KR101196538B1 - 처리 장치 및 처리 방법 - Google Patents

처리 장치 및 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101196538B1
KR101196538B1 KR1020090004834A KR20090004834A KR101196538B1 KR 101196538 B1 KR101196538 B1 KR 101196538B1 KR 1020090004834 A KR1020090004834 A KR 1020090004834A KR 20090004834 A KR20090004834 A KR 20090004834A KR 101196538 B1 KR101196538 B1 KR 101196538B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
induction heating
heating element
processing container
processing apparatus
processing
Prior art date
Application number
KR1020090004834A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090080900A (ko
Inventor
이꾸오 사와다
히로유끼 마쯔우라
도시끼 다까하시
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20090080900A publication Critical patent/KR20090080900A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101196538B1 publication Critical patent/KR101196538B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • General Induction Heating (AREA)

Abstract

처리 장치는 피처리체(W)에 대해 열처리를 실시한다. 처리 장치는 복수의 피처리체(W)를 수용할 수 있는 처리 용기(22)와, 처리 용기(22)의 외측에 설치된 유도 가열용 코일부(104)와, 유도 가열용 코일부(104)에 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원(110)과, 처리 용기(22) 내로 가스를 도입하는 가스 공급부(90)와, 처리 용기(22) 내에서 피처리체(W)를 보유 지지하는 보유 지지부(24)와, 유도 가열용 코일부(104)로부터의 고주파에 의해 유도 가열되어 피처리체(W)를 가열하는 유도 발열체(N)를 구비하고 있다. 유도 발열체(N)에는 당해 유도 발열체(N)에 발생하는 와전류의 흐름을 제어하기 위한 절입 형상의 홈부가 형성되어 있다.
유도 발열체, 유도 가열용 코일부, 고주파 전원, 가스 공급부

Description

처리 장치 및 처리 방법 {PROCESSING APPARATUS AND PROCESSING METHOD}
본원은 2008년 1월 22일에 출원된 일본 특허 출원 제2008-012000호에 대해 우선권을 주장하고, 당해 일본 특허 출원 제2008-012000호의 모든 내용이 참조되어 여기에 포함되는 것으로 한다.
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 피처리체의 표면에 박막을 퇴적시키는 성막 처리 등의 각종 열처리를 실시하는 처리 장치 및 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 집적 회로를 제조하기 위해서는 실리콘 기판 등으로 이루어지는 반도체 웨이퍼에 대해 성막 처리, 에칭 처리, 산화 처리, 확산 처리, 개질 처리 등의 각종 열처리가 행해진다. 상기 각종 열처리 중에서, 예를 들어 성막 처리를 예로 들면, 이러한 종류의 성막 처리는 예를 들어 일본 특허 출원 공개 평8-44286호 공보, 일본 특허 출원 공개 평9-246257호 공보, 일본 특허 출원 공개 제2002-9009호 공보, 일본 특허 출원 공개 제2006-54432호 공보, 및 일본 특허 출원 공개 제2006-287194호 공보에 개시되어 있는 바와 같은 예를 들어 뱃치(batch)식의 성막 장치 내에서 행해진다. 구체적으로는, 도20에 도시한 바와 같이 종형의 석영제의 처리 용기(2) 내에, 피처리체인 반도체 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보트(4)에 다단으 로 지지시킨 상태에서 이를 수용하고, 상기 처리 용기(2)를 둘러싸도록 하여 설치한 원통 형상의 가열 수단(6)에서 웨이퍼(W)를 소정 온도, 예를 들어 600 내지 700 ℃ 정도로 가열한다.
그리고, 가스 공급부(8)로부터 각종 필요한 가스, 예를 들어 성막 처리라면 성막용 가스를 처리 용기(2) 내로 이 하부로부터 공급하면서 처리 용기(2)의 천장부에 설치한 배기구(10)로부터 진공 배기계(12)에서 처리 용기(2) 내를 진공화하여, 소정 압력으로 내부 분위기를 유지하여 성막 처리 등의 각종 열처리를 행한다.
그런데, 상술한 바와 같은 종래의 처리 장치에 있어서는, 처리 용기(2)의 외주측에 가열 수단(6)을 설치하여 줄(joule) 열로 가열하도록 하고 있으므로, 처리 용기(2) 내의 웨이퍼(W)를 가열하기 위해서는 비교적 열용량이 큰 석영제의 처리 용기(2) 자체도 필연적으로 가열해야만 한다. 이로 인해, 처리 용기(2)의 가열을 위한 소비 에너지가 대폭으로 증대해 버리는 등의 문제가 있었다.
또한, 상술한 바와 같이 처리 용기(2) 자체도 고온에 노출되므로, 예를 들어 성막 처리의 경우에는 고온의 웨이퍼(W)의 표면뿐만 아니라, 고온 상태가 되는 처리 용기(2)의 내벽면에도 불필요한 부착막이 퇴적하기 쉬워져, 이 불필요한 부착막이 파티클의 발생원이 되거나, 이 불필요한 부착막 때문에 클리닝 사이클이 짧아지는 등의 문제도 있었다.
또한, 반도체 소자의 정션 등의 미세화에 의해 불순물의 불필요한 확산을 방지할 필요로부터 웨이퍼(W)의 열처리시에 있어서의 웨이퍼(W)에 대한 고속 승온 및 고속 강온이 요구되고 있지만, 상술한 바와 같이 열용량이 큰 처리 용기(2)도 동시 에 승온 및 강온시켜야만 하므로, 웨이퍼(W)의 고속 승온 및 고속 강온을 행하는 것이 매우 곤란한 등의 문제도 있었다.
본 발명은 이상과 같은 문제점에 착안하여, 이를 유효하게 해결하기 위해 창안된 것이다. 본 발명의 목적은, 유도 가열을 사용함으로써 처리 용기 자체를 가열하지 않고 피처리체를 가열하도록 하고, 이에 의해 소비 에너지를 억제하고, 처리 용기의 내면에 불필요한 부착막 등이 퇴적하는 것을 방지하고, 또한 피처리체의 고속 승온 및 고속 강온이 가능한 처리 장치 및 처리 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제1 형태에 의한 처리 장치는,
피처리체에 대해 열처리를 실시하는 처리 장치에 있어서,
복수의 상기 피처리체를 수용할 수 있는 처리 용기와,
상기 처리 용기의 외측에 설치된 유도 가열용 코일부와,
상기 유도 가열용 코일부에 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원과,
상기 처리 용기 내로 가스를 도입하는 가스 공급부와,
상기 처리 용기 내에서 상기 피처리체를 보유 지지하는 보유 지지부와,
상기 유도 가열용 코일부로부터의 고주파에 의해 유도 가열되어 상기 피처리체를 가열하는 유도 발열체를 구비하고,
상기 유도 발열체에, 상기 유도 발열체에 발생하는 와전류의 흐름을 제어하기 위한 절입 형상의 홈부가 형성되어 있다.
본 발명의 제1 형태에 의한 처리 장치에 있어서,
상기 유도 가열용 코일부는 상기 처리 용기의 외주에 권취되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 제1 형태에 의한 처리 장치에 있어서,
상기 유도 가열용 코일부는 상기 보유 지지부에 의해 보유 지지되는 것이 바람직하다.
이와 같은 처리 장치에 있어서,
상기 보유 지지부는 상기 피처리체와 상기 유도 발열체를 보유 지지한 상태에서 상기 처리 용기 내에 삽입 분리 가능해지는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같은 처리 장치에 있어서,
상기 보유 지지부는 상기 피처리체와 상기 유도 발열체를 교대로 배치한 상태에서 보유 지지하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제1 형태에 의한 처리 장치에 있어서,
상기 유도 가열용 코일부는 금속제 파이프를 갖고,
상기 금속제 파이프는 상기 금속제 파이프 내에 냉매를 흐르게 하기 위한 냉각기에 접속되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 제1 형태에 의한 처리 장치에 있어서,
상기 피처리체는 원판 형상으로 이루어지고,
상기 유도 발열체는 상기 피처리체보다도 직경이 큰 원판 형상으로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명의 제1 형태에 의한 처리 장치에 있어서,
상기 피처리체와 상기 유도 발열체가 서로 접근 가능하게 되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 제1 형태에 의한 처리 장치에 있어서,
상기 유도 발열체는 판 형상으로 이루어지고,
상기 홈부는 상기 유도 발열체의 에지로부터 중심 방향을 향해 형성되어 있는 것이 바람직하다.
이와 같은 처리 장치에 있어서,
상기 홈부는 복수개 형성되는 동시에, 상기 유도 발열체의 둘레 방향을 따라 등간격으로 배치되어 있는 것이 바람직하다.
이와 같은 처리 장치에 있어서,
상기 홈부는 길이에 따라서 복수의 그룹으로 나누어지고,
각 그룹 내에 있어서, 홈부의 각각은 상기 유도 발열체의 둘레 방향을 따라 등간격으로 배치되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 제1 형태에 의한 처리 장치에 있어서,
상기 홈부의 선단부에 열응력에 의한 깨짐을 방지하기 위한 작은 구멍이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 제2 형태에 의한 처리 장치는,
피처리체에 대해 열처리를 실시하는 처리 장치에 있어서,
복수의 상기 피처리체를 수용할 수 있는 처리 용기와,
상기 처리 용기의 외측에 설치된 유도 가열용 코일부와,
상기 유도 가열용 코일부에 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원과,
상기 처리 용기 내로 가스를 도입하는 가스 공급부와,
상기 처리 용기 내에서 상기 피처리체를 보유 지지하는 보유 지지부와,
상기 유도 가열용 코일부로부터의 고주파에 의해 유도 가열되어 상기 피처리체를 가열하는 유도 발열체를 구비하고,
상기 유도 발열체가 복수의 피스로 분할되어 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
본 발명의 제1 및 제2 형태에 의한 처리 장치에 있어서,
상기 유도 발열체의 전기 전도율은 200 내지 20000 S/m의 범위 내인 것이 바람직하다.
본 발명의 제1 및 제2 형태에 의한 처리 장치에 있어서,
상기 유도 발열체의 적어도 상기 피처리체에 대향하는 면에 균열판이 접합되어 있는 것이 바람직하다.
이와 같은 처리 장치에 있어서,
상기 균열판은 상기 유도 발열체보다도 전기 전도율이 낮고, 또한 상기 유도 발열체보다도 열전도율이 높은 재료로 이루어지는 것이 바람직하다.
이와 같은 처리 장치에 있어서,
상기 균열판은 실리콘, 질화알루미늄(AlN), 알루미나(Al2O3), 탄화규소(SiC)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나의 재료로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명의 제1 및 제2 형태에 의한 처리 장치에 있어서,
상기 유도 발열체는 도전성 세라믹재, 그라파이트, 글래스상 탄소, 도전성 석영, 도전성 실리콘으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 이상의 재료로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명의 제1 형태에 의한 처리 방법은,
피처리체에 열처리를 실시하는 처리 방법에 있어서,
상기 피처리체와, 절입 형상의 홈부가 형성된 유도 발열체를 보유 지지한 보유 지지부를 처리 용기 내에 삽입하는 공정과,
상기 처리 용기 내로 가스를 도입하는 동시에, 상기 처리 용기의 외주에 권취한 유도 가열용 코일부로부터 고주파를 가함으로써 상기 유도 발열체를 유도 가열하고, 이와 같이 가열된 상기 유도 발열체에 의해 상기 피처리체를 가열하여 열처리를 실시하는 공정을 구비하고,
상기 유도 발열체가 유도 가열될 때에 발생하는 와전류의 흐름이 상기 유도 발열체에 형성된 절입 형상의 홈부에 의해 제어된다.
본 발명의 제1 형태에 의한 처리 방법에 있어서,
상기 보유 지지부는 상기 피처리체와 상기 유도 발열체를 교대로 배치한 상태에서 보유 지지하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제1 형태에 의한 처리 방법에 있어서,
상기 피처리체와 상기 유도 발열체를 서로 접근 또는 이격시키는 공정을 더 구비한 것이 바람직하다.
본 발명의 제2 형태에 의한 처리 방법은,
피처리체에 열처리를 실시하는 처리 방법에 있어서,
절입 형상의 홈부가 형성된 유도 발열체가 설치된 처리 용기 내에 상기 피처리체를 보유 지지부에 의해 보유 지지한 상태로 삽입하는 공정과,
상기 처리 용기 내로 가스를 도입하는 동시에, 상기 처리 용기의 외측에 설치된 유도 가열용 코일부로부터 고주파를 가함으로써 상기 유도 발열체를 유도 가열하고, 이와 같이 가열된 상기 유도 발열체에 의해 상기 피처리체를 가열하여 열처리를 실시하는 공정을 구비하고,
상기 유도 발열체가 유도 가열될 때에 발생하는 와전류의 흐름이 상기 유도 발열체에 형성된 절입 형상의 홈부에 의해 제어된다.
본 발명에 관한 처리 장치 및 처리 방법에 따르면, 다음과 같이 우수한 작용 효과를 발휘할 수 있다.
처리 용기의 외측에 설치된 유도 가열용 코일부로부터의 고주파에 의해 처리 용기 내에 설치한 유도 발열체를 유도 가열하고, 이 유도 가열된 유도 발열체에 접근시켜 피처리체를 배치함으로써 피처리체를 가열할 수 있다.
따라서, 상술한 바와 같이 유도 가열을 사용함으로써 처리 용기 자체를 가열하지 않고 피처리체를 가열하도록 하고, 이에 의해 소비 에너지를 억제하여 처리 용기의 내면에 불필요한 부착막 등이 퇴적하는 것을 방지하고, 또한 피처리체의 고속 승온 및 고속 강온을 행할 수 있다.
또한, 유도 발열체에는, 이에 발생하는 와전류의 흐름을 제어하기 위한 절입 형상의 홈부를 마련함으로써 와전류를 유도 발열체의 전체면을 향해 흐르도록 하였으므로, 이 유도 발열체에 의해 가열되는 피처리체의 면내 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다.
이하에, 본 발명에 관한 처리 장치 및 처리 방법의 적합한 일 실시 형태를 첨부 도면을 참조하여 설명한다.
도1은 본 발명에 관한 처리 장치의 제1 실시 형태를 나타내는 구성도, 도2는 처리 용기를 도시하는 단면도, 도3은 피처리체와 유도 발열체를 지지하는 보유 지지부의 동작을 도시하는 동작 설명도, 도4는 처리 용기의 하단부의 회전 기구를 도시하는 확대 단면도이다. 여기서는 열처리로서 예를 들어 성막 처리를 예로 들어 설명한다.
도1에 도시한 바와 같이, 이 처리 장치(20)는 하단부가 개방되어 상하 방향에 소정의 길이를 갖고 원통체 형상으로 이루어진 종형의 처리 용기(22)를 갖고 있다. 이 처리 용기(22)는 예를 들어 내열성이 높은 석영을 사용할 수 있다.
이 처리 용기(22)의 하방보다 복수매의 피처리체로서의 원판 형상의 반도체 웨이퍼(W)와 본 발명의 특징으로 하는 복수의 유도 발열체(N)를 각각 복수단에 걸쳐서 소정의 피치로 적재한 보유 지지부(24)가 승강 가능하게 삽입 분리 자유롭게 되어 있다. 상기 보유 지지부(24)의 삽입 후에는, 상기 처리 용기(22)의 하단부의 개구부는, 예를 들어 석영이나 스테인레스판으로 이루어지는 덮개부(26)에 의해 막 혀 밀폐된다. 이때, 처리 용기(22)의 하단부와 덮개부(26) 사이에는, 기밀성을 유지하기 위해 예를 들어 O링 등의 밀봉 부재(28)가 개재된다. 이 덮개부(26) 및 상기 보유 지지부(24) 전체는, 예를 들어 보트 엘리베이터 등의 승강 기구(30)에 설치된 아암(32)의 선단부에 지지되어 있고, 보유 지지부(24) 및 덮개부(26)를 일체적으로 승강할 수 있도록 되어 있다.
여기서 본 실시 형태에 있어서는, 상기 보유 지지부(24)는 상기 반도체 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 제1 보유 지지 보트(제1 보유 지지부)(34)와 상기 유도 발열체(N)를 보유 지지하는 제2 보유 지지 보트(제2 보유 지지부)(36)를 갖고 있다. 구체적으로는, 우선 상기 제1 보유 지지 보트(34)는 전체가 예를 들어 내열 재료인 석영으로 구성되어 있다. 이 제1 보유 지지 보트(34)는 원형 링 형상으로 이루어진 천장판(38)과 원형 링 형상으로 이루어진 바닥판(40) 사이에, 도2에도 도시한 바와 같이 3개(도1에서는 2개만 기록함)의 지지 기둥(42A, 42B, 42C)을 걸쳐서 구성되어 있다.
상기 3개의 지지 기둥(42A 내지 42C)은 도2에 도시한 바와 같이 평면 내의 반원호의 영역 내를 따라 등간격으로 배치되어 있고, 그 반대의 반원호측으로부터 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 포크(도시 생략)를 사용하여 웨이퍼(W)를 반출입시키도록 되어 있다. 상기 각 지지 기둥(42A 내지 42C)의 내측에는, 도3에도 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)의 주연부를 보유 지지하기 위해 단차부 형상으로 이루어진 홈부(44)가 등피치로 그 길이 방향을 따라 형성되어 있고, 이 각 홈부(44)에 웨이퍼(W)의 주연부를 지지시켜 복수매, 예를 들어 10매 내지 55매 정도의 웨이퍼(W)를 다단으로 등피치로 지지할 수 있도록 되어 있다.
한편, 상기 제2 지지 보트(36)는 평면 방향에 있어서 상기 제1 지지 보트(34)보다도 한치수 크게 형성되어, 상기 제1 지지 보트(34)의 주변을 둘러싸도록 하여 설치되어 있다. 이 제2 지지 보트(36)도 상기 제1 보유 지지 보트(34)와 마찬가지로 형성되어 있다. 즉, 상기 제2 보유 지지 보트(36)는 전체가 예를 들어 내열 재료인 석영으로 구성되어 있다. 이 제2 보유 지지 보트(36)는 원형 링 형상으로 이루어진 천장판(46)과 원형 링 형상으로 이루어진 바닥판(48) 사이에, 도2에도 도시한 바와 같이 3개(도1에서는 2개만 기록함)의 지지 기둥(50A, 50B, 50C)을 걸쳐서 구성되어 있다.
상기 3개의 지지 기둥(50A 내지 50C)은 도2에 도시한 바와 같이 평면 내의 반원호의 영역 내를 따라 등간격으로 배치되어 있고, 그 반대의 반원호측으로부터 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 포크(도시 생략)를 사용하여 유전 발열체(N)를 반출입시키도록 되어 있다. 상기 각 지지 기둥(50A 내지 50C)의 내측에는, 도3에도 도시한 바와 같이 유전 발열체(N)의 주연부를 보유 지지하기 위해 단차부 형상으로 이루어진 홈부(52)가 등피치로 그 길이 방향을 따라 형성되어 있고, 이 각 홈부(52)에 유전 발열체(N)의 주연부를 지지시켜 복수매, 예를 들어 15 내지 60매 정도의 유전 발열체(N)를 다단으로 등피치로 지지할 수 있도록 되어 있다.
여기서 상기 유도 발열체(N)는 고주파에 의해 유도 가열을 야기할 수 있고, 또한 열전도율이 양호한 재료, 예를 들어 SiC 등의 도전성 세라믹재를 사용할 수 있다. 이 유도 발열체(N)는 반도체 웨이퍼(W)와 같은 원판 형상으로 성형되어 있 고, 직경은 상기 웨이퍼(W)보다도 크게 설정되어 있다. 예를 들어 웨이퍼(W)의 직경이 300 ㎜일 때는, 이 유도 발열체(N)의 직경은 320 내지 340 ㎜ 정도로 설정되어 있다. 이 경우, 이 유도 발열체(N)에는, 후술하는 바와 같이 이 유도 발열체(N)에 발생하는 와전류의 흐름을 제어하기 위한 절입 형상의 홈부를 형성하는 것이 좋다.
여기서, 도3의 (A)는 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 때의 위치 관계를 나타내고 있다. 도3의 (A)의 상기 웨이퍼(W)와 유도 발열체(N)는 교대로 배치되어 있는 동시에, 예를 들어 각 웨이퍼(W)와, 이것의 상하에 인접하는 유도 발열체(N)의 간격은 대략 동일하게 설정되어, 포크에 의한 웨이퍼(W)의 반출입을 행하기 쉽게 하고 있다. 여기서 웨이퍼(W) 사이의 피치 P1 및 유도 발열체(N) 사이의 피치 P2는 각각 30 내지 40 ㎜ 정도이다. 또한 유도 발열체(N)의 두께 H1은 2 내지 10 ㎜ 정도이다. 여기서, 상기 웨이퍼(W)와 유도 발열체(N)의 교대 배열의 상하 단부는 유도 발열체(N)로 종단하도록 하고, 최상부 및 최하부에 위치하는 웨이퍼의 열적 조건을 다른 부분에 위치하는 웨이퍼와 동등해지도록 한다.
이와 같이, 구성된 보유 지지부(24)는 하단부의 덮개부(26)에 설치한 회전 기구(54)에 의해 회전 가능하게 이루어지는 동시에, 상기 제1 및 제2 보유 지지 보트(34, 36)는 서로 상하 방향으로 상대 이동 가능하게 되어 있다. 구체적으로는, 도4에도 도시한 바와 같이 상기 회전 기구(54)는 상기 덮개부(26)의 중앙부로부터 하방으로 신장하는 원통 형상의 고정 슬리브(56)를 갖고 있고, 이 고정 슬리브(56) 내는 처리 용기(22) 내에 연통되어 있다. 이 고정 슬리브(56)의 외주에는, 베어 링(58)을 통해 원통 형상의 회전체(60)가 회전 가능하게 설치되어 있고, 이 회전체(60)에는 도시하지 않은 구동원에 의해 주행 구동되는 구동 벨트(62)가 걸쳐져 이 회전체(60)를 회전하도록 되어 있다.
또한 상기 베어링(58)의 하부에 있어서, 상기 고정 슬리브(56)와 회전체(60) 사이에는 자성 유체 밀봉부(59)가 개재 설치되어 있어, 상기 처리 용기(22) 내의 기밀성을 유지하도록 되어 있다. 상기 고정 슬리브(56) 내에는 마찬가지로 원통 형상으로 이루어진 중공 회전축(64)이 고정 슬리브(56)로부터 약간 간극을 두고 삽입 관통되어 있다. 그리고, 이 중공 회전축(64)의 상단부에는 중앙부가 개방된 회전 테이블(66)이 설치 고정되어 있다. 그리고, 이 회전 테이블(66) 상에 원통 형상으로 이루어진 예를 들어 석영제의 보온통(68)을 통해 상기 제2 보유 지지 보트(36)의 바닥판(48)을 설치하여 이 제2 보유 지지 보트(36)를 지지하도록 되어 있다.
또한, 이 중공 회전축(64)의 하단부는 연결 부재(70)를 통해 상기 회전체(60)의 하단부에 연결되어 있고, 이 회전체(60)와 일체적으로 회전하도록 되어 있다. 또한, 상기 중공 회전축(64) 내에는, 원기둥 형상의 중심 회전축(72)이 중공 회전축(64)보다 약간의 간극을 두고 삽입 관통되어 있다. 그리고, 이 중심 회전축(72)의 상단부에는 회전 테이블(74)이 설치 고정되어 있다. 그리고, 이 회전 테이블(74) 상에 원통 형상으로 이루어진 예를 들어 석영제의 보온통(76)을 통해 상기 제1 보유 지지 보트(34)의 바닥판(40)을 설치하여 이 제1 보유 지지 보트(34)를 지지하도록 되어 있다. 그리고, 상기 중심 회전축(72)의 하단부는 승강 구동 판(78)에 연결되어 있다.
또한, 상기 회전체(60)로부터는 하방향으로 복수개의 안내 로드(80)가 신장되어 있고, 이 안내 로드(80)는 상기 승강 구동판(78)에 마련한 안내 구멍(82) 내에 삽입 관통되어 있다. 그리고, 이 안내 로드(80)의 하단부는 베이스판(84)에 연결 고정되어 있다. 이 베이스판(84)의 중심에는, 예를 들어 에어 실린더 등으로 이루어지는 액추에이터(86)가 설치되고, 상기 승강 구동판(78)을 상하 방향으로 소정의 스트로크만큼 승강시키도록 되어 있다. 따라서, 이 액추에이터(86)를 구동함으로써, 중심 회전축(72) 등과 함께 제1 보유 지지 보트(34)를 상하 방향으로 승강 이동할 수 있게 된다. 여기서, 이 스트로크량은 20 내지 30 ㎜ 정도이다. 또한, 제1 보유 지지 보트(34) 대신에, 제2 보유 지지 보트(36)를 승강 이동시키도록 해도 좋고, 어떻든간에 양 보트(34, 36)가 상대적으로 승강 이동할 수 있으면 된다.
이와 같이, 제1 보유 지지 보트(34)를 승강 이동시킴으로써, 도3의 (B)에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)의 이면측에 상기 유도 발열체(N)를 접근시킬 수 있도록 되어 있다. 이때의 양자간의 간극 H2는 2 내지 16 ㎜ 정도이다. 또한, 상기 승강 구동판(78)과 상기 연결 부재(70) 사이에는 상기 중심 회전축(72)의 주위를 덮도록 하여 신축 가능한 벨로우즈(89)가 설치되어 있어, 상기 처리 용기(22) 내의 기밀성을 유지하면서 중심 회전축(72)의 상하 이동을 허용하도록 되어 있다.
여기서 도1로 복귀하여, 상기 처리 용기(22)의 하부에는 이 처리 용기(22) 내로 열처리에 필요한 가스를 도입하는 가스 공급부(90)가 설치되어 있다. 구체적으로는, 상기 가스 공급부(90)는 상기 처리 용기(22)의 측벽을 관통한 제1 가스 노 즐(92) 및 제2 가스 노즐(94)을 갖고 있다. 상기 제1 및 제2 가스 노즐(92, 94)은, 예를 들어 석영으로 이루어지고, 각 가스 노즐(92, 94)에는 각각 가스 통로(96, 98)가 접속되어 있다. 이 각 가스 통로(96, 98)에는, 개폐 밸브(96A, 98A) 및 매스 플로우 컨트롤러와 같은 유량 제어기(96B, 98B)가 각각 순차 개재 설치되어 있고, 성막에 필요한 제1 가스 및 제2 가스를 각각 유량 제어하면서 도입할 수 있도록 되어 있다. 또한, 가스종 및 가스 노즐은 필요에 따라서 더 설치할 수 있는 것은 물론이다.
또한, 상기 처리 용기(22)의 천장부에는 횡방향으로 L자 형상으로 굴곡시킨 배기구(100)가 설치된다. 이 배기구(100)에는 처리 용기(22) 내를 배기하는 배기계(102)가 접속되어 있다. 구체적으로는, 상기 배기계(102)의 배기 통로(102A)에는 버터플라이 밸브와 같은 압력 제어 밸브(102B) 및 배기 펌프(102C)가 각각 순차 개재 설치되어 있다. 또한, 처리의 종류에 따라서는, 저압의 진공 상태로부터 대기압 정도의 압력으로 처리를 행하는 경우가 있고, 이에 대응하여 상기 배기계(102)에 의해 고진공으로부터 대기압의 근방까지 처리 용기(22) 내의 압력을 제어할 수 있도록 되어 있다.
그리고, 상기 처리 용기(22)에는 본 발명이 특징으로 하는 유도 가열용 코일부(104)가 설치되어 있다. 구체적으로는, 이 유도 가열용 코일부(104)는 상기 처리 용기(22)의 외주에 권취된 금속제 파이프(106)를 갖고 있다. 이 금속제 파이프(106)는 처리 용기(22)의 외주에 그 상하 방향으로 나선 형상으로 권취하고 있고, 높이 방향에 있어서의 그 권취 영역은 웨이퍼(W)의 수용 영역보다도 상하 방향 으로 길게 연장되어 있다. 이 금속제 파이프(106)의 권취 형태는, 도1에 도시한 바와 같이 상하 방향으로 약간 간극을 마련하도록 권취해도 좋고, 혹은 간극을 마련하지 않고 밀하게 권취하도록 해도 좋다. 이 금속제 파이프(106)로서는 예를 들어 구리관 등을 사용할 수 있다.
그리고, 이 금속제 파이프(106)의 상하 양단부측에는 급전(給電) 라인(108)이 접속되어 있고, 이 급전 라인(108)의 선단부는 고주파 전원(110)에 접속되어 상기 금속제 파이프(106)의 고주파 전력을 인가하도록 되어 있다. 또한, 이 급전 라인(108)의 도중에는, 임피던스 정합을 행하는 매칭 회로(112)가 개재 설치되어 있다.
상술한 바와 같이, 금속제 파이프(106)로 이루어지는 유도 가열용 코일부(104)에 고주파 전력을 인가함으로써, 이 유도 가열용 코일부(104)로부터 방사되는 고주파는 처리 용기(22)의 측벽을 투과하여 내부에 이르고, 제2 보유 지지 보트(36)에 지지되어 있는 유도 발열체(N)에 과전류를 발생시켜, 이를 발열 내지 가열시킬 수 있도록 되어 있다. 이 고주파 전원(110)의 고주파의 주파수는, 예를 들어 0.5 ㎑ 내지 50 ㎑의 범위 내, 바람직하게는 1 ㎑ 내지 5 ㎑의 범위 내로 설정된다.
이 주파수가 0.5 ㎑보다도 작은 경우에는, 효과적으로 유도 가열을 할 수 없게 되고, 또한 50 ㎑보다도 큰 경우에는 표피 효과가 너무 커져 유도 발열체(N)의 주연부만이 가열되어 웨이퍼(W)의 면내 온도의 균일성이 대폭으로 저하되어 버린다.
또한 상기 금속제 파이프(106)의 양단부로부터는, 매체 통로(114)가 연장되어 있고, 이 매체 통로(114)에는 냉각기(116)가 접속되어, 냉매를 상기 금속제 파이프(38) 내로 흐르게 하여 이를 냉각할 수 있도록 되어 있다. 이 냉매로서는, 예를 들어 냉각수를 사용할 수 있다.
그리고, 이 장치 전체의 동작은 예를 들어 컴퓨터 등으로 이루어지는 제어 수단(120)에 의해 제어된다. 그리고, 이 제어 수단(120)은 이 장치 전체의 동작을 제어하기 위한 프로그램을 기억하기 위한 기억 매체(122)를 갖고 있다. 이 기억 매체(122)는 플렉시블 디스크, CD(Compact Disc), CD-ROM, 하드 디스크, 플래시 메모리 혹은 DVD 등으로 이루어진다.
다음에, 이상과 같이 구성된 처리 장치(20)를 사용하여 행해지는 성막 방법(열처리)에 대해 설명한다. 상술한 바와 같이, 이하에 설명하는 동작은 상기 기억 매체(122)에 기억된 프로그램을 기초로 하여 행해진다.
우선, 처리 용기(22) 내로부터 제1 보유 지지 보트(34)와 제2 보유 지지 보트(36)로 이루어지는 보유 지지부(24)를 하방으로 강하시켜서 언로드한 상태에서, 도시하지 않은 이동 적재 포크를 사용하여 상기 보유 지지부(24)의 제1 보유 지지 보트(34)에 대해 미처리의 웨이퍼(W)를 이동 적재하고 보유 지지시킨다.
이 경우, 제1 및 제2 보유 지지 보트(34, 36)의 상하 방향에 있어서의 위치 관계는 도3의 (A)에 도시한 바와 같이 되어 있고, 웨이퍼(W)와, 이에 상하 방향으로 인접하는 유도 발열체(N) 사이는 넓어져, 웨이퍼(W)의 이동 적재가 행하기 쉽도록 되어 있다. 여기서, 상기 유도 발열체(N)는 제2 보유 지지 보트(36)에 도시하 지 않은 포크를 사용하여 미리 매립되어 지지되어 있다. 또한, 이 유도 발열체(N)는 예를 들어 웨이퍼의 수 뱃치(batch) 처리에 걸쳐서 지지된 상태로 되어 있고, 예를 들어 처리 용기(22) 내의 드라이 클리닝과 함께 클리닝되게 된다.
이와 같이 하여, 웨이퍼(W)의 이동 적재가 완료되어 웨이퍼(W)와 유도 발열체(N)가 도3의 (A)에 도시한 바와 같이 교대로 배열된 상태가 되면, 승강 기구(30)를 구동함으로써 상기 보유 지지부(24)를 상승시켜, 이를 처리 용기(22)의 하단부 개구부로부터 처리 용기(22) 내로 로드한다. 그리고, 이 처리 용기(22)의 하단부 개구부를 덮개부(26)에 의해 기밀하게 밀봉하여 처리 용기(22) 내를 밀폐 상태로 한다.
다음에, 상기 보유 지지부(24)의 하부의 회전 기구(54)에 설치한 액추에이터(86)를 구동하여, 승강 구동판(78) 및 이에 연결된 중심 회전축(72)(도4 참조)을 하방향으로 소정의 스트로크만큼 강하시킨다. 이에 의해, 상기 중심 회전축(72)의 상단부의 회전 테이블(74) 상에 보온통(76)을 통해 설치되어 있는 제1 보유 지지 보트(34)를, 도3의 (B) 중의 화살표(124)로 나타낸 바와 같이 하방향으로 소정의 스트로크만큼 강하시켜, 도3의 (B)에 도시한 바와 같이 각 웨이퍼(W)를 그 하방으로 인접하는 유도 발열체(N)의 상면측에 접근시켜, 유도 발열체(N)로부터의 방사열 등을 효율적으로 수취할 수 있도록 한다.
도3의 (B)에 도시한 바와 같은 상태가 되면, 고주파 전원(110)을 온(ON)으로 하여 금속제 파이프(106)로 이루어지는 유도 가열용 코일부(104)에 고주파 전력을 인가함으로써 고주파를 처리 용기(22) 내로 방사하고, 이에 의해 제2 보유 지지 보 트(36)에 지지되어 있는 각 유도 발열체(N)에 과전류를 발생시켜 이를 유도 가열한다.
이와 같이, 각 유도 발열체(N)가 유도 가열되면, 이에 접근하여 배치되어 있는 각 웨이퍼(W)가 유도 발열체(N)로부터의 열방사나 열복사 등에 의해 가열되어 승온하게 된다. 그리고, 이와 동시에, 가스 공급부(90)의 각 가스 노즐(92, 94)로부터 성막에 필요한 가스, 즉 제1 및 제2 가스를 유량 제어하면서 공급하고, 이 처리 용기(22) 내의 분위기를 천장부의 배기구(100)로부터 배기계(102)에 의해 진공화하여 용기 내 분위기를 소정의 프로세스 압력으로 유지한다.
또한, 상기 웨이퍼(W)의 온도도 처리 용기(22) 내에 설치한 도시하지 않은 열전대에 의해 측정하면서 고주파 전력을 제어함으로써 소정의 프로세스 온도로 유지하고, 소정의 열처리, 즉 성막 처리를 행하게 된다. 또한, 덮개부(26)에 설치한 회전 기구(54)를 구동함으로써, 상기 제1 및 제2 보트(34, 36)를 소정의 회전수로 회전하면서 처리를 행한다. 또한, 열처리 중에는 유도 가열용 코일부(104)를 형성하는 금속 파이프(106)가 가열되므로, 이를 냉각하기 위해 냉각기(116)로부터는 냉각수 등의 냉매를 상기 금속 파이프(106) 내에 흐르도록 한다. 이 경우, 성막 가스의 반응 조건에도 의하지만, 처리 용기(22)의 내벽면에의 막 부착을 방지하기 위해서는 벽면을 80 ℃ 이하로 냉각하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 고주파에 의한 유도 가열에 의해 유도 발열체(N)를 가열하고, 또한 이 방열에 의해 근방에 위치하는 웨이퍼(W)를 가열시키도록 하였으므로, 열용량이 큰 처리 용기(22) 자체를 대부분 가열하지 않아, 그만큼 소비 에너지를 적게 할 수 있다.
또한 상술한 바와 같이, 처리 용기(22) 자체가 거의 가열되지 않고 저온으로 유지되므로, 특히 성막 처리의 경우에는 처리 용기(22)의 내벽면에 불필요한 부착막이 퇴적하는 것을 억제할 수 있어, 그만큼 파티클의 발생을 낮게 할 수 있고, 또한 클리닝 처리를 행하는 빈도를 적게 할 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 처리 용기(22) 자체가 거의 가열되지 않으므로, 처리를 개시할 때에 웨이퍼(W)를 고속으로 승온할 수 있고, 또한 처리가 종료된 경우에는 웨이퍼(W)를 고속으로 강온시킬 수 있다. 구체적으로는, 유도 발열체(N)의 승온 속도는 6.0 ℃/초 정도를 달성할 수 있고, 웨이퍼(W)의 승온 속도는 4.0 ℃/초 정도를 달성할 수 있다.
또한, 유도 발열체(N)로서, 저항률이 어느 정도 낮고, 또한 열전도성이 비교적 양호한 재료, 예를 들어 도전성이 있는 SiC 등으로 이루어지는 도전성 세라믹재를 사용하므로, 이 유도 발열체(N)를 효율적으로 유도 가열할 수 있는 동시에, 면내 온도의 균일성이 양호한 상태로 가열할 수 있고, 따라서 이 근방에 위치되어 있는 웨이퍼도 면내 온도의 균일성이 양호한 상태로 가열할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 처리 용기(22)의 외주에 권취된 유도 가열용 코일부(104)로부터의 고주파에 의해 처리 용기(22) 내에 설치한 유도 발열체(N)를 유도 가열하고, 이 유도 가열된 유도 발열체(N)에 접근시켜 예를 들어 반도체 웨이퍼(W)로 이루어지는 피처리체를 배치함으로써 피처리체를 가열할 수 있다.
따라서, 상술한 바와 같이, 유도 가열을 사용함으로써 처리 용기(22) 자체를 가열하지 않고 피처리체를 가열하도록 하고, 이에 의해 소비 에너지를 억제하여 처리 용기의 내면에 불필요한 부착막 등이 퇴적하는 것을 방지하고, 또한 피처리체의 고속 승온 및 고속 강온을 행할 수 있다.
<유도 발열체로서의 적격성의 평가>
다음에, 반도체 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 상기 유도 발열체(N)로서의 적격성에 대해 검토하였으므로, 그 평가 결과에 대해 설명한다.
상기 유도 발열체(N)로서 요구되는 특성은 고주파에 의해 효율적으로 유도 가열할 수 있고, 또한 열전도열이 높아 면내 방향에 있어서 가능한 한 균일적으로 가열할 수 있다는 점이다. 주지와 같이, 고주파에 의해 도전성 물질을 유도 가열하는 경우는 발생하는 와전류에 의해 발열이 발생하지만, 이 도전성 물질에 있어서의 와전류는 도전성 물질의 표면에 가까울수록 크고, 내부로 감에 따라서 지수 함수적으로 작아지는 표피 효과가 발생한다. 따라서, 원판 형상의 도전성 물질의 경우에는, 주연부가 신속하게 가열되게 되고, 중앙부가 비교적 가열되기 어려운 현상이 발생하게 된다.
그리고, 상기 유도 가열시에 발생하는 표피 효과를 고찰하는 경우에, 전류 침투 깊이(δ)는 매우 중요한 수치가 되고, 이 전류 침투 깊이(δ)는 가능한 한 큰 쪽이 좋다. 이 전류 침투 깊이(δ)라 함은, 와전류가 유도 발열체의 표면에 있어서의 와전류 강도의 1/e(≒ 0.368)배로 감소한 점까지의 깊이로서 정의되고, 이하의 식으로 나타내어진다.
δ(㎝) = 5.03(ρ/μf)1/2
ρ : 유도 발열체의 저항률(μΩㆍ ㎝)
μ : 유도 발열체의 비투자율(비자성체에서는 μ = 1)
f : 주파수(㎐)
또한, SiC에서는 μ = 1이다.
여기서, 상기 도전성 물질로 이루어지는 원판 형상의 유도 발열체(N)의 와전류의 분포에 대해 시뮬레이션을 행하였으므로, 도5에 그 와전류의 분포의 그래프를 나타낸다.
도5에 있어서, 횡축에는 유도 발열체의 단면의 중심으로부터의 거리(단위는 ㎝)를 취하고 있고, 종축에는 전류 밀도비를 취하고 있다. 그리고, 유도 발열체의 외주면(좌우의 종축에 대응)에 유도 가열용 코일부(104)가 권취되어 있게 된다. 여기서는, 전류 밀도비의 기준으로서 주연부(거리 "-20"과 "+20")의 전류치를 기준으로 하고 있다.
그래프 중에 있어서, 곡선 Ix는 단면 좌측의 유도 가열용 코일부(104)에 의해 발생하는 전류 분포를 나타내고, 곡선 Iy는 단면 우측의 유도 가열용 코일부(104)에 의해 발생하는 전류 분포를 나타내고 있다. 그리고, 곡선 Io는 상기 Ix와 Iy를 중첩하였을 때의 중첩 전류의 전류 분포를 나타내고 있다. 이 곡선 Io로부터 알 수 있는 바와 같이, 유도 발열체의 주연부에서는 전류치가 커서 발열량도 많아지지만, 중심부로 감에 따라서 전류치, 즉 발열량도 점차 저하되어 가는 것을 알 수 있다.
다음에, 유도 발열체(N)의 재료로서 2종류의 재료, 즉 글래스상 탄소와 도전성 세라믹재의 대표예인 도전성 SiC에 대해 전류 밀도비와 그 주파수 의존성에 대해 시뮬레이션에 의해 검토하여 평가하였으므로, 그 평가 결과에 대해 설명한다.
도6은 글래스상 탄소의 전류 밀도비와 그 주파수 의존성을 나타내는 그래프이며, 도7은 도전성 SiC의 전류 밀도비와 그 주파수 의존성을 나타내는 그래프이다. 여기서는, 도5에서 나타낸 바와 같은 중첩 전류 Io만을 나타내고 있다. 또한, 도5에 도시한 것과 마찬가지로 각 그래프의 횡축에는 유도 발열체의 단면의 중심으로부터의 거리를 취하고 있고, 종축에는 전류 밀도비를 취하고 있다.
도6에 도시하는 글래스상 탄소의 특성에 관하여, 직경은 6.4 ㎝, 저항률은 0.0045 Ωㆍ㎝이고, 고주파 전력의 주파수는 460 ㎑와 5 ㎑의 2종류에 대해 나타내고 있다. 그래프 중, 곡선 Io(460k)는 460 ㎑인 경우를 나타내고, 곡선 Io(5k)는 5 ㎑인 경우를 나타내고 있다.
이 그래프로부터 명백한 바와 같이, 곡선 Io(460k)로 나타낸 바와 같이, 주파수가 460 ㎑인 경우에는 주파수가 너무 높기 때문에 중첩 전류는 유도 발열체의 주연부로부터 중심을 향함에 따라서 급격하게 떨어져 저하되고, 또한 중심부에서는 "제로"가 되어 버려 바람직하지 않다. 이에 대해, 곡선 Io(5k)로 나타낸 바와 같이, 주파수가 5 ㎑인 경우에는 주파수가 낮아졌으므로 상기 중첩 전류의 하락은 1.3 내지 1.0 정도까지로 되어 하락의 정도를 대폭으로 개선할 수 있는 것을 이해할 수 있다. 이 정도의 하락이라면, 유도 발열체의 열전도율을 최적화함으로써 면 내 온도의 균일성을 높일 수 있다.
이 경우, 고주파 전력의 최적 주파수는, 전술한 바와 같이 0.5 ㎑ 내지 50 ㎑의 범위 내, 바람직하게는 1 ㎑ 내지 5 ㎑의 범위 내이다. 이 주파수가 0.5 ㎑보다도 작은 경우에는 효과적으로 유도 가열을 할 수 없게 되고, 또한 50 ㎑보다도 큰 경우에는 표피 효과가 너무 커져 유도 발열체(N)의 주연부만이 가열되어 웨이퍼(W)의 면내 온도의 균일성이 대폭으로 저하되어 버린다.
또한, 유도 발열체(N)를 구성하는 재료의 열전도율은 큰 편이 좋고, 예를 들어 5 W/mk 이상, 바람직하게는 100 W/mk 이상이다. 이 열전도율이 5 W/mk보다도 작은 경우에는, 유도 발열체(N)의 면내 온도의 균일성이 열화되고, 이에 의해 웨이퍼 자체의 면내 온도의 균일성도 불충분해지므로 바람직하지 않다. 또한, 도6 중의 하부에는, 곡선 Io(5k)일 때의 유도 발열체의 단면의 온도 분포의 일례가 도시되어 있고, 주연부가 높아 예를 들어 940 ℃ 정도이며, 중심부는 520 ℃ 정도로 되어 있다.
도7에 나타내는 도전성 SiC의 특성에 관하여, 직경은 40 ㎝, 저항률은 1 Ωㆍ㎝와 0.1 Ωㆍ㎝의 2종류이며, 고주파 전력의 주파수는 5 ㎑로 설정하고 있다. 그래프 중, 곡선 Io(0.1 Ω)는 저항률이 0.1 Ωㆍ㎝인 경우를 나타내고, 곡선 Io(1 Ω)는 저항률이 1 Ωㆍ ㎝인 경우를 나타내고 있다.
이 그래프로부터 명백한 바와 같이, 곡선 Io(0.1 Ω)로 나타낸 바와 같이, 저항률이 0.1 Ωㆍ㎝인 경우에는 전류 밀도비는 약 0.9 내지 1.15의 범위에서 변화되고 있다. 또한, 이때의 전류 침투 깊이(δ)는 22.495 ㎝이다. 이에 대해, 곡선 Io(1 Ω)로 나타낸 바와 같이, 저항률이 1 Ωㆍ㎝인 경우에는 전류 밀도비는 약 1.5 내지 1.6의 범위에서 변화되고 있고, 이때의 전류 침투 깊이(δ)는 71.135 ㎝이다. 따라서, 저항률이 1 Ωㆍ㎝인 쪽이 전류 밀도비의 분포가 균일하고, 유도 가열이 균일하게 행해지므로 바람직한 것을 이해할 수 있다.
이 경우, 저항률은 0.001 Ωㆍ㎝ 내지 0.5 Ωㆍ㎝의 범위가 바람직하고, 저항률이 0.5 Ωㆍ㎝보다도 커지면 발열 효율이 대폭으로 저하되므로 바람직하지 않고, 또한 0.001 Ωㆍ㎝보다도 작아지면 전류 침투 깊이가 과도하게 작아지므로 바람직하지 않다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 반도체 웨이퍼(W)의 상면측 가스의 흐름을 저해시키지 않기 위해, 반도체 웨이퍼(W)의 하면측에 유도 발열체(N)를 접근시키도록 하였지만[도3의 (B) 참조], 이에 한정되지 않고, 도3의 (A)에 도시하는 상태로부터 제1 보유 지지 보트(34)를 상방으로 이동시킴으로써, 반도체 웨이퍼(W)의 상면측에 유도 발열체(N)를 접근시켜도 좋다. 또한, 제1 보유 지지 보트(34) 대신에, 제2 보유 지지 보트(36)를 상하 방향으로 이동 가능해지도록 구성해도 좋다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 보유 지지부(24)를 회전 가능하게 하였지만, 이에 한정되지 않고, 보유 지지부(24)를 고정 상태로 해도 좋다. 또한, 여기서는 제1 및 제2 가스 노즐(92, 94)에서 처리 용기(22) 내의 하부에 가스를 도입하여 천장측으로부터 배기하도록 하였지만, 이에 한정되지 않고, 가스를 처리 용기(22) 내의 천장측에 도입하여 하부로부터 배출하도록 해도 좋다. 또한, 가스 노즐(92, 94)의 형상으로서, 이를 처리 용기(22) 내의 길이 방향을 따라 설치하는 동시에, 이에 복수의 가스 분출 구멍을 등간격으로 마련하도록 한, 소위 분산형 노즐을 사용해도 좋다.
또한, 처리 용기(22)의 형태로서는, 도1에 도시한 바와 같은 단관 구조에 한정되지 않고, 예를 들어 석영제의 내통과 외통을 동심원 형상으로 배치하여 이루어지는, 소위 2중관 구조의 처리 용기를 사용해도 좋다.
또한 상기 실시 형태에서는, 유도 발열체(N)의 형상은 평판 형상으로 하였지만, 이에 한정되지 않고, 도8에 도시하는 유도 발열체(N)의 단면 형상으로 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 온도 분포에 따라서 유도 발열체(N)의 중앙부를 볼록 형상으로 돌출시켜 웨이퍼(W)와의 사이의 거리를 주변부와 비교하여 작게 하도록 해도 좋고[도8의 (A) 참조], 반대로 중앙부를 오목 형상으로 움푹 패이게 하여 웨이퍼(W)와의 사이의 거리를 주변부와 비교하여 크게 하도록 해도 좋다.
또한, 본 실시 형태에서는, 보유 지지부(24)로서 제1과 제2의 2개의 보유 지지 보트(34, 36)에 의해 구성하도록 하였지만, 이에 한정되지 않고, 도9에 도시한 바와 같이 이 보유 지지부(24)를 1개의 보유 지지 보트(130)로 구성하도록 해도 좋다. 이 보유 지지 보트(130)는 예를 들어 일본 특허 출원 공개 평8-44286호 공보에 개시한 바와 같이 구성되고, 구체적으로는 석영제의 지지 기둥(132)에 내경이 작은 석영제의 원형 링 형상의 링 부재(134)와 내경이 큰 석영제의 원형 링 형상의 링 부재(136)를 교대로 접합시켜 설치하고, 각 링 부재(134, 136)의 내주부에 웨이퍼(W)의 주변부를 지지하는 갈고리부(134A)와, 이보다도 직경이 큰 유도 발열체(N)의 주변부를 지지하는 갈고리부(136A)를 각각 설치하도록 한다.
이 경우에는, 상기 웨이퍼(W)와 유도 발열체(N)는 서로 접근 이격시킬 수 없으므로, 미리 가능한 한 접근시키도록 상기 링 부재(134, 136) 및 갈고리부(134A, 136A)를 구성한다.
여기서 상기 유도 발열체(N)의 형태에 대해 상세하게 설명한다. 도10은 유도 발열체의 각종 형상을 도시하는 평면도이다. 상기 유도 발열체(N)의 형상으로서 가장 간단한 구조는, 도10의 (A)에 도시하는 바와 같은 원형 평판 형상이지만, 이 경우에는 전술한 바와 같이 고주파에 의한 표피 효과에 의해 주변부(에지)가 더욱 가열되어 중심부가 충분히 가열되지 않고, 그 결과, 웨이퍼 온도의 면내 균일성이 떨어지는 경우가 발생한다. 또한, 도10에 도시하는 유도 발열체(N)의 직경은 350 ㎜이다.
그래서, 도10의 (B) 내지 도10의 (F)에 도시한 바와 같이, 이 유도 발열체(N)에 발생하는 와전류의 흐름을 제어하기 위한 절입 형상의 홈부(140)를 마련하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 상기 홈부(140)는 판 형상(원판 형상)으로 이루어진 유도 발열체(N)의 에지로부터 중심 방향을 향해 형성되어 있다. 우선, 도10의 (B)에 도시하는 경우에는, 홈부(140)는 1개이고, 이 홈부(140)를 원판 형상의 유도 발열체(N)의 에지로부터 중심 방향을 향해 형성하는 동시에, 그 선단부는 원판 형상의 유도 발열체(N)의 중심을 통과하여 반대측 반경 방향의 도중까지 연장되어 있다.
이 홈부(140)의 길이 L1은 233 ㎜ 정도이다. 그리고, 이 홈부(140)의 선단부에는, 열응력에 의한 깨짐을 방지하기 위해 홈부(140)에 연통된 작은 구멍(142) 이 형성되어 있다. 또한, 이 작은 구멍(142)은 형성하는 것이 바람직하지만, 형성하지 않아도 된다. 또한, 이 작은 구멍(142)의 직경은 8 내지 20 ㎜ 정도의 범위 내이다. 또한 홈부(140)의 폭은 2 내지 8 ㎜ 정도의 범위 내이다. 이들 수치는 이하와 마찬가지이다.
이 도10의 (B)에 도시하는 경우에는, 원판 형상의 유도 발열체(N)의 에지를 따라 주로 흐르는 와전류는 홈부(140)를 따라 중심 방향을 향해 흐르고, 작은 구멍(142)의 부분에서 되돌아가서 홈부(140)의 반대측으로 흘러 간다.
이와 같이, 와전류가 유도 발열체(N)의 중심부 근방까지 흐르게 되므로, 그 만큼 발열 분포를 평면 방향으로 분산시킬 수 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼(W)의 면내 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한 홈부(140)의 선단부에 작은 구멍(142)을 마련하고 있으므로, 열응력의 집중을 완화시킬 수 있고, 따라서 이 유도 발열체(N)의 열응력에 의한 깨짐을 방지할 수 있다.
도10의 (C)에 도시하는 경우에는, 홈부(140)는 복수개, 구체적으로는 4개 설치되어 있고, 각 홈부(140)는 원판 형상의 유도 발열체(N)의 둘레 방향을 따라 등간격(90도 간격)으로 배치되어 있다. 이 경우, 각 홈부(140)의 길이는 동일하고, 또한 원판 형상의 유도 발열체(N)의 반경보다도 짧게 설정되어 있다. 이 홈부(140)의 길이 L2는 120 ㎜ 정도이다. 도시예에서는 홈부(140)의 길이는 상기 반경의 2/3 정도의 길이로 설정되어 있다. 그리고, 각 홈부(140)의 선단부에 상기 작은 구멍(142)이 형성되어 있다. 이 경우에도, 도10의 (B)에 도시하는 경우와 같은 현상이 발생하고, 유도 발열체(N)에 발생한 와전류는 유도 발열체(N)의 에지와 홈부(140)의 양측을 따라 흐른다.
이와 같이, 와전류가 유도 발열체(N)의 중심부 근방까지 흐르게 되므로, 그 만큼 발열 분포를 평면 방향으로 분산시킬 수 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼(W)의 면내 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한 홈부(140)의 선단부에 작은 구멍(142)을 마련하고 있으므로, 열응력의 집중을 완화시킬 수 있고, 따라서 이 유도 발열체(N)의 열응력에 의한 깨짐을 방지할 수 있다.
도10의 (D)에 도시하는 경우에는, 홈부(140)는 복수개, 구체적으로는 8개 설치되어 있고, 이 8개의 홈부(140)는 길이가 다른 복수, 여기서는 2개의 그룹으로 나누어지고, 동일 그룹 내에서는 홈부(140)의 길이는 동일하게 설정된다. 즉, 길이가 긴 4개의 홈부(140A)의 그룹과, 길이가 짧은 4개의 홈부(140B)의 그룹으로 이루어진다. 그리고, 각 그룹의 홈부(140A, 140B)는 원판 형상의 유도 발열체(N)의 둘레 방향을 따라 등간격으로 배치되어 있다.
도시예의 경우에는, 긴 홈부(140A)와 짧은 홈부(140B)가 둘레 방향을 따라 교대로 등간격으로 배치되어 있다. 여기서 긴 홈부(140A)의 길이 L3은 120 ㎜ 정도, 짧은 홈부(140B)의 길이 L4는 55 ㎜ 정도가 된다. 그리고, 각 홈부(140A, 140B)의 선단부에는 각각 작은 구멍(142)이 형성되어 있다.
이 경우에도, 도10의 (B)에 도시하는 경우와 같은 현상이 발생하고, 유도 발열체(N)에 발생한 와전류는 유도 발열체(N)의 에지와 홈부(140A, 140B)의 양측을 따라 흐른다. 이와 같이, 와전류가 유도 발열체(N)의 중심부 근방 및 중간 둘레부까지 흐르게 되므로, 그 만큼, 발열 분포를 평면 방향으로 분산시킬 수 있다. 따 라서, 반도체 웨이퍼(W)의 면내 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한 홈부(140A, 140B)의 선단부에 작은 구멍(142)을 마련하고 있으므로, 열응력의 집중을 완화시킬 수 있고, 따라서 이 유도 발열체(N)의 열응력에 의한 깨짐을 방지할 수 있다.
또한, 이 경우, 상기 2종류의 길이에 한정되지 않고, 3종류 이상의 길이가 다른 홈부를 형성하고, 그것들을 원 방향을 따라 균등하게 배열해도 좋다. 예를 들어, 대, 중, 소의 3종류의 길이의 홈부를 형성한 경우에는, 그것들을 원판 형상의 유도 발열체(N)의 둘레 방향을 따라 대, 소, 중, 소, 대, 소, 중, 소, 대…와 같이 배열한다.
도10의 (E)에 도시하는 경우에는, 2개의 홈부(140)를 직경 방향으로 마련하고, 그 선단부를 원판 형상의 유도 발열체(N)의 중심부의 근방까지 형성하여, 그 선단부에 작은 구멍(142)을 마련하고 있다. 이 경우, 서로의 홈부(140)의 선단부 사이는 약간의 길이만 남아 있고, 이 남겨진 길이는 유도 발열체(N)가 쉽게 깨지지 않을 정도의 길이로 설정해 둔다.
이 경우에는, 원판 형상의 유도 발열체(N)의 중심부에 흘러 들어오려고 하는 전류와 흘러 나오려고 하는 전류가 상쇄되게 되고, 그 결과, 유도 발열체(N)는 전기적으로는 홈부(140)를 경계로 하여 좌우 2개의 블록으로 분리된 상태가 되고, 좌우의 블록 내에서 각각 와전류가 예를 들어 화살표(144)로 나타낸 바와 같이 독립하여 흐르므로, 유도 발열체(N)의 에지뿐만 아니라 중심부측에도 흐르게 된다.
이와 같이, 와전류가 유도 발열체(N)의 중심부 근방까지 흐르게 되므로, 그 만큼 발열 분포를 평면 방향으로 분산시킬 수 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼(W)의 면내 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한 홈부(140)의 선단부에 작은 구멍(142)을 마련하고 있으므로, 열응력의 집중을 완화시킬 수 있고, 따라서 이 유도 발열체(N)의 열응력에 의한 깨짐을 방지할 수 있다.
도10의 (F)에 도시하는 경우에는, 도10의 (C)에 도시하는 4개의 홈부(140)를 더욱 중심부의 근방까지 형성하여, 그 선단부에 작은 구멍(142)을 마련하고 있다. 이 경우, 도10의 (E)에 도시하는 경우와 마찬가지로, 서로의 홈부(140)의 선단부 사이는 약간의 길이만 남아 있고, 이 남겨진 길이는 유도 발열체(N)가 쉽게 깨지지 않을 정도의 길이로 설정해 둔다.
이 경우에도, 원판 형상의 유도 발열체(N)의 중심부에 흘러 들어오려고 하는 전류와 흘러 나오려고 하는 전류가 상쇄되게 되고, 그 결과, 유도 발열체(N)는 전기적으로는 홈부(140)를 경계로 하여 좌우 4개의 블록으로 분리된 상태가 되고, 4개의 블록 내에서 각각 와전류가 예를 들어 화살표(146)로 나타낸 바와 같이 독립하여 흐르므로, 유도 발열체(N)의 에지뿐만 아니라 중심부측으로도 흘러 들어가게 된다.
이와 같이, 와전류가 유도 발열체(N)의 중심부 근방까지 흐르게 되므로, 그 만큼 발열 분포를 평면 방향으로 분산시킬 수 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼(W)의 면내 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한 홈부(140)의 선단부에 작은 구멍(142)을 마련하고 있으므로, 열응력의 집중을 완화시킬 수 있고, 따라서 이 유도 발열체(N)의 열응력에 의한 깨짐을 방지할 수 있다. 또한, 도10의 (E) 및 도10의 (F)에 있어서, 중심부의 근방까지 형성하는 홈부(140)의 수는 상기 수치에 한정되지 않는 것은 물론이다.
여기서, 도10의 (A)에 도시하는 유도 발열체나 도10의 (B) 내지 도10의 (F)에 도시한 바와 같이 홈부(140)를 유도 발열체에 형성해도, 면내 방향에 있어서 어느 정도의 발열 분포의 불균일이 발생하는 것은 피할 수 없다. 그래서, 도11에 도시한 바와 같이 유도 발열체(N)에 균열판을 접합시키도록 구성하는 것이 바람직하다. 도11은 균열판이 접합된 유도 발열체를 도시하는 측면도이다.
도11에 도시한 바와 같이, 여기서는 상기 유도 발열체(N)의 상하의 양면에 얇은 균열판(150)을 접합하고 있다. 이 접합은 열 융착 등을 이용할 수 있다. 이 경우, 유도 발열체(N)의 양면에 균열판(150)을 설치하지 않아도 좋고, 적어도 유도 발열체가 반도체 웨이퍼(W)와 접근하는 측(대향하는 측)의 면에 접합한다. 이에 의해, 유도 발열체(N)에 발생한 열을 상기 균열판(150)으로 전도시키는 동시에, 평면 방향으로 발열 분포를 분산시켜 균열화한 상태에서 반도체 웨이퍼(W)를 가열한다. 따라서, 이 균열판(150)을 접합시킴으로써, 반도체 웨이퍼(W)의 온도 분포의 면내 균일성을 한층 향상시킬 수 있다.
이 경우, 상기 균열판(150)의 조건으로서는, 균열판(150)에 와전류가 발생하는 것을 방지하기 위해 전기 전도율이 낮고(절연성이 높고), 구체적으로는 유도 발열체(N)보다도 전기 전도율이 낮고, 또한 열전도율이 높은 재료, 구체적으로는 유도 발열체(N)보다도 열전도율이 높은 재료를 사용한다.
이와 같은 균열판(150)의 재료로서는, Si, AlN(질화알루미늄), Al2O3(알루미나), SiC(실리콘카바이트), 그라파이트(결정질) 등을 사용할 수 있다. 이 경우, 열전도율이 양호한 비도전성 세라믹재가 바람직하다. 특히, 세라믹재인 SiC는 탄소(C)의 함유량을 바꿈으로써 도전성을 크게 컨트롤할 수 있다.
또한, 상기 도10의 (B) 내지 도10의 (F)에 있어서 설명한 유도 발열체(N)의 구조에서는, 1개 혹은 복수의 홈부(140)를 형성한 경우에 대해 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 상기 유도 발열체(N)를 복수의 피스로 분할하도록 해도 좋다. 도12는 이와 같이 복수의 피스로 분할된 유도 발열체를 도시하는 평면도로, 도12의 (A)는 유도 발열체(N)를 좌우에 반원 형상으로 2개의 피스(152)로 분할한 경우를 도시하고, 양 피스(152) 사이에 분할 간극(154)이 형성된다. 또한, 도12의 (B)는 유도 발열체(N)를 부채꼴 형상의 4개의 피스(152)로 분할한 경우를 도시하고, 각 피스(152) 사이에 열십자 형상의 분할 간극(154)이 형성된다.
이 경우에는, 각 피스(152)가 각각 전기적으로 분리되므로, 도10의 (E) 및 도10의 (F)에 도시하는 바와 같은 작용 효과와 같은 작용 효과를 발휘할 수 있다. 또한, 상기 분할된 피스(152)의 수는 특별히 한정되지 않고, 또한 각 피스(152)의 형상도 크기도 특별히 한정되는 것은 아니다. 그리고, 이와 같이 유도 발열체(N)를 복수의 피스(152)로 분할한 경우에는, 이들 각 피스(152)를 일체화하기 위해 도13에 도시하는 측면도와 같이 각 피스(152)의 어느 한쪽의 편면측, 혹은 양면측에 도11에서 설명한 것과 같은 균열판(150)을 접합한다.
<홈부를 갖는 유도 발열체의 평가>
여기서 도10의 (B) 내지 도10의 (D)에 도시하는 홈부(140)를 갖는 유도 발열체(N)에 대한 유도 가열을 행하였을 때의 발열 분포의 상태를 시뮬레이션에 의해 실험하였으므로, 그 평가 결과에 대해 설명한다. 또한, 여기서는, 기준으로서 도10의 (A)에 도시한 바와 같이 홈부를 갖고 있지 않은 유도 발열체(N)에 대해서도 평가를 행하였다. 또한 유도 발열체(N)로서 도10에서 설명한 경우와 마찬가지로 직경이 350 ㎜인 SiC제의 원판을 사용하였다. 이 SiC의 전기 전도율은 1000(S/m)으로 설정하여, 동일한 유도 전류를 코일부에 흐르게 하였다.
도14는 유도 발열체의 유도 가열의 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다. 도14의 (A)는 도10의 (A)에 대응하여 홈부를 갖고 있지 않은 유도 발열체를 나타내고, 도14의 (B)는 도10의 (B)에 대응하여 1개의 홈부를 갖는 유도 발열체를 도시하고, 도14의 (C)는 도10의 (C)에 대응하여 4개의 홈부를 갖는 유도 발열체를 도시하고, 도14의 (D)는 도10의 (D)에 대응하여 8개의 홈부를 갖는 유도 발열체를 도시한다. 각 도면에 있어서, 외주의 흰 선은 코일을 나타내고 있고, 유도 발열체 중의 표시가 밝은 부분(흰 부분)일수록 온도가 높은 것을 나타내고 있다.
도14의 (A)에 도시한 바와 같이, 홈부를 마련하고 있지 않은 경우에는, 표피 효과에 의해 유도 발열체의 에지(주변부)는 매우 고온이 되지만, 중심부로 감에 따라서 온도가 급격하게 저하되고 있어, 발열 분포의 차가 상당히 큰 것을 알 수 있다. 이때의 발열 총량은 88980[W]이었다.
이에 대해, 도14의 (B)에 도시한 바와 같이 1개의 홈부를 마련하고 있는 경 우에는, 에지, 홈부의 양측 및 작은 구멍의 주변부에 현저하게 각각 발열이 발생하여 고온으로 되어 있고, 도14의 (A)의 경우와 비교하여 발열 분포가 어느 정도 분산되어 발열 분포가 균일화되어 있는 것을 알 수 있다. 이때의 발열 총량은 35992[W]였다.
도14의 (C)에 도시한 바와 같이 4개의 홈부를 마련하고 있는 경우에는, 도14의 (B)의 경우와 마찬가지로, 에지, 홈부의 양측 및 각 작은 구멍의 주변부에 각각 현저하게 발열이 발생하여 고온으로 되어 있고, 도14의 (B)의 경우와 비교하여 발열 분포가 더욱 분산되어 발열 분포가 더욱 균일화되어 있는 것을 알 수 있다. 이때의 발열 총량은 20865[W]였다.
도14의 (D)에 도시한 바와 같이 8개의 홈부를 마련하고 있는 경우에는, 도14의 (B) 및 도14의 (C)의 경우와 마찬가지로, 에지, 홈부의 양측 및 각 작은 구멍의 주변부에 각각 현저하게 발열이 발생하여 고온으로 되어 있고, 도14의 (C)의 경우와 비교하여 발열 분포가 더욱 분산되어 발열 분포가 더욱 균일화되어 있는 것을 알 수 있다. 이때의 발열 총량은 13754[W]였다.
이와 같이, 홈부를 마련할수록 발열 분포를 평면 방향으로 분산시켜 온도 분포를 균일화시킬 수 있는 것을 알 수 있다. 단, 이 경우, 발열 분포를 분산화시킴에 따라서 발열 총량이 점차 저하되고 있어, 발열의 효과와 발열 분포의 균일화의 정도를 고려하여 최적화하면 된다.
