JP2013119637A - 気相処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】誘導加熱を利用した気相処理装置であって、気相処理を安定的にかつ高品質で実施することが可能な気相処理装置を提供する。
【解決手段】気相処理装置100は、チャンバと、サセプタ3と、コイル7と、隔離部材37と、駆動部材(回転用歯車31および回転軸33)とを備える。サセプタ3は、チャンバの内部において処理される基板13を保持する。コイル7は、サセプタ3と対向する位置に配置され、サセプタ3を誘導加熱により加熱するためのものである。隔離部材37は、コイル7とサセプタ3との間に配置され、コイル7をチャンバ内部5から隔離する。駆動部材(回転用歯車31および回転軸33)は、隔離部材37の外部においてサセプタ3の外周部に配置され、サセプタ3を回転させるためのものである。
【選択図】図2
【解決手段】気相処理装置100は、チャンバと、サセプタ3と、コイル7と、隔離部材37と、駆動部材(回転用歯車31および回転軸33)とを備える。サセプタ3は、チャンバの内部において処理される基板13を保持する。コイル7は、サセプタ3と対向する位置に配置され、サセプタ3を誘導加熱により加熱するためのものである。隔離部材37は、コイル7とサセプタ3との間に配置され、コイル7をチャンバ内部5から隔離する。駆動部材(回転用歯車31および回転軸33)は、隔離部材37の外部においてサセプタ3の外周部に配置され、サセプタ3を回転させるためのものである。
【選択図】図2
Description
この発明は、気相処理装置に関し、より特定的には処理対象物の加熱に誘導加熱を用いる気相処理装置に関する。
従来、基板などの処理対象物に対して成膜処理やエッチング処理などの気相処理を行なう気相処理装置が知られている(たとえば、特開2008−288265号公報(以下、特許文献1と呼ぶ)参照)。当該特許文献1では、回転駆動するサセプタの下方に誘導加熱用のコイル部材が配置された気相処理装置が開示されている。特許文献1のサセプタは、円盤状の固定サセプタと当該固定サセプタ上に接続された移動サセプタとからなり、固定サセプタの下面中央部には回転支持軸が接続されている。また、サセプタの下方には円環状の隔壁が配置されており、当該隔壁の中央部の開口を通るように上記回転支持軸が配置されている。隔壁内部にはコイル部材が配置されている。
上述した気相処理装置では、誘導加熱用のコイルを内部に保持する隔壁の中央部に、サセプタの回転支持軸を配置するための上記のような開口部が形成されている。当該回転支持軸と隔壁の開口部内壁との接続部においては、隔壁内部を気密に保持するためのシール材が配置されている。しかし、回転支持軸はサセプタを回転駆動するために回転することから、当該シール材による封止を長期間安定して維持することは困難である。このようなシール材の気密性が低下すると、気相処理装置の処理室内部の処理ガスが隔壁内部に流入して誘導加熱用コイルが損傷し、結果的に気相処理を安定して実施できない、あるいは隔壁内部の雰囲気が処理室内部へ逆流して、サセプタに保持された基板などの処理対象物に対する気相処理の品質が低下する、といった問題が発生する。
本発明は、上記のような課題を解決するために成されたものであり、この発明の目的は、誘導加熱を利用した気相処理装置であって、気相処理を安定的にかつ高品質で実施することが可能な気相処理装置を提供することである。
この発明に従った気相処理装置は、処理室と、サセプタと、コイル部材と、隔離部材と駆動部材とを備える。サセプタは、処理室の内部において処理される処理対象物を保持する。コイル部材は、サセプタと対向する位置に配置され、サセプタを誘導加熱により加熱するためのものである。隔離部材は、コイル部材とサセプタとの間に配置され、コイル部材を処理室の内部から隔離する。駆動部材は、隔離部材の外部においてサセプタの外周部に配置され、サセプタを回転させるためのものである。
この場合、コイル部材は隔離部材によって処理室内部から完全に隔離される。さらに、サセプタを回転させるための駆動部材はサセプタの外周部に配置されるので、従来のように駆動部材(たとえばサセプタを回転させるためにサセプタに接続された回転軸)が隔離部材を貫通するように配置されることはない。このため、駆動部材が隔離部材を貫通する部分(接続部分)を介して、隔離部材からみてコイル部材が配置された領域と、隔離部材から見てサセプタが配置された処理室内部との間をガスが流通するといった問題の発生確率を低減できる。このため、当該ガスの流通に起因して処理室内部での気相処理の品質が劣化する(たとえば気相処理として成膜処理を行なった場合に、形成された膜中に不純物が混入する)といった問題の発生を抑制できる。また、処理室内部から上記接続部分を介して気相処理に用いる反応性ガスが隔離部材からみてコイル部材側の空間に流入し、結果的にコイル部材が当該反応性ガスにより損傷するといった問題の発生も抑制できる。
本発明によれば、気相処理を安定的かつ高品質で実施できる気相処理装置を得ることができる。
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
図1および図2を参照して、本発明による気相処理装置を説明する。本発明による気相処理装置100は、処理室としてのチャンバと、当該チャンバの底壁に形成された開口部に回転可能に嵌め込まれているサセプタ3と、このサセプタ3を加熱するためのコイル7とを備える。チャンバの上面を構成するチャンバ上壁6には、サセプタ3の中央部上に位置する部分に開口部が形成されている。この開口部には、気相処理に用いるガス(反応ガス)をチャンバ内部5へと供給するためのガス導入管9が接続されている。ガス導入管9から開口部を介してチャンバ内部5へと供給された反応ガスは、図2の矢印に示すようにサセプタ3の中央部上からサセプタの外周部へ向けて(サセプタ3の径方向に沿って)流れるように供給される。
サセプタ3の上面(チャンバ内部5に面する表面)には、カバー部材15が配置されている。このカバー部材15には、平面形状が円形状の開口部が複数個(図1に示した構成では6個)形成されている。この開口部の内部に処理対象物である基板13が配置される。なおサセプタ3の平面形状は円形状である。
このサセプタ3の外周部にはサセプタホルダ23が接続されている。サセプタホルダ23の平面形状は円環状であり、サセプタ3の裏面の外周と接続されている。具体的には、サセプタホルダ23の上面の内周側部が、サセプタ3の裏面の外周部と接続されている。サセプタホルダ23は、サセプタ3と一体となって回転する。
サセプタホルダ23を支持するようにサセプタガイド21がサセプタホルダ23の下側に配置されている。具体的には、サセプタガイド21の上面とサセプタホルダ23の底面とが対向するように配置されている。また、サセプタガイド21とサセプタホルダ23との間には、サセプタ3およびサセプタホルダ23の回転をスムーズに行なうため転動体29が配置されている。転動体29は、サセプタガイド21の上面およびサセプタホルダ23の底面にそれぞれ形成された凹部の内部に配置される。サセプタ3およびサセプタホルダ23が回転するとき、転動体29が回転することによりサセプタホルダ23はサセプタガイド21に対して滑らかに回転可能になっている。
なお、サセプタガイド21の平面形状も円形状である。ただし、サセプタガイド21の底面には溝部が形成されている。この溝部はサセプタガイド21の延在方向に沿って円環状に形成されている。そして、サセプタガイド21の当該溝部には、架台22の上部表面に形成された突出部が嵌め込まれた状態になっている。この架台22の凸部がサセプタガイド21の溝部に嵌め込まれることにより、架台22に対してサセプタガイド21の位置決めを容易に行なうことができる。架台22の平面形状も円環状である。
そして、この架台22を下から支持するように可動シリンダ41が配置されている。可動シリンダ41は平面形状が環状の筒状体である。可動シリンダ41において架台22と接続された部分である上部には、凹部35が形成されている。
可動シリンダ41の上部には、その内周側を封止するように板状の隔離部材37が配置されている。隔離部材の平面形状は円形状である。隔離部材37の端部は、可動シリンダ41の凹部35に嵌め込まれた状態となっている。隔離部材37が可動シリンダ41の内部をサセプタ3側とコイル7側とに完全に分離するように、可動シリンダ41と隔離部材37とは気密に接続されている。すなわち、隔離部材37は可動シリンダ41の内部(可動シリンダ41と隔離部材37とにより囲まれた領域)をサセプタ3側の空間から気密に分離することが可能となっている。可動シリンダ41の内壁と隔離部材37とにより囲まれた領域には、誘導加熱によってサセプタ3を加熱するためのコイル7が配置されている。
隔離部材37の材質としては、絶縁体を用いることができる。具体的には、隔離部材37の材料として石英やセラミックスを用いることが好ましい。隔離部材37の材質として、電気伝導率が10-6S/m以下の材料を用いることが好ましい。
サセプタ3の外周にはサセプタ3を回転させるための回転用歯車31が配置されている。回転用歯車31は1つだけ配置されていてもよいが、図1に示すように複数個(図1の場合は3個)配置されていることが好ましい。回転用歯車31の外周の歯(凸部)は、サセプタ3の外周に形成された歯(凹凸部:図示せず)と噛み合っている。このため、回転用歯車31が回転することにより、サセプタ3がその平面形状の中心部を中心として回転する。
図1に示すように、回転用歯車31は、サセプタ3の外周方向において互いに同じ間隔となるように配置されていることが好ましい。具体的には、図1に示すようにサセプタ3の中央部から見たときの隣り合う回転用歯車31の中心がなす角度がすべて同じになるように、回転用歯車31を配置することが好ましい。図1に示すように3つの回転用歯車31を用いた場合には、隣り合う回転用歯車の中心がサセプタ3の中心に対して成す角度はたとえば120°となっている。また、たとえば4つの回転用歯車31を用いる場合には、隣り合う回転用歯車31の中心がサセプタ3の中心に対して成す角度は90°となっている。
サセプタ3の外周側においては、図1に示すように外周カバー16に複数の排気口17が形成されている。これらの排気口17も、サセプタ3の外周に沿った方向において隣り合う排気口17の間の間隔が同じになるように配置されることが好ましい。この排気口17は、サセプタ3の中央部上に供給された反応ガスをチャンバ内部5から排気するために設けられている。つまり、基板13に対する成膜やエッチングなどの所定の処理に反応ガスが用いられた後、チャンバ内部5からこれらの反応ガスは排気口17を介して外部へ排出される。排気口17は図示しないポンプなどへと配管(排気管)を介して接続されている。
図2に示した誘導加熱用のコイル7の平面形状は、任意の形状とすることができるが、たとえば図3に示すようにサセプタ外周19に沿った円環状(サセプタ3の中央部を中心とした同心円状)としてもよい。この場合、図3に示すように同心円の中心に近いコイル7ほど、その幅が狭くなるように(つまりサセプタ外周19に近いコイル7ほど、その幅が広くなるように)構成されていてもよい。
このようにすれば、サセプタ外周19に近い領域(つまりサセプタ3の外周側であるため、サセプタ3の外部へ拡散する熱量が大きい領域)ほど、より大きな発熱量を確保できるので、結果的にサセプタの発熱量の分布のばらつきを低減することができる。なお、図3に示したコイル7については、同心円状に配置されたコイル7のうちの隣接するコイル7について、その延在方向に沿った中心線の間の距離は、基本的にすべて同じ間隔となっている。そして、図3に示したように内周側のコイル7ほどその幅が狭くなっているので、結果的に内周側ほどコイル7の間の距離は大きくなる。なお、コイル7の幅は一定にしておいて、コイル7の間の距離(サセプタ3の径方向における距離)を、内周側ほど大きくするといった構成としてもよい。つまり、サセプタ3の外周側ほど、コイル7の密度(サセプタ3の下の領域の所定の領域の体積に対する、当該領域内におけるコイル7の占有体積の割合)は大きくなるように、コイル7が配置されることが好ましい。
コイルの配置としては、図4に示すようにサセプタ3(図1参照)において基板13(図1参照)を搭載する位置と実質的に同じ位置に、それぞれ同心円状に複数のコイル7a〜7fを配置してもよい。具体的には、基板13(図1参照)が配置される領域に、当該基板13の中心部25を中心とした同心円状に複数のコイル7a〜7fをそれぞれ配置する。なお、これらのコイル7a〜7fはそれぞれ電源と直列接続されていることが好ましい。
図1に示すように、図示したサセプタ3においては6枚の基板13を搭載することが可能であるため、図4に示した構成においても6つの中心部25を中心としてそれぞれ同心円状に複数のコイル7a〜7fが配置されている。
また、図5に示すように、図4の場合と同様に複数の中心部25を中心として同心円状のコイル7a〜7fを配置し、さらにこれらのコイル7a〜7fの外周を囲むように(サセプタ3の外周に沿って)別のコイル7gを配置してもよい。このようにサセプタ3の外周に沿ってコイル7gを配置することで、サセプタ3の外周を当該コイル7gにより加熱し、結果的にサセプタ3の外周側への放熱を抑制できる。この結果、サセプタ3における面内の温度の均一性を向上させることができる。
コイル7とサセプタ3との間の距離L(図2参照)は、0mm超え10mm以下であってもよい。また、この距離Lは好ましくは30mm以下である。コイル7とサセプタ3との間の距離Lについては、電力の利用効率の面から30mm以下とすることが好ましい。以下、図6を用いて説明する。
図6に示したグラフの横軸はコイル7とサセプタ3との間の距離Lを示し、縦軸は規格化された発熱量を相対値で示している。なお、発熱量については、コイル7とサセプタ3との間の距離Lが10mmのときを1として相対値で示している。図6からわかるように、コイル7とサセプタ3との間の距離Lを30mm以下としておけば、当該距離Lが10mmのときの発熱量と比較して発熱量を0.5以上(50%以上)とすることができる。すなわち、当該距離Lをあまり大きくすると、コイル7により誘導加熱によってサセプタ3を加熱する効率が低下し、必要な加熱温度に到達するまで過大な電力が必要となるため、実用的ではない。このため、当該距離Lについては30mm以下とすることが好ましい。
次に、図7を参照して、本発明による気相処理装置の第1の変形例を説明する。図7に示す気相処理装置100は、基本的には図1および図2に示した気相処理装置100と同様の構造を備えるが、遮蔽部材の構造が異なっている。すなわち、図7に示した気相処理装置100においては、板状の隔離部材37が2枚間隔を隔てて配置されている。より具体的には、可動シリンダ41の内周側に形成された凹部35に板状の隔離部材37が嵌め込まれて設置されている。そして、当該凹部35と間隔を隔てて別の凹部45が可動シリンダ41の内周側壁に形成されている。当該凹部45に端部が嵌め込まれた状態で、別の隔離部材37が配置されている。隔離部材37の材質はたとえば石英などを用いることができる。そして、この2枚の隔離部材37の間の空隙には、冷却材49が流通している。
この冷却材49は、図示しない流通機構により上記空隙の間を流通する。たとえば、コイル7側に設置されている隔離部材37の端部に貫通孔を設け、当該貫通孔に冷却材の供給管を接続することで、2枚の隔離部材37の間の空間に冷却材を供給するといった方法により冷却材49を流通させてもよい。なお、冷却材49を当該間隙に導入するための貫通孔とは別に、隔離部材37に当該間隙から冷却材を回収するための排出口となるべき別の貫通孔を形成することが好ましい。この排出口としての別の貫通孔から取出された冷却材は、当該別の貫通孔に接続された配管(図示せず)を介して図示しない熱交換器に送られる。当該熱交換器において冷却材の温度が下げられた後、ポンプなどにより上述した導入口としての貫通孔から当該間隙へと上記冷却材が再度導入されてもよい。
このような構造とすることで、サセプタ3からの熱により隔離部材37が変形あるいは破損するといった問題の発生を抑制できる。
次に、図8を参照して、本発明による気相処理装置の第2の変形例を説明する。図8に示した気相処理装置100は、基本的には図1および図2に示した気相処理装置100と同様の構造を備えるが、隔離部材37においてサセプタ3と対向する側の表面と対向する位置に(すなわち隔離部材37とサセプタ3との間に)遮熱板39を配置している。遮熱板39は板状であって、その平面形状は架台22の内周の平面形状と同じ(つまり円形状)である。遮熱板39の端部は、架台22の内周面に形成された凹部に嵌め込まれて固定されている。このような遮熱板39を配置することにより、サセプタ3からの熱が輻射などにより直接的に隔離部材37へと伝わることを抑制できる。この結果、隔離部材37の加熱を抑制することができる。
ここで、上述した実施の形態と一部重複する部分もあるが、本発明の特徴的な構成を列挙する。
この発明に従った気相処理装置100は、処理室(チャンバ)と、サセプタ3と、コイル部材としてのコイル7と、隔離部材37と駆動部材(回転用歯車31および回転軸33)とを備える。サセプタ3は、チャンバの内部において処理される処理対象物である基板13を保持する。コイル7は、サセプタ3と対向する位置に配置され、サセプタ3を誘導加熱により加熱するためのものである。隔離部材37は、コイル7とサセプタ3との間に配置され、コイル7をチャンバ内部5から隔離する。駆動部材(回転用歯車31および回転軸33)は、隔離部材37の外部においてサセプタ3の外周部に配置され、サセプタ3を回転させるためのものである。
この場合、コイル7は隔離部材37によってチャンバ内部5から完全に隔離される。さらに、サセプタ3を回転させるための駆動部材(回転用歯車31および回転軸33)はサセプタ3の外周部に配置されるので、従来のように駆動部材(たとえばサセプタ3を回転させるためにサセプタ3の中央部に接続された回転軸)が隔離部材37を貫通するように配置されることはない。このため、駆動部材(サセプタ3の中央部に接続された回転軸33)が隔離部材37を貫通する部分(接続部分)を介して、隔離部材37から見てコイル7が配置された領域と、隔離部材37から見てサセプタ3が配置されたチャンバ内部5との間をガスが流通するといった問題の発生確率を低減できる。このため、当該ガスの流通に起因してチャンバ内部5での気相処理の品質が劣化する(たとえば気相処理として成膜処理を行なった場合に、基板13上に形成された膜中に不純物が混入する)といった問題の発生を抑制できる。また、チャンバ内部5から上記接続部分を介して気相処理に用いる反応ガスがコイル7近傍の空間に流入し、結果的にコイル7が当該反応ガスにより損傷するといった問題の発生も抑制できる。
上記気相処理装置100において、図4および図5に示すように、コイル7は、サセプタ3と対向する位置において、互いに位置の異なる複数の領域にそれぞれ配置された複数の誘導コイル(コイル7a〜7f)を含んでいてもよい。上記複数の領域のうちの少なくとも1つは、サセプタ3において処理対象物としての基板13が保持される部分と対向するように配置されていてもよい。また、当該サセプタ3は複数の基板13を保持可能になっていてもよい。この場合、複数のコイル7a〜7fのそれぞれは、サセプタ3が停止した状態において複数の基板13が保持されるそれぞれの部分と対向するように配置されていてもよい。コイル7a〜7fの平面形状はそれぞれの領域において環状となっていてもよい。当該環状のコイル7a〜7fの中心(中心部25)の位置がサセプタ3において基板13が保持された部分の中心と重なるように、コイル7a〜7fは配置されていてもよい。
この場合、処理対象物である基板13を保持するサセプタ3の部分(基板13下に位置するサセプタ3の部分)に効果的に磁場を作用させることができるため、当該サセプタ3の部分を効率的に加熱することができる。このため、サセプタ3に保持された基板13を効率的に加熱できる。
上記気相処理装置100において、コイル7は、図5に示すように複数のコイル7a〜7fの周囲を囲むように配置された環状コイル(コイル7g)を含んでいてもよい。この場合、コイル7gはサセプタ3の外周端部と対向する位置に配置されることになる。したがって、熱が外部へ逃げるので温度が低下しやすいサセプタ3の外周部を、当該コイル7gにより効果的に加熱することができる。このため、サセプタ3における温度分布の均一性を向上させることができる。
上記気相処理装置100において、隔離部材は、図7に示すように、コイル7とサセプタ3との間に配置され、互いに間隔を隔てて重なるように配置された2枚の隔壁(図7に示した2枚の隔離部材37)と、当該2枚の隔離部材37の間の間隙47を流通する冷却媒体(冷却材49)とを含んでいてもよい。この場合、冷却材49により隔離部材37を冷却することができるので、加熱されたサセプタ3からの熱(たとえば輻射熱)により隔離部材37の温度が上昇し、当該温度上昇により隔離部材37が破損するといった問題の発生を抑制できる。なお、冷却材49としては水など任意の液体、あるいは、窒素やヘリウムなど隔離部材37と反応しないガスを用いることができる。
上記気相処理装置100は、図8に示すように、コイル7とサセプタ3との間に配置された遮熱部材(遮熱板39)をさらに備えていてもよい。この場合、遮熱板39によってサセプタ3からの熱が隔離部材37に直接的に伝わることを抑制できるので、隔離部材37がサセプタ3からの熱に起因して破損するといった問題の発生を抑制できる。
なお、隔離部材37の材料としては、たとえば石英やアルミナを用いることができるが、他の任意の絶縁体を用いることもできる。また、遮熱板39の材料としては、炭素繊維で形成されたもの(たとえば0.5mm以下の繊維状のカーボン)などを用いることができる。なお、遮熱板39の材料としては、サセプタ3からの熱に耐えることが可能であれば(たとえば融点が1000℃以上の材料であれば)他の材料を用いてもよい。また、遮熱板39の材料としては輻射率の低い絶縁体を用いてもよい。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明は、特に誘導コイルを用いてサセプタを加熱する気相処理装置に有利に適用される。
3 サセプタ、5 チャンバ内部、6 チャンバ上壁、7,7a〜7f,7g コイル、9 ガス導入管、13 基板、15 カバー部材、16 外周カバー、17 排気口、19 サセプタ外周、21 サセプタガイド、22 架台、23 サセプタホルダ、25 中心部、29 転動体、31 回転用歯車、33 回転軸、35,45 凹部、37 隔離部材、39 遮熱板、41 可動シリンダ、47 間隙、49 冷却材、100 気相処理装置。
Claims (5)
- 処理室と、
前記処理室の内部において処理される処理対象物を保持するサセプタと、
前記サセプタと対向する位置に配置され、前記サセプタを誘導加熱により加熱するためのコイル部材と、
前記コイル部材と前記サセプタとの間に配置され、前記コイル部材を前記処理室の内部から隔離する隔離部材と、
前記隔離部材の外部において前記サセプタの外周部に配置され、前記サセプタを回転させるための駆動部材とを備える、気相処理装置。 - 前記コイル部材は、前記サセプタと対向する位置において、互いに位置の異なる複数の領域にそれぞれ配置された複数の誘導コイルを含む、請求項1に記載の気相処理装置。
- 前記コイル部材は、前記複数の誘導コイルの周囲を囲むように配置された環状コイルを含む、請求項2に記載の気相処理装置。
- 前記隔離部材は、
前記コイル部材と前記サセプタとの間に配置され、互いに間隔を隔てて重なるように配置された2枚の隔壁と、
前記2枚の隔壁の間を流通する冷却媒体とを含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の気相処理装置。 - 前記隔離部材と前記サセプタとの間に配置された遮熱部材をさらに備える、請求項1〜4のいずれか1項に記載の気相処理装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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ID=48772437
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011266943A Pending JP2013119637A (ja) | 2011-12-06 | 2011-12-06 | 気相処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2013119637A (ja) |
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