KR102479505B1 - 에피택셜층 증착 장비의 클리닝 방법 - Google Patents

에피택셜층 증착 장비의 클리닝 방법 Download PDF

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Abstract

실시예는 에피택셜층 증착 장비의 클리닝 방법에 있어서, 서셉터와 리프트 핀을 포함하는 증착 장비를 선택하는 (a) 단계; 상기 선택된 증착 장비에 개선된 클리닝 공정을 진행하는 (b) 단계; 상기 개선된 클리닝 후, 에피택셜층이 증착된 웨이퍼 하면의 결함과 에지의 편평도를 확인하는 (c) 단계; 및 상기 (c) 단계에서, 상기 웨이퍼 에지의 편평도가 기설정된 기준을 초과할 경우, 기존의 클리닝 공정을 진행하는 (d) 단계를 포함하는 방법을 제공한다.

Description

에피택셜층 증착 장비의 클리닝 방법{METHOD FOR CLEANING EPITAXIAL LAYER DEPOSITION EQUIPMENT}
실시예는 에피택셜층 증착 장비의 클리닝 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에피택셜층 증착 장비의 에칭 및 실리콘(Si) 증착을 통하여, 장비 내에서 에피택셜층이 증착되는 웨이퍼의 핀 마크 및 편평도(flatness)를 개선하는 방법에 관한 것이다.
실리콘 단결정 웨이퍼 등의 웨이퍼는 그 표면 상에 소정 물질층을 증착하거나, 표면 상의 소정 물질층을 에칭하거나, 웨이퍼 전체를 열처리 하는 등의 각종 가공이 행해지게 된다. 이러한 가공은 반응기인 챔버 내에 여러 장의 웨이퍼를 동시에 수납하여 가공하는 배치(batch)식 가공과, 한 번에 한 장의 웨이퍼만 가공하는 매엽식 가공으로 나뉠 수 있다.
이중 매엽식 가공 방식에서는, 웨이퍼를 서셉터 또는 척 상에 안착시키고 가공하게 되는데, 서셉터 상에 웨이퍼를 안착시키거나 가공이 끝난 웨이퍼를 서셉터로부터 분리할 때, 서셉터의 소정 개소에 형성된 관통 홀을 통해 웨이퍼 리프트 핀으로 웨이퍼의 뒷면을 들어올리는 구조의 웨이퍼 가공 장치가 알려져 있다.
이러한 가공장치를 이용하여 웨이퍼 상에 소정의 물질층을 기상성장시키기 위해서는, 웨이퍼를 리프트 핀으로 지지하며 챔버 내부로 로딩한 후 소정 물질층을 기상성장시킬 수 있다.
그러나, 종래의 리프트 핀과 서셉터를 포함하는 웨이퍼의 증착 장비는 다음과 같은 문제점이 있다.
웨이퍼의 하면에서 리프트 핀에 의해 들어올려진 부분에는 핀 마크(pin mark)라 불리는 일종의 오염 내지 결함이 발생될 수 있다. 이러한 핀 마크의 발생 원인은, 고온의 열을 수반하는 공정(에피택셜 성장이나 열처리 등)에서 많이 발생하는 것으로 볼때, 리프트 핀에 의한 국소적 열손실에 의해 웨이퍼의 온도 균일도가 나빠짐에 따라 발생하는 것으로 추정되며, 리프트 핀 표면의 실리콘층 또는 파티클 등에 기인하는 것일 수 있다.
또한, 증착 장비를 반복하여 사용하면 내부에 이물질이 증착되어, 웨이퍼에 증착되는 에피택셜층의 프로파일, 특히 에지 영역의 프로파일이 왜곡될 수도 있다.
웨이퍼 하면의 핀 마크를 줄이기 위하여, 통상 그라파이트(graphite)로 제작하던 리프트 핀을 열전도율이 낮은 소재인 SiC, 석영 등의 소재로 제작하거나, 또는 웨이퍼의 하면과 접촉하는 리프트 핀의 헤드의 상면을 라운드지게 하는 등의 시도가 있다.
그러나, 이러한 재질 변경이나 형상의 개선에도 불구하고, 여전히 핀 마크의 발생을 유효하게 저감시키지 못하고 있다.
실시예는 웨이퍼 하면의 핀 마크를 방지하고, 웨이퍼에 성장되는 에피택셜층의 프로파일을 개선하고자 한다.
실시예는 에피택셜층 증착 장비의 클리닝 방법에 있어서, 서셉터와 리프트 핀을 포함하는 증착 장비를 선택하는 (a) 단계; 상기 선택된 증착 장비에 개선된 클리닝 공정을 진행하는 (b) 단계; 상기 개선된 클리닝 후, 에피택셜층이 증착된 웨이퍼 하면의 결함과 에지의 편평도를 확인하는 (c) 단계; 및 상기 (c) 단계에서, 상기 웨이퍼 에지의 편평도가 기설정된 기준을 초과할 경우, 기존의 클리닝 공정을 진행하는 (d) 단계를 포함하는 방법을 제공한다.
(c) 단계에서, 상기 웨이퍼 에지의 편평도 및 하면의 결함이 기설정된 기준 이내일 경우, 상기 (b) 단계를 진행할 수 있다.
(a) 단계는, 서셉터와 리프트 핀이 구비된 상기 증착 장비를 에칭하는 (a1) 단계; 상기 웨이퍼 하면의 결함을 확인하는 (a2) 단계; 및 상기 웨이퍼 하면의 결함이 기설정된 기준을 초과할 경우, 상기 웨이퍼 하면의 결함의 원인이 상기 리프트 핀에 기인하는지 확인하는 (a3) 단계를 포함할 수 있다.
(a3) 단계에서, 상기 웨이퍼 하면의 결함의 원인이 상기 리프트 핀에 기인할 경우, 다른 증착 장비를 선정하여 상기 (a1) 단계를 다시 진행할 수 있다.
(a3) 단계에서, 상기 웨이퍼 하면의 결함의 원인이 상기 리프트 핀에 기인할 경우, 동일한 증착 장비로 상기 (a1) 단계를 다시 진행할 수 있다.
(a2) 단계에서, 상기 웨이퍼의 하면에 빛을 조사하여 결함의 면적을 확인할 수 있다.
(c) 단계에서, 상기 웨이퍼 하면의 결함이 기설정된 기준보다 나쁠 경우, 상기 (a1) 단계를 다시 진행할 수 있다.
(c) 단계에서, 상기 웨이퍼 하면의 결함이 기설정된 기준보다 나쁘고 상기 웨이퍼 에지의 편평도가 기설정된 기준을 초과할 경우, 다른 증착 장비를 선정하여 상기 (a1) 단계를 다시 진행할 수 있다.
(b) 단계의 개선된 클리닝 공정은, 상기 증착 장비를 에칭하는 단계와 실리콘을 증착하는 단계를 포함하고, 상기 증착 장비의 에칭 단계에서는 상기 리프트 핀과 서셉터를 기준점보다 높게 위치시키고, 상기 실리콘의 증착 공정에서는 상기 리프트 핀과 서셉터를 기준점보다 낮게 위치시킬 수 있다.
상기 방법은 (d) 단계에서 상기 기존의 클리닝 공정을 진행한 후, 에피택셜층이 증착된 웨이퍼 하면의 결함과 에지의 편평도를 확인하는 (e) 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 방법은, (e) 단계에서, 상기 웨이퍼 에지의 편평도 및 하면의 결함이 기설정된 기준 이내일 경우, 상기 (d) 단계를 진행할 수 있다.
상기 방법은, (e) 단계에서, 상기 웨이퍼 하면의 결함이 기설정된 기준보다 나쁠 경우, 상기 (a1) 단계를 다시 진행할 수 있다.
상기 방법은, (c) 단계에서, 상기 웨이퍼 에지의 편평도가 기설정된 기준을 초과할 경우, 다른 증착 장비를 선정하여 상기 (a1) 단계를 다시 진행할 수 있다.
실시예에 따른 에피택셜층 증착 장비의 클리닝 방법에 따르면, 에피택셜층 증착 장비에 개선된 클리닝 공정을 적용하여, 웨이퍼 하면의 핀 마크 발생을 줄일 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 에피택셜층 증착 장비의 클리닝 방법의 흐름도이고,
도 2 및 도 3은 실시예에 따른 웨이퍼에 에피택셜층을 증착하는 방법에서, 개선된 클리닝 공정 중 에칭 단계와 실리콘의 증착 단계를 각각 나타낸다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상부" 및 "하부" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.
도 1은 실시예에 따른 에피택셜층 증착 장비의 클리닝 방법의 흐름도이다. 이하에서, 도 1을 참조하여 실시예에 따른 에피택셜층 증착 장비의 클리닝 방법을 설명한다.
먼저, 에피택셜층 증착 장비를 선정한다(S110).
에피택셜층 증착 장비(1000)는, 예를 들면 매엽식 장치일 수 있으며, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼의 표면에 화학적 증착으로 에피택셜층을 성장시키는 장치일 수 있다. 상세하게는, 에피택셜층 증착 장비(1000)는 상부 라이너(105)와 하부 라이너(102), 상부 덮개(106), 하부 덮개(101), 서셉터(200), 예열링(108), 리프트 핀(109), 가스공급부(103), 가스배출부(104), 메인샤프트(120), 서셉터 샤프트(125) 및 웨이퍼 리프트 샤프트(130)을 포함할 수 있고, 도시되지는 않았으나 상술한 구성들을 수용하는 챔버를 더 포함할 수 있다.
에피택셜층 증착 장비(1000)의 일측에는 가스공급 라인과 연결되는 가스공급부(103)가 형성되고, 타측에 가스배출 라인과 연결되는 가스 배출구(104)가 형성될 수 있고, 하부 덮개(101)와 상부 덮개(106)를 포함할 수 있다.
하부 라이너(102)는 서셉터(200)를 둘러싸도록 배치되고, 상부 라이너(105)는 하부 라이너(102)와 상부에 대향되도록 구비될 수 있다. 예열링(108)은 서셉터(200)에 인접하는 하부 라이너(102)의 내면을 따라 링 형상으로 형성되어 하부 라이너(102) 상에 안착되며, 서셉터(200)를 둘러싸도록 배치되어 웨이퍼에 전해지는 가스의 온도를 균일하도록 한다.
서셉터(200)는 에피택셜 반응시 웨이퍼가 장착되는 부분으로, 카본 그래파이트, 탄화규소 등의 재질로 이루어지는 플레이트로 구성될 수 있다. 상기 서셉터(200) 하부에 위치한 메인 샤프트(120) 및 서셉터 샤프트(125) 등에 의해 지지될 수 있다.
리프프 핀(109)은 서셉터(200)에 삽입될 수 있으며, 웨이퍼가 서셉터(200)로 로딩될 때, 리프트 핀(109)이 서셉터(200)의 위로 상승하여 웨이퍼의 하면을 지지한 후 점차 하강하여 웨이퍼를 서셉터(200) 상에 안착시킬 수 있다. 이때, 리프트 핀(109)의 승강은 웨이퍼 리프트 샤프트(130)에 의하여 진행될 수 있다.
웨이퍼(미도시)를 서셉터(200)의 상부에 로딩한 후, 리프트 핀(109)의 상측 단부는 서셉터(200)에 삽입된 상태일 수 있다.
그리고, 상기 증착 장비를 에칭하는데(S120), 이때 증착 장비 내에는 리프트 핀과 서셉터 등이 구비되되, 아직 웨이퍼가 로딩되지 않은 상태일 수 있다. 그리고, 본 에칭 공정(S120)에서는 증착 장비의 내부로 에칭 가스, 예를 들면 염화수소(HCl) 기체를 공급하여, 서셉터와 리프트 핀 등을 클리닝할 수 있다. 그리고, 이때 증착 장비 내의 리프트 핀의 표면에는 실리콘층(Si layer)이 형성되지 않은 상태일 수 있다.
그리고, 상기의 증착 장비 내에 웨이퍼를 로딩하고, 웨이퍼 상에 에피택셜층을 증착한 후, 웨이퍼 하면의 결함, 예를 들면 핀 마크를 확인할 수 있다(S130). 결함 확인의 방법은, 웨이퍼의 하면에 빛을 조사하여 결함의 면적을 확인할 수 있고, 예를 들면 EBIS 장비를 사용할 수 있다. 이때, 웨이퍼 하면에 핀 마크가 형성되지 않거나 기설정된 범위 이내의 크기 등으로 핀 마크가 형성된 경우(OK), 해당 증착 장비를 선택하여 후술하는 공정을 진행할 수 있다.
만약, 웨이퍼 하면에 핀 마크가 기설정된 범위를 초과하는 크기 등으로 형성된 경우(NG), 상기 결함이 리프트 핀 표면 등의 파티클(particle)에 기인하는 것인지 확인한다(S140). 즉, 상술한 에칭 공정을 통하여 리프트 핀 표면의 실리콘이 제거되었고 실리콘 공급 및 증착 공정을 진행하지 않았으므로, 웨이퍼 하면의 결함이 리프트 핀 표면으로부터의 파티클에 기인하는 것인지 확인한다.
이때, 웨이퍼 하면의 핀 마크가 파티클에 기인하는 것이면(YES), 리프트 핀 내지 리프트 핀을 포함하는 증착 장비를 새로운 선정할 수 있다(S110). 여기서, 새로운 증착 장비를 선정한다 함은, 주로 리프트 핀을 교체하는 것을 의미할 수 있다.
만약, 웨이퍼 하면의 핀 마크가 파티클에 기인하는 것이 아닐 경우(NO), 전술한 에칭 공정에서 리프트 핀 등의 실리콘 층 등이 충분히 제거되지 않았을 것으로 추정되므로, 다시 에칭 공정을 진행한다(S120).
상술한 에칭 공정(S120)과 핀 마크의 확인(S130) 및 파티클에 기인한 핀 마크인지의 확인(S140)은 수 차례 반복될 수 있다.
상술한 S110 내지 S140 단계를 통하여, 본 실시예에 따른 에피택셜 증착 장비의 클리닝 방법을 실행하기 위한 증착 장비가 선택 내지 결정된다. 즉, S110 단계에서 증착 장비를 선정하고, S120~S140 단계를 통하여 핀 상태 등이 양호한 장비를 선택한 후, 후술하는 클리닝 공정을 진행할 수 있다.
그리고, 선택된 증착 장비에 개선된 클리닝 공정을 진행할 수 있다(S150). 이때, 클리닝 공정은 증착 장비를 에칭하는 단계과 에칭 후 증착 장비 내부에 실리콘을 공급하여 실리콘을 증착하는 단계를 포함할 수 있다.
도 2 및 도 3은 실시예에 따른 웨이퍼에 에피택셜층을 증착하는 방법에서, 개선된 클리닝 공정 중 에칭 단계와 실리콘의 증착 단계를 각각 나타낸다. 도시된 바와 같이, 에칭 단계에서는 리프트 핀과 서셉터를 기준점보다 높게 위치시키고, 실리콘의 증착 공정에서는 상기 리프트 핀과 서셉터를 기준점보다 낮게 위치시킬 수 있다.
여기서, 도 2의 높이 h1과 도 3의 높이 h0는 조건에 따라 달라질 수 있되, 예를 들면 에칭 단계에서는 서셉터와 리프트 핀을 2.5 밀리미터 높이고, 실리콘 증착 단계에서는 서섭테와 리프트 핀을 9 밀리미터 낮추어, 에칭 단계와 실리콘 증착 단계에서 서셉터와 리프트 핀의 높이가 11.5 밀리미터의 편차를 가질 수 있다.
클리닝 공정 중에서, 에칭 후의 실리콘 공급 및 코팅/증착 공정에서 서셉터의 높이를 낮추어 실리콘의 코팅을 적게 할 수 있으며, 에칭 공정에서도 온도를 낮추어 에칭에 의한 핀의 노후화를 방지할 수 있다. 예를 들어, 후술하는 기존의 클리닝 공정 내의 에칭 단계에서 장비 내의 온도가 1190℃ 정도였다면, 개선된 클리닝 공정 내의 에칭 단계에서 장비 내의 온도가 1175℃ 정도일 수 있으며, 이때 장비에 공급되는 전력도 줄일 수 있다.
또한, 상술한 서셉터와 리프트 핀의 승강은 여러 단계로 나뉘어 진행될 수 있는데, 예를 들어 개선된 클리닝 공정에서 서셉터와 리프트 핀의 승강 높이를 적게한 후, 웨이퍼의 하면의 핀 마크와 에지의 편평도가 개선되지 않을 경우, 상기의 승강 높이를 증가시킬 수도 있다.
개선된 클리닝 공정에서는, 실리콘의 증착 단계에서 서셉터와 리프트 핀의 높이를 낮추므로, 리프트 핀 위에 실리콘이 덜 코팅될 수 있다.
그리고, 후술하는 기존의 클리닝 공정은, 에칭 단계와 실리콘의 증착 단계에서 서셉터와 리프트 핀의 높이가 모두 동일하므로, 에칭 단계에서 서셉터와 리프트 핀 위로 공급되는 에칭 가스의 양이 증가하여 에칭이 더 잘 될 수 있다.
여기서, 상술한 S120의 에칭 공정과 S150의 에칭 및 증착 단계 및 후술하는 S170의 에칭 및 증착 단계는, 웨이퍼에 에피택셜층을 증착하는 단계와 별개의 공정이다. 즉, 하나의 증착 장비를 사용하여 웨이퍼에 에피택셜층을 증착하는 공정을 복수 회 진행할 수 있는데, 이때 증착 장비 내부에 이물질 등이 코팅 내지 증착될 수 있다. 따라서, 염화수소 기체 등을 사용하여 리프트 핀과 서셉터를 포함한 증착 장비 내부를 에칭할 수 있고, 이어서 증착 장비 내부의 상태를 일정하게 해 주기 위하여, 에칭 공정 후에 증착 장비 내부에 실리콘 기체를 공급하여 리프트 핀과 서셉터 등의 표면을 실리콘으로 코팅할 수 있다. 즉, 웨이퍼 하면의 핀 마크 등의 결함 발생과 관련한 조건을 일정하게 하기 위하여, 에칭과 실리콘 증착을 진행한다.
그리고, 상기 개선된 클리닝 공정 후 에피택셜층이 증착된 웨이퍼 하면의 결함과 에지의 편평도(flatness)를 확인할 수 있다(S160). 여기서, 웨이퍼 하면의 결함 확인은 주로 웨이퍼 하면에 발생한 핀 마크를 확인하는 것이고, 에지의 편평도 확인은 웨이퍼의 에지 영역의 곡률이 기설정된 스펙을 벗어나는지를 확인하는 것이다.
단계 S160의 확인 결과, 웨이퍼 에지의 편평도 및 하면의 결함이 기설정된 기준 이내(GOOD)일 경우, 상기 단계 S150을 진행할 수 있다. 즉, 개선된 클리닝 공정을 적용하여 웨이퍼 하면의 핀 마크와 에지의 편평도가 모두 양호한 경우이므로, 수 차례 에피택셜층을 웨이퍼에 증착한 후 다시 S150의 개선된 클리닝 공정을 적용할 수 있다.
만약, S160 단계에서, 웨이퍼 하면의 결함이 기설정된 기준보다 나쁠 경우, 즉 웨이퍼의 하면에 핀 마크가 일정 정도 이상 형성되었을 경우(핀마크 NG), S120의 단계를 다시 진행할 수 있다.
그리고, S160 단계에서, 웨이퍼 하면의 결함이 기설정된 기준보다 나쁘고 상기 웨이퍼 에지의 편평도가 기설정된 기준을 초과할 경우, 다른 증착 장비를 선정하여(S110) 상기 S120 단계를 다시 진행할 수 있다.
그리고, S160 단계에서, 웨이퍼 하면의 결함이 기설정된 기준 이내이지만, 웨이퍼 에지의 편평도가 기설정된 기준을 초과할 경우(편평도 NG), 기존의 클리닝 공정을 진행할 수 있다(S170).
여기서, 기존 클리닝 공정은, 상기의 개선된 클리닝 공정과 구별되며, 에칭 단계와 실리콘의 증착 단계에서 각각 리프트 핀과 서셉터 등의 높이가 일정할 수 있다.
그리고, 기존 클리닝 공정 후 에피택셜층이 증착된 웨이퍼 하면의 결함과 에지의 편평도(flatness)를 확인할 수 있다(S180). 여기서, 웨이퍼 하면의 결함 확인은 주로 웨이퍼 하면에 발생한 핀 마크를 확인하는 것이고, 에지의 편평도 확인은 웨이퍼의 에지 영역의 곡률이 기설정된 스펙을 벗어나는지를 확인하는 것이다.
단계 S180의 확인 결과, 웨이퍼 에지의 편평도 및 하면의 결함이 기설정된 기준 이내(GOOD)일 경우, 상기 단계 S170을 진행할 수 있다. 즉, 기존의 클리닝 공정을 적용하여 웨이퍼 하면의 핀 마크와 에지의 편평도가 모두 양호한 경우이므로, 수 차례 에피택셜층을 웨이퍼에 증착한 후 다시 S170의 기존의 클리닝 공정을 적용할 수 있다.
만약, S180 단계에서, 웨이퍼 하면의 결함이 기설정된 기준보다 나쁠 경우, 즉 웨이퍼의 하면에 핀 마크가 일정 정도 이상 형성되었을 경우, S120의 단계를 다시 진행할 수 있다.
그리고, S180 단계에서, 웨이퍼 에지의 편평도가 기설정된 기준을 초과할 경우, 다른 증착 장비를 선정하여(S110) 상기 S120) 단계를 다시 진행할 수 있다.
실시예에 따른 에피택셜층 증착 장비의 클리닝 방법에 따르면, 에피택셜층 증착 장비에 개선된 클리닝 공정을 적용하여, 웨이퍼 하면의 핀 마크 발생을 줄일 수 있다.
이상과 같이 실시예는 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
101: 하부 덮개 102: 하부 라이너
103: 가스공급부 104: 가스배출부
105: 상부 라이너 106: 상부 덮개
108: 예열링 109: 리프트 핀
120: 메인샤프트 125: 서셉터 샤프트
130: 웨이퍼 리프트 샤프트 200: 서셉터
1000: 에피택셜층 증착 장비

Claims (13)

  1. 에피택셜층 증착 장비의 클리닝 방법에 있어서,
    서셉터와 리프트 핀을 포함하는 증착 장비를 선택하는 (a) 단계;
    상기 선택된 증착 장비에 개선된 클리닝 공정을 진행하는 (b) 단계;
    상기 개선된 클리닝 후, 에피택셜층이 증착된 웨이퍼 하면의 결함과 에지의 편평도를 확인하는 (c) 단계; 및
    상기 (c) 단계에서, 상기 웨이퍼 에지의 편평도가 기설정된 기준을 초과할 경우, 기존의 클리닝 공정을 진행하는 (d) 단계를 포함하고,
    상기 (c) 단계에서, 상기 웨이퍼 에지의 편평도 및 하면의 결함이 기설정된 기준 이내일 경우, 상기 (b) 단계를 진행하고,
    상기 에지의 편평도 확인은 상기 웨이퍼의 에지 영역의 곡률이 기설정된 스펙을 벗어나는지를 확인하는 방법.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 (a) 단계는,
    서셉터와 리프트 핀이 구비된 상기 증착 장비를 에칭하는 (a1) 단계;
    상기 웨이퍼 하면의 결함을 확인하는 (a2) 단계; 및
    상기 웨이퍼 하면의 결함이 기설정된 기준을 초과할 경우, 상기 웨이퍼 하면의 결함의 원인이 상기 리프트 핀에 기인하는지 확인하는 (a3) 단계를 포함하고,
    상기 (c) 단계에서, 상기 웨이퍼 하면의 결함이 기설정된 기준보다 나쁘고 상기 웨이퍼 에지의 편평도가 기설정된 기준을 초과할 경우, 다른 증착 장비를 선정하여 상기 (a1) 단계를 다시 진행하고,
    상기 (d) 단계에서 상기 기존의 클리닝 공정을 진행한 후, 에피택셜층이 증착된 웨이퍼 하면의 결함과 에지의 편평도를 확인하는 (e) 단계를 더 포함하는 방법.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 (a3) 단계에서, 상기 웨이퍼 하면의 결함의 원인이 상기 리프트 핀에 기인할 경우, 다른 증착 장비를 선정하여 상기 (a1) 단계를 다시 진행하는 방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 (a3) 단계에서, 상기 웨이퍼 하면의 결함의 원인이 상기 리프트 핀에 기인할 경우, 동일한 증착 장비로 상기 (a1) 단계를 다시 진행하는 방법.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 (a2) 단계에서, 상기 웨이퍼의 하면에 빛을 조사하여 결함의 면적을 확인하는 방법.
  7. 제3 항에 있어서,
    상기 (c) 단계에서, 상기 웨이퍼 하면의 결함이 기설정된 기준보다 나쁠 경우, 상기 (a1) 단계를 다시 진행하는 방법.
  8. 삭제
  9. 제3 항에 있어서,
    상기 (b) 단계의 개선된 클리닝 공정은, 상기 증착 장비를 에칭하는 단계와 실리콘을 증착하는 단계를 포함하고,
    상기 증착 장비의 에칭 단계에서는 상기 리프트 핀과 서셉터를 기준점보다 높게 위치시키고, 상기 실리콘의 증착 공정에서는 상기 리프트 핀과 서셉터를 기준점보다 낮게 위치시키는 방법.
  10. 삭제
  11. 제3 항에 있어서,
    상기 (e) 단계에서, 상기 웨이퍼 에지의 편평도 및 하면의 결함이 기설정된 기준 이내일 경우, 상기 (d) 단계를 진행하는 방법.
  12. 제3 항에 있어서,
    상기 (e) 단계에서, 상기 웨이퍼 하면의 결함이 기설정된 기준보다 나쁠 경우, 상기 (a1) 단계를 다시 진행하는 방법.
  13. 제3 항에 있어서,
    상기 (c) 단계에서, 상기 웨이퍼 에지의 편평도가 기설정된 기준을 초과할 경우, 다른 증착 장비를 선정하여 상기 (a1) 단계를 다시 진행하는 방법.
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