JP4050483B2 - 基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
基板処理装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4050483B2 JP4050483B2 JP2001143880A JP2001143880A JP4050483B2 JP 4050483 B2 JP4050483 B2 JP 4050483B2 JP 2001143880 A JP2001143880 A JP 2001143880A JP 2001143880 A JP2001143880 A JP 2001143880A JP 4050483 B2 JP4050483 B2 JP 4050483B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner tube
- gas flow
- substrate processing
- flow current
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の属する技術】
本発明は、基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関し、特に縦型CVD装置におけるアウタチューブの天井部に反応生成物が付着するのを防止するようにした基板処理装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図7は、従来の基板処理装置として縦型CVD装置を示す断面正面図である。この基板処理装置は、ヒータ1の内側にアウタチューブ2、インナチューブ3が設けられ、インナチューブ3内にボート4が挿入され、ボート4に基板(ウェーハ)5a,5bを収納して成膜処理を行っている。
【0003】
図8は反応室下部(図1のA部)を示す一部断面図である。基板へのガスの供給は、アダプタ7のガス導入ポート6からインナチューブ3の内側の基板領域を通り、インナチューブ3の外側とアウタチューブ2の内側から、排気管8より排気される。
【0004】
図9は上述した技術の問題点を示すために、基板処理装置の上部一部を示す断面図である。成膜時のガスの流れは、上述した通りであるが、その際にアウタチューブ2の天井部に反応生成物9が付着し、その反応生成物9が剥離したときに、基板上にパーティクルとして付着するという問題がある。
【0005】
そこで、かかる問題を解決するため、特開平6−275533号公報では、アウタチューブとインナチューブとを備えた縦型CVD装置において、インナチューブは閉鎖された上部端面を持ち、下端部側に反応ガスの導入口を有し、且つ上端部近傍の側壁にアウタチューブの内部に通ずる排気口を設けた構造を開示している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、かかる従来技術においては、インナチューブの上端部が平坦となっており、すなわちインナチューブの上部はコップを逆さに被せたような状態となっており、このような技術では、インナチューブを上方に向かって流れるガス流をアウタチューブ側にスムーズに変更することが困難であり、ガス流が滞留することにより、均一で高品質の基板処理が行われず、あるいは半導体装置が製造されないというおそれがある。
【0007】
本発明は、上述した問題点を解決するためになされたものであり、アウタチューブの天井に反応生成物が付着するのを防止できて、基板にパーティクルが付着するのを防止でき、さらにガス流の向きををスムーズに変更することで、均一で高品質の基板処理を行え、また半導体装置を製造することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明は、インナチューブ内を上方に向かって流れたガスがインナチューブ上端部にて流れの向きが変えられ、インナチューブとアウタチューブとの間を下方に向かって流れて排出される基板処理装置において、前記インナチューブの上端部周囲の数箇所に支持部を有し前記インナチューブの上方部を覆うガス流変流部材を設けて、前記インナチューブの上端部と前記ガス流変流部材の間にガス流路を形成し、且つ前記ガス流変流部材の中央部下端の高さを前記支持部下端の高さよりも高くなるように前記ガス流変流部材の中央部をガス流の上流側に突出させたことを特徴とするものである。
ここで、前記ガス流変流部材の中央部が、略逆円錐状に形成されている。
また、前記アウタチューブの外側にヒータを有し、該ヒータは前記アウタチューブの上部まで延在している。
【0009】
