JPH0530350Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0530350Y2 JPH0530350Y2 JP1984098957U JP9895784U JPH0530350Y2 JP H0530350 Y2 JPH0530350 Y2 JP H0530350Y2 JP 1984098957 U JP1984098957 U JP 1984098957U JP 9895784 U JP9895784 U JP 9895784U JP H0530350 Y2 JPH0530350 Y2 JP H0530350Y2
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- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- support
- gas ejection
- counterbore
- center
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
本考案はたとえば半導体あるいは絶縁体基板上
に半導体材料を所定厚さに均一に気相成長させる
気相成長装置に関する。
に半導体材料を所定厚さに均一に気相成長させる
気相成長装置に関する。
この種の気相成長装置としては従来、たとえ
ば、第５図に示すようなものが知られている。す
なわち、図中１は反応室２内に設けられたサセプ
タで、このサセプタ１上には複数枚のウエハ３…
が載置され、さらに、サセプタ１の下部側にはサ
セプタ１を誘導加熱するワークコイル４が配設さ
れている。また、上記サセプタ１の中央部には反
応ガス供給用のノズル５が挿通されている。
ば、第５図に示すようなものが知られている。す
なわち、図中１は反応室２内に設けられたサセプ
タで、このサセプタ１上には複数枚のウエハ３…
が載置され、さらに、サセプタ１の下部側にはサ
セプタ１を誘導加熱するワークコイル４が配設さ
れている。また、上記サセプタ１の中央部には反
応ガス供給用のノズル５が挿通されている。
しかして、ウエハ３…の表面に気相成長させる
場合にはワークコイル４に通電してサセプタ１を
介してウエハ３…を加熱するとともにノズル５か
ら反応ガスとしてたとえば水素還元法の場合には
四塩化シリコン（SiCl4）を噴出させ、あるいは
熱分解法の場合にはジクロールシラン（SiH2
Cl2）、モノシラン（SiH4）を噴出させてウエハ
３…の表面に気相成長させるようになつている。
場合にはワークコイル４に通電してサセプタ１を
介してウエハ３…を加熱するとともにノズル５か
ら反応ガスとしてたとえば水素還元法の場合には
四塩化シリコン（SiCl4）を噴出させ、あるいは
熱分解法の場合にはジクロールシラン（SiH2
Cl2）、モノシラン（SiH4）を噴出させてウエハ
３…の表面に気相成長させるようになつている。
しかしながら、従来のノズル５はガス噴出孔６
…をその周壁面に対し直角に形成していたため、
第６図に示すようにサセプタ１の内周ザグリ７に
載置されたウエハ３の膜厚は均一になるが外周ザ
グリ８に載置されたウエハ３の膜厚は外周方向に
向かつて薄くなる傾向があり、均一な厚さの膜を
形成できないという不都合があつた。
…をその周壁面に対し直角に形成していたため、
第６図に示すようにサセプタ１の内周ザグリ７に
載置されたウエハ３の膜厚は均一になるが外周ザ
グリ８に載置されたウエハ３の膜厚は外周方向に
向かつて薄くなる傾向があり、均一な厚さの膜を
形成できないという不都合があつた。
本考案は上記事情に着目してなされたもので、
その目的とするところは、支持体の外周側に載置
された基板に対しても均一に気相成長させること
ができるようにした気相成長装置を提供しようと
するものである。
その目的とするところは、支持体の外周側に載置
された基板に対しても均一に気相成長させること
ができるようにした気相成長装置を提供しようと
するものである。
本考案は上記目的を達成するため、ノズルの最
上端に位置するガス噴出孔を基板の支持体の外周
側に向かつて傾斜させてなるものである。
上端に位置するガス噴出孔を基板の支持体の外周
側に向かつて傾斜させてなるものである。
以下、本考案の一実施例を第１図〜第３図を参
照して説明する。図中１１はベースで、このベー
ス１１の上面には反応室１３を構成するベルジヤ
１２が載置されている。上記反応室１３内には支
持体としてのサセプタ１４が設けられ、このサセ
プタ１４の上面には、内周ザグリ１５および外周
ザグリ１６が形成され、これら内外周ザグリ１
５，１６に複数枚の基板としてのウエハ１７…が
載置されている。また、上記サセプタ１４の下部
側にはサセプタ１４を誘導加熱するワークコイル
１８が配設されている。また、上記サセプタ１４
の中央部には円筒状の石英ガラス製のノズル１９
が挿通され、このノズル１９から反応ガスが供給
されるようになつている。前記ノズル１９の周壁
面には第２図にも示すように多数個のガス噴出孔
２０…が穿設されている。
照して説明する。図中１１はベースで、このベー
ス１１の上面には反応室１３を構成するベルジヤ
１２が載置されている。上記反応室１３内には支
持体としてのサセプタ１４が設けられ、このサセ
プタ１４の上面には、内周ザグリ１５および外周
ザグリ１６が形成され、これら内外周ザグリ１
５，１６に複数枚の基板としてのウエハ１７…が
載置されている。また、上記サセプタ１４の下部
側にはサセプタ１４を誘導加熱するワークコイル
１８が配設されている。また、上記サセプタ１４
の中央部には円筒状の石英ガラス製のノズル１９
が挿通され、このノズル１９から反応ガスが供給
されるようになつている。前記ノズル１９の周壁
面には第２図にも示すように多数個のガス噴出孔
２０…が穿設されている。
ところで、第３図に示すようにサセプタ１４の
上面からノズル１９の最下端部に設けたガス噴出
孔２０までの距離をh1、サセプタ１４の中心から
サセプタ１４の内周ザグリ１５の中心点までの距
離をC1、そして、サセプタ１４の上面からノズ
ル１９の最上端部のガス噴出孔２０までの距離を
h2、サセプタ１４の中心からその外周ザグリ１６
の中心点までの距離をC2とした場合、h2に位置す
る最上端のガス噴出孔２０がC2に向かつて斜め
下方に傾斜し、前記h1とC1を結ぶ線分Ａと、h2と
C2を結ぶ線分Ｂとがほぼ平行となるように形成
されている。
上面からノズル１９の最下端部に設けたガス噴出
孔２０までの距離をh1、サセプタ１４の中心から
サセプタ１４の内周ザグリ１５の中心点までの距
離をC1、そして、サセプタ１４の上面からノズ
ル１９の最上端部のガス噴出孔２０までの距離を
h2、サセプタ１４の中心からその外周ザグリ１６
の中心点までの距離をC2とした場合、h2に位置す
る最上端のガス噴出孔２０がC2に向かつて斜め
下方に傾斜し、前記h1とC1を結ぶ線分Ａと、h2と
C2を結ぶ線分Ｂとがほぼ平行となるように形成
されている。
しかして、ウエハ１７…の表面に気相膜を形成
する場合には、ワークコイル１８に通電してサセ
プタ１４を誘導加熱してウエハ１７…を加熱する
とともに、ノズル１９のガス噴出孔２０…からそ
れぞれ反応ガスを噴出させる。これにより、ウエ
ハ１７の表面に気相成長が行なわれることにな
る。
する場合には、ワークコイル１８に通電してサセ
プタ１４を誘導加熱してウエハ１７…を加熱する
とともに、ノズル１９のガス噴出孔２０…からそ
れぞれ反応ガスを噴出させる。これにより、ウエ
ハ１７の表面に気相成長が行なわれることにな
る。
この気相成長時において、ノズル１９の最上端
のガス噴出口２０から噴出される反応ガスは上述
したように、最上端のガス噴出口２０がサセプタ
１４の外周ザグリ１６に向かつて傾斜して形成さ
れているため、外周ザグリ１６のウエハ１７に向
かつて反応ガスが直接的に供給され、ウエハ１７
の表面に均一に気相成長させることができる。
のガス噴出口２０から噴出される反応ガスは上述
したように、最上端のガス噴出口２０がサセプタ
１４の外周ザグリ１６に向かつて傾斜して形成さ
れているため、外周ザグリ１６のウエハ１７に向
かつて反応ガスが直接的に供給され、ウエハ１７
の表面に均一に気相成長させることができる。
この実施例によれば従来、内周ザグリ１５と外
周ザグリ１６のウエハ１７間の膜厚分布は±５％
であつたものが、±３％以下に押えることが可能
となつた。
周ザグリ１６のウエハ１７間の膜厚分布は±５％
であつたものが、±３％以下に押えることが可能
となつた。
また、従来のノズル５では成長率を上げるため
に、反応ガス量、ガス流路を上げても外周ザグリ
のウエハについては向上度が低かつたが、本考案
のノズル１９によれば、さらに向上させることが
できる。
