JPS6119119A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS6119119A JPS6119119A JP13994284A JP13994284A JPS6119119A JP S6119119 A JPS6119119 A JP S6119119A JP 13994284 A JP13994284 A JP 13994284A JP 13994284 A JP13994284 A JP 13994284A JP S6119119 A JPS6119119 A JP S6119119A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- nozzle
- jet
- wafer
- introducing
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高温に加熱した半導体基板に反応ガスを接触さ
せ、該半導体基板に反応ガス中に含まれた物質、または
その物質と基板との間に起こる化学反応を利用して所望
の物質を半導体基板に成長させるのに用いる気相成長装
置に関するものである。
せ、該半導体基板に反応ガス中に含まれた物質、または
その物質と基板との間に起こる化学反応を利用して所望
の物質を半導体基板に成長させるのに用いる気相成長装
置に関するものである。
第３図はこのような気相成長装置の一例を示す断面図で
ある。第３図において、ペースプレブト１上に石英製ベ
ルジャー２とステンレス製ベルジャー３とがＯ−リング
４を介して気密に載置され止め具１５によシ固定されて
いる。このベルジャー内の中央位置にベースプレートを
貫通して反応ガス１０を導入する反応気体導入用ノズル
１１が設けられている。さらにノズル１１の外周には被
処理半導体基板（以下ウェハーという）５を載置する円
板型のサセプター６が取付けられ、サセプター６の下側
には反応ガスを遮蔽するだめのコイルカバー８を介して
スパイラル状の高周波誘導加熱コイル７が取付けられて
いる。上記構造の気相成長装置において、高周波誘導に
よシサセプタ−６に載置されたウェハー５を加熱し、同
時にサセプター６−をモーター９によシ回転軸１６を通
して回転し各ウェハー５を均一加熱する。一方、この加
熱中、反応ガス１０をノズル１１よシ矢印１１ａ方向に
噴出し、’） ：ｒ−ハ５に均質な膜を成長させる。ノ
ズルの噴出口１１ａから噴出したガスは排出管１２がら
ベルジャー外に排出される。
ある。第３図において、ペースプレブト１上に石英製ベ
ルジャー２とステンレス製ベルジャー３とがＯ−リング
４を介して気密に載置され止め具１５によシ固定されて
いる。このベルジャー内の中央位置にベースプレートを
貫通して反応ガス１０を導入する反応気体導入用ノズル
１１が設けられている。さらにノズル１１の外周には被
処理半導体基板（以下ウェハーという）５を載置する円
板型のサセプター６が取付けられ、サセプター６の下側
には反応ガスを遮蔽するだめのコイルカバー８を介して
スパイラル状の高周波誘導加熱コイル７が取付けられて
いる。上記構造の気相成長装置において、高周波誘導に
よシサセプタ−６に載置されたウェハー５を加熱し、同
時にサセプター６−をモーター９によシ回転軸１６を通
して回転し各ウェハー５を均一加熱する。一方、この加
熱中、反応ガス１０をノズル１１よシ矢印１１ａ方向に
噴出し、’） ：ｒ−ハ５に均質な膜を成長させる。ノ
ズルの噴出口１１ａから噴出したガスは排出管１２がら
ベルジャー外に排出される。
コイルパージ１３はコイル排出口１４よシ排出される。
この際成長前後窒素ガスなどの不活性ガスでキャリアガ
ス（水素）に切替えて温度を上げ、ウェハー５の表面に
気相成長するため、Ｓ １ＣＩＪａｔＳｘＨ４等により
成長を行う。従来は置換用窒素ガスと気相成長用ガスと
を切替えて同じノズル１１及び配管を使用してベルジャ
ー内に導入させていた。
ス（水素）に切替えて温度を上げ、ウェハー５の表面に
気相成長するため、Ｓ １ＣＩＪａｔＳｘＨ４等により
成長を行う。従来は置換用窒素ガスと気相成長用ガスと
を切替えて同じノズル１１及び配管を使用してベルジャ
ー内に導入させていた。
このような従来の気相成長装置では同じノズルを使用す
る限り石英ベルジャー２上部のガス置換に時間を多く費
やしたや、ノズル１１からガスの流れ方向が水平方向の
みであり、ウエノ・−５に直接ガスが触れるため、温度
昇降温時ウェハー表面に温度差が生じ、熱応力により結
晶欠陥（スリップ）を発生させるという欠点がある。こ
のような欠点はサセプターを大口径化にするほど、ガス
の流れ方向（多流量化）に顕著に現われるので、装置を
大型化する上で支障をきたすという問題があった。
る限り石英ベルジャー２上部のガス置換に時間を多く費
やしたや、ノズル１１からガスの流れ方向が水平方向の
みであり、ウエノ・−５に直接ガスが触れるため、温度
昇降温時ウェハー表面に温度差が生じ、熱応力により結
晶欠陥（スリップ）を発生させるという欠点がある。こ
のような欠点はサセプターを大口径化にするほど、ガス
の流れ方向（多流量化）に顕著に現われるので、装置を
大型化する上で支障をきたすという問題があった。
本発明は気相成長装置におけるガス置換の短縮、温度昇
降温時ウェハー表面の温度差等の問題を解決する装置を
提供するものである。
降温時ウェハー表面の温度差等の問題を解決する装置を
提供するものである。
本発明は第１図に示すように、ベルジャー２内に設置し
た反応気体導入用ノズルを異種のガスを別個に導入する
二重管構造１１ｂ、ｌｌｃとしたものである。
た反応気体導入用ノズルを異種のガスを別個に導入する
二重管構造１１ｂ、ｌｌｃとしたものである。
温度昇温時までは置換ガス及びキャリアガスは中心部の
ノズルｌｌｂより上方に噴出して短時間にガス置換を行
い、その後外周ノズルｌｌｃに切替えて側力に成長反応
ガスを噴出させてウェハ〜の気相成長を行う。
ノズルｌｌｂより上方に噴出して短時間にガス置換を行
い、その後外周ノズルｌｌｃに切替えて側力に成長反応
ガスを噴出させてウェハ〜の気相成長を行う。
以下本発明の一実施例を図により説明する。第１図にお
いて、ベースプレート１、ベルジャー２゜３、サセプタ
ー６、高周波誘導加熱コイル７、回転軸１６などは第３
図に示す従来装置と同一である。
いて、ベースプレート１、ベルジャー２゜３、サセプタ
ー６、高周波誘導加熱コイル７、回転軸１６などは第３
図に示す従来装置と同一である。
第１図、第２図に示すように本発明は反応気体導入用ノ
ズル１１を２種のガスを工程により別個に導入する中心
部のノズルｌｌｂと外周側のノズルｌｌｃとからなる二
重管構造とし、ノズルｌｌｂの噴出口１１ｂ□を上部に
ノズルｌｌｃの噴出口１１ｃｍを側面に開口したもので
ある。
ズル１１を２種のガスを工程により別個に導入する中心
部のノズルｌｌｂと外周側のノズルｌｌｃとからなる二
重管構造とし、ノズルｌｌｂの噴出口１１ｂ□を上部に
ノズルｌｌｃの噴出口１１ｃｍを側面に開口したもので
ある。
本発明において、ガスによるベルジャー内の置換におい
て、窒素ガスから水素ガスに置換或いは水素ガスから窒
素ガス１０−１は弁Ｖ１を開弁して中心部のノズル１．
１ｂより導入し、噴出口１１ｂ１から噴出しベルジャー
上部から下部の排出口１２に排出する。
て、窒素ガスから水素ガスに置換或いは水素ガスから窒
素ガス１０−１は弁Ｖ１を開弁して中心部のノズル１．
１ｂより導入し、噴出口１１ｂ１から噴出しベルジャー
上部から下部の排出口１２に排出する。
温度昇温時までは中心部のノズルｌｌｂより噴出し、そ
の後成長反応ガス１０−２は弁ｖ２を開弁して外周側の
ノズルｌｌｃに切換えて側面部の噴出口１１Ｃ１から噴
出させてウェハーの気相成長を行う。
の後成長反応ガス１０−２は弁ｖ２を開弁して外周側の
ノズルｌｌｃに切換えて側面部の噴出口１１Ｃ１から噴
出させてウェハーの気相成長を行う。
・ したがって、本発明によれば、置換ガス及び昇降温
時のキャリアガスは上部よシ噴出すると七により、ガス
置換の短縮及び昇降温時のサセプター６とウェハー５が
ガス流量による温度差を生じることなく、結晶欠陥の少
ないウェハーを得ることが可能となり、ひいて装置の稼
動率の向上を図ることができる効果を有するものである
。
時のキャリアガスは上部よシ噴出すると七により、ガス
置換の短縮及び昇降温時のサセプター６とウェハー５が
ガス流量による温度差を生じることなく、結晶欠陥の少
ないウェハーを得ることが可能となり、ひいて装置の稼
動率の向上を図ることができる効果を有するものである
。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は第１
図のノズル及びガス導入配管の部分図、第３図は従来の
気相成長装置の一例を示す断面図である。 １・・・ベースプレート、２・・・石英製ベルジャー、
３・・・ステンレス製ベルジャー、４・・・０−リング
、５・・・ウェハー、６・・・サセプター、７・・・高
周波誘導加熱コイル、８・・・コイル力、（，９・・・
モーター、 １０・・・反応ガス、１１．ｌｌｂ、ｌｌ
ｃ・・ノズル、１２・・・排出口、１３・・・コイルバ
ージ、１４・・・コイル排出口、１５・・・止め具、１
６・・・回転軸
図のノズル及びガス導入配管の部分図、第３図は従来の
気相成長装置の一例を示す断面図である。 １・・・ベースプレート、２・・・石英製ベルジャー、
３・・・ステンレス製ベルジャー、４・・・０−リング
、５・・・ウェハー、６・・・サセプター、７・・・高
周波誘導加熱コイル、８・・・コイル力、（，９・・・
モーター、 １０・・・反応ガス、１１．ｌｌｂ、ｌｌ
ｃ・・ノズル、１２・・・排出口、１３・・・コイルバ
ージ、１４・・・コイル排出口、１５・・・止め具、１
６・・・回転軸
Claims (1)
- （１）円板型サセプター気相成長装置において、ベルジ
ャー内に設置した反応気体導入用ノズルを異種のガスを
別個に導入する二重管構造としたことを特徴とする気相
成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13994284A JPS6119119A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13994284A JPS6119119A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6119119A true JPS6119119A (ja) | 1986-01-28 |
Family
ID=15257262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13994284A Pending JPS6119119A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6119119A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01220433A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Nec Corp | 気相成長装置 |
| US5062386A (en) * | 1987-07-27 | 1991-11-05 | Epitaxy Systems, Inc. | Induction heated pancake epitaxial reactor |
| DE102005056320A1 (de) * | 2005-11-25 | 2007-06-06 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit einem Gaseinlassorgan |
| US20120103260A1 (en) * | 2009-07-16 | 2012-05-03 | Wonik Ips Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing semiconductor |
-
1984
- 1984-07-06 JP JP13994284A patent/JPS6119119A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5062386A (en) * | 1987-07-27 | 1991-11-05 | Epitaxy Systems, Inc. | Induction heated pancake epitaxial reactor |
| JPH01220433A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Nec Corp | 気相成長装置 |
| JPH06103668B2 (ja) * | 1988-02-29 | 1994-12-14 | 日本電気株式会社 | 気相成長装置 |
| DE102005056320A1 (de) * | 2005-11-25 | 2007-06-06 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit einem Gaseinlassorgan |
| US20120103260A1 (en) * | 2009-07-16 | 2012-05-03 | Wonik Ips Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing semiconductor |
| US8246747B2 (en) * | 2009-07-16 | 2012-08-21 | Wonik Ips Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing semiconductor |
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