JPS58169906A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS58169906A JPS58169906A JP555782A JP555782A JPS58169906A JP S58169906 A JPS58169906 A JP S58169906A JP 555782 A JP555782 A JP 555782A JP 555782 A JP555782 A JP 555782A JP S58169906 A JPS58169906 A JP S58169906A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- temperature distribution
- temperature
- thermal insulation
- ring
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高温に加熱した半導体基板に反応ガスを接触さ
せ、該半導体基板に反応ガスを含む物質をそれ自身また
は該物質と基板との間に起る化学反応を利用して所望物
質を該基板に結晶成長させるのに用いる気相成長装置に
関するものである。
せ、該半導体基板に反応ガスを含む物質をそれ自身また
は該物質と基板との間に起る化学反応を利用して所望物
質を該基板に結晶成長させるのに用いる気相成長装置に
関するものである。
第１図はこのような目的に用いる従来の気相成長装置の
一例を示すものである。図において、ペースプレート１
の上にペルジャー２がＯリング６を介して気密に載置さ
れ、その下縁が止め具４により固定されている。このペ
ルジャー２内の中央位置にベースプレート１を貫通して
反応ガス１１を導入するためのノズル５が設けられてい
る。さらにノズル５の外周には同心上に回転軸６が設け
られ、この回転軸６に半導体基板（以下ウエハーという
）２１を載置する円板型のサセプタ−８が取付けられて
いる。また，サセプター８の直下には反応ガスを遮蔽す
るためのコイル・カバー９を介してスパイラル状の高周
波誘導加熱コイル１０が設置されている。回転軸６はペ
ルト１５を介してモーター１２で駆動されるようになっ
ており，回転軸６を一方向に回転させると共にコイル１
０に通電し、誘導加熱によりサセプタ−８上に載置され
たウエハー２１を均一に加熱するものである。
一例を示すものである。図において、ペースプレート１
の上にペルジャー２がＯリング６を介して気密に載置さ
れ、その下縁が止め具４により固定されている。このペ
ルジャー２内の中央位置にベースプレート１を貫通して
反応ガス１１を導入するためのノズル５が設けられてい
る。さらにノズル５の外周には同心上に回転軸６が設け
られ、この回転軸６に半導体基板（以下ウエハーという
）２１を載置する円板型のサセプタ−８が取付けられて
いる。また，サセプター８の直下には反応ガスを遮蔽す
るためのコイル・カバー９を介してスパイラル状の高周
波誘導加熱コイル１０が設置されている。回転軸６はペ
ルト１５を介してモーター１２で駆動されるようになっ
ており，回転軸６を一方向に回転させると共にコイル１
０に通電し、誘導加熱によりサセプタ−８上に載置され
たウエハー２１を均一に加熱するものである。
一方この加熱中反応ガス１１がノズル５により噴出口５
ａから噴出され、ウェハー２１上に均質な膜が成長する
。
ａから噴出され、ウェハー２１上に均質な膜が成長する
。
この場合に膜厚分布はノズル５の垂直方向の出し入れに
より調節される。ノズルの噴出口５ａから噴出したガス
は排出管１４からベルジャー２外に排出される。
より調節される。ノズルの噴出口５ａから噴出したガス
は排出管１４からベルジャー２外に排出される。
第２図に上記装置を用いた場合における安定時（日慄銀
笈Ｊの湿度号弗ａ、呻温狩の湿腋号曲ｂ１昇温時の温度
分布Ｃ′を示す。
笈Ｊの湿度号弗ａ、呻温狩の湿腋号曲ｂ１昇温時の温度
分布Ｃ′を示す。
ところで、このような従来の気相成長装置では目標温度
に対して成長膜分布を均一にすることは容易であるが、
目標温度時にサセプター全体を□均一温度にすると昇温
時はＣの様に中央部とくらべ内外周縁部での熱放出が多
いため加熱温度を高くしておかなければならない。従っ
てウェハーに対して昇降温時に温度変化が大きくなり結
晶欠陥を発生さるるという欠点があった。
に対して成長膜分布を均一にすることは容易であるが、
目標温度時にサセプター全体を□均一温度にすると昇温
時はＣの様に中央部とくらべ内外周縁部での熱放出が多
いため加熱温度を高くしておかなければならない。従っ
てウェハーに対して昇降温時に温度変化が大きくなり結
晶欠陥を発生さるるという欠点があった。
このような欠点は装置を大型化しサセプターを大口径化
するほど顕著に現れるので装置大型化にとって極めて重
要な問題となっている。
するほど顕著に現れるので装置大型化にとって極めて重
要な問題となっている。
本発明の目的はこのような従来の気相成長装置における
温度分布の問題を解決するもので、サセプター内外周部
に保温リング設けることによりサセプターに載置された
ウェハーに対して平坦な温度分布が得られる気相成長装
置を捉供するものである。
温度分布の問題を解決するもので、サセプター内外周部
に保温リング設けることによりサセプターに載置された
ウェハーに対して平坦な温度分布が得られる気相成長装
置を捉供するものである。
本発明の気相成長装置はサセプター外周部のコイルカバ
ー上及びサセプター中央部である内周部の上部にサセプ
ターと同質の保温用リングを取付けたことを特徴とする
ものである。
ー上及びサセプター中央部である内周部の上部にサセプ
ターと同質の保温用リングを取付けたことを特徴とする
ものである。
以−下に本発明の実施例を図によって説明する。
第３図は本発明の一実施例を示すものである。第３図に
おいて、ベースプレート１、ペルジャー２、サセプター
８、コイルカバ−９高周波誘導加熱コイル１０などを備
える点は第１図に示す従来装置と同じである。本発明は
サセプター８の外周部にサセプターと同質の保温リング
２２を設けたものである。なお、中央部のリング２２は
、これをサセプター８の軸孔周囲に取付け、外周部のリ
ング２２はコイルカバー９の上縁に取付ける。この保温
リング２２は恰かもサセプターを大口径にしたと同じよ
うに高周波誘導加熱により加熱される。
おいて、ベースプレート１、ペルジャー２、サセプター
８、コイルカバ−９高周波誘導加熱コイル１０などを備
える点は第１図に示す従来装置と同じである。本発明は
サセプター８の外周部にサセプターと同質の保温リング
２２を設けたものである。なお、中央部のリング２２は
、これをサセプター８の軸孔周囲に取付け、外周部のリ
ング２２はコイルカバー９の上縁に取付ける。この保温
リング２２は恰かもサセプターを大口径にしたと同じよ
うに高周波誘導加熱により加熱される。
第４図に本発明装置によって得られた安定時（目標温度
）の温度分布、ａ、降温時の温度分布す、昇温時の温度
分布Ｃを示す。同図に明らかなとおり、サセプター８の
全域にわたり目標温度時及び昇降温度時の温度分布を平
坦に近い特性に改善することができる。
）の温度分布、ａ、降温時の温度分布す、昇温時の温度
分布Ｃを示す。同図に明らかなとおり、サセプター８の
全域にわたり目標温度時及び昇降温度時の温度分布を平
坦に近い特性に改善することができる。
以上のように本発明によれば、高周波誘導加熱を有効に
利用してサセプターの全域にわたり最適な温度分布に調
整することができ、したがって、装置の稼動率を向上し
、製品の品質向上を図ることができる効果を有するもの
である。
利用してサセプターの全域にわたり最適な温度分布に調
整することができ、したがって、装置の稼動率を向上し
、製品の品質向上を図ることができる効果を有するもの
である。
第１図は従来の気相成長装置の一例を示す断面図、第２
図は従来装置におけるサセプター上の安定時、降温時、
昇温時の温度分布を示す図、第３図は本発明装置の一実
施例を示す断面図、第４図は本発明装置におけるサセプ
ター上の安定時、降温時、昇温時の温度分布を示す図で
ある。 ６・・・回転軸 ２１・・・基板（ウニ・・
−）８・・・サセプター ２２・・保温リング９
・・・コイルカバー １０・・コイル 特許出願人 日本電気株式会社 ；・―
図は従来装置におけるサセプター上の安定時、降温時、
昇温時の温度分布を示す図、第３図は本発明装置の一実
施例を示す断面図、第４図は本発明装置におけるサセプ
ター上の安定時、降温時、昇温時の温度分布を示す図で
ある。 ６・・・回転軸 ２１・・・基板（ウニ・・
−）８・・・サセプター ２２・・保温リング９
・・・コイルカバー １０・・コイル 特許出願人 日本電気株式会社 ；・―
Claims (1)
- （１） 回転軸に支持して高周波加熱コイル上に設置
した円板型サセプターの中央部と外周部とにそれぞれサ
セプターと同質の保温リングを設けたことを特徴とする
気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP555782A JPS58169906A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP555782A JPS58169906A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58169906A true JPS58169906A (ja) | 1983-10-06 |
Family
ID=11614495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP555782A Pending JPS58169906A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58169906A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01168030A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-03 | Touyoko Kagaku Kk | 減圧気相成長方法 |
| JPH01202814A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-15 | Fujitsu Ltd | 間接加熱型半導体ウェーハ処理装置 |
| FR2744139A1 (fr) * | 1996-01-31 | 1997-08-01 | Sgs Thomson Microelectronics | Procede d'etalonnage de temperature d'un reacteur d'epitaxie |
| US5994676A (en) * | 1996-01-31 | 1999-11-30 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Method for calibrating the temperature of an epitaxy reactor |
| JP2002231636A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Tokuyama Toshiba Ceramics Co Ltd | 化学気相成長用サセプタ |
| KR20020066877A (ko) * | 2001-02-14 | 2002-08-21 | 유니셈 주식회사 | 열보상기능을 갖는 반도체 웨이퍼 베이크장치 |
-
1982
- 1982-01-18 JP JP555782A patent/JPS58169906A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01168030A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-03 | Touyoko Kagaku Kk | 減圧気相成長方法 |
| JPH01202814A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-15 | Fujitsu Ltd | 間接加熱型半導体ウェーハ処理装置 |
| FR2744139A1 (fr) * | 1996-01-31 | 1997-08-01 | Sgs Thomson Microelectronics | Procede d'etalonnage de temperature d'un reacteur d'epitaxie |
| EP0787839A1 (fr) * | 1996-01-31 | 1997-08-06 | STMicroelectronics S.A. | Procédé d'étalonnage de température d'un réacteur d'épitaxie |
| US5994676A (en) * | 1996-01-31 | 1999-11-30 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Method for calibrating the temperature of an epitaxy reactor |
| JP2002231636A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Tokuyama Toshiba Ceramics Co Ltd | 化学気相成長用サセプタ |
| KR20020066877A (ko) * | 2001-02-14 | 2002-08-21 | 유니셈 주식회사 | 열보상기능을 갖는 반도체 웨이퍼 베이크장치 |
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