に、反応ガス量、ガス流路を上げても外周ザグリ
のウエハについては向上度が低かつたが、本考案
のノズル１９によれば、さらに向上させることが
できる。
なお、ノズル１９の周壁に設けたガス噴出孔２
０…の配列、数、孔径などについて種々テストを
行なつた結果、サセプタ１４の内周ザグリ１５に
載置したウエハ１７上ではノズル１９を上、下さ
せることによつて成長膜厚が極端に変化するが、
サセプタ１４の外周ザグリ１６のウエハ１７上で
は殆んど変化しないことが解つた。このことは、
サセプタ１４の内周ザグリ１６内のウエハ１７で
はガス噴出孔２０から噴出された反応ガスの速度
による影響が大きく、他方、外周ザグリ１６の内
ウエハ１７上ではガス噴出孔２０から噴出された
反応ガスはサセプタ１４上の内周部より外周部に
向かつて急速に速度が低下して排気孔より雰囲気
的に移動していることが推測できる、このことか
ら、本考案の如くサセプタ１４の外周溝１６のウ
エハ１７に直接反応ガスを供給することにより、
その気相成長の成長率を向上できることが分か
る。
０…の配列、数、孔径などについて種々テストを
行なつた結果、サセプタ１４の内周ザグリ１５に
載置したウエハ１７上ではノズル１９を上、下さ
せることによつて成長膜厚が極端に変化するが、
サセプタ１４の外周ザグリ１６のウエハ１７上で
は殆んど変化しないことが解つた。このことは、
サセプタ１４の内周ザグリ１６内のウエハ１７で
はガス噴出孔２０から噴出された反応ガスの速度
による影響が大きく、他方、外周ザグリ１６の内
ウエハ１７上ではガス噴出孔２０から噴出された
反応ガスはサセプタ１４上の内周部より外周部に
向かつて急速に速度が低下して排気孔より雰囲気
的に移動していることが推測できる、このことか
ら、本考案の如くサセプタ１４の外周溝１６のウ
エハ１７に直接反応ガスを供給することにより、
その気相成長の成長率を向上できることが分か
る。
また、ガス噴出孔２０の配列、数、大きさなど
をパラメータに内周ザグリ１５内の成長膜分布を
調査した結果、最下端のガス噴出孔２０はサセプ
タ１４上面より10〜35mmの範囲が最適である。
をパラメータに内周ザグリ１５内の成長膜分布を
調査した結果、最下端のガス噴出孔２０はサセプ
タ１４上面より10〜35mmの範囲が最適である。
なお、本考案は上記一実施例に限られるもので
はなく、第４図に示すように、ノズル２２の上端
部のガス噴出孔２０をパイプ２１を用いて形成す
るようにしてもよい。
はなく、第４図に示すように、ノズル２２の上端
部のガス噴出孔２０をパイプ２１を用いて形成す
るようにしてもよい。
この実施例によれば、製作が容易であるととも
に、パイプ２１の長さを選択することにより、反
応ガスを外周ザグリ１６へ効果的に供給できる利
点がある。
に、パイプ２１の長さを選択することにより、反
応ガスを外周ザグリ１６へ効果的に供給できる利
点がある。
その他、本考案は要旨の範囲内で種々変形実施
可能なことは勿論である。
可能なことは勿論である。
本考案は以上説明したように、ノズルの最上端
のガス噴出孔を基板の支持体の外周側に向かつて
傾斜させたから、基板上の膜厚分布が向上し、均
一化できるとともに、反応ガス量を増加すれば気
相成長率を向上でき著しく経済的であるという効
果を奏するものである。
のガス噴出孔を基板の支持体の外周側に向かつて
傾斜させたから、基板上の膜厚分布が向上し、均
一化できるとともに、反応ガス量を増加すれば気
相成長率を向上でき著しく経済的であるという効
果を奏するものである。
第１図〜第３図は本考案の一実施例を示すもの
で、第１図は気相成長装置を示す概略的構成図、
第２図はノズルを示す縦断面図、第３図はノズル
のガス噴出孔とサセプタ上の内外周ザグリとの位
置関係を示すグラフ図、第４図はノズルの他の実
施例を示す縦断面図、第５図は従来例を示す構成
図、第６図はそのウエハの膜厚分布を示すグラフ
図である。 １９，２２……ノズル、２０……ガス噴出孔、
１４……サセプタ（支持体）。
で、第１図は気相成長装置を示す概略的構成図、
第２図はノズルを示す縦断面図、第３図はノズル
のガス噴出孔とサセプタ上の内外周ザグリとの位
置関係を示すグラフ図、第４図はノズルの他の実
施例を示す縦断面図、第５図は従来例を示す構成
図、第６図はそのウエハの膜厚分布を示すグラフ
図である。 １９，２２……ノズル、２０……ガス噴出孔、
１４……サセプタ（支持体）。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 水平に配置された支持体の中央に突設された
円筒状のノズルの外周面に開口された複数個の
ガス噴出孔から水平方向へ反応ガスを噴出さ
せ、支持体に載置された基盤上に気相成長させ
るものにおいて、前記ノズルの最上端部に位置
するガス噴出孔を支持体の外周側に向かつて傾
斜させたことを特徴とする気相成長装置。 (2) 支持体はその上面に内周および外周ザグリを
有して、これら、内、外周ザグリにそれぞれ基
板を載置し、支持体の上面からノズルの最下端
のガス噴出孔までの距離をh1、支持体の中心か
ら内周ザグリ中心までの距離をC1、支持体の
上面からノズルの最上端のガス噴出孔までの距
離をh2、支持体の中心から外周ザグリ中心まで
の距離をC2とし、h2に位置するガス噴出孔は
C2に向い、なおかつ、前記h1とC1を結ぶ線分
とh2とC2を結ぶ線分が略平行になる条件を満足
していることを特徴とする実用新案登録請求の
範囲第１項記載の気相成長装置。 (3) ノズルの最上端のガス噴出孔はノズルと別体
のパイプ材によつて構成されたことを特徴とす
る実用新案登録請求の範囲第１項、または、第
２項記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9895784U JPS6113929U (ja) | 1984-06-30 | 1984-06-30 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9895784U JPS6113929U (ja) | 1984-06-30 | 1984-06-30 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6113929U JPS6113929U (ja) | 1986-01-27 |
| JPH0530350Y2 true JPH0530350Y2 (ja) | 1993-08-03 |
Family
ID=30658476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9895784U Granted JPS6113929U (ja) | 1984-06-30 | 1984-06-30 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6113929U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102560432A (zh) * | 2010-12-13 | 2012-07-11 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种基片承载装置及应用该装置的基片处理设备 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58142935A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-25 | Toray Silicone Co Ltd | プライマ−組成物 |
-
1984
- 1984-06-30 JP JP9895784U patent/JPS6113929U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58142935A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-25 | Toray Silicone Co Ltd | プライマ−組成物 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102560432A (zh) * | 2010-12-13 | 2012-07-11 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种基片承载装置及应用该装置的基片处理设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6113929U (ja) | 1986-01-27 |
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