また、本発明は、基板処理用のガスをインナチューブ内を上方に向かって流した後、インナチューブ上端部にて流れの向きを変え、インナチューブとアウタチューブとの間を下方に向かって流して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、前記インナチューブの上端部周囲の数箇所に支持部を有し前記インナチューブの上方部を覆うようにガス流変流部材を設けると共に、前記ガス流変流部材の中央部下端の高さを前記支持部下端の高さよりも高くなるように前記ガス流変流部材の中央部をガス流の上流側に突出させておき、前記インナチューブを上方に流れたガスを、前記インナチューブの上端部と前記ガス流変流部材の間を通して流しながら半導体装置を製造するようにしたことを特徴とするものである。
【0010】
このような構成によれば、インナチューブ内を上方に向かって流れたガスはインナチューブ上端部に達すると、ガス流変流部材により側方に向きが変更されてインナチューブ上端とガス流変流部材の間からアウタチューブとインナチューブの間を下方に流れる。従って、アウタチューブの天井に上方へ向かうガスが直接的にあたることはなく、反応生成物が付着するのを防止できる。また、例えアウタチューブ天井部に反応生成物が付着した場合にそれが剥離しても、ガス流変流部材により受け止められて、基板にパーティクルとして付着するのを防止できる。更にガス流の向きの変更において、ガス流変流部材の中央部はガス流の上流側に突出している形状を有するので、ガスが滞留することがない。また、ガス流変流部材の中央部を炉内側である高温部側に近づけた構成となっているので、当該部分は反応生成物が付着し難い高温となり、ガス流変流部材自身に反応生成物が付着することも防止できる。従って、本発明によれば、均一で品質の良い基板処理を行うことができ、また、均一で品質の良い半導体装置を製造することができる。なお、ガス流変流部材はインナチューブの上端部に支持するようにしても良いし、
ボートの上部で支持するようにしても良いし、更には、アウタチューブ天井部に吊り下げるように支持しても良い。またガス流を効果的にアウタチューブとインナチューブとの間に導くように、ガス流変流部材の周縁に庇を設けるようにしても良い。
【0011】
実施の形態においては、ガス流変流部材をインナチューブキャップとしてインナチューブと同じ材質の石英としている。このようにガス流変流部材にインナチューブと同材質を用いることにより、熱膨張率を同一とすることができ、熱膨張率の差からインナチューブキャップのズレを防止できる。また、実施の形態のように、ガス流変流部材を十分に加熱できる程度にヒータを反応管の上部まで覆うようにしておくことにより、ガス流変流部材に反応生成物が付着するのを効果的に防止できる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。
図1は、本発明の実施の形態におけるインナチューブの上部を示す断面正面図であり、従来技術を示す図9に対応して示す図である。
本実施の形態では、インナチューブ3Aの上部にインナチューブキャップ11を載せている。このインナチューブキャップ11は、図2に示すように、インナチューブ3Aの上端部周囲の適所数箇所に所定の間を設けて支持部11aを設け、その支持部11a上に略逆円錐状のキャップ部11bを設けて構成される。図3に示されるように支持部11aの高さh´は、インナチューブ3A上部とアウタチューブ2Aとの間にクリアランスを有するように定められ、その中央の突出量hはh´(支持部の高さ)よりも僅かに小さくされ(h<h´)、キャップ部11bを単独で取り扱う場合に、作業場等に安定した状態に置き易くしている。
【0013】
以上の構成において、反応ガスはアウタチューブ2Aの天井部に流れずにアウタチューブ2Aの内壁側に流れる。そのため、アウタチューブ2Aの天井部に反応生成物が付着し難くなる。また付着し、剥離した場合でも、インナチューブキャップ11の上面でそれを受け止めることで、パーティクルとしてウェーハ上に付着するのを防止することができる。インナチューブキャップ11は円錐形のように中央部を下方(ガス流の上流側に)への凸部とすることで、ガスがアウタチューブ12の内壁に流れ易く、さらに、中央部を炉内側である高温部側に近づけた構成となっているので、ガス流変流部材自身に反応生成物が付着することも防止できる。更に、本実施の形態では、インナチューブキャップ11を有効に加熱できるよう、アウタチューブの上部までヒータを延設している。
【0014】
この場合、例えばTEOSプロセスにおいて、高さh´を有するインナーチューブキャップの温度はアウタチューブ2Aの天井部の温度より高くなり、さらにそのインナーチューブキャップに突出量hを持たせることにより、その先端温度をさらに高くすることができ、キャップ部に反応生成物が付着し難くなった。
【0015】
なお、図1では、インナチューブキャップ11をインナチューブ上端に取り付けるようにしているが、これらが一体的にインナチューブとして形成されていても良い。また、キャップ部11bの突出先端は円錐状となっているが、丸みを帯びていても良い。
【0016】
実施の形態2.
図4は実施の形態2を示す図であり、図のようにインナチューブキャップ11Bのキャップ部周縁に庇11B−1を設けるようにして、より効率良くガス流を導くようにしても良い。
【0017】
実施の形態3.
図5は実施の形態3を示す図であり、図のようにインナチューブキャップ11Cをボート4Aの上端部に載せて構成するようにしても良い。なお、この場合、キャップ部の周縁11C−2はインナチューブからはみ出せないが、ガスの気流を作ることができ、この気流により、インナチューブを上昇したガスが直接アウタチューブの天井に当たるのを防止することができ、やはり多大な効果を奏する。
【0018】
実施の形態4.
図6は実施の形態4を示す図であり、図のようにインナチューブキャップ11Dをアウタチューブから吊り下げる構成としても良い。この場合、例えばインナチューブキャップ11Dは、アウタチューブから支持される支持部11D−1と、この支持部先端(下端)に取り付けられるキャップ部11D−2とから構成される。このキャップ部11D−2の周縁には、庇11D−3が設けられている。
【0019】
【発明の効果】
以上に詳述したように、本発明によれば、アウタチューブの天井に反応生成物が付着するのを防止できて、基板にパーティクルが付着するのを防止でき、さらにガス流の向きををスムーズに変更することで、均一で高品質の基板処理を行え、また半導体装置を製造することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態におけるインナチューブの上部を示す断面正面図である。
【図2】インナチューブキャップを示す斜視図である。
【図3】インナチューブキャップの断面側面図である。
【図4】本発明の実施の形態2を示す側面図である。
【図5】本発明の実施の形態3を示す側面図である。
【図6】本発明の実施の形態4を示す側面図である。
【図7】従来の基板処理装置として縦型CVD装置を示す断面正面図である。
【図8】反応室下部(図1のA部)を示す一部断面図である。
【図9】基板処理装置の上部一部を示す断面図である。
【符号の説明】
1A ヒータ、2A アウタチューブ、3A インナチューブ、9 反応生成物、11,11B,11C,11D インナチューブキャップ、11a 支持部、11b キャップ部。
Claims (4)
- インナチューブ内を上方に向かって流れたガスがインナチューブ上端部にて流れの向きが変えられ、インナチューブとアウタチューブとの間を下方に向かって流れて排出される基板処理装置において、
前記インナチューブの上端部周囲の数箇所に支持部を有し前記インナチューブの上方部を覆うガス流変流部材を設けて、前記インナチューブの上端部と前記ガス流変流部材の間にガス流路を形成し、且つ前記ガス流変流部材の中央部下端の高さを前記支持部下端の高さよりも高くなるように前記ガス流変流部材の中央部をガス流の上流側に突出させたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記ガス流変流部材の中央部が、略逆円錐状に形成されている請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記アウタチューブの外側にヒータを有し、該ヒータは前記アウタチューブの上部まで延在している請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。
- 基板処理用のガスをインナチューブ内を上方に向かって流した後、インナチューブ上端部にて流れの向きを変え、インナチューブとアウタチューブとの間を下方に向かって流して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、
前記インナチューブの上端部周囲の数箇所に支持部を有し前記インナチューブの上方部を覆うようにガス流変流部材を設けると共に、前記ガス流変流部材の中央部下端の高さを前記支持部下端の高さよりも高くなるように前記ガス流変流部材の中央部をガス流の上流側に突出させておき、前記インナチューブを上方に流れたガスを、前記インナチューブの上端部と前記ガス流変流部材の間を通して流しながら半導体装置を製造するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001143880A JP4050483B2 (ja) | 2001-05-14 | 2001-05-14 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
US10/098,472 US6495473B2 (en) | 2001-05-14 | 2002-03-18 | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001143880A JP4050483B2 (ja) | 2001-05-14 | 2001-05-14 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002343782A JP2002343782A (ja) | 2002-11-29 |
JP4050483B2 true JP4050483B2 (ja) | 2008-02-20 |
Family
ID=18989947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001143880A Expired - Lifetime JP4050483B2 (ja) | 2001-05-14 | 2001-05-14 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6495473B2 (ja) |
JP (1) | JP4050483B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7037849B2 (en) * | 2003-06-27 | 2006-05-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Process for patterning high-k dielectric material |
KR101309334B1 (ko) * | 2004-08-02 | 2013-09-16 | 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 화학적 기상 증착 반응기용 멀티 가스 분배 인젝터 |
US8246749B2 (en) | 2005-07-26 | 2012-08-21 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device producing method |
US7736437B2 (en) * | 2006-02-03 | 2010-06-15 | Integrated Materials, Incorporated | Baffled liner cover |
JP5090097B2 (ja) * | 2007-07-26 | 2012-12-05 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 |
US20090308315A1 (en) * | 2008-06-13 | 2009-12-17 | Asm International N.V. | Semiconductor processing apparatus with improved thermal characteristics and method for providing the same |
