JP2013206732A - 縦型バッチ式処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】処理ガスの利用効率が良く、生産性が高い縦型バッチ式処理装置を提供すること。
【解決手段】円筒状の外壁体２と、外壁体２の内側に挿入され、外壁体２の内側面２ａに対向する鉛直側面３ａに、複数の被処理体を外壁体２の内側面２ａに対向させて支持する多角柱状のサセプタ３と、を備え、外壁体２の内側面２ａとサセプタ３の鉛直側面３ａとの間の空間を環状の反応空間１０とする縦型バッチ式処理装置であって、環状の反応空間１０を外壁体２の円周方向に沿って複数のゾーンＺ１〜Ｚ１２に分割し、複数のゾーンＺ１〜Ｚ１２それぞれにおいて、ガスの吐出と排気とを外壁体２の円周方向に沿って交互に行うように構成されている。
【選択図】図１

Description

この発明は、縦型バッチ式処理装置に関する。

ＳｉＣ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ等のエピタキシャル薄膜の量産製造装置において、例えば、６インチ基板での生産性を高めるために、縦型バッチ炉を用いたコールドウォール方式での成膜が試みられている。

コールドウォール方式の縦型バッチ式ＣＶＤ装置は、特許文献１に記載されている。

また、特許文献２には、ホットウォール方式に転換することができるコールドウォール方式の縦型バッチ式有機金属ＣＶＤ装置が記載されている。

米国特許第３，６４５，２３０号明細書 米国特許第６，３３２，９２８号明細書

しかし、縦型バッチ式の処理装置では、例えば、成膜原料ガスが基板に届かず、処理室の内壁に堆積したり、未利用で排気されたりする。このため、成膜原料ガスなどの処理ガスの利用効率に難点があり、従って生産性も上がらない、という事情がある。

この発明は、処理ガスの利用効率が良く、生産性が高い縦型バッチ式処理装置を提供する。

この発明の一態様に係る縦型バッチ式プラズマ処理装置は、円筒状の外壁体と、前記外壁体の内側に挿入され、前記外壁体の内側面に対向する鉛直側面に、複数の被処理体を前記外壁体の内側面に対向させて支持する多角柱状のサセプタと、を備え、前記外壁体の内側面と前記サセプタの鉛直側面との間の空間を環状の反応空間とする縦型バッチ式処理装置であって、前記環状の反応空間を前記外壁体の円周方向に沿って複数のゾーンに分割し、前記複数のゾーンそれぞれにおいて、ガスの吐出と排気とを前記外壁体の円周方向に沿って交互に行うように構成されている。

この発明によれば、処理ガスの利用効率が良く、生産性が高い縦型バッチ式処理装置を提供できる。

この発明の第１の実施形態に係る縦型バッチ式処理装置の一例を概略的に示す水平断面図 図１中の２Ａ−２Ａ線に沿う縦断面図 図１中の２Ｂ−２Ｂ線に沿う縦断面図 図１中の２Ｃ−２Ｃ線に沿う縦断面図 蓋体を外壁体の底部から取り外した状態を示す縦断面図 この発明の第２の実施形態に係る縦型バッチ式処理装置の一例を概略的に示す水平断面図 この発明の第３の実施形態の第１例に係る縦型バッチ式処理装置の一例を概略的に示す縦断面図 この発明の第３の実施形態の第２例に係る縦型バッチ式処理装置の一例を概略的に示す縦断面図

以下、添付図面を参照してこの発明の実施の形態について説明する。

（第１の実施形態）
第１の実施形態は、本発明を熱ＣＶＤ装置に適用した場合の一例である。

図１はこの発明の第１の実施形態に係る縦型バッチ式処理装置の一例を概略的に示す水平断面図、図２Ａは図１中の２Ａ−２Ａ線に沿う縦断面図、図２Ｂは図１中の２Ｂ−２Ｂ線に沿う縦断面図、図２Ｃは図１中の２Ｃ−２Ｃ線に沿う縦断面図である。

図１、図２Ａ〜図２Ｃに示すように、第１の実施形態に係る縦型バッチ式処理装置１００（１００Ａ、１００Ｂ）は、円筒状の外壁体、本例では、有底円筒状の外壁体２を備えている。外壁体２は、例えば、ステンレス、アルミニウム等の金属製または石英等の誘電体である。外壁体２が金属製である場合には、図２Ａの処理装置１００Ａに示すように、円筒の天板中央部は後述するコイルの磁界が通過できるように、例えば、石英２ｂで形成される、あるいは図２Ｂ、図２Ｃの処理装置１００Ｂに示すように、円筒の天板部は、その側面と同じ金属で形成される。外壁体２が石英である場合には、図２Ｂ、図２Ｃの処理装置１００Ｂに示すように、円筒の天板部はその側面と一体の石英で形成される。外壁体２の内側には、表面が多角柱形状とされたサセプタ３が外壁体２と同心円状に挿入される。サセプタ３は、例えば、カーボン製である。サセプタ３は、外壁体２の内側面２ａに対向する鉛直側面３ａに、複数の被処理体を上記内側面２ａに対向させて支持する。被処理体の一例は、半導体ウエハＷである。本例では、外壁体２の円周方向に沿って１２列、鉛直方向に沿って５段に配列された合計６０枚の半導体ウエハＷが、サセプタ３に支持される。サセプタ３の表面の多角柱形状は、本例では円周方向に１２列の半導体ウエハＷを支持するため、正１２角柱形状となっている。もちろん、サセプタ３は、正１２角柱に限られるものではない。半導体ウエハＷの支持方式の例としては、特に図示はしないが、静電吸着などを用いたチャック方式や、固定治具を用いたフック方式などを利用することができる。

また、本例のサセプタ３は、支持体４上に配置された回転ドラム５の側面上に配置されている。支持体４は、外壁体２の底部に当接される蓋体６を貫通する回転シャフト７に接続されている。回転シャフト７は、図示せぬ回転機構によって回転される。これにより、サセプタ３は、支持体４および回転ドラム５とともに回転される。即ち、サセプタ３は、外壁体２の内側で、外壁体２の円周方向に沿って回転可能に構成される。このような装置であると、処理の間、サセプタ３を回転させ、後述する反応空間１０の内部で半導体ウエハＷが外壁体２の円周方向に沿って回転することで、半導体ウエハＷが回転しない場合に比較して、半導体ウエハＷがより均一に処理されることとなる。

蓋体６は、外壁体２の底部に着脱自在に接続されている。図３に示すように、蓋体６を外壁体２の底部から取り外すと、サセプタ３を外壁体２の外部に取り出すことができ、半導体ウエハＷの交換が可能となる。また、図２Ａ〜図２Ｃに示したように、蓋体６を外壁体２の底部に取り付けると、サセプタ３を外壁体２の内部に挿入できるとともに、外壁体２の内部を外界から気密にシールすることができる。

回転ドラム５の内部には、半導体ウエハＷを、サセプタ３を介して加熱する加熱機構８が設けられている。本例の加熱機構８は、コイルを用いた誘導加熱機構である。加熱方式としては、誘導加熱に限らず、例えばセラミック製のサセプタに抵抗ヒータを埋設した抵抗加熱、コイルの代わりにハロゲンランプ等を用いたランプ加熱など他の加熱方式を採用することも可能である。

また、外壁体２には、外壁体２を冷却する冷却機構９が設けられている。本例の冷却機構９は水冷式冷却機構であり、一例として外壁体２の外側に設けた場合の一例を図２Ａに示している（冷却機構９については、図２Ａのみに簡略的に示すこととする）。冷却方式としては、水冷に限らず、空冷などの他の冷却方式を採用することも可能である。

縦型バッチ式処理装置１００では、外壁体２の内側面（内周面）２ａとサセプタ３の鉛直側面３ａとの間の空間が、平面的に見て円環状の反応空間１０とされる（特に、図１参照）。反応空間１０では、半導体ウエハＷに対して所望の処理、本例では、成膜処理が施される。

また、反応空間１０を規定するサセプタ３の鉛直側面３ａと外壁体２の内側面２ａとの間のギャップについては、数十ｍｍオーダーの範囲に設定される。好ましくはサセプタを構成する正多角形の頂点と外壁体２の内側面２ａとの距離は２０〜４０ｍｍに設定される。これにより、処理ガスが吐出される反応空間１０の容積を狭くし、処理ガスの効率的な利用が達成される。

