JPH09232238A - 半導体素子の製造装置 - Google Patents
半導体素子の製造装置Info
- Publication number
- JPH09232238A JPH09232238A JP3321996A JP3321996A JPH09232238A JP H09232238 A JPH09232238 A JP H09232238A JP 3321996 A JP3321996 A JP 3321996A JP 3321996 A JP3321996 A JP 3321996A JP H09232238 A JPH09232238 A JP H09232238A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- clamp ring
- inert gas
- hollow clamp
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 適切な不活性ガスの流れをつくるとともに、
飛散物の排出を行い、また、的確な材料ガスの流れをつ
くることができる半導体素子の製造装置を提供する。 【解決手段】 ＣＶＤ装置における、材料ガスのウエハ
１２裏面又は、ウエハ１２外周部への周り込みを防止す
るために、中空クランプリング１３自体より、不活性ガ
ス１４の排出口１７から不活性ガス１４を排出して、ウ
エハ１２と中空クランプリング１３間から不活性ガス１
４を流出させる。
飛散物の排出を行い、また、的確な材料ガスの流れをつ
くることができる半導体素子の製造装置を提供する。 【解決手段】 ＣＶＤ装置における、材料ガスのウエハ
１２裏面又は、ウエハ１２外周部への周り込みを防止す
るために、中空クランプリング１３自体より、不活性ガ
ス１４の排出口１７から不活性ガス１４を排出して、ウ
エハ１２と中空クランプリング１３間から不活性ガス１
４を流出させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の製造
装置に係り、特に、そのＣＶＤ装置及びスピンコーター
装置に関するものである。
装置に係り、特に、そのＣＶＤ装置及びスピンコーター
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、従来のＣＶＤ装置（特に、熱Ｃ
ＶＤ装置）は、ウエハ裏面への材料ガスの周り込み防止
と、成膜エリアの制限（例えば、ウエハ周辺部へ成膜し
たくない場合等）のため、図３及び図４に示すように、
ウエハステージ１上のウエハ２の周辺部を、リング状の
板（クランプリング）３で覆い（一般にクランプリング
もしくは、シャドーリングの名称で呼ばれている。）、
かつ、ウエハ２とそのクランプリング３との間より、不
活性ガス（例えば、Ａｒ）４をウエハ表面側へ向けて流
す構造となっている。
ＶＤ装置）は、ウエハ裏面への材料ガスの周り込み防止
と、成膜エリアの制限（例えば、ウエハ周辺部へ成膜し
たくない場合等）のため、図３及び図４に示すように、
ウエハステージ１上のウエハ２の周辺部を、リング状の
板（クランプリング）３で覆い（一般にクランプリング
もしくは、シャドーリングの名称で呼ばれている。）、
かつ、ウエハ２とそのクランプリング３との間より、不
活性ガス（例えば、Ａｒ）４をウエハ表面側へ向けて流
す構造となっている。
【０００３】そして、この不活性ガス４は、図４に示す
ように、チャンバー５下部の不活性ガス供給口６より供
給されていた。なお、７はシャワーヘッド、８は排気口
である。
ように、チャンバー５下部の不活性ガス供給口６より供
給されていた。なお、７はシャワーヘッド、８は排気口
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来構成の装置では、チャンバー５下部より供給した
不活性ガス４の大半は、チャンバーウォール５ａとクラ
ンプリング３の隙間（図４、隙間、）より流れ出て
しまい、隙間の小さいウエハ２とクランプリング３との
間から流れ出る不活性ガス４の量はわずかである。その
ため、材料ガスの周り込み防止効果を高めるためには、
ガス流量を大きくする必要がある（因みに、ウエハ２と
クランプリング３の隙間は、数十ミクロン〜百ミクロン
程度、隙間、は、数ミリメートルである）。
た従来構成の装置では、チャンバー５下部より供給した
不活性ガス４の大半は、チャンバーウォール５ａとクラ
ンプリング３の隙間（図４、隙間、）より流れ出て
しまい、隙間の小さいウエハ２とクランプリング３との
間から流れ出る不活性ガス４の量はわずかである。その
ため、材料ガスの周り込み防止効果を高めるためには、
ガス流量を大きくする必要がある（因みに、ウエハ２と
