的同時，基材665已藉由舉升銷671自 曰曰座53 5升高移除。雖然第6圖無說明，但在一些實施例 中田基材位於晶座53 5上時，係在使用舉升銷671升高 基材/，使用電漿669以協助基材自晶座脫離。 一田奴求薄膜已沉積於基材665上後，舉升裝置68〇係升 高舉升銷67：1，以使其通經舉升銷孔洞662移動並接觸已 處基材664。藉由控制器677控制舉升裝置68〇。應注意 的是，在未說明的處理室中，諸如AK1M6〇〇pECVD，晶 戶有放地向下移動’係使已處理基材遠離晶座。當晶座降 低’舉升鎖接觸並支撐已處理基材。 上細部同於中央舉升銷15G(第1圖），中央辅助件630係 用以輕推基材665離開晶座5 3 5而非支撐基材。在典型實 第7圖描述本發明在舉升已處理基材前，一種分離基材 與晶座㈣代方法。中央輔助件73Q在接近基材中央處接 觸已處理基材665 ’並在其撤回前，％力於基材，使基材 遠，曰日座.5 3 5的支撐層522。控制器777使用習知技術傳 4指π至中央辅助件73〇。中央輔助件63〇(第7圖）在認知 13 200415252 施例中’中央輔助件6 3 0簡短地接觸基材6 6 5，以推動基 材離開晶座。而後，撤回中央輔助件，並使用基材周圍的 舉升鎖升兩基材遠離晶座，以致機械槳可滑至基材下方。 一旦機械槳接觸基材，其係移動基材離開沉積室。 1升銷配罟 現已非預期地發現第8圖之舉升銷配置支撐基材665 而無使用中央舉升銷。第8圖之舉升銷配置不同於第1圖 所揭露之習知舉升銷配置。在第8圖中，一第三舉升銷位 於基材每一側上。第8圖所示之基材每一側上的第三舉升 銷’係有效支撐基材並使基材665遠離晶座而無導致過度 的下陷量。在一些實施例中，已處理基材665每一邊緣上 的舉升銷8 7 1係等距設置。 第9圖為本發明另一舉升銷871配置的平面圖。在第9 圖之配置中，基材665每一侧係藉由Ν個舉升銷871而支 樓而舉升銷8 7 1沿著基材6 6 5每一侧等距設置。 第ίο圖為本發明另一配置之平面圖。舉升銷871支撐 一基材065。每一舉升銷871在基材上對應舉升銷871之 特定點，支撐基材665。在此，該點，其為一舉升銷871 支撐基材665之點，係定義為舉升銷支撐點。第ι〇圖所示 之實施例中的戶斤有舉升銷支撐'點，係位於基# 665之框架 Ρ刀1 0 8 0内。在本發明一些實施例中，框架部分i 〇 8 〇具 有一預定寬度1 020。在一實施例中，預定框架寬度約4〇 毫米至約400¾米。在另一 ., * 實施例中，框架部分10080之 預定寬度約基材665較長尺斗认丄、 ^ A ^ 焚尺寸的十分之一或更小。藉此， 14 200415252 用於具有600mm x 72〇mm尺寸的基材，框架匡度約為72 毫米或更小。在-些實施例中框架部分i 〇 8 〇的寬度約為基 材“5長度或寬度的五分之_或更小。在一些實施例中： 基材665 # 一側邊上之框架部> 1〇8〇的寬度係不同。雖缺 第1〇圖顯示一舉升銷配置具有三個等距相隔之舉升銷⑺ 以支樓基…之每—侧，但仍可使用其它在框架部分 刚〇内支樓基材665的舉升鎖配置。如，可使用第9圖之
舉升銷配置，其中每一舉升銷]7i_N(第9圖)位於柩苹區 域1080内。 第11圖為本發明另一舉升銷871配置之平面圖。每一 舉升銷支撐點遠離已處理基材665中央1170至少一預定距 離在第11圖中，舉升銷871係顯示支撐已處理基材665, 以致所有舉升銷支撐點遠離基材中央ιΐ7〇至少一預定距 離116 0。換言之’無舉升銷支撐點位於基材區域u 4 〇 (中 央邛刀）内。在一實施例中，預定距離1丨6〇約J 〇〇毫米或 更大、約120毫米或更大、約2〇〇毫米或更大、或約4〇〇 毫米或更大。在另一實施例中，預定距離11 6 0約基材較長
a 、 五分之一。藉此用於具有ll〇〇mmxl250mm尺寸的 基材，預定距離為250亳米。在一些實施例中，預定距離 1160為基材665長度或寬度約五分之一。在一些實施例 中’無舉升銷位於基材665之中央區域1140内（第11圖）， 且中央區域1140具有至少i〇〇mm的直徑。在一些實施例 中’無舉升銷位於基材665之中央區域1140内（第11圖）， 且中央區域1140具有至少2〇〇mrn的直徑。雖然第11圖顯 15 200415252 示一舉升銷配置具有三個等距間隔的舉升銷8 8 0以支樓基 材1100每一邊緣，但仍可使用其它位於中央區域外之舉升 銷配置。如，可使用第9圖之舉升銷配置。
第1 2圖本發明另一實施例之平面圖。基材665係藉由 舉升銷871而支稽。當舉升銷分離基材與晶座時，一支撑 元件1 2 7 0置於舉升銷至少一組別（s u b s e t)上並接觸基材。 如第12圖所示，支撐元件1270-1位於舉升銷871之一組 別上。相同地，支撐元件1270-2、1270-3及1270-4位於 不同組別的舉升銷871上。支撐元件1270各式數量、配置 與尺寸係符合本發明。 替代實施例與引用之參考文獻
在此所引用之全部參考文獻係併入本文參考文獻，並如 同參考文獻之每一個別刊物或專利或專利申請案，併入用 於所有目的之特定與個別參考文獻於其全文中，本發明係 用於該相同範圍之所有目的。雖然本發明以參考部分特定 實施例加以描述，但此描述僅用於說明用途，並非偈限本 發明。熟習此項技藝者可在不偏離本發明以所附申請專利 範圍所界定之精神與範圍下形成各式變形。 【圖式簡單說明】 第1 A圖與第1B圖顯示先前技術之舉升銷配置； 第2圖顯.示先前技術用於閘極氮化物薄膜的已處理基材， 其在舉升銷支撐點與其它區域間薄膜沉積厚度的差異； 第3圖顯示先前技術用於閘極氮化物薄膜的已處理基材， 其舉升銷支撐點與其它區域間濕式蝕刻速率的差異； 16 200415252 第4圖顯示先前技術之化學氣相沉積（CVD)製程内沉積層 的截面圖； 第5圖為CVD處理室的截面圖； 第6圖為CVD處理室的截面圖； 第 7圖為本發明處理室截面圖，說明在舉升已處理基材 前，使用中央輔助件自晶座分離已處理基材。 第8圖為本發明一實施例舉升銷配置的一實施例平面圖； 第9圖為本發明一實施例另一舉升銷配置的平面圖；
第1 0圖為本發明一實施例一舉升銷配置一實施例的平面 圖； 第11圖為本發明一實施例一舉升銷配置的平面圖； 第1 2圖為本發明又一實施例一舉升銷配置的平面圖。 相似參考符號係對應各圖式之對應元件。 【元件代表符號簡單說明】 110舉升銷 140中央區域 1 5 0舉升銷 1 6 0基材 1 6 6晶座 400基材 404非晶矽 408氮化矽
205區域 402氮化矽 406 多晶石夕 520基材支撐平台 522支撐層 5 24穿孔阻隔板 5 2 6注入岐管 5 3 1狹縫形通道 5 2 1孔洞. 523箭頭 525製程氣體分散面板 530PECVD 設備 17 200415252
5 3 3處理室 5 3 4側牆 5 3 5晶座 5 3 7骨架 541反應區域 542 開口 5 5 0排氣腔體 552真空關閉閥 5 5 4排放輸出口 6 62舉升銷孔洞 665基材 667舉升銷握持件 669非活性氣體 671舉升銷 672 RF源供應器 677控制器 680舉升裝置 777控制器 8 7 1舉升銷 1020寬度 1080框架部分 11 4 0基材區域 11 6 0距離 1170基材中央 1270支撐元件
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Claims (1)

  1. 200415252 拾、申請專利範爵： 1·一種在一處理室内自一晶座舉升一基材之方法，該方法 至少包含使用複數個舉升銷以支撐該基材，其中該複數個 舉升銷不包含一中央舉升銷。 2·如申請專利範圍第i項所述之方法，其中該基材具有至 少5 00毫米之一第一尺寸以及至少500毫米之一第二尺寸。 3 ·如_請專利範圍第1項所述之方法，其中當一晶座降低 至低於該複數個舉升銷内一舉升銷一尖端時，該複數個舉 升銷支撐該基材。 4·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該複數個舉升 銷内之每一舉升銷係設置成可以自遠離該基材中央至少 120毫米之一點，支撐該基材。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該複數個舉升 銷係設置成可使該複數個舉升銷内之每一舉升銷可自該基 材一框架部分内之一點，支撐該基材，該框架部分包含該 基材之一周圍而該框架部分具有小於約4〇毫米的一寬度。 6.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該複數個舉升 銷係設置成可使每一舉升銷可在一舉升銷支撐點支撐該基 19 200415252 材，而其中至少有三個舉升銷支撐點在該基材之一邊緣上。 7 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該複數個舉升 銷係設置成可使每一舉升銷可在一舉升銷支撐點支撐該基 材’而每一舉升銷支撐點與該基材之一最近邊緣間的距離 係小於該基材之長度或寬度的五分之一。 8.如申請專利範圍f i項所述之方法，其中該複數個舉升 鎖係設置成每-舉升銷可在一對應㈣升銷支㈣支撐該 基材在該複數個舉錢㈣無舉Μ，在該基材之一 中央區域内，具有一對應的舉升銷支撐點。 其中該基材之中央 9 ·如申請專利範圍第8項所述之方法， 區域具有至少100毫米的直徑。 10·如申請專利範圍第8項所述之方法 央區域具有至少200毫米的直徑。 其中該基材之中
    該方法更包含施 該方法更包含以 11 ·如申請專利範圍第i項所述之方法 加一電漿於該基材。 12·如申請專利範圍第i項所述之方法 一中央辅助件接觸該基材。 20 200415252 13.如申請專利範圍第12項所述之方法，該方法更包含當 該複數個舉升銷支撐該基材時，撤回該中央輔助件。 1 4.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中位於該複數 個舉升銷之至少一組別（subset)上的一支撐元件係在該使 用步驟之至少一部份期間接觸該基材。
    1 5 ·如申請專利範圍第1 4項所述之方法，其中該支撐元件 至少包含複數個元件，該複數個元件之每一元件係位於該 複數個舉升銷之一不同組別上。 1 6.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該基材至少 包含玻璃。
    17.—種藉由一沉積方法處理的基材，其中該基材在一中央 區域不具有不連續標記，該中央區域包含該基材的中央， 且其中該基材具有至少500毫米的一第一尺寸及至少500 毫米的一第二尺寸。 18.如申請專利範圍第17項所述之基材，其中該中央區域 具有至少200毫米的直徑。 21 200415252 19. 一種不會在基材中央區域内形成不連續標記的基材處 理方法，該方法至少包含： 當該基材位於一沉積室之一晶座上時，沉積一層於該 基材上； 自該晶座分離該基材；及
    藉由嚙合在該基材之框架部分内接觸該基材之舉升銷 而自該晶座舉升該基材，而其中無舉升銷接觸位於該基材 中央區域内之該基材。 20·如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該中央區域 具有至少200毫米的直徑且包含該基材之中央，而其中該 框架部分之寬度小於該基材長度或寬度的十分之一。 1 ·種用以自一晶座舉升一基材之舉升設備，該舉升設備 至少包含： 複數個舉升銷；及 以調整該複數個舉升銷，以支撐該基
    一舉升裝置，用 材，其中 該舉升設備不包含一中央舉升銷 升設備，其中該舉升 ，及至少500毫米之 •如申請專利範圍第21項所述之舉 袭置具有至少500亳米之一第一尺牛 一第二尺寸。 22 200415252 23 .如申請專利範圍第2 1項所述之舉升設備，其中該舉升 裝置降低該晶座至該複數個舉升銷之一舉升銷的尖端下。 24.如申請專利範圍第2 1項所述之舉升設備，其中該複數 個舉升銷係設置成可使每一舉升銷自一點支撐該基材，該 點距離該基材中央至少120毫米。
    25 ·如申請專利範圍第2 1項所述之舉升設備，其中該複數 個舉升銷係設置成可使每一舉升銷自該基材框架區域内之 一點支撐該基材，而其中該框架區域包含該基材之一周 圍，而該框架區域具有小於約40毫米的寬度。 2 6.如申請專利範圍第21項所述之舉升設備，該複數個舉 升銷係設置成可使至少三個舉升銷支撐該基材之一邊緣。
    2 7.如申請專利範圍第21項所述之舉升設備，其中， 該複數個舉升銷内之每一舉升銷，係在一對應的舉升 銷支撐點支撐該基材，而其中 每一舉升銷支撐點與該基材最近邊緣間之一距離，係 小於該基材長度或寬度的約十分之一。 2 8.如申請專利範圍第21項所述之舉升設備，其中 23 200415252 該複數個舉升銷内之每一舉升銷，係在一對應的舉升 銷支撐點支撐該基材，而其中 每一舉升銷支撐點與該基材最鄰近該舉升銷支樓點之 一邊緣間的一距離，係小於該基材長度或寬度的約十分之 29·如申請專利範圍第21項所述之舉升設備，其中設置該 複數個舉升銷，以致該複數個舉升銷内，無舉升銷在該基 材中央之一舉升銷支撐點支撐該基材。 3 0 ·如申睛專利範圍第21項所述之舉升設備，其中 該複數個舉升銷内之每一舉升銷，係在一對應的舉升 銷支撐點支樓該基材，而其中 該複數個舉升銷係設置成可使該複數個舉升銷内，無 舉升銷具有一對應的舉升銷支撐點，而該舉升銷支撐點位 於該基材中央之至少1〇〇亳米内。 31·如申請專利範圍第21項所述之舉升設備，其中 該複數個舉升銷内之每一舉升銷，係在一對應的舉升 銷支撐點支撐該基材，而其中 該複數個舉升銷係設置成可使該複數個舉升銷内，無 舉升銷具有一對應的舉升銷支撐點，而該舉升銷支撐點位 於該基材中央之至少200亳米内。 24 200415252 3 2.如申請專利範圍第2 1項所述之舉升設備，該設備更包 含用以產生一電漿之一射頻功率源，該電漿自該晶座鬆弛 該基材。 3 3.如申請專利範圍第2 1項所述之舉升設備，該設備更包 含一中央辅助件用以鬆弛該基材。
    3 4.如申請專利範圍第3 3項所述之舉升設備，其中當該複 數個舉升銷支撐該基材時，撤回該中央輔助件。 3 5 .如申請專利範圍第2 1項所述之舉升設備，該設備更包 含一支撐元件置於該複數個銷之至少一組別上。 3 6.如申請專利範圍第3 5項所述之舉升設備，其中該支撐 元件至少包含複數個元件，每一元件置於該複數個銷之不 同組別上。
    3 7.如申請專利範圍第2 1項所述之舉升設備，其中該晶座 無具有舉升銷孔洞於該晶座之中央部分内，該晶座之中央 部分包含該晶座之一中央，而該晶座之中央部分具有至少 100mm2的面積。 3 8.如申請專利範圍第21項所述之舉升設備，其中該基材 25 200415252 具有600mm x 720mm的尺寸成更大 3 9 ·如申請專利範圍第2 1項所述之舉升設備，其中該基材 具有1000mm X 1200mm的尺寸或更大。 40·—種在一處理室内自 至少包含使用複數個舉 舉升銷僅於該基材之框
    一晶座舉升一基材之方法，該方法 升銷以支撐該基材，其中該複數個 架部分内支撐該基材。 41 至 寸 .如申請專利範圍 少500毫米之一第 第40項所述之方法，其中該基材具有 一尺寸，及至少5 00毫米之一第二尺 42.如申請專利範圍第 低至該複數個舉升销之 銷係支撐該基材。 40項所述之方法，其中當一晶座降 一舉升銷尖端下時，該複數個舉升
    币項所述之方法，其中該複I 升銷内之每一舉升 月係口又置成可以自一點支撐該基木 該點距離該基材中央至少12〇毫米。 44.如申請專利範圍第 包含該基材之一周圍， 40項所述之方法，其中該框架部分 該框架部分具有小於約400毫米的 26 200415252 寬度。 45·如申請專利範圍第40項所述之方 甘士斗 ^ 唄所it之方法，其中該複數個舉 升銷係設置成可使每一舉斗姑— 升銷在一舉升銷支撐點支撐該基 材且其中至少有三個舉升雜 外鈉支撐點在該基材之一邊緣上。 46·如申請專利範圍第4〇 甘士斗* ▲ 巧尸/Γ邋I万法，其中該複數個舉 升銷係設置成可使每-舉升銷在一舉升銷支撐點支撑該基 材且#舉升銷支樓點與該基材一最近邊緣間的距離， 小於該基材最長尺寸的十分之一。 47.如中請專利範圍第4G項所述之方法，其巾該複數個舉 升銷係設置成可使每一舉升銷在一舉升銷支撐點支撐該基 材，且每一舉升銷支撐點與該基材一最近邊緣間的距離， 小於该基材長度或寬度的五分之一。 4 8.如申請專利範圍第40項所述之方法，其中該複數個舉 升銷係設置成可使每一舉升銷在一對應的舉升銷支撐點支 標該基材’且在该複數個舉升銷内，無舉升銷在該基材中 央内具有一對應舉升銷支撐點。 49·如申請專利範圍第48項所述之方法，其中該基材中央 部分具有至少100毫米的直徑。 27 200415252 其中該基材中央 5〇·如申請專利範圍第48項所，+ α所述之方法 部分具有至少200亳米的直徑。 該方法更包含實 5 1 ·如申請專利範圍第40項所、+、 >、+ 1所述之方法 施一電漿於該基材。 其中該方法更包 52. 如申請專利範圍第40項所述之方法 含使該基材接觸一中央輔助件。 53. 如申請專利範圍帛52項所述之方法，其中該方法更包 含當該複數個舉升銷支撐該基材時，撤回該中央輔助件。 5 4.如申請專利範圍第40項所述之方法’其中在該使用步 驟之至少一部份期間’位於該複數個銷之至少一組別上的 支撐元件，係接觸該基材。 5 5 ·如申請專利範圍第4〇項所述之方法，其中該複數個舉 升銷在該基材每一邊緣上，係等距設置。 56.如申請專利範圍第4〇項所述之方法，其中該基材每一 邊緣上該框架部分之一寬度，係不同於該基材至少一其它 邊緣之框架部分的寬度。 28 200415252 57.—種而在一基材中央區域内無產生不連續標記之處理 基材的方法，該方法至少包含： 當該基材位於沉積室之一晶座上時，沉積一層於該基 材上； 自該晶座分離該基材，及 藉由嚙合僅在該基材框架部分内接觸該基材之該些舉 升銷而自該晶座舉升該基材。
    5 8 ·如申請專利範圍第5 7項所述之方法，其中該基材中央 部分舉有至少200毫米的直徑，而其中該框架部分具有小 於該基材長度或寬度五分之一的寬度。 5 9.如申請專利範圍第5 7項所述之方法，其中該框架部分 之範圍介於約40毫米與約400毫米間。
    60.如申請專利範圍第57項所述之方法，其中該複數個舉 升銷在該基材每一邊緣上等距設置。 6 1 · —種自一晶座舉升一基材之舉升設備，該舉升設備至少 包含： 複數個舉升銷；及 一舉升裝置，用以調整該複數個舉升銷，以致其僅於 該基材框架部分内支撐該基材。 29 200415252 62.如申請專利範圍第6 1項所述之舉升設備，其中該舉升 裝置具有至少500毫米之一第一尺寸，及至少500毫米之 一第二尺寸。 63 .如申請專利範圍第6 1項所述之舉升設備，其中該舉升 裝置降低該晶座至該複數個舉升銷之一舉升銷的尖端下。
    6 4.如申請專利範圍第6 1項所述之舉升設備，其中設置複 數個舉升銷，以使每一舉升銷自一點支撐該基材，該點距 離該基材中央至少120毫米。 65 .如申請專利範圍第6 1項所述之舉升設備，其中該框架 部分包含該基材之一周圍，而該框架部分具有小於約 400 毫米的寬度。
    6 6.如申請專利範圍第61項所述之舉升設備，其中該複數 個舉升銷係設置成可使至少三個舉升銷支撐該基材之一邊 緣0 67.如申請專利範圍第61項所述之舉升設備，其中， 該複數個舉升銷内之每一舉升銷，係在一對應的舉升 銷支撐點支樓該基材*而其中 每一舉升銷支撐點與該基材最近邊緣間之一距離，係 30 200415252 小於該基材最長尺寸的約十分之 6 8 .如申請專利範園第 弟項所述之舉升設備，其 該複數個舉升銷内备— 舉升銷，係在~對膺的舉升 銷支撐點支撐該基材，而其中 & 母一舉升銷支撑點斑兮萁44· 牙點與^基材最鄰近該舉升銷支撐點之 一邊緣間的一距離，#丨、於 係】於該基材長度或寬度的約五分之 述之舉升設備，其中該複數 個舉升銷内，無舉升銷在該 69.如申請專利範圍第61項所 個舉升銷係設置成可使該複數 基材中央之一舉升銷支撐點支撐該基材 70.如申請專利範圍第61項所述之舉升設備，其中 該複數個舉升銷内之每一舉升銷，係在一對應的舉升 銷支撐點支撐該基材，而其中
    該複數個舉升銷係設置成可使該複數個舉升銷内，無 舉升銷具有一對應舉升銷支撐點，而該舉升銷支撐點位於 該基材中央之至少100毫米内。 7 1 ·如申請專利範圍第6 1項所述之舉升設備，其中 該複數個舉升銷内之每一舉升銷，係在一對應的舉升 銷支撐點支撐該基材，而其中 31 200415252 該 舉升銷 該基材 72. 如 含用以 該基材 73. 如 含一中 74·如 數個舉 75.如 含一支 76 ·如 元件至 同組別 77.如 不具有 數個舉升銷係設置成可使該複數個舉升銷内，無 有一對應舉升銷支撐點，而該舉升銷支撐點位於 央之至少2〇〇亳米内。 請專利範圍第61項所述之舉升設備，該設備更包 生一電聚之一射頻功率源，該電漿自該晶座鬆弛 ’明專利範圍第61項所述之舉升設備，該設備更包 央輔助件用以鬆弛該基材。 P清專利範圍第7 3項所述之舉升設備，其中當該複 汁銷支撐該基材時，撤回該中央輔助件。 产明專利範圍第6丨項所述之舉升設備，該設備更包 撑凡件位於該複數個銷之至少一組別上。 卜請專利範圍第75項所述之舉升設備，其中該支撐 少包含複數個元件，每一元件置於該複數個銷之不 上。 戸請專利範圍第6丨項所述之舉升設備，其中該晶座 舉升銷孔洞於該晶座之中央部分内，該晶座之中央 32 200415252 部分包含該晶座之一中央，而該晶座之中央部分具有至少 1 00mm2的面積。 7 8 ·如申請專利範圍第6 1項所述之舉升設備，其中該基材 具有600mm X 720mm的尺寸或更大。 79·如申請專利範圍第61項所述之舉升設備，其中該基材 具有1 0 0 0 m m X 1 2 0 0 m m的尺寸或更大。 8 0 ·如申請專利範圍第6 1項所述之舉升設備，其中該複數 個舉升銷在該基材之每一邊緣上等距設置。 8 1 ·如申請專利範圍第6 1項所述之舉升設備，其中該框架 部分在該基材每一邊緣上之寬度，不同於該基材至少一其 匕邊緣之框架部分的寬度。 82·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該複數個舉 升銷係A置成可使每一舉升銷在一舉升銷支撐點支撐該基 材而每一舉升銷支撐點與該基材最近邊緣間的距離係小 於該基材最長尺寸的十分之一。 8 3 ·如申请專利範圍第1項所述之方法，其中該複數個舉 升銷在該基材每一邊緣上係等距設置。 33 200415252 8 4.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該框架部分 在該基材每一邊緣上之寬度，不同於該基材任一其它邊緣 之寬度。 85.如申請專利範圍第17項所述之基材，其中該中央區域 具有至少100毫米的直徑。
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