さらに、反応空間１０は、外壁体２の内周面に沿って等しい長さで複数のゾーンに分割されている。本例では、図１に示すように、１２のゾーンＺ１〜Ｚ１２に分割されている。そして、１２のゾーンＺ１〜Ｚ１２それぞれの境界において、ガスの吐出と排気とを行う。

本例では、ゾーンＺ１〜Ｚ１２それぞれの一端側に、処理ガス、例えば、成膜ガスなどを供給するガス供給管１１が設けられている。反応空間１０の内部には、ガス吐出口１２を介して処理ガスが吐出される。一方、ゾーンＺ１〜Ｚ１２それぞれの他端側には、ガスを排気するガス排気管１３が設けられている。反応空間１０の内部に吐出された処理ガスは、ガス排気口１４を介して排気される。さらに、本例では、ゾーンＺ１〜Ｚ１２の隣接するものどうしで、ガス吐出口１２およびガス排気口１４をそれぞれ共有し、ガス吐出口１２とガス排気口１４は外壁体２の円周方向に沿って交互に配置されている。

このようにして、本例では、ガスの吐出及び排気を外壁体２の円周方向に沿って交互に行う。このようなガスの吐出及び排気であると、反応空間１０における処理ガスの流れは、以下のようなものとなる。

まず、処理ガスは、ガス吐出口１２を介して外壁体２の内側面２ａから回転している半導体ウエハＷの被処理面に向かって吐出される。この後、半導体ウエハＷの被処理面上方で、ガス吐出口１２の両側にあるガス排気口１４のそれぞれに向かって半導体ウエハＷの被処理面に沿った方向に方向転換する。被処理面に沿って流れた処理ガスは、ガス排気口１４の近傍に達すると、今度は、ガス排気口１４に向かうように方向転換し、上昇する。この後、ガス排気口１４を介して排気される。

このような第１の実施形態に係る縦型バッチ式処理装置１００によれば、環状の反応空間１０を、外壁体２の円周方向に沿って複数のゾーンＺ１〜Ｚ１２に分割し、複数のゾーンＺ１〜Ｚ１２それぞれにおいて、ガスの吐出と排気とを行ない、さらに外壁体２の全周にわたり等間隔でガスの吐出と排気とを交互に行うように構成することで、次のような利点を得ることができる。

処理ガスの吐出及び排気をゾーンＺ１〜Ｚ１２ごとに行うことで、処理ガスの吐出から排気までの間隔（距離）を略（外壁体２の全周の長さ）／（ゾーン数）と短くすることができる。このため、例えば、外壁体の底から処理ガスを吐出し、外壁体の上部から排気するような装置や、外壁体の側面から処理ガスを吐出し、外壁体の上部又は下部から排気する装置に比較して、常に新鮮なガスが処理空間１０の全域に亘って供給され、また、上記処理ガスの吐出及び排気の間隔を短く設定できる。処理ガスの吐出及び排気の間隔を短く設定できる結果、間隔が長い装置に比較して、ガスの利用効率が良くなり、生産性を向上させることができる。処理の利用効率については、上記実施形態のように、サセプタ３の鉛直側面３ａと外壁体２の内側面２ａとの間のギャップを数十ｍｍオーダーの範囲に設定し、反応空間１０の容積を狭くすると、さらに良く得ることができる。

また、第１の実施形態に係る縦型バッチ式処理装置１００は、処理ガスの吐出及び排気を、半導体ウエハＷの被処理面上方において行う。このため、反応空間１０内における吐出から排気までの処理ガスの流れを、半導体ウエハＷの被処理面の上方で完結できる。このため、処理ガスが、例えば、成膜原料ガスであった場合には、半導体ウエハＷおよびその周囲のみに成膜されることになるので、成膜原料ガスの無用な消費を抑えることができる。そして、成膜原料ガスの無用な消費を抑えられる結果、被処理体の被処理面への堆積量を向上させることができ、生産性が向上する。特に、処理ガスの吐出及び排気を、半導体ウエハＷの被処理面上方において行うことで、外壁体２の上部や下部に処理ガスが到達し難くなる。このため、外壁体２の上部や下部に処理ガスが到達する装置に比較して、ガスの利用効率が良くなるとともに、外壁体２の上部や下部に堆積することを抑制できるので、成膜原料ガスの無用な消費は、さらに少なくなる。

また、外壁体２の内壁への堆積を抑制する手段として、上記実施形態のように、外壁体２に、この外壁体２を冷却する冷却機構９を設けることが好ましい。

さらに、外壁体２の内壁への堆積を抑制できる結果、堆積物からパーティクルが発生することも抑制できる。このため、被処理体の被処理面にパーティクルが落下して発生するパーティクル欠陥の発生も抑制できる。このため、製造される半導体装置の歩留りが向上する。歩留りが向上することで、生産性はさらに向上する。

また、処理ガスの吐出及び排気の間隔を短くできるので、気相反応を計画的に制御することも可能となる。気相反応を計画的に制御すると、例えば、処理ガスが流れている間に気相のままで反応を起こしてしまい、これがパーティクルとなったりすることを抑制できる。この点からも、パーティクル欠陥の発生を抑制できる。

以上、第１の実施形態に係る縦型バッチ式処理装置１００によれば、処理ガスの利用効率が良く、生産性が高い縦型バッチ式処理装置を得ることができる。

（第２の実施形態）
第２の実施形態は、本発明をプラズマＣＶＤ装置に適用した場合の一例である。第２の実施形態が第１の実施形態と異なるところは、外壁体２が例えば石英で構成され、高周波電極ＲＦがその外側に設けられていることである。これにより、プラズマによる高周波電極ＲＦからの金属汚染を防止するとともに、後述するガス拡散室２２と処理空間１０との距離を長くすることで、いわゆるリモートプラズマ装置としても使用することができる。

図４はこの発明の第２の実施形態に係る縦型バッチ式処理装置の一例を概略的に示す水平断面図である。

図４に示すように、第２の実施形態に係る縦型バッチ式処理装置２００は、反応空間１０において使用されるプラズマを生成するプラズマ生成機構を備えている。

本例のプラズマ生成機構は、例えば、石英からなる外壁体２の外側に設けられた高周波電極ＲＦを有している。高周波電極ＲＦはゾーンＺ１〜Ｚ１２と外壁体２を挟むようにして広がる外側空間各々に配置されている。

本例においては、プラズマ生成方式の一例として、逆位相分割プラズマ方式を採用している。逆位相分割プラズマ方式においては、供給される高周波電力が互いに逆位相とされた２種類の高周波電極ＲＦ＋、ＲＦ−どうしを対向配置させ、高周波電極ＲＦ＋と高周波電極ＲＦ−とに挟まれたスリット２１を外壁体２から外側に突出させて設ける。スリット２１においては、電界を生じさせることが可能となる。そして、電界が生じさせることが可能なスリット２１にガス供給管１１に連通されるガス拡散室２２を配置する。ガス拡散室２２においては、高周波電極ＲＦ＋と高周波電極ＲＦ−とによって電界を印加することが可能になるため、ガス供給管１１を介してガス拡散室２２に供給された処理ガスを、ガス拡散室２２の内部においてプラズマ化することが可能となる。ガス拡散室２２の内部においてプラズマ化された処理ガスは、ガス吐出口１２を介して反応空間１０に向けて吐出される。

さらに、本例においては、同位相の高周波電極ＲＦ＋どうし、又は高周波電極ＲＦ−どうしを対向配置し、同位相の高周波電極ＲＦ＋どうし、又は高周波電極ＲＦ−どうしに挟まれたスリット２３を外壁体２から外側に突出させて設け、上記スリット２１とスリット２３とが外壁体２の全周に亘り等間隔で交互に設けられる。なお、本例においてもスリット２１とスリット２３は、ゾーンＺ１〜Ｚ１２のそれぞれの境界に設けられている。本例では、ゾーンＺ１、Ｚ２、Ｚ５、Ｚ６、Ｚ９、Ｚ１０と外壁体２を挟むように広がる外側空間に高周波電極ＲＦ＋を配置し、ゾーンＺ３、Ｚ４、Ｚ７、Ｚ８、Ｚ１１、Ｚ１２と外壁体２を挟むように広がる外側空間に高周波電極ＲＦ−を配置することで、スリット２３とスリット２１とを交互に設けるようにしている。同位相の高周波電極どうしに挟まれたスリット２３においては電界が生じない。そして、電界が生じないスリット２３にガス排気通路２４を配置する。反応空間１０に吐出されていたガスは、ガス排気口１４及びガス排気通路２４を介してガス排気管１３に排気される。

このように、電界が生じるスリット２１と、電界が生じないスリット２３とを交互に設け、ガス供給管１１に連通されるガス拡散室２２をスリット２１に配置し、ガス排気管１３に連通されるガス排気通路２４をスリット２３に配置する。これにより、例えば、逆位相分割プラズマ方式のプラズマＣＶＤ装置において、ガスの吐出及び排気を外壁体２の円周方向に沿って交互に行うことが可能となる。

このように、この発明は、熱ＣＶＤ装置に限らず、プラズマＣＶＤ装置及びリモートプラズマＣＶＤ装置にも適用することが可能である。

なお、第２の本実施形態においては、プラズマの生成方式として逆位相分割プラズマ方式を用いた例を示した。しかし、高周波電極ＲＦ＋、高周波電極ＲＦ−に印加される高周波の位相は１８０°異なる場合に限らず、その位相差は３０°〜１８０°の範囲で適用可能である。また、プラズマの生成方式は、逆位相分割プラズマ方式に限られることはなく、容量結合プラズマ方式、誘導結合プラズマ方式、及びマイクロ波プラズマ方式など、他のいかなるプラズマ生成方式を適用することも可能である。

（第３の実施形態）
第３の実施形態は、処理装置の変形例に関している。

（第１例）
図５はこの発明の第３の実施形態の第１例に係る縦型バッチ式処理装置の一例を概略的に示す縦断面図である。

図５に示すように、第３の実施形態の第１例に係る縦型バッチ式処理装置３００が、第１の実施形態と、特に異なるところは、第１の実施形態においては、回転ドラム５の内部に、半導体ウエハＷを加熱する加熱機構８を設けていたのに対し、第３の実施形態の第１例においては、サセプタ３、支持体４、及び回転ドラム５と加熱機構８とを互いに分離し、加熱機構８は回転しないようにしたことにある。このため、縦型バッチ式処理装置３００においては、第１の実施形態に比較して、外壁体２の中央部に挿入され、外壁体２に固定された円筒体３０と、円筒体３０の内部に設けられた加熱機構８とを、備えている。円筒体３０は、回転ドラム５の内側に回転ドラム５から離隔されて配置されている。本例では、回転ドラム５は、円筒体３０の外側表面を円筒体３０の円周方向に沿って回転する。

このような構成を備える第３の実施形態によれば、処理の間、サセプタ３上に支持された半導体ウエハＷが、加熱機構８の周囲を外壁体２の円周方向に沿って回転する。このため、例えば、半導体ウエハＷと加熱機構８の位置とが変わらない装置に比較して、半導体ウエハＷは、より均一に加熱される。

このように、ウエハＷが均一に加熱されることで、半導体ウエハＷの被処理面上における気相反応の制御性がさらに向上し、生産性がさらに向上する、という利点を得ることができる。

例えば、処理装置がＣＶＤ装置の場合には、半導体ウエハＷの温度は、例えば、最も成膜しやすい温度となるように制御されることが理想である。

しかし、実際には、複数の半導体ウエハＷ間には、温度バラツキがある。このため、温度バラツキがあっても設計通りの膜が成膜されるように、温度バラツキを考慮して、実際の成膜時間を長めに設定したり、温度バラツキに起因した膜厚ばらつきを小さく抑えるために、例えば、成膜温度を低く抑え、あえてゆっくりと成膜したり、することがある。

この点、本第１例に係る縦型バッチ式処理装置は、半導体ウエハＷの加熱の均一性が向上するので、複数の半導体ウエハＷ間の温度バラツキを、より小さくすることができる。このため、温度バラツキを考慮した成膜時間マージンをより短くすることが可能となる。また、温度バラツキに起因した膜厚バラツキを抑えるための成膜温度制御についても、より成膜しやすい成膜温度に近い温度に制御することも可能となる。例えば、これらのことから、本第１例によれば、成膜時間を短縮することができ、生産性をさらに向上させることができる。

なお、第３の実施形態の第１例に係る縦型バッチ式処理装置は、例えば、熱ＣＶＤ装置のような熱処理装置に適用されるばかりでなく、例えば、プラズマＣＶＤ装置のようなプラズマ処理装置に適用することも、もちろん可能である。

（第２例）
図６はこの発明の第３の実施形態の第２例に係る縦型バッチ式処理装置の一例を概略的に示す縦断面図である。

図６に示すように、第３の実施形態の第２例に係る縦型バッチ式処理装置４００が、図５に示した第１例と、特に異なるところは、冷却機構３１が、ガス供給管１１の、例えば、外側に設けられていることである。本例では、冷却機構３１が、ガス供給管１１の、例えば、外側周囲を取り巻くように設けられている。

このように、冷却機構３１は、第１の実施形態の冷却機構９のように外壁体２に設けられるばかりではなく、ガス供給管１１に設けるようにしても良い。冷却機構３１を、ガス供給管１１に設けることで、例えば、処理ガスの温度を調節することが可能となる。処理ガスの温度調節が可能となれば、半導体ウエハＷの被処理面上における気相反応の制御性を、さらに向上させることができる。例えば、処理ガスには、最も反応しやすく、膜になりやすくなる反応最適温度がある。処理ガスは、半導体ウエハＷの被処理面上に達したときに、反応最適温度となっていることが望ましい。しかしながら、例えば、加熱機構８による温度制御のみでは、処理ガスの温度を、反応最適温度に精度良く制御することは困難な場合がある。

このような場合、本第２例によれば、冷却機構３１をガス供給管１１にも、さらに設けているので、処理ガスの温度を、冷却機構３１によっても制御することが可能となる。このため、加熱機構８による温度制御のみで処理ガスの温度を制御する場合に比較して、半導体ウエハＷの被処理面上で、例えば、反応最適温度となるように、より精度良く制御することができる、という利点を得ることができる。

この結果、上記第１例同様、処理ガスの温度バラツキを考慮した成膜時間マージンを短縮することが可能となること、処理ガスの温度を反応しやすい温度により近い温度に制御可能なことから、本第２例においても、成膜時間を短縮することができ、生産性をさらに向上させることができる、という利点を得ることができる。

なお、本第２例においても、例えば、熱ＣＶＤ装置のような熱処理装置に適用されるばかりでなく、例えば、プラズマＣＶＤ装置のようなプラズマ処理装置に適用することも、可能である。

プラズマ処理装置、特に、第２の実施形態に示した逆位相分割プラズマ方式の場合には、ガス供給管１１に代えて、ガス拡散室２２を冷却機構３１によって冷却するようにしても良い。

また、本第２例においては、冷却機構３１を用いて、ガス供給管１１、又はガス拡散室２２を冷却する場合を説明したが、ガス排気管１３、又はガス排気通路２４、又はガス排気管１３及びガス排気通路２４の双方を冷却する冷却機構をさらに設け、これらを冷却するようにしても良い。この場合には、ガス排気管１３やガス排気通路２４などを冷却することができるので、ガス排気管１３やガス排気通路２４の内壁に堆積物が堆積することを抑制することができる。このため、パーティクルが反応空間１０へ逆流して半導体ウエハＷにパーティクル欠陥をもたらしてしまうような事情を解消することができる。

また、堆積物付着によるガス排気管１３やガス排気通路２４のコンダクタンスの経時変化についても、より小さく抑えることができる。このため、ガス排気管１３やガス排気通路を冷却しない場合に比較して、より長期間に及んで安定かつ精度のよい排気が可能となる、という利点についても得ることができる。

以上、この発明をいくつかの実施形態にしたがって説明したが、この発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で様々に変形することができる。

例えば、上記実施形態では、熱ＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置などのＣＶＤ装置を例示したが、ＣＶＤ装置に限らず、エッチング装置や、プラズマエッチング／アッシング装置、アニール装置などの熱的処理装置にも本発明は適用することができる。

さらに、ＣＶＤの方式にあっては、通常のＣＶＤ方式に限らず、原料ガスの吸着と吸着した原料ガスの反応とを繰り返しながら成膜するＡＬＤ-ＣＶＤ法にも適用することができる。

例えば、ＡＬＤ-ＣＶＤ法に本発明を適用した場合には、外壁体２の円周方向に沿って処理ガスの吐出と排気とを交互に繰り返す、という構成を利用して、例えば、半導体ウエハＷが反応空間１０の内部を所定の回転数だけ回転したら、１つの成膜が完了する、という構成としても良い。例えば、シリコン酸化膜をＡＬＤ-ＣＶＤ法を用いて成膜する場合には、“シリコン原料ガスの吐出→排気→酸化剤ガスの吐出→排気→シリコン原料ガスの吐出→排気→酸化剤ガスの吐出→…”、を繰り返し、所定数回転したら１つの成膜が完了する、のように構成すれば良い。

また、上記実施形態では、例えば、図３に示したように、サセプタ３を、外壁体２の底部から出し入れする装置を例示したが、天地を反対とし、サセプタ３を、外壁体２の天井部から出し入れするようにしてもかまわない。
その他、この発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々に変形することができる。

２…外壁体、２ａ…外壁体の内側面、３…サセプタ、３ａ…サセプタの鉛直側面、８…加熱機構、９、３１…冷却機構、１０…反応空間、Ｚ１〜Ｚ１２…ゾーン、ＲＦ＋、ＲＦ−…高周波電極。

Claims (10)

1. 円筒状の外壁体と、
   前記外壁体の内側に挿入され、前記外壁体の内側面に対向する鉛直側面に、複数の被処理体を前記外壁体の内側面に対向させて支持する多角柱状のサセプタと、を備え、
   前記外壁体の内側面と前記サセプタの鉛直側面との間の空間を環状の反応空間とする縦型バッチ式処理装置であって、
   前記環状の反応空間を前記外壁体の円周方向に沿って複数のゾーンに分割し、
   前記複数のゾーンそれぞれにおいて、ガスの吐出と排気とを前記外壁体の円周方向に沿って交互に行うように構成されていることを特徴とする縦型バッチ式処理装置。
2. 前記サセプタの鉛直側面と前記外壁体の内側面との間のギャップが、数十ｍｍオーダーの幅に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の縦型バッチ式処理装置。
3. 前記反応空間において使用される前記ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構を、さらに備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の縦型バッチ式処理装置。
4. 前記プラズマ生成機構は、前記外壁体の外側に、前記複数のゾーンの各々に配置された複数の高周波電極を有し、
   前記複数の高周波電極うち、供給される高周波電力が互いに逆位相とされた高周波電極どうしを対向配置し、これら高周波電極に挟まれた部分において、前記ガスのプラズマを生成するように構成されていることを特徴とする請求項３に記載の縦型バッチ式処理装置。
5. 前記被処理体を加熱する加熱機構を、さらに備えることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の縦型バッチ式処理装置。
6. 前記サセプタは、前記外壁体の内側で、前記外壁体の円周方向に沿って回転可能に構成されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の縦型バッチ式処理装置。
7. 前記サセプタは、前記外壁体の内側で、前記加熱機構の周囲を前記外壁体の円周方向に沿って回転可能に構成されていることを特徴とする請求項５に記載の縦型バッチ式処理装置。
8. 前記外壁体に、前記外壁体を冷却する第１の冷却機構が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の縦型バッチ式処理装置。
9. 前記反応空間に前記ガスを供給するガス供給管、又は前記反応空間に供給される前記ガスを拡散させるガス拡散室を備え、
   前記ガス供給管、又は前記ガス拡散室に、前記ガス供給管、又は前記ガス拡散室を冷却する第２の冷却機構が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の縦型バッチ式処理装置。
10. 前記反応空間から前記ガスを排気するガス排気管、又はガス排気通路、又は前記ガス排気管及び前記ガス排気通路を冷却する第３の冷却機構が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の縦型バッチ式処理装置。

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