JP5090097B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
いる第1〜3のいずれかの態様に記載の基板処理装置が提供される。
以下に、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図面を参照しながら説明する。図17は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の全体構成図である。また、図11は、発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える熱処理炉の構造を示す斜視図である。また、図1は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える熱処理炉の縦断面概略図であり、図2は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える熱処理炉のAA断面概略図である。また、図4は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える熱処理炉の領域Bの拡大構成図であり、図5は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える熱処理炉の領域Cの拡大構成図である。
処理管6は、図1に示すとおり、複数のウェハ7を上下方向に亘って所定のピッチで積層した状態で支持する基板支持部材としてのボート3を下方から収容するように構成され
ている。具体的には、処理管6の下端部は開口しており、処理管6の上端部はドーム状に閉塞したドーム部20として形成されている。処理管6は、石英(SiO2)や炭化珪素(SiC)などの耐熱性の高い非金属材料により構成されている。処理管6内には、ウェハ7を処理する処理室10が形成されている。
ガス供給部8は、図1に示すとおり、処理管6内においてウェハ7を積層する方向に亘って延在されており、複数のガス供給口を備えている。ガス供給部8は、処理管6と同様に石英(SiO2)や炭化珪素(SiC)などの耐熱性の高い非金属材料により構成されている。ガス供給部8の側壁15は、図2に示すとおり、処理管6の内壁14に気密に溶接されている。ガス供給部8に設けられたガス供給口は、ボート3に支持された各ウェハ7の間に均等にガスを供給することが出来るように、高さ位置、口径、個数がそれぞれ適宜調節されている。なお、ガス供給部8は図1に示すとおり一系統に限らず複数系統が設けられていてもよく、また、ガス供給部8からは供給されるガスは1種類に限らず、複数種類であってもよい。
排気部としての排気口9は、図1に示すとおり処理管6に開口されている。排気口9は、図示しないコンダクタンス可変バルブを介して図示しない真空ポンプに接続されており、処理室10内の圧力を任意に調整可能なように構成されている。なお、図11、図1において、排気口9はガス供給部8の下方に設けられているが、本発明の実施形態はかかる形態に限定されず、排気口9は処理管6の上部や中間部に設けられていてもよく、ウェハ7の載置位置を挟んでガス供給部8と対向する位置に設けられていてもよい。
ガス整流板13は、図2に示すとおり、ボート3に支持されるウェハ7の周縁と処理管6の内壁14とに挟まれる空間に設けられ、ガス供給部8から処理管6の周方向かつウェハ7を積層する方向に亘って延在されている。
。そのため、ボート3に支持されるウェハ7の周縁と処理管6の内壁14とに挟まれる空間であって、ウェハ7の載置位置を挟んでガス供給部8と対向する位置には、ガス整流板13が設けらていない空間16が形成されることとなる。かかる空間16は、構造物が設けられていないため、ガスの流動抵抗が相対的に小さい。そのため、符号11に示すとおり、ガス供給部8から供給されたガスは、ガス整流板13が設けられている領域においてはウェハ7の周縁と処理管6の内壁14とに挟まれる空間には流れずに、ウェハ7の隙間に流れ(侵入し)、ウェハ7の中心領域を通過し、ガス整流板13が設けらていない空間16に向かって流れた後、処理管6内の下方へ流れて排気口9から排気されることになる。すなわち、ウェハ7を積層するピッチが小さくても(ウェハ7の載置領域におけるガスの流動抵抗が大きくても)、ガス供給部8周辺におけるガスの逃げ道の流動抵抗を大きくし、ガス流の下流側(すなわち空間16)の流動抵抗を小さくすることにより、より多量のガスをウェハ7の中心領域に供給させることが可能となる。
ガス流規制部としての上部ガス侵入規制板23及び下部ガス侵入規制板24は、最上のガス供給口及び最上のウェハ7よりも上側の処理管6内の空間と、最下のガス供給口及び最下のウェハ7よりも下側の処理管6内の空間とに設けられている。そして、上部ガス侵入規制板23及び下部ガス侵入規制板24は、図4,5にそれぞれ示すとおり、処理管6の内壁14に固定され、周方向に延在されている。なお、上部ガス侵入規制板23及び下部ガス侵入規制板24は、処理管6と同様に石英(SiO2)や炭化珪素(SiC)などの耐熱性の高い非金属材料により構成されている。
も上方の空間)や、断熱キャップ3aが設けられている断熱域22(ウェハ7の載置領域よりも下方の空間)は、ウェハ7の載置領域と比較して流動抵抗が小さい。そのため、仮に上部ガス侵入規制板23及び下部ガス侵入規制板24が設けられていない場合には、ウェハ7の載置領域の上部付近及び下部付近に供給されたガスが、これらの空間に流れやすく(逃げやすく)なる。そして、この場合には、ボート3の上部及び下部に支持されているウェハ7に対するガスの供給量が、ボート3の中心に支持されているウェハ7に対するガスの供給量に比べて少なくなってしまうこととなる。
続いて、半導体装置の製造工程の一工程として、ウェハ7上に薄膜を形成したり、ウェハ7の表面に酸化膜を形成する方法について説明する。この方法は、上述した熱処理炉5を備える基板処理装置により実施される。
まず、ボート昇降手段4を作動(降下)させてボート3を熱処理炉5外へと搬出する。そして、ウェハ移載手段2を用い、処理対象のウェハ7を収容したカセットストッカ1からボート3へとウェハ7を移載する。ボート3には、複数のウェハ7が上下方向に亘って所定のピッチで積層した状態で支持される。次いで、ボート昇降手段4を作動(上昇)させてボート3を熱処理炉5内へと搬入する。処理管6の下端部はシールキャップ29により気密に塞がれる。
続いて、排気口9から処理管6内を排気しつつ、ガス供給部8から処理管6内に成膜ガスや酸化ガス等の処理ガスを供給してウェハ7を処理する。
続いて、処理が完了した後のウェハ7を支持したボート3を処理管6内から搬出して、本実施形態にかかる基板処理工程を完了する。
本実施形態によれば、以下(a)〜(f)のうち1つ又はそれ以上の効果を奏する。
ェハ7上に形成される薄膜の厚さがウェハ7の周縁部で厚くなり、中央部では薄くなってしまう場合があった。
層ピッチが狭い場合には、ウェハ7が支持される領域の流動抵抗が比較的大きくなり、ウェハ7の中心を通過するガスの流速が不均一になってしまっていることが分かる。すなわち、ボート3の上部及び下部付近に供給されたガスが、ボート3の天板21と処理管6のドーム部20との間の空間や、断熱キャップ3aが設けられている断熱域22に流れてしまい、ボート3の上部及び下部付近においてガスの流速が低下してしまっていることが分かる。これに対して、符号cの曲線(本実施形態)によれば、上部ガス侵入規制板23及び下部ガス侵入規制板24がボート3の上部及び下部付近におけるガスの逃げ道の流動抵抗を大きくさせていることから、ボート3における支持位置(高さ位置)によらず、各ウェハ7に対してより均一に、より多量のガスを供給させていることが分かる。
なお、本発明は上述の実施形態に限定されない。以下に、本発明の他の実施形態について説明する。
部板群26の流動抵抗は、ウェハ7の載置領域の流動抵抗よりも大きくなるように構成されている。
抵抗を小さくし、ボート3の中間領域における空間16の流動抵抗を大きくすることにより、ボート3の上下領域に支持されているウェハ7へのガスの供給を促すとともに、ボート3の中間領域に支持されているウェハ7へのガスの供給を規制して、ボート3における支持位置(高さ位置)によらず、各ウェハ7に対するガスの供給量をより均一にすることが可能となる。
ク、プリント配線基板、液晶パネル、光ディスク、磁気ディスクであってもよい。
以下に、本発明の他の実施態様について付記する。
上の基板よりも上側の前記処理管内の空間と、最下のガス供給口及び最下の基板よりも下側の前記処理管内の空間とに設けられたガス流規制部と、により前記処理室内に供給したガスの流れをそれぞれ制御する半導体装置の製造方法が提供される。
5 熱処理炉
6 処理管
7 ウェハ(基板)
8 ガス供給部
9 排気口(排気部)
13 ガス整流板
23 上部ガス侵入規制板(ガス流規制部)
24 下部ガス侵入規制板(ガス流規制部)
25 上部板群(ガス流規制部)
26 下部板群(ガス流規制部)
Claims (7)
- 複数の基板を上下方向に亘って所定のピッチで積層した状態で支持する基板支持部材を収容する処理管と、
前記処理管内に前記基板を積層する方向に亘って延在され、複数のガス供給口を備えたガス供給部と、
前記処理管に開口された排気部と、
前記基板支持部材に支持される基板の周縁と前記処理管の内壁とに挟まれる空間に設けられ、前記ガス供給部から前記処理管の周方向かつ前記基板を積層する方向に亘って延在されたガス整流板と、
最上のガス供給口及び最上の基板よりも上側の前記処理管の内壁と、最下のガス供給口及び最下の基板よりも下側の前記処理管の内壁とに固定され、前記処理管の周方向に延在する規制板として構成されたガス流規制部と、
を備えた基板処理装置。 - 複数の基板を上下方向に亘って所定のピッチで積層した状態で支持する基板支持部材を収容する処理管と、
前記処理管内に前記基板を積層する方向に亘って延在され、複数のガス供給口を備えたガス供給部と、
前記処理管に開口された排気部と、
前記基板支持部材に支持される基板の周縁と前記処理管の内壁とに挟まれる空間に設けられ、前記ガス供給部から前記処理管の周方向かつ前記基板を積層する方向に亘って延在されたガス整流板と、
最上のガス供給口及び最上の基板よりも上側の前記処理管内の空間と、最下のガス供給口及び最下の基板よりも下側の前記処理管内の空間とに設けられ、前記基板が積層されるピッチよりも狭いピッチで上下方向に亘って積層された複数の板群として構成されたガス流規制部と、
を備えた基板処理装置。 - 前記基板支持部材に支持される基板の周縁と前記処理管の内壁とに挟まれる空間であって前記ガス供給部及び前記ガス整流板が設けられていない空間は、前記基板を積層する方
向における中間領域での前記処理管の周方向における間隔が、前記中間領域よりも上下領域での前記処理管の周方向における隙間よりも狭くなっている請求項1又は2に記載の基板処理装置。 - 複数の基板を上下方向に亘って所定のピッチで積層した状態で支持する基板支持部材を収容する処理管と、
前記処理管内に前記基板を積層する方向に亘って延在され、複数のガス供給口を備えたガス供給部と、
前記処理管に開口された排気部と、
前記基板支持部材に支持される基板の周縁と前記処理管の内壁とに挟まれる空間に設けられ、前記ガス供給部から前記処理管の周方向かつ前記基板を積層する方向に亘って延在されたガス整流板と、
最上のガス供給口及び最上の基板よりも上側の前記処理管内の空間と、最下のガス供給口及び最下の基板よりも下側の前記処理管の空間に設けられたガス流規制部と、
を備え、
前記基板支持部材に支持される基板の周縁と前記処理管の内壁とに挟まれる空間であって前記ガス供給部及び前記ガス整流板が設けられていない空間は、前記基板を積層する方向における中間領域での前記処理管の周方向における間隔が、前記中間領域よりも上下領域での前記処理管の周方向における隙間よりも狭くなっている基板処理装置。 - 前記ガス整流板は、前記処理管の内壁に1つ以上の箇所で溶接により固定され、溶接された箇所以外では前記処理管の内壁と隙間を介して設置されている請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理装置。
- 複数の基板を上下方向に亘って所定のピッチで積層した状態で支持した基板支持部材を処理管内に搬入する工程と、
前記処理管に開口された排気部から前記処理管内を排気しつつ、前記処理管内に前記基板を積層する方向に亘って延在され複数のガス供給口を備えたガス供給部から前記処理管内にガスを供給して基板を処理する工程と、
処理後の基板を支持した前記基板支持部材を前記処理管内から搬出する工程と、を有し、
前記基板を処理する工程では、
前記基板支持部材に支持される基板の周縁と前記処理管の内壁とに挟まれる空間に設けられ、前記ガス供給部から前記処理管の周方向かつ前記基板を積層する方向に亘って延在されたガス整流板と、
最上のガス供給口及び最上の基板よりも上側の前記処理管の内壁と、最下のガス供給口及び最下の基板よりも下側の前記処理管の内壁とに固定され、前記処理管の周方向に延在する規制板として構成されたガス流規制部と、
により前記処理室内に供給したガスの流れをそれぞれ制御する半導体装置の製造方法。 - 複数の基板を上下方向に亘って所定のピッチで積層した状態で支持した基板支持部材を処理管内に搬入する工程と、
前記処理管に開口された排気部から前記処理管内を排気しつつ、前記処理管内に前記基板を積層する方向に亘って延在され複数のガス供給口を備えたガス供給部から前記処理管内にガスを供給して基板を処理する工程と、
処理後の基板を支持した前記基板支持部材を前記処理管内から搬出する工程と、を有し、
前記基板を処理する工程では、
前記基板支持部材に支持される基板の周縁と前記処理管の内壁とに挟まれる空間に設けられ、前記ガス供給部から前記処理管の周方向かつ前記基板を積層する方向に亘って延在
されたガス整流板と、
最上のガス供給口及び最上の基板よりも上側の前記処理管の内壁と、最下のガス供給口及び最下の基板よりも下側の前記処理管の内壁とに固定され、前記処理管の周方向に延在する規制板として構成されたガス流規制部と、
により前記処理室内に供給したガスの流れをそれぞれ制御する基板処理方法。
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Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP5616737B2 (ja) * | 2009-11-20 | 2014-10-29 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
JP5545055B2 (ja) * | 2010-06-15 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 支持体構造及び処理装置 |
US9493874B2 (en) * | 2012-11-15 | 2016-11-15 | Cypress Semiconductor Corporation | Distribution of gas over a semiconductor wafer in batch processing |
JP5708843B2 (ja) * | 2014-02-18 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 支持体構造及び処理装置 |
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AT518643B1 (de) | 2016-11-16 | 2017-12-15 | Mba Dipl Ing Andrzej Citak | Spielzeug zur Förderung der Intelligenz von Hunden |
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CN113519041B (zh) * | 2019-03-20 | 2024-04-16 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、反应容器、半导体器件的制造方法以及记录介质 |
WO2021192090A1 (ja) * | 2020-03-25 | 2021-09-30 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、記録媒体およびインナーチューブ |
JP7290684B2 (ja) * | 2021-03-26 | 2023-06-13 | 株式会社Kokusai Electric | 反応管、処理装置、および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3125199B2 (ja) * | 1993-03-18 | 2001-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
JP3218164B2 (ja) * | 1995-05-31 | 2001-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の支持ボート、熱処理装置及び熱処理方法 |
US20050188923A1 (en) * | 1997-08-11 | 2005-09-01 | Cook Robert C. | Substrate carrier for parallel wafer processing reactor |
JP2000294511A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-10-20 | Ftl:Kk | 半導体装置の製造装置 |
JP2001250787A (ja) * | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2002043229A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
JP4365017B2 (ja) * | 2000-08-23 | 2009-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置の降温レート制御方法および熱処理装置 |
JP3929261B2 (ja) * | 2000-09-25 | 2007-06-13 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2002222806A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Ebara Corp | 基板処理装置 |
JP2002261028A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-13 | Ftl:Kk | 半導体装置の製造用基板載置治具と縦型炉の組合わせ、基板載置治具、及び半導体装置の製造方法 |
JP4050483B2 (ja) * | 2001-05-14 | 2008-02-20 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
US6905963B2 (en) * | 2001-10-05 | 2005-06-14 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Fabrication of B-doped silicon film by LPCVD method using BCI3 and SiH4 gases |
JP3806410B2 (ja) * | 2002-02-06 | 2006-08-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体デバイスの製造方法及び半導体製造装置 |
JP2006080098A (ja) * | 2002-09-20 | 2006-03-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
KR100481874B1 (ko) * | 2003-02-05 | 2005-04-11 | 삼성전자주식회사 | 집적회로 제조에 사용되는 확산로 및 확산로의 냉각방법 |
JP2005056908A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP4267624B2 (ja) * | 2003-08-07 | 2009-05-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2006012994A (ja) * | 2004-06-23 | 2006-01-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
US20050287806A1 (en) * | 2004-06-24 | 2005-12-29 | Hiroyuki Matsuura | Vertical CVD apparatus and CVD method using the same |
KR100626386B1 (ko) * | 2004-09-20 | 2006-09-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판 제조에 사용되는 기판 처리 장치 및 기판처리 방법 |
TW200619416A (en) * | 2004-09-30 | 2006-06-16 | Aviza Tech Inc | Method and apparatus for low temperature dielectric deposition using monomolecular precursors |
JP4506677B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2010-07-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
JP2007019145A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Tokyo Electron Ltd | シリコン酸窒化膜の形成方法、シリコン酸窒化膜の形成装置及びプログラム |
JP4305427B2 (ja) * | 2005-08-02 | 2009-07-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
JP4426518B2 (ja) * | 2005-10-11 | 2010-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
US20070240644A1 (en) * | 2006-03-24 | 2007-10-18 | Hiroyuki Matsuura | Vertical plasma processing apparatus for semiconductor process |
JP4929811B2 (ja) * | 2006-04-05 | 2012-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US7632354B2 (en) * | 2006-08-08 | 2009-12-15 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing system with improved process gas flow and method for injecting a process gas into a thermal processing system |
JP5311776B2 (ja) * | 2006-10-10 | 2013-10-09 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
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