クランプリング３の隙間は、数十ミクロン〜百ミクロン
程度、隙間、は、数ミリメートルである）。
【０００５】また、クランプリング３の取付けズレによ
り、図４中の隙間とが不均一になった場合、隙間の
大きい方へガスの流れが偏ってしまう。このガスの流れ
の偏りによって、流量が多くなる部位では、熱が奪わ
れ、温度の低下を招き、流量の少なくなる部位では温度
上昇を招く。このように、ウエハステージ１の均熱性が
乱され、引いては、成膜する膜の分布を劣化させる原因
となる（特に、熱ＣＶＤ装置においては、温度が重要な
パラメータとなるので、影響が大きい）。
り、図４中の隙間とが不均一になった場合、隙間の
大きい方へガスの流れが偏ってしまう。このガスの流れ
の偏りによって、流量が多くなる部位では、熱が奪わ
れ、温度の低下を招き、流量の少なくなる部位では温度
上昇を招く。このように、ウエハステージ１の均熱性が
乱され、引いては、成膜する膜の分布を劣化させる原因
となる（特に、熱ＣＶＤ装置においては、温度が重要な
パラメータとなるので、影響が大きい）。
【０００６】さらに、上記問題とは別に、従来のクラン
プリングは、冷却機能を持っていないため、成膜中に、
クランプリングも熱せられ、クランプリングへも膜が形
成されてしまう。そして、ウエハ処理を重ねると、この
膜が厚くなり、膜のストレス等により、その膜が剥がれ
落ち、パーティクルの発生源となってしまうという問題
があった。
プリングは、冷却機能を持っていないため、成膜中に、
クランプリングも熱せられ、クランプリングへも膜が形
成されてしまう。そして、ウエハ処理を重ねると、この
膜が厚くなり、膜のストレス等により、その膜が剥がれ
落ち、パーティクルの発生源となってしまうという問題
があった。
【０００７】本発明は、上記問題点を除去し、適切な不
活性ガスの流れをつくるとともに、飛散物の排出を行
い、また、的確な材料ガスの流れをつくることができる
半導体素子の製造装置を提供することを目的とする。
活性ガスの流れをつくるとともに、飛散物の排出を行
い、また、的確な材料ガスの流れをつくることができる
半導体素子の製造装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕半導体素子の製造装置において、ウエハステージ
上にセットされるウエハと、このウエハの周辺部に配置
される不活性ガスの排出口を有する中空クランプリング
を設けるようにしたものである。
成するために、 〔１〕半導体素子の製造装置において、ウエハステージ
上にセットされるウエハと、このウエハの周辺部に配置
される不活性ガスの排出口を有する中空クランプリング
を設けるようにしたものである。
【０００９】このように、ウエハステージ上にセットさ
れるウエハと、このウエハの周辺部に配置される不活性
ガスの排出口を有する中空クランプリングを設けるよう
にしたので、少流量の不活性ガスで適切な不活性ガスの
流れをつくることができる。さらに、中空クランプリン
グ自体から、不活性ガスを供給するような構造としたの
で、中空クランプリングの取付けずれによる、ガスの流
れの乱れや、偏りが生じないため、常に、均一にウエハ
周辺での材料ガスの周り込み防止効果が得られる。当然
ながら、ガスの流れの偏りによる、ウエハステージの温
度分布の乱れも生じない。
れるウエハと、このウエハの周辺部に配置される不活性
ガスの排出口を有する中空クランプリングを設けるよう
にしたので、少流量の不活性ガスで適切な不活性ガスの
流れをつくることができる。さらに、中空クランプリン
グ自体から、不活性ガスを供給するような構造としたの
で、中空クランプリングの取付けずれによる、ガスの流
れの乱れや、偏りが生じないため、常に、均一にウエハ
周辺での材料ガスの周り込み防止効果が得られる。当然
ながら、ガスの流れの偏りによる、ウエハステージの温
度分布の乱れも生じない。
【００１０】〔２〕上記〔１〕記載の半導体素子の製造
装置において、ＣＶＤ装置における、材料ガスのウエハ
裏面又は、ウエハ外周部への周り込みを防止するため
に、前記中空クランプリング自体より、前記不活性ガス
の排出口から不活性ガスを排出して、前記ウエハと中空
クランプリング間から不活性ガスを流出させるようにし
たものである。
装置において、ＣＶＤ装置における、材料ガスのウエハ
裏面又は、ウエハ外周部への周り込みを防止するため
に、前記中空クランプリング自体より、前記不活性ガス
の排出口から不活性ガスを排出して、前記ウエハと中空
クランプリング間から不活性ガスを流出させるようにし
たものである。
【００１１】このように、ＣＶＤ装置において、適切な
不活性ガスの流れをつくることができ、材料ガスのウエ
ハ裏面又は、ウエハ外周部への周り込みを防止すること
ができる。さらに、不活性ガスが中空クランプリング内
を流れることによって、中空クランプリングが冷却さ
れ、生成物が形成され難くなる。そのため、中空クラン
プリングの生成物付着によるパーティクル発生に対して
も抑制効果がある。
不活性ガスの流れをつくることができ、材料ガスのウエ
ハ裏面又は、ウエハ外周部への周り込みを防止すること
ができる。さらに、不活性ガスが中空クランプリング内
を流れることによって、中空クランプリングが冷却さ
れ、生成物が形成され難くなる。そのため、中空クラン
プリングの生成物付着によるパーティクル発生に対して
も抑制効果がある。
【００１２】〔３〕上記〔１〕記載の半導体素子の製造
装置において、スピンコート時に、前記不活性ガスの排
出口から不活性ガスを排出して、飛散する飛散物をとも
にウエハ外に排出するようにしたものである。このよう
に、スピンコート時に、ウエハ外周部に気流を形成する
ことができ、塗布物の塗布時に発生する余分な塗布物
（飛散物）は、ウエハ下方へ押し出され、コータカップ
内より排出されるので、余分な塗布物のウエハ表面への
飛散を防止することができる。
装置において、スピンコート時に、前記不活性ガスの排
出口から不活性ガスを排出して、飛散する飛散物をとも
にウエハ外に排出するようにしたものである。このよう
に、スピンコート時に、ウエハ外周部に気流を形成する
ことができ、塗布物の塗布時に発生する余分な塗布物
（飛散物）は、ウエハ下方へ押し出され、コータカップ
内より排出されるので、余分な塗布物のウエハ表面への
飛散を防止することができる。
【００１３】〔４〕半導体素子の製造装置において、ウ
エハステージ上にセットされるウエハと、ＣＶＤ装置に
おける前記ウエハの周辺部に配置される材料ガスを吸気
する吸気口を有する中空クランプリングを設け、強制的
な材料ガスの流れをつくるようにしたものである。した
がって、材料ガスの供給は、従来と変わらないが、成膜
時にチャンバー排気の他にウエハ外周部直近でも吸気を
行なうことにより、ウエハ中心部から外周部へ向かう気
流が形成される。このことにより、ウエハ表面での材料
ガスと反応後のガス交換が速やかに行なわれるようにな
るため、従来の装置に比べ成膜速度を速くすることがで
きる。つまり、ウエハ一枚当たりの処理時間の短縮が可
能となる。
エハステージ上にセットされるウエハと、ＣＶＤ装置に
おける前記ウエハの周辺部に配置される材料ガスを吸気
する吸気口を有する中空クランプリングを設け、強制的
な材料ガスの流れをつくるようにしたものである。した
がって、材料ガスの供給は、従来と変わらないが、成膜
時にチャンバー排気の他にウエハ外周部直近でも吸気を
行なうことにより、ウエハ中心部から外周部へ向かう気
流が形成される。このことにより、ウエハ表面での材料
ガスと反応後のガス交換が速やかに行なわれるようにな
るため、従来の装置に比べ成膜速度を速くすることがで
きる。つまり、ウエハ一枚当たりの処理時間の短縮が可
能となる。
【００１４】特に、ウエハ表面での気流が、ウエハ面内
均一性や成膜速度に影響を及ぼしやすい常圧ＣＶＤ装置
では、強制的にウエハ気流を形成することにより、周囲
の影響を受けることなく、安定した成膜を行なうことが
できる。
均一性や成膜速度に影響を及ぼしやすい常圧ＣＶＤ装置
では、強制的にウエハ気流を形成することにより、周囲
の影響を受けることなく、安定した成膜を行なうことが
できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図を
参照しながら説明する。図１は本発明の第１実施例を示
す半導体素子の製造装置の構成図、図２はその中空クラ
ンプリングの平面図である。材料ガスのウエハ周辺部へ
の周り込み防止用の不活性ガス１４は、従来と同様にチ
ャンバー１５下部より供給されるが、チャンバー１５に
固定された、配管１６を通り、中空クランプリング１３
内へ接続される。中空クランプリング１３はウエハ１２
の出し入れ時には、上下に動く必要があるため、配管１
６と、中空クランプリング１３は固定されていない。つ
まり、中空クランプリング１３が上方に移動した時には
配管１６から離れても構わない。
参照しながら説明する。図１は本発明の第１実施例を示
す半導体素子の製造装置の構成図、図２はその中空クラ
ンプリングの平面図である。材料ガスのウエハ周辺部へ
の周り込み防止用の不活性ガス１４は、従来と同様にチ
ャンバー１５下部より供給されるが、チャンバー１５に
固定された、配管１６を通り、中空クランプリング１３
内へ接続される。中空クランプリング１３はウエハ１２
の出し入れ時には、上下に動く必要があるため、配管１
６と、中空クランプリング１３は固定されていない。つ
まり、中空クランプリング１３が上方に移動した時には
配管１６から離れても構わない。
【００１６】そして、ウエハ１２をクランプした後、任
意のタイミングで不活性ガス１４の供給を開始すると、
不活性ガス１４は、中空クランプリング１３内を通り、
ウエハ１２周辺近傍に設けられた中空クランプリング１
３の排出口１７より、ウエハ１２上へ供給される。な
お、１８はシャワーヘッド、１９は排気口である。この
ように、第１実施例によれば、ウエハステージ１１上に
セットされるウエハ１２と、このウエハ１２の周辺部に
配置される不活性ガス１４の排出口１７を有する中空ク
ランプリング１３を設けるようにしたので、少流量の不
活性ガスで適切な不活性ガスの流れをつくることができ
る。
意のタイミングで不活性ガス１４の供給を開始すると、
不活性ガス１４は、中空クランプリング１３内を通り、
ウエハ１２周辺近傍に設けられた中空クランプリング１
３の排出口１７より、ウエハ１２上へ供給される。な
お、１８はシャワーヘッド、１９は排気口である。この
ように、第１実施例によれば、ウエハステージ１１上に
セットされるウエハ１２と、このウエハ１２の周辺部に
配置される不活性ガス１４の排出口１７を有する中空ク
ランプリング１３を設けるようにしたので、少流量の不
活性ガスで適切な不活性ガスの流れをつくることができ
る。
【００１７】さらに、中空クランプリング１３自体か
ら、不活性ガス１４を供給するような構造としたので、
中空クランプリング１３の取付けずれによるガスの流れ
の乱れや、偏りが生じないため、常に、均一にウエハ１
２周辺での材料ガスの周り込み防止効果が得られる。当
然ながら、ガスの流れの偏りによる、ウエハステージ１
１の温度分布の乱れも生じない。
ら、不活性ガス１４を供給するような構造としたので、
中空クランプリング１３の取付けずれによるガスの流れ
の乱れや、偏りが生じないため、常に、均一にウエハ１
２周辺での材料ガスの周り込み防止効果が得られる。当
然ながら、ガスの流れの偏りによる、ウエハステージ１
１の温度分布の乱れも生じない。
【００１８】また、ＣＶＤ装置において、適切な不活性
ガスの流れをつくることができ、材料ガスのウエハ１２
裏面又は、ウエハ１２外周部への周り込みを防止するこ
とができる。さらに、不活性ガス１４が中空クランプリ
ング１３内を流れることによって、中空クランプリング
１３が冷却され、生成物が形成され難くなる。そのた
め、中空クランプリング１３の生成物付着によるパーテ
ィクル発生に対しても、抑制効果がある。なお、１５ａ
はチャンバーウォールである。
ガスの流れをつくることができ、材料ガスのウエハ１２
裏面又は、ウエハ１２外周部への周り込みを防止するこ
とができる。さらに、不活性ガス１４が中空クランプリ
ング１３内を流れることによって、中空クランプリング
１３が冷却され、生成物が形成され難くなる。そのた
め、中空クランプリング１３の生成物付着によるパーテ
ィクル発生に対しても、抑制効果がある。なお、１５ａ
はチャンバーウォールである。
【００１９】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。この第２実施例では、上記第１実施例で示した中空
クランプリングと同様の不活性ガス供給リングを、ＳＯ
Ｇ（スピン・オン・グラス）、レジスト等のスピンコー
ター装置へ用いた例を示す。図５に従来のスピンコータ
ーを示す。従来のスピンコーターでは、塗布物を塗布物
滴下ノズル２４よりウエハ２３に滴下し、ウエハ回転装
置２２の回転により、塗布物をウエハ２３の全面へと塗
布する時、余分な塗布物（飛散物）２６が、ウエハ２３
外周へ飛び出し、これが、コーターカップ２１ではね返
ることにより、ウエハ２３上のパーティクルとなってし
まうという問題があった。なお、２５は排気口である。
る。この第２実施例では、上記第１実施例で示した中空
クランプリングと同様の不活性ガス供給リングを、ＳＯ
Ｇ（スピン・オン・グラス）、レジスト等のスピンコー
ター装置へ用いた例を示す。図５に従来のスピンコータ
ーを示す。従来のスピンコーターでは、塗布物を塗布物
滴下ノズル２４よりウエハ２３に滴下し、ウエハ回転装
置２２の回転により、塗布物をウエハ２３の全面へと塗
布する時、余分な塗布物（飛散物）２６が、ウエハ２３
外周へ飛び出し、これが、コーターカップ２１ではね返
ることにより、ウエハ２３上のパーティクルとなってし
まうという問題があった。なお、２５は排気口である。
【００２０】そこで、図６に示すように、ウエハ３３の
外周部に先の中空クランプリングと同様の不活性ガス供
給リング（クランプリング）３７を配置することで、ウ
エハ３３の外周部に強制的に気流を形成する。つまり、
不活性ガス供給リング３７の排出口３８から排出される
気流に余分な塗布物（飛散物）３９をのせて、排出でき
るようにしたものである。
外周部に先の中空クランプリングと同様の不活性ガス供
給リング（クランプリング）３７を配置することで、ウ
エハ３３の外周部に強制的に気流を形成する。つまり、
不活性ガス供給リング３７の排出口３８から排出される
気流に余分な塗布物（飛散物）３９をのせて、排出でき
るようにしたものである。
【００２１】この時、排気とのバランスをとり、気流は
排気口３５に向かう層流である方が望ましい（層流でな
くとも、供給した不活性ガスは、速やかに排気口より排
出されることが必要である）。なお、図６において、３
１はコータカップ、３２はウエハ回転装置、３４は塗布
物滴下ノズル、３６は不活性ガス供給リング（中空クラ
ンプリング）３７の配管である。
排気口３５に向かう層流である方が望ましい（層流でな
くとも、供給した不活性ガスは、速やかに排気口より排
出されることが必要である）。なお、図６において、３
１はコータカップ、３２はウエハ回転装置、３４は塗布
物滴下ノズル、３６は不活性ガス供給リング（中空クラ
ンプリング）３７の配管である。
【００２２】このように、第２実施例によれば、スピン
コート時に、ウエハ３３の外周部に気流を形成すること
ができ、塗布物の塗布時に発生する余分な塗布物（飛散
物）３９は、ウエハ３３の下方へ押し出され、コータカ
ップ３１内より排出されるので、余分な塗布物３９のウ
エハ３３の表面への飛散を防止することができる。次
に、本発明の第３実施例について述べる。
コート時に、ウエハ３３の外周部に気流を形成すること
ができ、塗布物の塗布時に発生する余分な塗布物（飛散
物）３９は、ウエハ３３の下方へ押し出され、コータカ
ップ３１内より排出されるので、余分な塗布物３９のウ
エハ３３の表面への飛散を防止することができる。次
に、本発明の第３実施例について述べる。
【００２３】従来の常圧ＣＶＤ装置は、図７に示すよう
に、チャンバー４１内のヒータを有するウエハステージ
上にセットされるウエハ４３上へ、材料ガスをシャワー
ヘッド４４より供給し、反応後のガスは、チャンバー４
１もしくは反応室全体の排気口４５より排出されるよう
に構成されている。図８は本発明の第３実施例を示す常
圧ＣＶＤ装置の構成図である。
に、チャンバー４１内のヒータを有するウエハステージ
上にセットされるウエハ４３上へ、材料ガスをシャワー
ヘッド４４より供給し、反応後のガスは、チャンバー４
１もしくは反応室全体の排気口４５より排出されるよう
に構成されている。図８は本発明の第３実施例を示す常
圧ＣＶＤ装置の構成図である。
【００２４】本発明の第３実施例は、図８に示すよう
に、第１、２実施例で述べたものと同様の、中空クラン
プリングと同様の吸気口５６を有する中空クランプリン
グ５５をウエハ５３の外周部に設け、排気口５８よりの
チャンバー排気の他に、ウエハ５３外周部直近でも中空
クランプリング５５の吸気口５６から吸気を行うように
したものである。すなわち、中空クランプリング５５は
吸気口５６から強制的な気流を形成して、排気口５７か
ら排気するようにしている。（ただし、本実施例は、第
１実施例で述べたような材料ガスのウエハ裏面や、外周
部への周り込みを懸念しなければならないＣＶＤ装置へ
は適用できない）。なお、５１はチャンバー、５２はヒ
ータを有するウエハステージ、５４はシャワーヘッドで
ある。
に、第１、２実施例で述べたものと同様の、中空クラン
プリングと同様の吸気口５６を有する中空クランプリン
グ５５をウエハ５３の外周部に設け、排気口５８よりの
チャンバー排気の他に、ウエハ５３外周部直近でも中空
クランプリング５５の吸気口５６から吸気を行うように
したものである。すなわち、中空クランプリング５５は
吸気口５６から強制的な気流を形成して、排気口５７か
ら排気するようにしている。（ただし、本実施例は、第
１実施例で述べたような材料ガスのウエハ裏面や、外周
部への周り込みを懸念しなければならないＣＶＤ装置へ
は適用できない）。なお、５１はチャンバー、５２はヒ
ータを有するウエハステージ、５４はシャワーヘッドで
ある。
【００２５】材料ガスの供給は、従来と変わらないが、
成膜時にチャンバー排気の他にウエハ外周部直近でも吸
気を行なうことにより、ウエハ中心部から外周部へ向か
う気流が形成される。このことにより、ウエハ表面での
材料ガスと反応後のガス交換が速やかに行なわれるよう
になるため、従来の装置に比べ成膜速度を速くすること
ができる。つまり、ウエハ一枚当たりの処理時間の短縮
が可能となる。
成膜時にチャンバー排気の他にウエハ外周部直近でも吸
気を行なうことにより、ウエハ中心部から外周部へ向か
う気流が形成される。このことにより、ウエハ表面での
材料ガスと反応後のガス交換が速やかに行なわれるよう
になるため、従来の装置に比べ成膜速度を速くすること
ができる。つまり、ウエハ一枚当たりの処理時間の短縮
が可能となる。
【００２６】特に、ウエハ表面での気流が、ウエハ面内
均一性や成膜速度に影響を及ぼしやすい常圧ＣＶＤ装置
では、強制的にウエハ気流を形成することで周囲の影響
を受けることなく、安定した成膜を行なうことができ
る。なお、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、
これらを本発明の範囲から排除するものではない。
均一性や成膜速度に影響を及ぼしやすい常圧ＣＶＤ装置
では、強制的にウエハ気流を形成することで周囲の影響
を受けることなく、安定した成膜を行なうことができ
る。なお、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、
これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００２７】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、ウエハステージ上
にセットされるウエハと、このウエハの周辺部に配置さ
れる不活性ガスの排出口を有する中空クランプリングを
設けるようにしたので、少流量の不活性ガスで適切な不
活性ガスの流れをつくることができる。
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、ウエハステージ上
にセットされるウエハと、このウエハの周辺部に配置さ
れる不活性ガスの排出口を有する中空クランプリングを
設けるようにしたので、少流量の不活性ガスで適切な不
活性ガスの流れをつくることができる。
【００２８】さらに、中空クランプリング自体から、不
活性ガスを供給するような構造としたので、中空クラン
プリングの取付けずれによるガスの流れの乱れや、偏り
が生じないため、常に、均一にウエハ周辺での材料ガス
の周り込み防止効果が得られる。当然ながら、ガスの流
れの偏りによる、ウエハステージの温度分布の乱れも生
じない。
活性ガスを供給するような構造としたので、中空クラン
プリングの取付けずれによるガスの流れの乱れや、偏り
が生じないため、常に、均一にウエハ周辺での材料ガス
の周り込み防止効果が得られる。当然ながら、ガスの流
れの偏りによる、ウエハステージの温度分布の乱れも生
じない。
【００２９】（２）請求項２記載の発明によれば、ＣＶ
Ｄ装置において、適切な不活性ガスの流れをつくること
ができ、材料ガスのウエハ裏面又は、ウエハ外周部への
周り込みを防止することができる。さらに、不活性ガス
が中空クランプリング内を流れることによって、中空ク
ランプリングが冷却され、生成物が形成され難くなる。
そのため、中空クランプリングの生成物付着によるパー
ティクル発生に対しても抑制効果がある。
Ｄ装置において、適切な不活性ガスの流れをつくること
ができ、材料ガスのウエハ裏面又は、ウエハ外周部への
周り込みを防止することができる。さらに、不活性ガス
が中空クランプリング内を流れることによって、中空ク
ランプリングが冷却され、生成物が形成され難くなる。
そのため、中空クランプリングの生成物付着によるパー
ティクル発生に対しても抑制効果がある。
【００３０】（３）請求項３記載の発明によれば、スピ
ンコート時に、ウエハ外周部に気流を形成することがで
き、塗布物塗布時に発生する余分な塗布物（飛散物）
は、ウエハ下方へ押し出され、コータカップ内より排出
されるので、余分な塗布物のウエハ表面への飛散を防止
することができる。 （４）請求項４記載の発明によれば、材料ガスの供給
は、従来と変わらないが、成膜時にチャンバー排気の他
に、ウエハ外周部直近でも吸気を行なうことにより、ウ
エハ中心部から外周部へ向かう気流が形成される。この
ことにより、ウエハ表面での材料ガスと反応後のガス交
換が速やかに行なわれるようになるため、従来の装置に
比べ成膜速度を速くすることができる。つまり、ウエハ
一枚当たりの処理時間の短縮が可能となる。
ンコート時に、ウエハ外周部に気流を形成することがで
き、塗布物塗布時に発生する余分な塗布物（飛散物）
は、ウエハ下方へ押し出され、コータカップ内より排出
されるので、余分な塗布物のウエハ表面への飛散を防止
することができる。 （４）請求項４記載の発明によれば、材料ガスの供給
は、従来と変わらないが、成膜時にチャンバー排気の他
に、ウエハ外周部直近でも吸気を行なうことにより、ウ
エハ中心部から外周部へ向かう気流が形成される。この
ことにより、ウエハ表面での材料ガスと反応後のガス交
換が速やかに行なわれるようになるため、従来の装置に
比べ成膜速度を速くすることができる。つまり、ウエハ
一枚当たりの処理時間の短縮が可能となる。
【００３１】特に、ウエハ表面での気流が、ウエハ面内
均一性や成膜速度に影響を及ぼしやすい常圧ＣＶＤ装置
では、強制的にウエハ気流を形成することにより、周囲
の影響を受けることなく、安定した成膜を行なうことが
できる。
均一性や成膜速度に影響を及ぼしやすい常圧ＣＶＤ装置
では、強制的にウエハ気流を形成することにより、周囲
の影響を受けることなく、安定した成膜を行なうことが
できる。
【図１】本発明の第１実施例を示す半導体素子の製造装
置の構成図である。
置の構成図である。
【図２】本発明の第１実施例を示す半導体素子の製造装
置の中空クランプリングの平面図である。
置の中空クランプリングの平面図である。
【図３】従来のＣＶＤ装置の部分断面図である。
【図４】従来のＣＶＤ装置の全体構成図である。
【図５】従来のスピンコーターを示す図である。
【図６】本発明の第２実施例を示す半導体素子の製造装
置（スピンコーター）の構成図である。
置（スピンコーター）の構成図である。
【図７】従来の常圧ＣＶＤ装置の構成図である。
【図８】本発明の第３実施例を示す常圧ＣＶＤ装置の構
成図である。
成図である。
１１，５２ ウエハステージ １２，３３，５３ ウエハ １３，３７，５５ 中空クランプリング １４ 不活性ガス １５，５１ チャンバー １６，３６ 配管 １７，３８ 排出口 １８，５４ シャワーヘッド １９，３５，５７，５８ 排気口 ３１ コータカップ ３２ ウエハ回転装置 ３４ 塗布物滴下ノズル ３９ 余分な塗布物（飛散物） ５６ 吸気口
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体素子の製造装置において、（ａ）
ウエハステージ上にセットされるウエハと、（ｂ）該ウ
エハの周辺部に配置される不活性ガスの排出口を有する
中空クランプリングを具備することを特徴とする半導体
素子の製造装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体素子の製造装置に
おいて、ＣＶＤ装置における、材料ガスのウエハ裏面又
は、ウエハ外周部への周り込みを防止するために、前記
中空クランプリング自体より、前記不活性ガスの排出口
から不活性ガスを排出して、前記ウエハと中空クランプ
リング間から不活性ガスを流出させるようにしたことを
特徴とする半導体素子の製造装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体素子の製造装置に
おいて、スピンコート時に、前記不活性ガスの排出口か
ら不活性ガスを排出して、飛散する飛散物をともに前記
ウエハ外に排出するようにしたことを特徴とする半導体
素子の製造装置。 - 【請求項４】 半導体素子の製造装置において、（ａ）
ウエハステージ上にセットされるウエハと、（ｂ）ＣＶ
Ｄ装置における前記ウエハの周辺部に配置される材料ガ
スを吸気する吸気口を有する中空クランプリングを設
け、強制的な材料ガスの流れをつくるようにしたことを
特徴とする半導体素子の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3321996A JPH09232238A (ja) | 1996-02-21 | 1996-02-21 | 半導体素子の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3321996A JPH09232238A (ja) | 1996-02-21 | 1996-02-21 | 半導体素子の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232238A true JPH09232238A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12380344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3321996A Withdrawn JPH09232238A (ja) | 1996-02-21 | 1996-02-21 | 半導体素子の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232238A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002363756A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-18 | Anelva Corp | 化学蒸着装置 |