또한, 상기 SiC판의 전기 전도율은 1000[S/m]이지만, 200[S/m] 및 20000[S/m]의 SiC판에 대해서도 상술한 것과 같은 시뮬레이션을 각각 행한 결과, 상술한 것과 같은 시뮬레이션 결과를 얻을 수 있었다. 따라서, 적어도 200 내지 20000[S/m]의 전기 전도율의 유도 발열체를 사용하는 것이 바람직한 것을 알 수 있다.
<처리 장치의 제2 실시 형태>
다음에 본 발명에 관한 처리 장치의 제2 실시 형태에 대해 설명한다. 도15는 본 발명에 관한 처리 장치의 제2 실시 형태를 나타내는 사시도, 도16은 처리 장치의 제2 실시 형태의 외관을 도시하는 모식도, 도17은 처리 장치의 제2 실시 형태를 나타내는 확대 구성도, 도18은 피처리체의 보유 지지부인 적재대를 도시하는 평면도이다. 또한, 앞에서 설명한 구성과 동일 부분에 대해서는 동일 참조 부호를 부여하여 그 설명을 생략한다.
도15 내지 도17에 도시한 바와 같이, 이 처리 장치(160)는 반송 아암 기구(162)를 갖는 반송실(164)에 게이트 밸브(166)를 통해 연결되어 있다. 상기 반송실(164)은 감압 분위기로 이루어져 있고, 이 주위에는 도시하지 않는 다른 처리 장치가 소위 클러스터 형상으로 연결되어 있다. 그리고, 상기 반송 아암 기구(162)를 선회 및 굴신(屈伸)시킴으로써, 개방 상태로 된 게이트 밸브(166)를 통해 상기 처리 장치(160)와의 사이에서 반도체 웨이퍼(W)의 반출입을 행하도록 되어 있다. 후술하는 바와 같이, 여기서 복수매의 웨이퍼(W)가 동시에 반출입된다.
도16 및 도17에도 도시한 바와 같이, 이 처리 장치(160)는 전자파를 통과시키는 석영제의 상자 형상으로 이루어진 처리 용기(168)를 갖고 있고, 이 외측, 구체적으로는 천장부의 상면측에 유도 가열용 코일부(104)를 갖고 있다. 여기서는 유도 가열용 코일부(104)를 형성하는 금속제 파이프(106)는 처리 용기(168)의 천장면을 따라 소용돌이 형상으로 형성되어 있다. 그리고, 이 금속제 파이프(106)에 매칭 회로(112) 및 고주파 전원(110) 등이 접속되어 있다. 이에 의해, 처리 용기(168) 내에 고주파를 도입할 수 있도록 되어 있다. 또한, 도시하지 않은 이 상기 금속제 파이프(106)에는 냉각기도 접속되어 있다.
도16에 도시한 바와 같이, 이 처리 용기(168)의 일측벽에는 2개의 가스 노즐(92, 94)을 갖는 가스 공급부(90)가 형성되고, 원하는 가스를 각각 유량 제어하면서 처리 용기(168) 내에 공급하도록 되어 있다. 또한, 처리 용기(168)의 반대측 측벽에는 배기구(150)가 설치되고, 여기에는 압력 조정 밸브(102B), 배기 펌프(102C) 등을 갖는 배기계(102)가 접속되어 있다.
그리고, 상기 처리 용기(168) 내에는 회전축(170)에 의해 회전 가능하게 지지된 보유 지지부(24)로서의 적재대(172)가 설치되어 있다. 이 회전축(170)은 이 기부(基部)에 설치되는 회전 구동 수단(174)에 의해 회전된다. 그리고, 이 적재대(172)의 상면측에는 원판 형상의 반송판(176)이 적재되어 있고, 이 반송판(176)에 복수, 도시예에서는 8매의 웨이퍼(W)(도18 참조)가 둘레 방향으로 나란히 설치되어 있다. 또한, 이 웨이퍼(W)의 직경은, 예를 들어 50 내지 500 ㎜이다.
여기서 상기 회전축(170)은 2축 구조로 되어 있고, 한가운데의 중심축(170A)은 상하 방향으로 승강 가능하게 이루어지고, 이 중심축(170A)의 상단부에 승강판(177)이 설치되어 있다. 따라서, 이 중심축(170A)을 승강시킴으로써, 웨이퍼(W)가 적재되어 있는 반송판(176) 자체를 승강할 수 있도록 되어 있다. 그리고, 이 반송판(176)을 반송함으로써, 한번에 복수매(8매)의 웨이퍼(W)를 반송할 수 있게 된다.
그리고, 상기 적재대(172)를 상하로부터 둘러싸도록 하여 예를 들어 공극률이 매우 큰 카본 그라파이트로 이루어지는 단열재(178)가 설치되어 있고, 이 단열재(178) 사이가 처리 공간(S)으로 되어 있다. 이 단열재(178)의 외주 전체는 예를 들어 석영으로 이루어지는 단열재 보유 지지 구조체(180)에 의해 덮여 있고, 이 단열재 보유 지지 구조체(180)는 다리부(182)에 의해 처리 용기(168) 내에 지지되어 있다. 그리고, 상기 단열재 보유 지지 구조체(180) 내인 처리 공간(S)에 한쪽의 가스 노즐(92)로부터 성막 가스 등의 처리 가스를 흐르게 하고, 그 외측에 다른 쪽의 가스 노즐(94)로부터 희가스나 N2 가스 등의 냉각 가스가 흐르도록 되어 있다.
그리고, 이와 같은 처리 용기(168)에 대해, 앞서 설명한 유도 발열체(N)가 설치된다. 구체적으로는, 여기서는 상기 처리 공간(S)을 둘러싸는 단열재(178)의 천장부의 하면에, 상기 적재대(172)의 상면과 대향시키도록 하여 1매째의 유도 발열체(N)를 설치하고 있고, 또한 단열재(178)의 저부의 상면에, 상기 적재대(172)의 하면과 대향시키도록 하여 2매째의 유도 발열체(N)를 설치하고 있다. 또한, 이 경우 1매째의 유도 발열체(N)만을 설치해도 좋다. 이 유도 발열체(N)로서는, 앞서 도10의 (A) 내지 도10의 (F)를 참조하여 설명한 바와 같은 것을 사용하고 있고, 이 유도 발열체(N)는 열접착 등에 의해 단열재(178)에 접합시키고 있다.
이 처리 장치(160)의 경우에는, 배기계(102)를 구동하면서 처리 공간(S)에 소정의 처리 가스를 유량 제어하여 공급하고, 처리 공간(S) 내를 소정의 압력으로 유지한다. 그리고, 적재대(172)를 회전시킴으로써 반도체 웨이퍼(W)를 회전시켜 유도 가열용 코일부(104)를 구동한다. 이에 의해, 코일부(104)를 구성하는 금속제 파이프(106)로부터 고주파를 처리 용기(168) 내에 도입하고, 전술한 바와 같은 원리로 유도 발열체(N)를 가열한다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(W)를 소정 온도로 가열 유지하여 소정의 처리를 실시하게 된다. 이 경우에도, 앞서 설명한 바와 마찬가지로, 웨이퍼(W)에 대해 면내 온도의 균일성을 향상시킨 상태에서 웨이퍼를 가열할 수 있다.
또한, 상기 각 실시 형태는, 한번에 복수매의 반도체 웨이퍼(W)에 대해 처리를 행할 수 있는, 소위 뱃치식 처리 장치를 예로 들어 설명하였지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어 도17에 관한 장치예에 있어서, 도19에 도시한 바와 같이 적재대(172)의 치수를 작게 하는 등 하여, 이 중심부에 반도체 웨이퍼(W)를 1매만 적재할 수 있도록 하면, 웨이퍼를 1매씩 처리하는, 소위 낱장식 처리 장치로 할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 열처리로서 성막 처리를 예로 들어 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 다른 열처리, 예를 들어 산화 처리, 확산 처리, 개질 처리, 에칭 처리 등을 행하는 경우에도 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 유도 발열체(N)의 재료로서, 글래스상 탄소나 도전성 세라믹재(SiC)를 이용한 경우를 나타냈지만, 이에 한정되지 않고, 그라파이트 등을 사용해도 좋다. 또한, 도전성 세라믹재로서는, 도전성 질화 실리콘 등을 사 용할 수 있다.
또한, 여기서는 피처리체로서 반도체 웨이퍼를 예로 들어 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 글래스 기판, LCD 기판, 세라믹 기판 등에도 본 발명을 적용할 수 있다.
도1은 본 발명에 관한 처리 장치의 제1 실시 형태를 나타내는 구성도.
도2는 처리 용기를 도시하는 단면도.
도3은 피처리체와 유도 발열체를 지지하는 보유 지지부의 동작을 도시하는 동작 설명도.
도4는 처리 용기의 하단부의 회전 기구를 도시하는 확대 단면도.
도5는 원판 형상의 유도 발열체의 와전류의 분포에 대해 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프.
도6은 글래스상 탄소의 전류 밀도비와 주파수 의존성을 나타내는 그래프.
도7은 도전성 SiC의 전류 밀도비와 주파수 의존성을 나타내는 그래프.
도8은 유도 발열체의 변형예를 나타내는 단면도.
도9는 보유 지지부의 변형예를 나타내는 부분 구성도.
도10은 유도 발열체의 각종 형상을 도시하는 평면도.
도11은 균열판이 접합된 유도 발열체를 도시하는 측면도.
도12는 복수의 피스로 분할된 유도 발열체를 도시하는 평면도.
도13은 복수의 피스로 분할된 유도 발열체에 균열판을 접합한 상태를 도시하는 측면도.
도14는 유도 발열체의 유도 가열의 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면.
도15는 본 발명에 관한 처리 장치의 제2 실시 형태를 나타내는 사시도.
도16은 처리 장치의 제2 실시 형태의 외관을 도시하는 모식도.
도17은 처리 장치의 제2 실시 형태를 나타내는 확대 구성도.
도18은 피처리체의 보유 지지부인 적재대를 도시하는 평면도.
도19는 본 발명이 적용된 낱장식의 처리 장치의 적재대를 도시하는 확대도.
도20은 종래의 처리 장치의 일례를 나타내는 구성도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
20 : 처리 장치
22 : 처리 용기
24 : 보유 지지부
26 : 덮개부
28 : 밀봉 부재
30 : 승강 기구
38 : 천장판
40 : 바닥판
54 : 회전 기구
56 : 고정 슬리브
58 : 베어링
59 : 자성 유체 밀봉부
60 : 회전체
62 : 구동 벨트

Claims (22)

  1. 피처리체에 대해 열처리를 실시하는 처리 장치에 있어서,
    복수의 상기 피처리체를 수용할 수 있는 처리 용기와,
    상기 처리 용기의 외측에 설치된 유도 가열용 코일부와,
    상기 유도 가열용 코일부에 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원과,
    상기 처리 용기 내로 가스를 도입하는 가스 공급부와,
    상기 처리 용기 내에서 상기 피처리체를 보유 지지하는 보유 지지부와,
    상기 유도 가열용 코일부로부터의 고주파에 의해 유도 가열되어 상기 피처리체를 가열하는 유도 발열체를 구비하고,
    상기 유도 발열체에, 상기 유도 발열체에 발생하는 와전류의 흐름을 제어하기 위한 절입 형상의 홈부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유도 가열용 코일부는 상기 처리 용기의 외주에 권취되어 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유도 가열용 코일부는 상기 보유 지지부에 의해 보유 지지되는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 보유 지지부는 상기 피처리체와 상기 유도 발열체를 보유 지지한 상태에서 상기 처리 용기 내에 삽입 분리 가능해지는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 보유 지지부는 상기 피처리체와 상기 유도 발열체를 교대로 배치한 상태에서 보유 지지하는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 유도 가열용 코일부는 금속제 파이프를 갖고,
    상기 금속제 파이프는 상기 금속제 파이프 내에 냉매를 흐르게 하기 위한 냉각기에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 피처리체는 원판 형상으로 이루어지고,
    상기 유도 발열체는 상기 피처리체보다도 직경이 큰 원판 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 피처리체와 상기 유도 발열체가 서로 접근 가능하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 유도 발열체는 판 형상으로 이루어지고,
    상기 홈부는 상기 유도 발열체의 에지로부터 중심 방향을 향해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 홈부는 복수개 형성되는 동시에, 상기 유도 발열체의 둘레 방향을 따라 등간격으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 홈부는 길이에 따라서 복수의 그룹으로 나누어지고,
    각 그룹 내에 있어서, 홈부의 각각은 상기 유도 발열체의 둘레 방향을 따라 등간격으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 홈부의 선단부에 열응력에 의한 깨짐을 방지하기 위한 작은 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  13. 피처리체에 대해 열처리를 실시하는 처리 장치에 있어서,
    복수의 상기 피처리체를 수용할 수 있는 처리 용기와,
    상기 처리 용기의 외측에 설치된 유도 가열용 코일부와,
    상기 유도 가열용 코일부에 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원과,
    상기 처리 용기 내로 가스를 도입하는 가스 공급부와,
    상기 처리 용기 내에서 상기 피처리체를 보유 지지하는 보유 지지부와,
    상기 유도 가열용 코일부로부터의 고주파에 의해 유도 가열되고, 상기 피처리체를 가열하는 유도 발열체를 구비하고,
    상기 유도 발열체 각각은 복수의 피스로 평면 분할되어 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  14. 제1항 또는 제13항에 있어서, 상기 유도 발열체의 전기 전도율은 200 내지 20000 S/m의 범위 내인 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  15. 제1항 또는 제13항에 있어서, 상기 유도 발열체의 적어도 상기 피처리체에 대향하는 면에 균열판이 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 균열판은 상기 유도 발열체보다도 전기 전도율이 낮고, 또한 상기 유도 발열체보다도 열전도율이 높은 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 균열판은 실리콘, 질화알루미늄(AlN), 알루미나(Al2O3), 탄화규소(SiC)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  18. 제1항 또는 제13항에 있어서, 상기 유도 발열체는 도전성 세라믹재, 그라파이트, 글래스상 탄소, 도전성 석영, 도전성 실리콘으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  19. 피처리체에 열처리를 실시하는 처리 방법에 있어서,
    상기 피처리체와, 절입 형상의 홈부가 형성된 유도 발열체를 보유 지지한 보유 지지부를 처리 용기 내에 삽입하는 공정과,
    상기 처리 용기 내로 가스를 도입하는 동시에, 상기 처리 용기의 외주에 권취한 유도 가열용 코일부로부터 고주파를 가함으로써 상기 유도 발열체를 유도 가열하고, 이와 같이 가열된 상기 유도 발열체에 의해 상기 피처리체를 가열하여 열처리를 실시하는 공정을 구비하고,
    상기 유도 발열체가 유도 가열될 때에 발생하는 와전류의 흐름은 상기 유도 발열체에 형성된 절입 형상의 홈부에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 보유 지지부는 상기 피처리체와 상기 유도 발열체를 교대로 배치한 상태에서 보유 지지하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  21. 제19항에 있어서, 상기 피처리체와 상기 유도 발열체를 서로 접근 또는 이격시키는 공정을 더 구비한 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  22. 피처리체에 열처리를 실시하는 처리 방법에 있어서,
    절입 형상의 홈부가 형성된 유도 발열체가 설치된 처리 용기 내에, 상기 피 처리체를 보유 지지부에 의해 보유 지지한 상태로 삽입하는 공정과,
    상기 처리 용기 내로 가스를 도입하는 동시에, 상기 처리 용기의 외측에 설치된 유도 가열용 코일부로부터 고주파를 가함으로써 상기 유도 발열체를 유도 가열하고, 이와 같이 가열된 상기 유도 발열체에 의해 상기 피처리체를 가열하여 열처리를 실시하는 공정을 구비하고,
    상기 유도 발열체가 유도 가열될 때에 발생하는 와전류의 흐름은 상기 유도 발열체에 형성된 절입 형상의 홈부에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
KR1020090004834A 2008-01-22 2009-01-21 처리 장치 및 처리 방법 KR101196538B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008012000A JP5029382B2 (ja) 2008-01-22 2008-01-22 処理装置及び処理方法
JPJP-P-2008-012000 2008-01-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090080900A KR20090080900A (ko) 2009-07-27
KR101196538B1 true KR101196538B1 (ko) 2012-11-01

Family

ID=40875639

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090004834A KR101196538B1 (ko) 2008-01-22 2009-01-21 처리 장치 및 처리 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20090184109A1 (ko)
JP (1) JP5029382B2 (ko)
KR (1) KR101196538B1 (ko)
CN (1) CN101494163B (ko)
TW (1) TWI427724B (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101094279B1 (ko) 2009-11-06 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 가열 수단 및 이를 포함하는 기판 가공 장치
WO2012050964A1 (en) * 2010-09-29 2012-04-19 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods using a glassy carbon heater
JP4980461B1 (ja) * 2010-12-24 2012-07-18 三井造船株式会社 誘導加熱装置
JP2012151433A (ja) * 2010-12-28 2012-08-09 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
NL2006146C2 (en) * 2011-02-04 2012-08-07 Xycarb Ceramics B V A method of processing substrate holder material as well as a substrate holder processed by such a method.
CN102176796B (zh) * 2011-02-16 2012-11-21 大连理工大学 一种用于高温材料的非接触式加热的方法和装置
CN102808152B (zh) * 2011-06-01 2014-07-30 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 腔室装置和基片处理设备
CN102839362B (zh) * 2011-06-23 2014-07-30 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种基片处理设备
JP2013062361A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置、温度制御システム、熱処理方法、温度制御方法及びその熱処理方法又はその温度制御方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
CN103422073A (zh) * 2012-05-24 2013-12-04 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 用于感应加热的托盘及等离子体加工设备
WO2014035480A1 (en) 2012-08-30 2014-03-06 General Electric Company Induction furnace with uniform cooling capability
JP6013113B2 (ja) * 2012-09-27 2016-10-25 東京エレクトロン株式会社 発熱体の製造方法
CN103794528B (zh) * 2012-10-30 2016-09-28 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 半导体加工设备
US10840114B1 (en) * 2016-07-26 2020-11-17 Raytheon Company Rapid thermal anneal apparatus and method
DE102016119328A1 (de) 2016-10-11 2018-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Heizvorrichtung, Verfahren und System zur Herstellung von Halbleiterchips im Waferverbund
JP7065478B2 (ja) * 2017-11-01 2022-05-12 株式会社小松精機工作所 金属薄板接合装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003100643A (ja) 2001-09-26 2003-04-04 Daiichi Kiden:Kk 高温ｃｖｄ装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2297690A2 (fr) * 1975-01-17 1976-08-13 Vial Sarl Tronconneuse par etincelage
US4062318A (en) * 1976-11-19 1977-12-13 Rca Corporation Apparatus for chemical vapor deposition
US4386255A (en) * 1979-12-17 1983-05-31 Rca Corporation Susceptor for rotary disc reactor
JPS611294U (ja) * 1984-06-09 1986-01-07 ソニー株式会社 誘導加熱用容器
JPH02183993A (ja) * 1989-01-10 1990-07-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合調理器
JPH0350738A (ja) * 1989-07-18 1991-03-05 Nec Corp 熱処理方法および熱処理装置
US5257281A (en) * 1990-01-31 1993-10-26 Inductotherm Corp. Induction heating apparatus and method
US6063233A (en) * 1991-06-27 2000-05-16 Applied Materials, Inc. Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna
JP3050738B2 (ja) * 1993-12-17 2000-06-12 シャープ株式会社 表示装置の駆動回路
US6534922B2 (en) * 1996-09-27 2003-03-18 Surface Technology Systems, Plc Plasma processing apparatus
JPH1140503A (ja) * 1997-07-17 1999-02-12 Hitachi Ltd 半導体製造方法および装置
US6162298A (en) * 1998-10-28 2000-12-19 The B. F. Goodrich Company Sealed reactant gas inlet for a CVI/CVD furnace
ES2236991T3 (es) * 1999-06-15 2005-07-16 DAVID &amp; BAADER DBK SPEZIALFABRIK ELEKTRISCHER APPARATE UND HEIZWIDERSTANDE GMBH Dispositivo de calefaccion destinado para el calentamiento de aire.
JP2002231634A (ja) * 2001-01-30 2002-08-16 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンエピタキシャルウェーハ及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
JP2004335222A (ja) * 2003-05-06 2004-11-25 Koyo Thermo System Kk 誘導加熱装置及び誘導加熱による加熱方法
US8317968B2 (en) * 2004-04-30 2012-11-27 Lam Research Corporation Apparatus including gas distribution member supplying process gas and radio frequency (RF) power for plasma processing
JP4406588B2 (ja) * 2004-08-27 2010-01-27 三井造船株式会社 誘導加熱方法および誘導加熱装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003100643A (ja) 2001-09-26 2003-04-04 Daiichi Kiden:Kk 高温ｃｖｄ装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5029382B2 (ja) 2012-09-19
TWI427724B (zh) 2014-02-21
KR20090080900A (ko) 2009-07-27
TW200947588A (en) 2009-11-16
US20090184109A1 (en) 2009-07-23
JP2009176841A (ja) 2009-08-06
CN101494163B (zh) 2012-06-27
CN101494163A (zh) 2009-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101196538B1 (ko) 처리 장치 및 처리 방법
KR101135742B1 (ko) 처리 장치, 처리 방법 및 기억 매체
US8658951B2 (en) Heat treatment apparatus
JP5982758B2 (ja) マイクロ波照射装置
JP4067858B2 (ja) Ａｌｄ成膜装置およびａｌｄ成膜方法
US20120156396A1 (en) Cvd reactor
JP2005533378A (ja) 熱処理装置及び設定可能な垂直チャンバ
KR20150120400A (ko) 캐러셀 원자 층 증착을 위한 장치 및 방법들
US9750087B2 (en) Heat treatment apparatus
JP2011077065A (ja) 熱処理装置
KR101296412B1 (ko) 열처리 장치
JP6687829B2 (ja) 誘導加熱装置
JP2010225775A (ja) プラズマ処理装置
WO2015145974A1 (ja) 熱処理装置
JP2012069831A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
WO2019171949A1 (ja) 液処理装置および液処理方法
CN114686858B (zh) 一种薄膜生长系统以及基片托盘和载环组件
WO2024029126A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム
TW202122625A (zh) 半導體裝置之製造方法及製造裝置
JP2013206732A (ja) 縦型バッチ式処理装置
JP2015153983A (ja) 基板処理装置
JP2004363386A (ja) 枚葉式熱処理装置
JP2012199397A (ja) 基板冷却方法および真空処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151001

Year of fee payment: 4