JPH01220433A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH01220433A JPH01220433A JP4600588A JP4600588A JPH01220433A JP H01220433 A JPH01220433 A JP H01220433A JP 4600588 A JP4600588 A JP 4600588A JP 4600588 A JP4600588 A JP 4600588A JP H01220433 A JPH01220433 A JP H01220433A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に間し、特に気相成長装置に関
するものである。
するものである。
第３図（ａ）は気相成長装置の従来例を示す断面図であ
る。第３図（ａ）において、ベースプレート１上に石英
製ベルジャー２とステンレス製ベルジャー３とが０−リ
ング４を介して気密に載置され止め具１７により固定さ
れている。このベルジャー内の中央位置にベースプレー
ト１を貫通して反応ガス１０を導入する反応気体導入用
ノズル１１が設けられている。さらにノズル１１の外周
には被処理半導体基板（以下単にウェハーという）５を
載置する円板型のＳｉＣコートサセプタ６が取付けられ
、ＳＩＣコートサセプタ６の下側には反応ガスを遮蔽す
るためのコイルカバー１８を介してスパイラル状の高周
波加熱コイル７が取付けられている。上記構造の気相成
長装置において、高周波誘導によりＳｉＣコートサセプ
タ６上に載置されたウェハー５を加熱し、同時にＳｉＣ
コートサセプタ６をモーター９により回転軸１６を介し
て回転させ各ウェハー５を均一加熱する。一方この加熱
中、反応ガス１０をノズル１１より矢印１１ａ方向に噴
出させ、ウェハー５の表面上に均質な膜を成長させる。
る。第３図（ａ）において、ベースプレート１上に石英
製ベルジャー２とステンレス製ベルジャー３とが０−リ
ング４を介して気密に載置され止め具１７により固定さ
れている。このベルジャー内の中央位置にベースプレー
ト１を貫通して反応ガス１０を導入する反応気体導入用
ノズル１１が設けられている。さらにノズル１１の外周
には被処理半導体基板（以下単にウェハーという）５を
載置する円板型のＳｉＣコートサセプタ６が取付けられ
、ＳＩＣコートサセプタ６の下側には反応ガスを遮蔽す
るためのコイルカバー１８を介してスパイラル状の高周
波加熱コイル７が取付けられている。上記構造の気相成
長装置において、高周波誘導によりＳｉＣコートサセプ
タ６上に載置されたウェハー５を加熱し、同時にＳｉＣ
コートサセプタ６をモーター９により回転軸１６を介し
て回転させ各ウェハー５を均一加熱する。一方この加熱
中、反応ガス１０をノズル１１より矢印１１ａ方向に噴
出させ、ウェハー５の表面上に均質な膜を成長させる。
ズルの噴出口１１ａから噴出したガスは反応ガス排出口
１２からベルジャー外に排出される。
１２からベルジャー外に排出される。
一方、コイルパージガス１５はコイルバージ導入口１３
からコイルカバー１８内に導入され、コイルパージガス
排出口１４から反応処理ガスと共にベルジャー外に排出
される。
からコイルカバー１８内に導入され、コイルパージガス
排出口１４から反応処理ガスと共にベルジャー外に排出
される。
上述した従来の気相成長装置においては、コイル７のカ
バー１８として第３図（ｂ）に示すようにコイル７の上
方及び側方を覆う中空体が用いられ、上面中央には反応
ガス導入用ノズル１１およびサセプタ６の回転軸１６を
貫通させる開口１８′を設けたものであった。このコイ
ルカバー１８は加熱室側と反応炉側とに区画するもので
あるが、カバー１８の開口１８′は第３図（ａ）に示す
ように、該開口１８′と回転軸１６間にガスの流通可能
な隙間か形成されることになり、反応中にこの隙間を通
じてコイルカバー１８内へ反応ガスであるＨＣＱ、５ｉ
ＣＱ、。
バー１８として第３図（ｂ）に示すようにコイル７の上
方及び側方を覆う中空体が用いられ、上面中央には反応
ガス導入用ノズル１１およびサセプタ６の回転軸１６を
貫通させる開口１８′を設けたものであった。このコイ
ルカバー１８は加熱室側と反応炉側とに区画するもので
あるが、カバー１８の開口１８′は第３図（ａ）に示す
ように、該開口１８′と回転軸１６間にガスの流通可能
な隙間か形成されることになり、反応中にこの隙間を通
じてコイルカバー１８内へ反応ガスであるＨＣＱ、５ｉ
ＣＱ、。
Ｓ ｉ Ｈ２ＣＱ ２等の塩化物の残留ガスが該隙間を
通して流入し、高周波誘導加熱コイル７の表面が冷却液
の影響で結露が生じたときにはその表面を腐蝕させ、ま
た逆に、反応炉内とコイルカバー１８内が同圧力である
ことからコイルカバー１８内から反応ガスの流速で反応
炉側ヘコイルパージガス１５が吸い込まれ、該コイルパ
ージガス１５中に含まれた銅等の金属がサセプタ６のＳ
ＩＣコート層を侵食してＳｉＣが昇華する現象が生じて
ＳｉＣ剥にを誘発しそれがサセプタ６の寿命を縮め、ま
た不純物混入による製品への悪影響が生じるという問題
があった。
通して流入し、高周波誘導加熱コイル７の表面が冷却液
の影響で結露が生じたときにはその表面を腐蝕させ、ま
た逆に、反応炉内とコイルカバー１８内が同圧力である
ことからコイルカバー１８内から反応ガスの流速で反応
炉側ヘコイルパージガス１５が吸い込まれ、該コイルパ
ージガス１５中に含まれた銅等の金属がサセプタ６のＳ
ＩＣコート層を侵食してＳｉＣが昇華する現象が生じて
ＳｉＣ剥にを誘発しそれがサセプタ６の寿命を縮め、ま
た不純物混入による製品への悪影響が生じるという問題
があった。
本発明の目的は、前記問題点を解消した気相成長装置を
提供することにある。
提供することにある。
上述した従来の気相成長装置においては該コイルカバー
の形状に起因して反応炉と加熱室とのガス相互間で流通
が発生していたが、本発明の気相成長装置においては、
反応炉側のガスと加熱室側のガスとを完全に隔離し、反
応ガスとコイルパージガスとの混合を阻止したという相
違点を有する。
の形状に起因して反応炉と加熱室とのガス相互間で流通
が発生していたが、本発明の気相成長装置においては、
反応炉側のガスと加熱室側のガスとを完全に隔離し、反
応ガスとコイルパージガスとの混合を阻止したという相
違点を有する。
上記目的を達成するため、本発明の気相成長装置は、回
転軸に支持させたサセプタと、サセプタを加熱する高周
波誘導加熱コイルと、前記回転軸内を通してサセプタの
上方空間に開口したノズルとをベルジャー内に設置した
気相成長装置において、前記回転軸を押通する軸筒部と
、前記ベルジャー内から隔離された密閉空間とを形成す
るコイルカバーを備え、該カバー内の空間に前記コイル
を収容し、パージガスの導入口および反応ガスの排出系
とは別個の配管でパージガスの排出口をそれぞれ前記カ
バー内の空間に開口したものである。
転軸に支持させたサセプタと、サセプタを加熱する高周
波誘導加熱コイルと、前記回転軸内を通してサセプタの
上方空間に開口したノズルとをベルジャー内に設置した
気相成長装置において、前記回転軸を押通する軸筒部と
、前記ベルジャー内から隔離された密閉空間とを形成す
るコイルカバーを備え、該カバー内の空間に前記コイル
を収容し、パージガスの導入口および反応ガスの排出系
とは別個の配管でパージガスの排出口をそれぞれ前記カ
バー内の空間に開口したものである。
次に本発明の実施例を図により説明する。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例を示す断面図、第
１図（ｂ）は本発明の第１の実施例に用いたコイルカバ
ーの形状を示す斜視図である。
１図（ｂ）は本発明の第１の実施例に用いたコイルカバ
ーの形状を示す斜視図である。
第１図（ａ）において、ベースプレート１上を石英製ベ
ルジャー２及びステンレス製ベルジャー３で覆い、ベル
ジャー３とベースプレート１との接合面にＯ−リング４
を介装し、ＳｉＣコートサセプタ６をモータ９に直結さ
れた回転軸１６で支え、その下方に高周波誘導加熱コイ
ル７を設置し、回転軸１６を通してノズル１１を上方に
開口した点は第３図に示す従来装置と同一である。他の
第３図と同一構成部分には同一番号を付して説明を省略
する０本発明では第１図（ｂ）に示すように内外二重筒
からなり、内外筒間の上面を閉じたコイルカバー８を用
いてこれをベースプレート１上に設置し、該カバー８の
内筒を軸筒としてその開口８′に回転軸１６を貫通させ
、第３図（ａ）に示すようにベースプレート１に設けた
コイルパージガス導入口１３およびコイルパージガス排
出口１４をコイルカバー８内の空間内に開口したもので
ある０本発明ではコイルパージガス排出口１４を反応ガ
ス排出口１２とは別個独立の管路としている。これによ
って、開口８′からのガスの漏出がなくなりコイルパー
ジガス導入口１３からコイルカバー８内に入ったコイル
パージガス１５は反応ガス１０と混ることなく、排出口
１４から単独に排出され、反応ガス１０は反応ガス排出
口１２から単独に排出される。
ルジャー２及びステンレス製ベルジャー３で覆い、ベル
ジャー３とベースプレート１との接合面にＯ−リング４
を介装し、ＳｉＣコートサセプタ６をモータ９に直結さ
れた回転軸１６で支え、その下方に高周波誘導加熱コイ
ル７を設置し、回転軸１６を通してノズル１１を上方に
開口した点は第３図に示す従来装置と同一である。他の
第３図と同一構成部分には同一番号を付して説明を省略
する０本発明では第１図（ｂ）に示すように内外二重筒
からなり、内外筒間の上面を閉じたコイルカバー８を用
いてこれをベースプレート１上に設置し、該カバー８の
内筒を軸筒としてその開口８′に回転軸１６を貫通させ
、第３図（ａ）に示すようにベースプレート１に設けた
コイルパージガス導入口１３およびコイルパージガス排
出口１４をコイルカバー８内の空間内に開口したもので
ある０本発明ではコイルパージガス排出口１４を反応ガ
ス排出口１２とは別個独立の管路としている。これによ
って、開口８′からのガスの漏出がなくなりコイルパー
ジガス導入口１３からコイルカバー８内に入ったコイル
パージガス１５は反応ガス１０と混ることなく、排出口
１４から単独に排出され、反応ガス１０は反応ガス排出
口１２から単独に排出される。
次に本発明の第２の実施例を第２図に示す０図において
、この実施例では、ベースプレート１の一部に窪みを設
け、その立上り部を前実施例におけるコイルカバー８の
外筒部分としたものである。
、この実施例では、ベースプレート１の一部に窪みを設
け、その立上り部を前実施例におけるコイルカバー８の
外筒部分としたものである。
したがって、本実施例によれば、ベースプレート１の窪
みの上面と、回転軸の軸筒部分がコイルカバー８で覆わ
れ、この隔離された密閉空間内にコイル７が収容される
０反応炉内に送入される反応ガスと、加熱室内に送入さ
れるパージガスとの混合は生じない、したがって、反応
炉内の内圧Ｐ１と加熱室内の内圧Ｐ２とは無関係となり
、反応ガス、不活性ガスに自由に差圧をつけてガスを送
入、排出できる。
みの上面と、回転軸の軸筒部分がコイルカバー８で覆わ
れ、この隔離された密閉空間内にコイル７が収容される
０反応炉内に送入される反応ガスと、加熱室内に送入さ
れるパージガスとの混合は生じない、したがって、反応
炉内の内圧Ｐ１と加熱室内の内圧Ｐ２とは無関係となり
、反応ガス、不活性ガスに自由に差圧をつけてガスを送
入、排出できる。
以上説明したように本発明によれば、高周波誘導加熱コ
イルを収容した加熱室と反応炉とを隔離したため、パー
ジガスの反応炉内への流入、あるいは反応ガス、キャリ
アガスの加熱室内への流入がなく、ひいてはＳｉＣコー
トサセプタの寿命特性の向上、ウェハーの品質向上を実
現できる効果を有するものである。
イルを収容した加熱室と反応炉とを隔離したため、パー
ジガスの反応炉内への流入、あるいは反応ガス、キャリ
アガスの加熱室内への流入がなく、ひいてはＳｉＣコー
トサセプタの寿命特性の向上、ウェハーの品質向上を実
現できる効果を有するものである。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例を示す断面図、第
１図（ｂ）は第１図（ａ）のコイルカバーの斜視図、第
２図は第２の実施例の断面図、第３図（ａ）は従来例を
示す断面図、第３図（ｂ）はコイルカバーの斜視図であ
る。 １・・・ベースプレート ２・・・石英製ベルジャ
ー３・・・ステンレス製ベルジャー ４・・・０−リング ５・・・ウェハー ６・・・サセプタ７・・
・高周波誘導加熱コイル ８・・・コイルカバー ８′・・・開口１０・・
・反応ガス １１・・・ノズル１２・・・反
応カス排出口 １３・・・コイルパージガス導入口 １４・・・コイルパージガス排出口 １５・・・コイルパージカス １６・・・回転軸特許
出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野
中５；ウニ八−犀、コイルに〜・ａ゛ス排上ロＩＱ・
尺八・力人 第１図（ａ） 第１図Ｃ） ／θ 第２図 ７８′ 第３図（ｂ）
１図（ｂ）は第１図（ａ）のコイルカバーの斜視図、第
２図は第２の実施例の断面図、第３図（ａ）は従来例を
示す断面図、第３図（ｂ）はコイルカバーの斜視図であ
る。 １・・・ベースプレート ２・・・石英製ベルジャ
ー３・・・ステンレス製ベルジャー ４・・・０−リング ５・・・ウェハー ６・・・サセプタ７・・
・高周波誘導加熱コイル ８・・・コイルカバー ８′・・・開口１０・・
・反応ガス １１・・・ノズル１２・・・反
応カス排出口 １３・・・コイルパージガス導入口 １４・・・コイルパージガス排出口 １５・・・コイルパージカス １６・・・回転軸特許
出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野
中５；ウニ八−犀、コイルに〜・ａ゛ス排上ロＩＱ・
尺八・力人 第１図（ａ） 第１図Ｃ） ／θ 第２図 ７８′ 第３図（ｂ）
Claims (1)
- １、回転軸に支持させたサセプタと、サセプタを加熱す
る高周波誘導加熱コイルと、前記回転軸内を通してサセ
プタの上方空間に開口したノズルとをベルジャー内に設
置した気相成長装置において、前記回転軸を挿通する軸
筒部と、前記ベルジャー内から隔離された密閉空間とを
形成するコイルカバーを備え、該カバー内の空間に前記
コイルを収容し、パージガスの導入口および反応ガスの
排出系とは別個の配管でパージガスの排出口をそれぞれ
前記カバー内の空間に開口したことを特徴とする気相成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046005A JPH06103668B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046005A JPH06103668B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01220433A true JPH01220433A (ja) | 1989-09-04 |
| JPH06103668B2 JPH06103668B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=12734955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63046005A Expired - Lifetime JPH06103668B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103668B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0410528A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長装置および気相成長方法 |
| JP2013119637A (ja) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相処理装置 |
| CN114622181A (zh) * | 2020-12-14 | 2022-06-14 | 纽富来科技股份有限公司 | 气相生长装置及气相生长方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5752095A (en) * | 1980-08-14 | 1982-03-27 | Kawai Musical Instr Mfg Co | Composite tone sliding portamento device with independent adsr modulation |
| JPS6119119A (ja) * | 1984-07-06 | 1986-01-28 | Nec Corp | 気相成長装置 |
| JPS62112316A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-23 | Kokusai Electric Co Ltd | 縦形エピタキシヤル膜生成装置 |
| JPS62201927U (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-23 |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP63046005A patent/JPH06103668B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5752095A (en) * | 1980-08-14 | 1982-03-27 | Kawai Musical Instr Mfg Co | Composite tone sliding portamento device with independent adsr modulation |
| JPS6119119A (ja) * | 1984-07-06 | 1986-01-28 | Nec Corp | 気相成長装置 |
| JPS62112316A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-23 | Kokusai Electric Co Ltd | 縦形エピタキシヤル膜生成装置 |
| JPS62201927U (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-23 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0410528A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長装置および気相成長方法 |
| JP2013119637A (ja) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相処理装置 |
| CN114622181A (zh) * | 2020-12-14 | 2022-06-14 | 纽富来科技股份有限公司 | 气相生长装置及气相生长方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06103668B2 (ja) | 1994-12-14 |
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