| KR101442815B1 (ko) * | 2007-12-18 | 2014-09-23 | 한국에이에스엠지니텍 주식회사 | 증착 장치 |
| CN105206558A (zh) * | 2014-05-27 | 2015-12-30 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 晶片边缘的保护机构、反应腔室及半导体加工设备 |
-
1996
- 1996-02-21 JP JP3321996A patent/JPH09232238A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002363756A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-18 | Anelva Corp | 化学蒸着装置 |
| JP4602598B2 (ja) * | 2001-06-11 | 2010-12-22 | キヤノンアネルバ株式会社 | 化学蒸着装置 |
| KR101442815B1 (ko) * | 2007-12-18 | 2014-09-23 | 한국에이에스엠지니텍 주식회사 | 증착 장치 |
| CN105206558A (zh) * | 2014-05-27 | 2015-12-30 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 晶片边缘的保护机构、反应腔室及半导体加工设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8236106B2 (en) | Shower head and substrate processing apparatus | |
| US6797108B2 (en) | Apparatus and method for evenly flowing processing gas onto a semiconductor wafer | |
| US6251487B1 (en) | Method for coating a resist film | |
| JPH04348031A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| TWI719377B (zh) | 半導體裝置製造設備與製造方法 | |
| JPH01251735A (ja) | 静電チャック装置 | |
| JPH10280150A (ja) | 被処理基板の処理装置 | |
| JPH09232238A (ja) | 半導体素子の製造装置 | |
| JPH03255618A (ja) | 縦型ｃｖｄ装置 | |
| JP2007201355A (ja) | ウエハ載置用電極 | |
| JP3549722B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JPS62154722A (ja) | 処理装置 | |
| JPH0487323A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JP2009170869A (ja) | エピタキシ成長のためのウェーハ用サセプタ | |
| JP4180896B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0758016A (ja) | 成膜処理装置 | |
| JPS6353932A (ja) | 半導体ウエハ−の薄膜成長装置 | |
| TWI720321B (zh) | 基板處理裝置 | |
| JP2943407B2 (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JPH03175617A (ja) | 基板の回転式表面処理装置 | |
| JP3009371B2 (ja) | ダイヤモンド様炭素膜堆積装置 | |
| JPH04320025A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JP3554381B2 (ja) | 塗布膜の形成方法および回転塗布装置 | |
| JPH09293707A (ja) | 基板冷却装置および半導体製造装置 | |
| JPH02283696A (ja) | 化学気相成長装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030506 |