JP5891851B2 - シリコンウェーハの表面に形成された酸化膜の除去方法 - Google Patents
シリコンウェーハの表面に形成された酸化膜の除去方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5891851B2 JP5891851B2 JP2012043678A JP2012043678A JP5891851B2 JP 5891851 B2 JP5891851 B2 JP 5891851B2 JP 2012043678 A JP2012043678 A JP 2012043678A JP 2012043678 A JP2012043678 A JP 2012043678A JP 5891851 B2 JP5891851 B2 JP 5891851B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- wafer
- stage
- silicon wafer
- mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 76
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 63
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 63
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 63
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 62
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 34
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 33
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 33
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 24
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 11
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 11
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 claims description 9
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 claims description 9
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 8
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 8
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 8
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 7
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 145
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 18
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 16
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02658—Pretreatments
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
- Y10T428/24488—Differential nonuniformity at margin
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
本発明の第7の観点の方法では、上記載置用ステージとして、載置表面の中央部に凹み部が形成されたステージを用いることにより、気相エッチング中に、載置用ステージ表面とウェーハ下面に形成された酸化膜との密着力を向上させ、にじみ領域をより低減させることができる。
先ず、直径200mmであって、面取り幅0.3mm、抵抗率0.01Ω・cmのボロンドープのp型シリコンウェーハを用意し、このシリコンウェーハの下面に膜厚5000オングストロームの酸化膜をCVD法により成膜した。このとき、ウェーハ下面以外に、面取り面、端面に、不可避的に酸化膜が形成される。
載置用ステージ13表面の表面粗さを以下の試験例1〜5のように変更し、ステージ表面の表面粗さとにじみ発生領域幅との関係を調べた。
ステージ径が198mmφであり、表面粗さRaが0.5μmの載置用ステージ13を用い、エッチング処理時間を600秒として、実施例1と同様に、ウェーハ外周部に形成された余分な酸化膜32を気相エッチングにより除去した。
表面粗さRaが0.4μmの載置用ステージ13を使用したこと以外は、試験例1と同様に、ウェーハ外周部に形成された余分な酸化膜32を気相エッチングにより除去した。
表面粗さRaが0.3μmの載置用ステージ13を使用したこと以外は、試験例1と同様に、ウェーハ外周部に形成された余分な酸化膜32を気相エッチングにより除去した。
表面粗さRaが6.5μmの載置用ステージ13を用い、その表面に表面粗さRaが0.05μmのポリ塩化ビニリデン製の樹脂フィルムを被着してなる載置用ステージ13を使用したこと以外は、試験例1と同様に、ウェーハ外周部に形成された余分な酸化膜32を気相エッチングにより除去した。
表面粗さRaが6.5μmの載置用ステージ13を使用したこと以外は、試験例1と同様に、ウェーハ外周部に形成された余分な酸化膜32を気相エッチングにより除去した。
試験例1〜5において、それぞれ計5回ずつ同じ条件で気相エッチングを行い、にじみ領域幅を測定した。にじみ領域幅は光学顕微鏡を用いて測定した。これらの結果を、図8に示す。
上記実施例2の各試験例1〜5で気相エッチングを行ったシリコンウェーハを、各試験例ごとに5枚ずつ採取した。それぞれのウェーハについて、その酸化膜が形成されていないウェーハ上面側の表面にエピタキシャル膜を形成し、目視検査によりウェーハ下面のにじみ領域におけるノジュールの発生の有無を確認した。
11 反応容器
12 上蓋
13 載置用ステージ
14 エッチングガス
16 ガス供給管
31 シリコンウェーハ
32 酸化膜
Claims (8)
- 上面、下面、面取り面及び端面を有し、少なくともシリコンウェーハの下面全面に酸化膜が形成されたシリコンウェーハを用意する工程と、
気相エッチング装置の反応容器内に、少なくとも前記酸化膜との接触部分が耐酸性樹脂層で構成され、前記接触部分における表面粗さRaが0.5μm以下の円板状のウェーハ載置用ステージを1又は2以上配置する工程と、
前記シリコンウェーハの下面を前記載置用ステージ上面に向けて前記シリコンウェーハを、ウェーハ中心が前記載置用ステージの中心軸と一致するように前記載置用ステージ上に載置する工程と、
前記反応容器内にフッ化水素含有ガスを流通させることにより、面取り面とウェーハ下面との界面からウェーハの内側に向かって所望の間隔aまで酸化膜を除去する工程とを含み、
前記所望の間隔aの調整を、前記載置用ステージのステージ径を変更することにより行い、
前記所望の間隔aの調整が、前記シリコンウェーハの抵抗率に応じて行われるシリコンウェーハの表面に形成された酸化膜の除去方法。 - 前記載置用ステージの、前記酸化膜との接触部分における表面粗さRaが0.4μm以下である請求項1記載の酸化膜の除去方法。
- 前記耐酸性樹脂層がポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレンのいずれか一種により形成されてなる請求項1又は2記載の酸化膜の除去方法。
- 前記耐酸性樹脂層が、表面粗さRaが0.5μm以下の脱着可能な樹脂フィルムからなる請求項1記載の酸化膜の除去方法。
- 前記樹脂フィルムの表面粗さRaが0.4μm以下である請求項4記載の酸化膜の除去方法。
- 前記樹脂フィルムがポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレンのいずれか一種により形成されてなる請求項4又は5記載の酸化膜の除去方法。
- 前記載置用ステージとして、載置表面の中央部に凹み部が形成されたステージを用いる請求項1ないし6いずれか1項に記載の酸化膜の除去方法。
- 請求項1ないし7いずれか1項に記載の方法によりシリコンウェーハの表面に形成された酸化膜を除去する工程と、
前記シリコンウェーハの上面にエピタキシャル成長処理を施す工程と
を含むエピタキシャルウェーハの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012043678A JP5891851B2 (ja) | 2012-02-29 | 2012-02-29 | シリコンウェーハの表面に形成された酸化膜の除去方法 |
US13/760,416 US9064809B2 (en) | 2012-02-29 | 2013-02-06 | Method for removing oxide film formed on surface of silicon wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012043678A JP5891851B2 (ja) | 2012-02-29 | 2012-02-29 | シリコンウェーハの表面に形成された酸化膜の除去方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013182910A JP2013182910A (ja) | 2013-09-12 |
JP5891851B2 true JP5891851B2 (ja) | 2016-03-23 |
Family
ID=49003163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012043678A Active JP5891851B2 (ja) | 2012-02-29 | 2012-02-29 | シリコンウェーハの表面に形成された酸化膜の除去方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9064809B2 (ja) |
JP (1) | JP5891851B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10875218B2 (en) | 2016-09-01 | 2020-12-29 | Bryan Scott Mello | Method and apparatus for manufacturing building panels |
US9732525B1 (en) | 2016-09-01 | 2017-08-15 | Bryan Scott Mello | Method and apparatus for manufacturing building panels |
CN106711068A (zh) * | 2017-01-17 | 2017-05-24 | 环旭电子股份有限公司 | 一种电子模组的刷洗装置及电子模组的自动刷洗方法 |
CN110942986A (zh) * | 2018-09-21 | 2020-03-31 | 胜高股份有限公司 | 形成于硅晶圆的表面的氧化膜的去除方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2546986B2 (ja) | 1985-11-29 | 1996-10-23 | 九州電子金属 株式会社 | 半導体ウエ−ハ及びその製造方法 |
JPH04245431A (ja) * | 1991-01-30 | 1992-09-02 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体基板の酸化膜除去方法とその装置 |
JP3055471B2 (ja) * | 1996-10-03 | 2000-06-26 | 日本電気株式会社 | 半導体基板の製造方法及びその製造装置 |
DE19860163B4 (de) * | 1998-02-18 | 2005-12-29 | Sez Ag | Verfahren zum Trockenätzen eines Wafers |
US6693790B2 (en) * | 2001-04-12 | 2004-02-17 | Komatsu, Ltd. | Static electricity chuck apparatus and semiconductor producing apparatus provided with the static electricity chuck apparatus |
JP4089809B2 (ja) * | 2002-03-13 | 2008-05-28 | Sumco Techxiv株式会社 | 半導体ウェーハのエッジ部の酸化膜除去装置 |
EP1431825A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-06-23 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and substrate holder |
JP2005265718A (ja) | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 不純物の分析方法 |
JP4815801B2 (ja) | 2004-12-28 | 2011-11-16 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの研磨方法および製造方法および円板状ワークの研磨装置ならびにシリコンウエーハ |
JP4675749B2 (ja) * | 2005-10-28 | 2011-04-27 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウエーハの製造方法 |
KR100722128B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-05-25 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 제조방법 |
-
2012
- 2012-02-29 JP JP2012043678A patent/JP5891851B2/ja active Active
-
2013
- 2013-02-06 US US13/760,416 patent/US9064809B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130224438A1 (en) | 2013-08-29 |
US9064809B2 (en) | 2015-06-23 |
JP2013182910A (ja) | 2013-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7659207B2 (en) | Epitaxially coated silicon wafer and method for producing epitaxially coated silicon wafer | |
JP5370850B2 (ja) | エピタキシャル膜成長方法、ウェーハ支持構造およびサセプタ | |
JP5232719B2 (ja) | エピタキシャル被覆された半導体ウェハの製造方法 | |
EP3879011A1 (en) | Sic semiconductor substrate, method for manufacturing same, and device for manufacturing same | |
JP2007088469A (ja) | エピタキシャルシリコンウェハおよびエピタキシャルシリコンウェハの製造方法 | |
JP5834632B2 (ja) | サセプタ、該サセプタを用いた気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP5891851B2 (ja) | シリコンウェーハの表面に形成された酸化膜の除去方法 | |
US9410265B2 (en) | Method for producing a semiconductor wafer composed of silicon with an epitaxially deposited layer | |
JP5347288B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2004087920A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP5273150B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2000219598A (ja) | エピタキシャルシリコンウエーハおよびその製造方法並びにエピタキシャルシリコンウエーハ用基板 | |
JP6447960B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2010171330A (ja) | エピタキシャルウェハの製造方法、欠陥除去方法およびエピタキシャルウェハ | |
CN110942986A (zh) | 形成于硅晶圆的表面的氧化膜的去除方法 | |
JP2013191889A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハ | |
JP2021500302A (ja) | 単結晶シリコンで構成された半導体ウェハ | |
JP2018157138A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2013055231A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2012222014A (ja) | 半導体ウェーハの酸化膜除去方法 | |
JP6569640B2 (ja) | ボックスの管理方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2023113512A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JPH10209055A (ja) | 薄膜エピタキシャルウェ−ハおよびその製造方法 | |
JP2023108951A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2003197547A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150109 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150818 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150825 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151021 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160126 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160208 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5891851 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |