JP2005166793A - エピタキシャル成長装置のクリーニング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】
LPD欠陥のレベルが低減されたシリコンエピタキシャルウェーハを得ることが可能なエピタキシャル成長装置のクリーニング方法を提供することを主たる目的としている。
【解決手段】
反応室内整流板のサセプタ側周縁部に、クリーニングガスを整流板表面に対して、80.0°〜89.5°の入射角を持った下向きの角度で供給することによりLPD欠陥が低減できる。これによって、高品質のエピタキシャルシリコンウェーハを得ることができる。
【選択図】 図1
LPD欠陥のレベルが低減されたシリコンエピタキシャルウェーハを得ることが可能なエピタキシャル成長装置のクリーニング方法を提供することを主たる目的としている。
【解決手段】
反応室内整流板のサセプタ側周縁部に、クリーニングガスを整流板表面に対して、80.0°〜89.5°の入射角を持った下向きの角度で供給することによりLPD欠陥が低減できる。これによって、高品質のエピタキシャルシリコンウェーハを得ることができる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、エピタキシヤル成長後の表層に発生するLPD( Light Point Defect: 光散乱法による欠陥の総称)と呼ばれる欠陥の発生を抑制することができるエピタキシャル成長装置のクリーニング方法に関するものである。
半導体ウェーハ、例えばシリコンウェーハの製造分野においては、基板表面に基板と同材質のシリコンを気相成長法によりエピタキシャル膜を形成した、所謂エピタキシャルシリコンウェーハ(以下、エピウェーハと略すことがある。)が従来から知られている。この技術によれば、基板上に任意の膜厚や抵抗率を持つ単結晶シリコン層を形成できるので、高性能の半導体デバイスを製造することができる。例えばバイポーラトランジスタの分野では高速化の目的で、CMOSメモリの分野ではソフトエラー、ラッチアップ等の不良対策として、エピウェーハの使用が極めて有効であることが認識されており、需要が高まっている。
通常、シリコンウェーハ上にエピタキシャル膜を堆積させて成膜を行なうエピタキシャル成長装置では、半導体ウェーハ以外のエピタキシャル反応室内部、排気配管、ポンプ等に、膜や粉が付着する。このため、クリーニングガスをエピタキシャル装置内部に導入して付着物の分解、排出を行い、シリコンウェーハ処理装置の反応室や排気配管などをクリーニングしており、エピタキシャル反応室内のサセプタ上にウェーハを載せ、ウェーハの表面に沿って流れるように水平に供給して原料ガスを流通させることによって、ウェーハ表面にエピタキシャル膜を形成させる横型のエピタキシャル成長装置においては、エピタキシャル反応室内へのガス供給ノズルがエピタキシャル膜成長時には、水平におかれているが、クリーニング時には、ガス供給ノズルの角度を変化させることが知られている。(例えば、特許文献1)。
特開2002−184708号公報
しかしながら、従来の横型のエピタキシャル成長装置におけるクリーニング方法では、LPD欠陥のレベルが高いという問題があった。したがって、本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、LPD欠陥のレベルが低減されたシリコンエピタキシャルウェーハを得ることが可能なエピタキシャル成長装置のクリーニング方法を提供することを主たる目的としている。
請求項1に記載の発明は、ウェーハを、エピタキシャル反応室内の回転可能に設置されたサセプタに、水平載置し、該サセプタの誘導加熱によりウェーハを加熱し、エピタキシャル成長用原料ガスを前記ウェーハの表面に沿って流れるように水平に供給して、エピタキシャル層を形成するエピタキシャル装置であって、前記エピタキシャル成長用原料ガス、キャリアガス、若しくはクリーニングガスを前記エピタキシャル反応室内に供給するガス供給ノズルを有し、前記ガス供給ノズルと前記サセプタとの間にあり、前記ガス供給ノズルから供給されるガスを表面にあてて整流し、エピタキシャル反応室内に供給し、前記ウェーハに向けて流すための整流板とを有するエピタキシャル装置のクリーニング方法において、前記クリーニングガスを流す際に、整流板のサセプタ側周縁部に、前記クリーニングガスを整流板表面に対して入射角が80.0°〜89.5°の下向きの角度で供給することを特徴とするエピタキシャル成長装置のクリーニング方法である。
本発明者は、従来の横型のエピタキシャル成長装置においてエピタキシャル表層のLPDの欠陥レベルが高くなる原因について検討した結果、シリコンウェーハだけでなく、サセプタやエピタキシャル反応室内、エピタキシャル反応室内の石英部品に堆積してしまうシリコン堆積物は、クリーニングガスによるエッチングプロセスである程度除去されるが、特にガス供給ノズルとサセプタとの間に設置された整流板のサセプタ側周縁部にシリコン堆積物が多く残り、通常のクリーニングガスによるエッチングプロセスでは除去しきれずに、LPD欠陥を増加させる。そこで、クリーニングガスを流す際に、整流板のサセプタ側周縁部に、前記クリーニングガスを整流板表面に対して入射角が80.0°〜89.5°の下向きの角度で供給し、ガス供給ノズルとサセプタとの間に設置された整流板のサセプタ側周縁部のシリコン堆積物を効率よく除去するものである。
請求項2に記載の発明は、前記クリーニングガスがHClガスであることを特徴とするクリーニング方法である。
本発明によりエピタキシャル反応室内のシリコン堆積物はもちろん特にシリコン堆積物がエッチングしきれずに残ってしまうガス供給ノズルとサセプタとの間に設置された整流板のサセプタ側周縁部のシリコン堆積物をも効率よく除去できるため、エピタキシャル成長後のLPD欠陥レベルを抑制した高品質エピタキシャルシリコンウェーハを得ることができる。
以下に本発明の実施形態を説明する。
図2は、本発明のエピタキシャル成長装置の反応室を上から見た図であり、図3は、本発明のエピタキシャル成長装置の反応室を横から見た図である。
反応室1内には、シリコンウェーハ2がサセプタ3に載置される。サセプタ3は、回転軸(図示せず)に保持され、回転軸とともに回転可能であり、サセプタ3近傍には、ヒータなどの加熱装置(図示せず)と、ガス流を整流するための石英製整流板4が設けられ、ガス流5のごとく原料ガス又はクリーニングガスが流される。
このような構成からなるエピタキシャル成長装置によるエピタキシャル膜の成膜方法について説明する。
(イ)サセプタ3に載置され保持されているシリコンウェーハ2を、加熱装置により1100℃に加熱し、自然酸化膜を除去した。
。
。
(ロ)その後、シリコンウェーハ2の温度を1100℃に保持したまま、回転軸の回転運動によりシリコンウェーハ2を、サセプタ3とともに回転させた。
(ハ)原料ガスとしてトリクロロシランガスを含有する水素ガスを反応室1内に供給して、シリコンウェーハ2上にシリコン単結晶膜を気相エピタキシャル成長させた。その後、反応室1内の未反応原料ガス、反応後のガスを、排出した。
(二)成膜が終了したら、シリコンウェーハ2を移動させ次の工程に送り、未成膜の新たなシリコンウェーハ2を、サセプタ3上に載置し保持した。以降ステップ(イ)に戻り、(イ)〜(二)の動作を継続した。
ここで、反応室1内の生成物の付着堆積が許容範囲を超えた場合に、以下のクリーニングを行う。
また、クリーニングは、予め設定された時間行うが、反応室1内の不純物、堆積物の目視、経験、不純物、堆積物を膜厚センサなどを用いて光学的に測定、シリコンウェーハ2上の成膜状態の検査(生成物の分布、濃度、LPDの欠陥数)などにより、クリーニングの終点を検出して停止させる。
反応室1内整流板のサセプタ側周縁部に、HClガスをクリーニングガスとして整流板表面に対して、ある入射角を持った下向きの角度で供給して、反応室1内部に付着堆積しているシリコン、シリコン化合物等を除去した。その入射角は、90.0°(シリコンウェーハ2と水平)、89.5°、88.0°、80.0°の4つの場合を行なった。HClガスは、60%HClを用い、1120℃、10分、流量35l/minにて供給した。その後、所定時間が経過した後、クリーニングにより反応室1内が所望の環境状態になっているか否かを、目視、厚膜センサなどの各種センサ等により検出し、クリーニング動作の継続/停止を判断し、所望の環境状態になっていることを確認し、クリーニングを終了した。
図1は、エピタキシャル成長を行なった回数50回、100回、150回、200回のあとに、入射角90.0°(シリコンウェーハ2と水平)、89.5°、88.0°、80.0°の4つの場合でクリーニングを行い、クリーニング直後のエピタキシャル成長でのエピタキシャル成長表面のLPD欠陥数を表面検査装置を用いて測定した図である。
以上述べたように、この図より、反応室1内整流板のサセプタ側周縁部に、HClガスを整流板表面に対して、80.0°〜89.5°の入射角を持った下向きの角度で供給することによりLPD欠陥が低減できることがわかる。
1 反応室
2 シリコンウェーハ
3 サセプタ
4 整流板
5 ガス流
2 シリコンウェーハ
3 サセプタ
4 整流板
5 ガス流
Claims (2)
- ウェーハを、エピタキシャル反応室内の回転可能に設置されたサセプタに、水平載置し、該サセプタの誘導加熱によりウェーハを加熱し、エピタキシャル成長用原料ガスを前記ウェーハの表面に沿って流れるように水平に供給して、エピタキシャル層を形成するエピタキシャル装置であって、前記エピタキシャル成長用原料ガス、キャリアガス、若しくはクリーニングガスを前記エピタキシャル反応室内に供給するガス供給ノズルを有し、前記ガス供給ノズルと前記サセプタとの間にあり、前記ガス供給ノズルから供給されるガスを表面にあてて整流し、エピタキシャル反応室内に供給し、前記ウェーハに向けて流すための整流板とを有するエピタキシャル装置のクリーニング方法において、前記クリーニングガスを流す際に、整流板のサセプタ側周縁部に、前記クリーニングガスを整流板表面に対して入射角が80.0°〜89.5°の下向きの角度で供給することを特徴とするエピタキシャル成長装置のクリーニング方法。
- 前記クリーニングガスがHClガスであることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル成長装置のクリーニング方法。
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JP2003401436A JP2005166793A (ja) | 2003-12-01 | 2003-12-01 | エピタキシャル成長装置のクリーニング方法 |
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KR20220041490A (ko) * | 2020-09-25 | 2022-04-01 | 에스케이실트론 주식회사 | 에피택셜층 증착 장비의 클리닝 방법 |
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2003
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