JP2011014771A - エピタキシャル成長方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】エピタキシャル成長炉2内に付着したシリコン堆積物を塩化水素含有ガスによりエッチング除去するクリーニング処理工程と、クリーニング処理工程に引き続き、エピタキシャル成長炉内にシリコンソースガスを供給してサセプタ表面にグレーンサイズが0.7μm〜0.3μmのポリシリコン膜を形成するポリシリコン成膜工程とを有することを特徴とするエピタキシャル成長方法である。
【選択図】図1
Description
(3)上記(1)に記載のエピタキシャル成長方法では、前記シリコンソースガスをジクロロシラン(SiH2Cl2)とし、前記ポリシリコン処理を前記エピタキシャル炉の炉内温度を1060℃〜1130℃で行うことができる。
(4)上記(1)〜(4)のいずれかに記載のエピタキシャル成長方法においては、前記ポリシリコンコートの膜厚が0.5μm〜2.0μmであることが望ましい。
2:チャンバー、 3:サセプタ、 3a:ポリシリコンコート、
4:赤外線ランプ、 5:シリコンソースガス流入口、
6:シリコンソースガス排出口
Claims (4)
- エピタキシャル成長炉内に投入したシリコンウェーハを加熱しながらシリコンウェーハの主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャル成長方法において、
エピタキシャル成長炉内に付着したシリコン堆積物を塩化水素含有ガスによりエッチング除去するクリーニング処理工程と、
クリーニング処理工程に引き続き、エピタキシャル成長炉内にシリコンソースガスを供給してサセプタ表面にグレーンサイズが0.7μm〜0.3μmのポリシリコン膜を形成するポリシリコン成膜工程とを有することを特徴とするエピタキシャル成長方法。 - 前記シリコンソースガスがトリクロロシランであり、
前記ポリシリコン処理を前記エピタキシャル炉の炉内温度を1140℃〜1200℃で行うことを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル成長方法。 - 前記シリコンソースガスがジクロロシランであり、
前記ポリシリコン処理を前記エピタキシャル炉の炉内温度を1060℃〜1130℃で行うことを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル成長方法。 - 前記ポリシリコンコートの膜厚が0.5μm〜2.0μmであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のエピタキシャル成長方法。
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