JP2002231634A

JP2002231634A - シリコンエピタキシャルウェーハ及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

Info

Publication number: JP2002231634A
Application number: JP2001021888A
Authority: JP
Inventors: Sukeaki Hoshina; 祐章保科; Junichi Okada; 淳一岡田
Original assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date: 2001-01-30
Filing date: 2001-01-30
Publication date: 2002-08-16

Abstract

(57)【要約】【課題】ノジュールを伴わず、かつ、主表面における
エピタキシャル層の抵抗率が良好なシリコンエピタキシ
ャルウェーハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】第一の気相成長工程により、シリコン単
結晶基板１の裏面２上及び側面３上に気相成長によりシ
リコンエピタキシャル層４を形成し、第二の気相成長工
程により、第一の気相成長工程が施されたシリコン単結
晶基板１の主表面５上及び側面３上に気相成長によりシ
リコンエピタキシャル層６を形成してシリコンエピタキ
シャルウェーハ１０を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンエピタキ
シャルウェーハ及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】シリコンエピタキシャルウェーハ（以
下、単にエピタキシャルウェーハという）は、シリコン
単結晶基板（以下、単に基板という）の主表面上にシリ
コンエピタキシャル層（以下、単にエピタキシャル層と
いう）を水素雰囲気中で気相成長する（気相成長工程）
ことにより製造することができる。エピタキシャルウェ
ーハの製造に用いられる基板は、通常、以下のような工
程に従い準備される。

【０００３】まず、ＦＺ（フローティングゾーン）法あ
るいはＣＺ（チョクラルスキー）法等により製造された
シリコン単結晶インゴットを、スライサー等を用いてス
ライシングして（スライス工程）ウェーハを得る。この
ウェーハは、縁部に面取りが施された（面取り工程）
後、両面がラップ研磨され（ラッピング工程）、さらに
ケミカルエッチング処理が施される（エッチング工
程）。エッチング工程終了後のウェーハ（以下、ケミカ
ルエッチウェーハという）は、必要に応じてさらに、メ
カノケミカルポリッシングにより鏡面研磨ウェーハとな
された（鏡面研磨工程）後、最終洗浄が施される。

【０００４】その後、ケミカルエッチウェーハあるいは
鏡面研磨ウェーハを基板として用い、該基板の主表面上
にエピタキシャル層を気相成長する。この際、抵抗率が
低い基板の主表面上に高抵抗率のエピタキシャル層を気
相成長するために、基板を水素雰囲気中で高温に加熱す
ると、基板に予め添加されている不純物（ドーパント）
が基板の側面および裏面から成長雰囲気中に一旦遊離す
る。この不純物は気相成長中のエピタキシャル層に取り
込まれて、いわゆるオートドーピング（autodoping）現
象を引き起こし、エピタキシャル層内のドーパント濃度
を不均一化し、エピタキシャルウェーハ面内の抵抗率が
不均一化される。そこで、従来、このオートドーピング
現象を低減させるために、基板の裏面及び側面に例えば
ＳｉＯ₂等のオートドーピング防止のための保護膜(以
下、裏側面酸化膜という)を形成することが知られてい
る（特開平２−１９７１２８号公報）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】図４は、裏側面酸化膜
が形成された基板の主表面上にエピタキシャル層を気相
成長させて得られる、エピタキシャルウェーハの一例を
示す説明図である。このエピタキシャルウェーハ４０で
は、基板４１に裏側面酸化膜４２が形成されているた
め、エピタキシャル層４５と裏側面酸化膜４２との境界
部でシリコンが盛り上がるように成長して、図４に示す
ようにクラウン４６と呼ばれる異常成長領域がエピタキ
シャル層４５の周囲に形成されるという問題がある。こ
れは、ＳｉＯ ₂（裏側面酸化膜４２）の上にシリコンが
成長しないからである。

【０００６】また、裏側面酸化膜４２が形成された基板
４１の主表面上にエピタキシャル層４５を気相成長する
際は、まず気相成長工程の前に自然酸化膜を除去するた
めに、主表面及び側面が水素（Ｈ₂）でエッチングされ
る。この時、裏側面酸化膜４２の薄い部分の一部がエッ
チング除去されてしまい、基板４１の側面の一部が露出
する。

【０００７】すると、図４に示すように、気相成長時に
基板４１の露出部に単結晶シリコンが異常成長したり、
裏側面酸化膜４２上にポリシリコンが成長したりする。
これらの異常成長シリコンやポリシリコンはノジュール
（nodule）４３と総称される。ノジュール４３には、ハ
ンドリング中にノジュール４３の一部がとれてパーティ
クル４４の発生の原因となったり、エピタキシャル層４
５を傷つけたりするという問題がある。

【０００８】そこで、ノジュール４３やクラウン４６の
生成防止のために、基板４１の側面に形成された酸化膜
４２を除去するノジュール処理の後、主表面上にエピタ
キシャル層４５を気相成長させることも行われる（図
５）が、これでは基板４１の側面が大きく露出するた
め、オートドーピング現象の低減効果が減少し、エピタ
キシャル層４５の面内抵抗率分布の制御が困難となる。
その結果、エピタキシャル層４５の周辺部の抵抗率が中
央部よりも下がり、エピタキシャルウェーハ面内の抵抗
率が不均一となったり、また、周辺部におけるドーパン
ト濃度の深さ方向プロファイルも悪化し好ましくない。
さらに、ノジュール処理を行うため、作業性が低下す
る。

【０００９】本発明の課題は、ノジュールを伴わず、か
つ、主表面におけるエピタキシャル層の抵抗率が良好な
シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法を提
供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方
法は、シリコン単結晶基板の裏面上及び側面上に気相成
長によりシリコンエピタキシャル層を形成する第一の気
相成長工程と、該第一の気相成長工程が施されたシリコ
ン単結晶基板の主表面上及び側面上に気相成長によりシ
リコンエピタキシャル層を形成する第二の気相成長工程
とを有することを特徴としている。ここで、側面とは、
面取り部を含み、基板の外表面から裏面及び主表面を除
いた部分の全体又は一部を意味するものとする。

【００１１】本発明によれば、オートドーピング防止の
ための保護膜としてシリコンエピタキシャル層を使用す
るため、すなわち、酸化膜をオートドーピング防止のた
めの保護膜として使用しないため、基板の主表面上にエ
ピタキシャル層を気相成長する際に、酸化膜との境界に
従来形成されていたノジュールやクラウンの発生を防止
でき、パーティクルの発生、エピタキシャル層への傷の
形成を防止することができる。

【００１２】また、第一の気相成長工程により基板の裏
面上及び側面上に形成されるエピタキシャル層は、第二
の気相成長工程で基板の主表面上及び側面上に形成され
るエピタキシャル層との境界にノジュールやクラウンを
発生させないので、酸化膜とは異なり基板の側面に形成
しても何ら問題ない。従って、側面のエピタキシャル層
を除去する必要がないので、ウェーハ主表面内のエピタ
キシャル層の抵抗率を均一にすることができる。さら
に、ノジュール処理が必要とされないので、作業性が向
上する。

【００１３】上記シリコンエピタキシャルウェーハの製
造方法は、第一の気相成長工程と第二の気相成長工程と
の間に、シリコン単結晶基板の主表面を研磨する研磨工
程を有していてもよい。研磨としては、鏡面研磨が好ま
しい。

【００１４】また、ドーパントとして砒素が添加された
シリコン単結晶基板を用いる場合に、本発明の製造方法
は好適に適用され得る。これは、砒素はオートドーピン
グされやすいからである。

【００１５】また、第一の気相成長工程には、縦型の気
相成長装置が用いられることが好ましい。これは、シリ
コン単結晶基板の側面のエッジまで完全にエピタキシャ
ル層を形成するためである。

【００１６】さらに、本発明のシリコンエピタキシャル
ウェーハは、裏面上及び側面上にシリコンエピタキシャ
ル層が形成されたシリコン単結晶基板と、該シリコン単
結晶基板の主表面上及び側面上に形成されたシリコンエ
ピタキシャル層とを有することを特徴としている。シリ
コン単結晶基板は、ドーパントとして砒素を添加したも
のであってもよい。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図を参照して本発明に係る
シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法の実
施の形態を説明する。図１（ａ）〜図１（ｃ）は、本発
明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造工程を
示すフロー図であり、図２（ａ）、図２（ｂ）は、本発
明に用いられる縦型の気相成長装置の一例を模式的に示
す概略説明図であり、図３は、本発明に用いられるバレ
ル型の気相成長装置の一例を示す概略説明図である。

【００１８】図１（ｃ）に示す、本発明に係るエピタキ
シャルウェーハ１０は、ＦＺ法あるいはＣＺ法等により
製造されたシリコン単結晶インゴットから、スライス工
程、面取り工程、ラッピング工程、エッチング工程を通
して製造されたケミカルエッチウェーハ、あるいはさら
にメカノケミカルポリッシングが施された鏡面研磨ウェ
ーハを気相成長用のシリコン単結晶基板（基板）１とし
て用い（図１（ａ））、該基板１の裏面２上及び側面３
上全体に、第一の気相成長工程によりエピタキシャル層
４が形成された後（図１（ｂ））、第二の気相成長工程
により基板１の主表面５上及び側面３上にエピタキシャ
ル層６が形成されたものである。

【００１９】基板１には、砒素（Ａｓ）、硼素（Ｂ）又
は燐（Ｐ）等のオートドーピング現象を発現させやすい
ドーパントが高濃度に添加されており、例えば抵抗率が
０．００１Ω・ｃｍ〜０．０２Ω・ｃｍの範囲のもので
ある。

【００２０】基板１の裏面２上及び側面３上に形成され
たエピタキシャル層４は、ドーパントが添加されていな
いノンドープのエピタキシャル層であることが好まし
い。エピタキシャル層４の厚さは特に限定はされない
が、３μｍ程度の膜厚であれば、オートドーピング現象
の低減に十分効果がある。さらに、オートドーピング現
象を低減できる程度であれば、膜厚はより薄い方がコス
ト低減のためには好ましい。

【００２１】基板１の主表面５上及び側面３上に形成さ
れるエピタキシャル層６は、特に限定はされないが、エ
ピタキシャル層６の抵抗率が基板１の抵抗率の１０００
倍以上である場合に、本発明の効果が顕著に現れる。

【００２２】第一の気相成長工程において、エピタキシ
ャル層４の気相成長に用いられる装置としては、縦型
（パンケーキ型）が好ましく、この一例を図２（ａ）及
び図２（ｂ）に示す。縦型の気相成長装置２０は、例え
ば、外側の金属ベルジャー２１ａ及び内側の石英ベルジ
ャー２１ｂを有する反応炉２１と、円盤状のサセプタ２
２と、うず巻状の高周波誘導加熱コイル２３と、ガス導
入管２４と、ガス排出部２５とを有している。

【００２３】サセプタ２２は、カーボン（Ｃ）をシリコ
ンカーバイド（ＳｉＣ）でコートした材質であり、サセ
プタ２２の下方に位置する高周波誘導加熱コイル２３に
より加熱されて、サセプタ２２上の基板１を加熱する。
サセプタ２２はガス導入管２４を中心として回転され、
これによりエピタキシャル層４の膜厚及び抵抗率の均一
性を高めることができる。

【００２４】ガス導入管２４には複数のガス噴射口２４
ａが設けられ、サセプタ２２の中央を貫通し、塩化水素
（ＨＣｌ）等のエッチングガス、トリクロロシラン（Ｓ
ｉＨＣｌ₃）等のシリコン原料ガスと水素とが混合され
たプロセスガス等を反応炉２１内へ水平方向に導入す
る。ガス排出部２５は反応炉２１内の下側に位置し、反
応炉２１内のガスを外部に排出する。

【００２５】エピタキシャル層４の気相成長において、
図２に示すように、複数の基板１がサセプタ２２上に配
置される。この時、主表面５はサセプタ２２に接する。
サセプタ２２は高周波誘導加熱コイル２３により下方か
ら加熱され、このサセプタ２２からの伝熱により基板１
が加熱されるため、サセプタ２２の方が基板１より高温
となり、縦方向に温度差ができる。サセプタ２２と基板
１との接触部近傍において、エピタキシャル層は温度の
低い方に成長しやすいため、主表面５側の面取り部３ａ
にもエピタキシャル層４が効率良く成長する。面取り部
３ａの主表面５側のエッジまで完全にエピタキシャル層
４を形成するためには、上記の理由から縦型の気相成長
装置２０が好ましい。

【００２６】第一の気相成長工程において基板１の主表
面５とサセプタ２２が接する際に、主表面５の表面には
損傷が生じる。そこで、酸性液又はアルカリ性液を用い
て損傷を完全に除去するか、あるいは、主表面５を鏡面
研磨処理した後に、第二の気相成長工程を行うことが好
ましい。

【００２７】第二の気相成長工程において、エピタキシ
ャル層６の気相成長に用いられる装置としては、例え
ば、バレル型（シリンダー型）が用いられ、この一例を
図３に示す。バレル型の気相成長装置３０は、石英製の
円筒型の反応炉３１と、台形のサセプタ３２と、赤外線
ランプ３３と、ガス導入管３４と、ガス排出部３５とを
有する。反応炉３１は縦長に設置され、その中に多角錘
台状のカルーセル（carrousel）３６が設置されてい
る。カルーセル３６の各側面にサセプタ３２が設置さ
れ、サセプタ３２の表面上に複数の基板１が立てかけら
れる。反応炉３１の外部に配置された赤外線ランプ３３
によりサセプタ３２及び基板１が加熱され、基板１はサ
セプタ３２からの伝熱によっても加熱される。

【００２８】ガス導入管３４は、反応炉３１の上部側方
に設けられ、気相成長工程を行うために、適時塩化水素
等のエッチングガス、トリクロロシラン等のシリコン原
料ガス、ジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）やホスフィン（ＰＨ₃）等
のドーパントガスが水素と混合されたプロセスガスを導
入する。カルーセル３６は中心軸の回りを回転し、これ
によりエピタキシャル層６の膜厚及び抵抗率の均一性を
高めることができる。ガス排出部３５は反応炉３１の下
部中央に設けられ、反応炉３１内のガスを外部に排出す
る。

【００２９】次に、上記エピタキシャルウェーハ１０の
製造方法を説明する。まず、ＦＺ法あるいはＣＺ法等に
より製造されたシリコン単結晶インゴットから、スライ
ス工程、面取り工程、ラッピング工程、エッチング工程
を通して製造されたケミカルエッチウェーハ、あるいは
さらにメカノケミカルポリッシングが施された鏡面研磨
ウェーハを基板１として用いる。基板１は、第一の気相
成長工程のため、図２に示される気相成長装置２０の反
応炉２１内へ搬入される。基板１は、サセプタ２２と主
表面５が接するようにサセプタ２２上に配置される（図
１（ａ）及び図２（ａ））。

【００３０】その後、基板１の裏面２及び側面３に形成
されている自然酸化膜を除去するために、高周波誘導加
熱コイル２３により１１００℃以上の温度、例えば１１
５０℃に昇温して、水素雰囲気下あるいは塩化水素ガス
を水素雰囲気中に供給しながら数秒〜数分間この温度を
保持する。

【００３１】その後、エピタキシャル層４の成長温度
（例えば、１１３０℃）まで降温して、この温度に保持
してサセプタ２２を回転させながら、トリクロロシラン
等のシリコン原料ガスと水素とが混合されたプロセスガ
スをガス導入管２４のガス噴射口２４ａから水平方向に
反応炉２１内へ噴射することにより、基板１の裏面２上
及び側面３上全体にエピタキシャル層４が形成される
（図１（ｂ））。プロセスガスは、ガス排出管２５から
反応炉２１の外部へ排出される。気相成長の終了後、加
熱が中止され、基板１は水素雰囲気中で降温する。

【００３２】十分に冷却された基板１は反応炉２１から
取出され、公知の鏡面研磨方法によって主表面５が鏡面
研磨される。鏡面研磨は、研磨ヘッドに保持された基板
１を定盤に貼付された研磨布に押圧し、研磨布と基板１
との間に研磨剤を供給しながら、研磨ヘッドと定盤とを
それぞれ回転させて行なう。研磨剤はコロイダルシリカ
研磨剤を用いると良い。研磨された基板１は、研磨ヘッ
ドから外され、洗浄される。

【００３３】その後、図３に示される気相成長装置３０
の反応炉３１内へ基板１が搬入される。基板１は、裏面
２上のエピタキシャル層４とサセプタ３２とが接するよ
うにサセプタ３２上に配置される。そして、第一の気相
成長工程と同様の手順で、ウェーハの主表面５上及び側
面３上にエピタキシャル層６が形成される（図１
（ｃ））。気相成長の終了後は、エピタキシャルウェー
ハ１０が室温近くになるまで降温する。

【００３４】

【実施例】基板１として、Ａｓがドープされ、抵抗率
０．００１Ω・ｃｍ〜０．００６Ω・ｃｍである直径１
２５ｍｍのシリコン単結晶基板を用いた。この基板１
を、図２（ａ）、（ｂ）に示すような縦型の気相成長装
置２０の反応炉２１内へ搬入し、サセプタ２２と基板１
の主表面５が接するようにサセプタ２２上に配置した
（図１（ａ））。その後、水素を反応炉２１内へ供給し
て水素雰囲気下とし、高周波誘導加熱コイル２３により
基板１を１１５０℃に昇温し、３分間この温度に保持し
て基板１の表面に形成されている自然酸化膜を除去し
た。

【００３５】その後、基板１を１１３０℃まで降温して
この温度に保持し、ガス導入管２４のガス噴射口２４ａ
から反応炉２１内にトリクロロシランと水素とが混合さ
れたプロセスガスを水平方向に導入して、基板１の裏面
２上及び側面３上全体に厚さ約５μｍのエピタキシャル
層４を形成した（図１（ｂ））。

【００３６】裏面２と側面３にエピタキシャル層４が形
成された基板１を反応炉２１から取出した後、基板１の
主表面５に鏡面研磨を施した。鏡面研磨工程において、
まず基板１を研磨ヘッドに保持し、定盤に貼付された研
磨布に押圧した。そして、研磨布と基板１との間に研磨
剤を供給しながら、研磨ヘッドと定盤とをそれぞれ回転
させて研磨を行った。研磨剤はコロイダルシリカ研磨剤
を用いた。主表面５を研磨した基板１は、研磨ヘッドか
ら外し、洗浄した。

【００３７】その後、図３に示すようなバレル型の気相
成長装置３０の反応炉３１内へ基板１を搬入し、裏面２
上に形成されたエピタキシャル層４とサセプタ３２とが
接するように基板１をサセプタ３２上に配置した。そし
て、水素を反応炉３１内へ供給しながら赤外線ランプ３
３により１１５０℃に昇温し、３分間この温度に保持し
て基板１の表面に形成されている自然酸化膜を除去し
た。その後、１１３０℃まで降温してこの温度に保持
し、ガス導入管３４から反応炉３１内にトリクロロシラ
ンとホスフィンと水素とが混合されたプロセスガスを導
入して、基板１の主表面５上及び側面３上に厚さ約５０
μｍのエピタキシャル層６を形成した（図１（ｃ））。
基板１の側面３上において、エピタキシャル層６はエピ
タキシャル層４の上に積層される。ドーパントガスとし
てのホスフィンは、エピタキシャル層６の抵抗率がほぼ
３５Ω・ｃｍとなるようにその濃度を調節した。

【００３８】上記気相成長により、主表面５上にエピタ
キシャル層６、裏面２上にエピタキシャル層４、側面３
上に二層のエピタキシャル層４、６がそれぞれ形成され
たエピタキシャルウェーハ１０が得られた。得られたエ
ピタキシャルウェーハ１０について、主表面上のエピタ
キシャル層６の抵抗率をＣ―Ｖ（Capacitance-Voltag
e）法で測定した。

【００３９】その結果、抵抗率の面内分布は±２％〜±
３．５％（（最大値−最小値）／（最大値＋最小値）×
１００で計算）であり、高抵抗率のエピタキシャル層６
であっても面内抵抗率分布が良好であった。また、ドー
パント濃度の深さ方向プロファイルも良好であった。さ
らに、エピタキシャルウェーハ１０の側面３においてノ
ジュールの発生は全く見られず、ノジュールに起因する
パーティクルや傷のない良好なエピタキシャルウェーハ
１０が得られた。以上の結果から、オートドーピング現
象を低減でき、面内抵抗率分布が良好かつノジュールを
伴わないエピタキシャルウェーハを製造できることがわ
かる。

【００４０】また、比較例として裏面のみに酸化膜を形
成した点のみが実施例のものと異なる基板（基板Ｒ）
と、裏面及び側面に酸化膜を形成した点のみが実施例の
ものと異なる基板（基板Ｓ）とを用意し、図３に示すよ
うなバレル型の気相成長装置３０により実施例と同様の
成長条件で基板の主表面上及び側面上にエピタキシャル
層を形成した。

【００４１】基板Ｒから得られたエピタキシャルウェー
ハについては、主表面のエピタキシャル層の抵抗率の面
内分布が±５．８％〜±８％であり、実施例に比べて面
内抵抗率分布が悪かった。一方、基板Ｓから得られたエ
ピタキシャルウェーハについては、抵抗率の面内分布は
実施例とほぼ同様であるものの、基板の側面においてエ
ピタキシャル層と酸化膜との境界でノジュールが発生し
た。

【００４２】なお、上記実施の形態では、第二の気相成
長工程に用いられる気相成長装置として、バレル型のも
のを例示したが、枚葉型等他の気相成長装置を用いるこ
ともできる。

【００４３】

【発明の効果】本発明のうちの代表的なものによって得
られる効果を説明すれば、第一の気相成長工程によりシ
リコン単結晶基板の裏面上及び側面上に酸化膜ではなく
シリコンエピタキシャル層が形成されるため、シリコン
エピタキシャル層と酸化膜との境界に従来形成されてい
たノジュールやクラウンの発生を防止でき、パーティク
ルや傷の発生を防止することができるシリコンエピタキ
シャルウェーハを製造することができる。

【００４４】また、ノジュールやクラウンが発生しない
ため、側面のエピタキシャル層を除去する必要もない。
従って、ウェーハ主表面に形成されるエピタキシャル層
の抵抗率を良好に保ちながら作業性を向上することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハ
の製造工程を示すフロー図である。

【図２】本発明に用いられる縦型の気相成長装置の一例
を模式的に示す概略説明図であり、図２（ａ）は、反応
炉の縦断面図であり、図２（ｂ）は、（ａ）の矢印Ｂ−
Ｂ線に沿った反応炉の断面図である。

【図３】本発明に用いられるバレル型の気相成長装置の
一例を示す概略説明図である。

【図４】裏側面酸化膜が形成された基板の主表面にエピ
タキシャル層を気相成長した時に得られるエピタキシャ
ルウェーハの一例を説明する説明図である。

【図５】裏面にのみ酸化膜が形成された基板の主表面上
にエピタキシャル層を気相成長したときのエピタキシャ
ルウェーハの一例を説明する説明図である。

【符号の説明】

１シリコン単結晶基板（基板）２裏面３側面３ａ面取り部４、６エピタキシャル層５主表面２０縦型気相成長装置２１、３１反応炉２２、３２サセプタ２３高周波誘導加熱コイル２４、３４ガス導入管３０バレル型気相成長装置３３赤外線ランプ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5F045 AB02 AC05 AC13 AD15 AF03 BB06 BB15 DP15 DP16 DQ04 EB15 EF03 EK03 EM09 GH02 HA11 HA24

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】裏面上及び側面上にシリコンエピタキシ
ャル層が形成されたシリコン単結晶基板と、該シリコン単結晶基板の主表面上及び側面上に形成され
たシリコンエピタキシャル層とを有することを特徴とす
るシリコンエピタキシャルウェーハ。
【請求項２】前記シリコン単結晶基板は、ドーパント
として砒素を添加したものであることを特徴とする請求
項１記載のシリコンエピタキシャルウェーハ。
【請求項３】シリコン単結晶基板の裏面上及び側面上
に気相成長によりシリコンエピタキシャル層を形成する
第一の気相成長工程と、該第一の気相成長工程が施されたシリコン単結晶基板の
主表面上及び側面上に気相成長によりシリコンエピタキ
シャル層を形成する第二の気相成長工程とを有すること
を特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方
法。
【請求項４】前記第一の気相成長工程と第二の気相成
長工程との間に、前記シリコン単結晶基板の主表面を研
磨する研磨工程を有することを特徴とする請求項３記載
のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項５】前記シリコン単結晶基板は、ドーパント
として砒素を添加したものであることを特徴とする請求
項３記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方
法。
【請求項６】前記第一の気相成長工程には、縦型の気
相成長装置が用いられることを特徴とする請求項３記載
のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。