US8398773B2 (en) | 2011-01-21 | 2013-03-19 | Asm International N.V. | Thermal processing furnace and liner for the same |
KR102147174B1 (ko) | 2016-11-18 | 2020-08-28 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반응관 구조 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4732110A (en) * | 1983-04-29 | 1988-03-22 | Hughes Aircraft Company | Inverted positive vertical flow chemical vapor deposition reactor chamber |
JPH0530357A (ja) | 1991-07-24 | 1993-02-05 | Riso Kagaku Corp | 画像処理装置 |
JPH05112870A (ja) | 1991-10-21 | 1993-05-07 | Kokusai Electric Co Ltd | 縦型減圧cvd装置 |
JPH06275533A (ja) | 1993-03-18 | 1994-09-30 | Fujitsu Ltd | 縦型cvd装置 |
US6093252A (en) * | 1995-08-03 | 2000-07-25 | Asm America, Inc. | Process chamber with inner support |
US5888303A (en) * | 1997-04-07 | 1999-03-30 | R.E. Dixon Inc. | Gas inlet apparatus and method for chemical vapor deposition reactors |
US5985033A (en) * | 1997-07-11 | 1999-11-16 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for delivering a gas |
US6110556A (en) * | 1997-10-17 | 2000-08-29 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a process chamber employing asymmetric flow geometries |
-
2001
- 2001-05-14 JP JP2001143880A patent/JP4050483B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-03-18 US US10/098,472 patent/US6495473B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6495473B2 (en) | 2002-12-17 |
JP2002343782A (ja) | 2002-11-29 |
US20020168877A1 (en) | 2002-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200819555A (en) | Shower head structure, device and method for film formation, and method for cleaning | |
KR100867776B1 (ko) | 에지 증착을 방지하는 방법 및 장치 | |
JP4050483B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JPH1136076A (ja) | Cvd成膜装置およびcvd成膜方法 | |
JP2009041110A (ja) | 基板プロセス装置でのエッジ堆積を制御する移動可能リング | |
JPH08302473A (ja) | Cvd装置 | |
JP2002155364A (ja) | シャワーヘッド構造、成膜装置、成膜方法及びクリーニング方法 | |
CN104903994B (zh) | 基板处理装置 | |
US20090061651A1 (en) | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device | |
US20070221618A1 (en) | Etching method | |
JPH11121384A (ja) | 堆積装置のサセプタ | |
US20030015142A1 (en) | Apparatus for fabricating a semiconductor device | |
JPH09275130A (ja) | 化学気相蒸着設備のウェーハローディング室の空気流案内装置 | |
JPH06120146A (ja) | 成膜処理方法及びその装置 | |
JPH0936053A (ja) | 半導体の製造方法 | |
JPH02283696A (ja) | 化学気相成長装置 | |
JP2792886B2 (ja) | 化学気相成長装置 | |
JP3335936B2 (ja) | 縦型気相成長装置 | |
JPH0578934B2 (ja) | ||
JP2582105Y2 (ja) | 化学気相成長装置 | |
JPH0437901Y2 (ja) | ||
JPS6244574A (ja) | 化学気相成長方法 | |
JPH06177048A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JPH0530350Y2 (ja) | ||
JPH09232238A (ja) | 半導体素子の製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050928 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051013 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070717 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070724 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070914 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071129 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4050483 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111207 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111207 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121207 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121207 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131207 Year of fee payment: 6 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |