JP2730155B2 - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JP2730155B2 JP2730155B2 JP7229489A JP7229489A JP2730155B2 JP 2730155 B2 JP2730155 B2 JP 2730155B2 JP 7229489 A JP7229489 A JP 7229489A JP 7229489 A JP7229489 A JP 7229489A JP 2730155 B2 JP2730155 B2 JP 2730155B2
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- Japan
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- susceptor
- vapor phase
- phase growth
- coil
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高温に加熱した半導体基板（以降ウェハーと
いう）に反応ガスを接解させ、該ウェハーに反応ガス中
に含まれた物質又はその物質とウェハーとの間に起こる
化学反応を利用して所望の物質をウェハーに成長させる
のに用いる気相成長装置に関するものである。
いう）に反応ガスを接解させ、該ウェハーに反応ガス中
に含まれた物質又はその物質とウェハーとの間に起こる
化学反応を利用して所望の物質をウェハーに成長させる
のに用いる気相成長装置に関するものである。
第３図は従来の気相成長装置を示す断面図である。第
３図において、ベースプレート１上に石英製ベルジャー
３とステンレス製ベルジャー２とがＯリング12を介して
気密に載置され、止め具13により固定されている。この
ベルジャー2,3内の中央位置にベースプレート１を貫通
して反応ガス８を導入する。また上部には反応気体導入
用石英製ノズル７が設けられている。さらに、石英製ノ
ズル７の外周にはウェハー17を載置する円板型のサセプ
タ４が支持台11に取付けられ、サセプタ４の下側には反
応ガスを遮蔽するためのコイルカバー６を介してスパイ
ラル状の高周波誘導加熱コイル５が取付けられている。
上記構造の気相成長装置において、高周波誘導によりサ
セプタ４に載置されたウェハー17を加熱し同時にサセプ
タ４をモータ９により回転軸10を通して回転し各ウェハ
ー17を均一加熱する。一方、この加熱中反応ガス８を石
英製ノズル７より矢印7a方向にガスを噴出しウェハー17
に均質な成長させる。
３図において、ベースプレート１上に石英製ベルジャー
３とステンレス製ベルジャー２とがＯリング12を介して
気密に載置され、止め具13により固定されている。この
ベルジャー2,3内の中央位置にベースプレート１を貫通
して反応ガス８を導入する。また上部には反応気体導入
用石英製ノズル７が設けられている。さらに、石英製ノ
ズル７の外周にはウェハー17を載置する円板型のサセプ
タ４が支持台11に取付けられ、サセプタ４の下側には反
応ガスを遮蔽するためのコイルカバー６を介してスパイ
ラル状の高周波誘導加熱コイル５が取付けられている。
上記構造の気相成長装置において、高周波誘導によりサ
セプタ４に載置されたウェハー17を加熱し同時にサセプ
タ４をモータ９により回転軸10を通して回転し各ウェハ
ー17を均一加熱する。一方、この加熱中反応ガス８を石
英製ノズル７より矢印7a方向にガスを噴出しウェハー17
に均質な成長させる。
ノズル７の噴出口7aから噴出したガスは排出管からベ
ルジャー外に排気16される。コイル内パージ14はコイル
排出管15より排気される。この際、成長前後窒素ガスな
どの不活性ガスをキャリアガス（水素）に切替えて置換
後反応温度まで上げ、ウェハー17の表面に気相成長する
ため、SiH4,SiHCl3,SiCl4,SiH2Cl2等のソースガスを流
して成長を行う。
ルジャー外に排気16される。コイル内パージ14はコイル
排出管15より排気される。この際、成長前後窒素ガスな
どの不活性ガスをキャリアガス（水素）に切替えて置換
後反応温度まで上げ、ウェハー17の表面に気相成長する
ため、SiH4,SiHCl3,SiCl4,SiH2Cl2等のソースガスを流
して成長を行う。
ところで、このような従来の気相成長装置では目標温
度に対して成長膜分布を均一にすることはノズル７の高
さ調節で容易であるが、反応温度にたいしてはサセプタ
全体の均一温度にするには半径方向の中央部とくらべて
内外周部は熱放出が多いため、予め温度を高くしておか
なければならない。従って、ウェハー17に対して昇降温
時に温度変化が大きく、サセプタのクラック（破損）、
結晶欠陥（スリップライン）を発生させるという欠点が
ある。
度に対して成長膜分布を均一にすることはノズル７の高
さ調節で容易であるが、反応温度にたいしてはサセプタ
全体の均一温度にするには半径方向の中央部とくらべて
内外周部は熱放出が多いため、予め温度を高くしておか
なければならない。従って、ウェハー17に対して昇降温
時に温度変化が大きく、サセプタのクラック（破損）、
結晶欠陥（スリップライン）を発生させるという欠点が
ある。
このような欠点は装置を大型化したサセプタを大口径
化するほど顕著に現われるので、装置大型化にとって極
めて重要な問題となってくる。
化するほど顕著に現われるので、装置大型化にとって極
めて重要な問題となってくる。
本発明の目的は前記課題を解決した気相成長装置を提
供することにある。
供することにある。
上述した従来の気相成長装置に対し、本発明はサセプ
タ上での温度分布を均一にするという相違点を有する。
タ上での温度分布を均一にするという相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明に係る気相成長装置
は、ウェハーを載置する加熱円板状サセプタを備えた気
相成長装置において、前記サセプタの内外周側端面を包
むように加熱用ワークコイルを巻付けたものである。
は、ウェハーを載置する加熱円板状サセプタを備えた気
相成長装置において、前記サセプタの内外周側端面を包
むように加熱用ワークコイルを巻付けたものである。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は第
１図のコイルカバー及びワークコイルの部分拡大図であ
る。
１図のコイルカバー及びワークコイルの部分拡大図であ
る。
図において、本発明の縦型気相成長装置はワークコイ
ル21を遮蔽する石英製コイルカバー20の上部外周側に環
状の凸状部20aを有し、コイルカバー20内のワークコイ
ル21を凸状部20a内に延設し、該凸状部20a内にワークコ
イル21を２〜３ターン巻き付けたものである。
ル21を遮蔽する石英製コイルカバー20の上部外周側に環
状の凸状部20aを有し、コイルカバー20内のワークコイ
ル21を凸状部20a内に延設し、該凸状部20a内にワークコ
イル21を２〜３ターン巻き付けたものである。
第１図においてベースプレート１、ステンレス製ベル
ジャー２、石英製ベルジャー３等などを備えた点は第３
図に示す従来装置と同じである。
ジャー２、石英製ベルジャー３等などを備えた点は第３
図に示す従来装置と同じである。
第２図は第１図のコイルカバー及びワークコイルの部
分拡大図である。コイルカバー20は外周部に凸状部20a
を有し、該凸状部20aの高さはサセプタ４と同等の高さ
に設定してある。そして、コイルカバー20の凸状部20a
内にワークコイル21を２〜３ターン内装してあるため、
従って、高周波誘導加熱を効率良くサセプタに均一加熱
される。
分拡大図である。コイルカバー20は外周部に凸状部20a
を有し、該凸状部20aの高さはサセプタ４と同等の高さ
に設定してある。そして、コイルカバー20の凸状部20a
内にワークコイル21を２〜３ターン内装してあるため、
従って、高周波誘導加熱を効率良くサセプタに均一加熱
される。
したがって、本発明によれば、コイルカバー20はサセ
プタ４の内周側（中央部）端面4aを覆うとともに、その
環状凸状部20aにて外周側端面4bを覆い、かつ、環状凸
状部20aを含めてコイルカバー20内には加熱用ワークコ
イル21が巻回されているため、サセプタ４の内周側及び
外周側での温度分布を均一化することが可能となる。
プタ４の内周側（中央部）端面4aを覆うとともに、その
環状凸状部20aにて外周側端面4bを覆い、かつ、環状凸
状部20aを含めてコイルカバー20内には加熱用ワークコ
イル21が巻回されているため、サセプタ４の内周側及び
外周側での温度分布を均一化することが可能となる。
以上説明したように本発明よれば、コイルカバーの凸
状部とサセプタ端面によりガスが停滞し、熱保温が良く
サセプタ全域にわたり反応温度到達時平均に近い特性に
改善することができる。従って、高周波加熱を有効に利
用してサセプタの全域にわたり最適な温度分布に調整す
ることができ、装置の稼働率を向上し、製品の品質向上
を図ることができる効果を有するものである。
状部とサセプタ端面によりガスが停滞し、熱保温が良く
サセプタ全域にわたり反応温度到達時平均に近い特性に
改善することができる。従って、高周波加熱を有効に利
用してサセプタの全域にわたり最適な温度分布に調整す
ることができ、装置の稼働率を向上し、製品の品質向上
を図ることができる効果を有するものである。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は第１
図のＩ部拡大図、第３図は従来例を示す断面図である。 １……ベースプレート ２……ステンレス製ベルジャー ３……石英製ベルジャー、４……サセプタ ７……ノズル、20……コイルカバー 20a……環状凸状部
図のＩ部拡大図、第３図は従来例を示す断面図である。 １……ベースプレート ２……ステンレス製ベルジャー ３……石英製ベルジャー、４……サセプタ ７……ノズル、20……コイルカバー 20a……環状凸状部
Claims (1)
- 【請求項１】ウェハーを載置する加熱円板状サセプタを
備えた気相成長装置において、前記サセプタの内外周側
端面を包むように加熱用ワークコイルを巻付けたことを
特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7229489A JP2730155B2 (ja) | 1989-03-25 | 1989-03-25 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7229489A JP2730155B2 (ja) | 1989-03-25 | 1989-03-25 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02252693A JPH02252693A (ja) | 1990-10-11 |
| JP2730155B2 true JP2730155B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=13485104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7229489A Expired - Fee Related JP2730155B2 (ja) | 1989-03-25 | 1989-03-25 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2730155B2 (ja) |
-
1989
- 1989-03-25 JP JP7229489A patent/JP2730155B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02252693A (ja) | 1990-10-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |