JP2013051290A - サセプタ、該サセプタを用いた気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】上面にウェーハWが載置される円形凹状の座ぐり部11が形成され、該座ぐり部11は、ウェーハWの裏面周縁部を支持する上部座ぐり部12と、上部座ぐり部12よりも中心側下段に形成された下部座ぐり部13とを有する二段の座ぐり部で構成され、上部座ぐり部12の環状底面部14にウェーハWを載置してエピタキャル装置内に原料ソースガスを供給した際、ウェーハWの周縁部に設けられたノッチ部Nから下部座ぐり部13内に流入する原料ソースガスの流入を抑制する、下部座ぐり部13の内周壁面の一部に下部座ぐり部13の内周壁面よりも内側に突出する突出部15が設けられていることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
(1)エピタキシャル成長装置内でウェーハを載置するためのサセプタであって、上面にウェーハが載置される円形凹状の座ぐり部が形成され、前記座ぐり部は、前記ウェーハの裏面周縁部を支持する上部座ぐり部と、前記上部座ぐり部よりも中心側下段に形成された下部座ぐり部とを有する二段の座ぐり部で構成され、前記上部座ぐり部の環状底面部に前記ウェーハを載置して前記エピタキャル装置内に原料ソースガスを供給した際、前記ウェーハの周縁部に設けられたノッチ部から前記下部座ぐり部内に流入する前記原料ソースガスの流入を抑制する、前記下部座ぐり部の内周壁面の一部に前記下部座ぐり部の内周壁面よりも内側に突出する突出部が設けられていることを特徴とするサセプタ。
r2<r4<r1 かつ r3<r5 (A)
r5≦(r1−d1)<r4 (B)
図2は、本発明によるサセプタを示す図であり、(a)は上面図、(b)は断面図である。ここで、図1に示した従来のサセプタ100と同じ構成には同じ符号が使用されている。本発明によるサセプタ1は、上面にウェーハWが載置される円形凹状の座ぐり部11が形成されており、この座ぐり部11は、ウェーハWの裏面周縁部を支持する上部座ぐり部12と、上部座ぐり部12よりも中心側下段に形成された下部座ぐり部13とを有する二段の座ぐり部で構成されている。ウェーハWは、上部座ぐり部12の環状底面部14に載置される。ここで、エピタキャル装置内に原料ソースガスを供給した際に、ウェーハWの周縁部に設けられたノッチ部Nから、下部座ぐり部13内に流入する原料ソースガスの流入を抑制する、下部座ぐり部13の内周壁面の一部に下部座ぐり部13の内周壁面よりも内側に突出する突出部15を設けることが肝要である。
さらに、このサセプタ1の表面をシリコン膜で被覆されていることが好ましい。これにより、サセプタ1からエピタキシャル膜への汚染を防止することができる。
また、後述するように、突出部15がノッチ部Nの直下を覆わない場合でも、ノッチ部Nの直下を覆う場合と同様な突出部形状のものを採用すればよく、ウェーハ中心からノッチ部Nを結ぶ直線上に突出部15を配置すればよい。特に、突出部15のウェーハ径方向長さは、製品保証領域内に達しないようにすることが好ましい。
r2<r4<r1 かつr3<r5 (1)
r5≦(r1−d1)<r4 (2)
次いで、加熱機構によってウェーハWを所定の温度まで加熱し、このサセプタ1を、ローターによって回転させながら原料ソースガスであるシリコンソースガスをサセプタ1の上面に沿って水平方向に供給して、ウェーハW上に所定の厚さを有するエピタキシャル膜を成長させることにより、エピタキシャルウェーハを製造することができる。
以下、本発明の実施例について説明する。
図5に示したサセプタ1、即ち、環状底面部14の幅が、ノッチ部Nの深さd1以上であるサセプタ1を用いて、エピタキシャルウェーハを製造した。ここで、サセプタ1は、カーボン基材の表面にSiCコートしたものを用いた。また、エピタキシャルウェーハの基板としては、ボロンドープされた直径300mmのシリコンウェーハWを用いた。このシリコンウェーハWの周縁部は面取り加工が施されており、面取り部の幅d2は300μmとした。また、シリコンウェーハWの製品除外領域の幅は2mmとした。シリコンウェーハWをサセプタ1上に載置した際、ウェーハWの外周端から下部座ぐり部13の内周壁位置までの距離は1.5mm、ウェーハ外周端から突出部15先端までの距離は2.5mmであった。
エピタキシャルウェーハの製造は以下のように行った。即ち、まず、サセプタ1が適用された気相成長装置2において、原料ソースガスであるトリクロロシランガスを温度1150℃にて供給し、サセプタ1の表面に対してシリコンコートを施した。次いで、シリコンウェーハWを気相成長装置2内に導入し、サセプタ1の上部座ぐり部12上に載置した。その際、ウェーハ中心からノッチ部Nを結ぶ直線上に突出部15を配置した。続いて、1150℃にて、水素ガスを供給し、水素ベークを行った後、1150℃にて、シリコンのエピタキシャル膜を4μm成長させてエピタキシャルウェーハを得た。ここで、原料ソースガスとしてはトリクロロシランガスを用い、また、ドーパントガスとしてジボランガス、キャリアガスとして水素ガスを用いた。
発明例1と同様に、エピタキシャルウェーハを製造した。ただし、サセプタとしては、突出部15が設けられていない従来のサセプタ100を使用した。それ以外の条件は、全て発明例1と全て同じである。
上記のように製造した発明例および比較例のエピタキシャルウェーハの平坦度を評価した。その際、各エピタキシャルウェーハ上の各位置における厚さを測定し、SFQR(Site Front least sQares Range)を求めることにより評価した。SFQRは、ウェーハWの局所的な平坦度を示す指標である。具体的には、ウェーハWの各位置における基準面からの最大変位量の絶対値の和を算出することにより求められる。得られた結果を図8に示す。ここで、(a)は比較例1、(b)は発明例1のエピタキシャルウェーハについてのSFQRであり、各SFQRの値は、ノッチ部Nが下に配置されたウェーハの各位置に対応している。
このように、本発明によるサセプタを用いることにより、ウェーハ周縁部に形成されたノッチ部から原料ソースガスのウェーハ裏面への回り込みを効果的に抑制することができ、ウェーハ裏面のノッチ部周辺領域におけるエピタキシャル膜の成長を抑制して高い平坦度を有するエピタキシャルウェーハを得ることができることが分かる。
実施例1と同様に、エピタキシャルウェーハを製造した。ただし、サセプタ1としては、図6に示したサセプタ1、即ち、環状底面部14の幅が、ノッチ部Nの深さd1より小さいサセプタ1を用いた。また、シリコンウェーハWの製品除外領域の幅は1mmとした。シリコンウェーハWをサセプタ1上に載置した際、ウェーハWの外周端から下部座ぐり部13の内周壁位置までの距離は0.5mm、ウェーハ外周端から突出部15先端までの距離は1.5mmであった。
発明例2と同様に、エピタキシャルウェーハを製造した。ただし、サセプタとしては、突出部15が設けられていない従来のサセプタ100を使用した。それ以外の条件は、全て発明例1と全て同じである。
実施例1の場合と同様に、発明例2および比較例2の場合において、各エピタキシャルウェーハ上の各位置における厚さを測定し、SFQRを求めることにより、エピタキシャルウェーハの平坦度を評価した。得られた結果を図9に示す。ここで、(a)は比較例2、(b)は発明例2に対するSFQRであり、各SFQRの値は、ノッチ部Nが下に配置されたウェーハの各位置に対応している。
2 気相成長装置
11 座ぐり部
12 上部座ぐり部
13 下部座ぐり部
14 環状底面部
15 突出部
21 アッパーライナー
22 ローワーライナー
23 アッパードーム
24 ローワードーム
100 従来のサセプタ
W ウェーハ
N ノッチ
E 面取り部
Claims (10)
- エピタキシャル成長装置内でウェーハを載置するためのサセプタであって、
上面にウェーハが載置される円形凹状の座ぐり部が形成され、
前記座ぐり部は、前記ウェーハの裏面周縁部を支持する上部座ぐり部と、前記上部座ぐり部よりも中心側下段に形成された下部座ぐり部とを有する二段の座ぐり部で構成され、
前記上部座ぐり部の環状底面部に前記ウェーハを載置して前記エピタキャル装置内に原料ソースガスを供給した際、前記ウェーハの周縁部に設けられたノッチ部から前記下部座ぐり部内に流入する前記原料ソースガスの流入を抑制する、
前記下部座ぐり部の内周壁面の一部に前記下部座ぐり部の内周壁面よりも内側に突出する突出部が設けられている
ことを特徴とするサセプタ。 - 前記ウェーハの中心を前記サセプタの中心と一致させて前記サセプタ上に前記ウェーハを載置して上面視した際、
前記上部座ぐりの環状底面部および前記突出部は、予め前記ウェーハに設定される製品保証領域と製品除外領域との境界ラインよりも前記ウェーハの径方向外側に位置することを特徴とする請求項1記載のサセプタ。 - 前記ウェーハの半径をr1とし、
前記ウェーハに設定された前記境界ラインの半径をr2とし、
前記境界ラインのうち前記ノッチ部に対応する境界ラインの最小半径をr3とし、
前記下部座ぐり部の内周壁の半径をr4とし、
前記サセプタの中心から前記突出部先端までの距離をr5としたとき、
下記の関係式(A)を満足することを特徴とする請求項2に記載のサセプタ。
r2<r4<r1 かつ r3<r5 (A) - 前記ノッチ部の深さをd1としたとき、
下記の関係式(B)を満足することを特徴とする請求項3に記載のサセプタ。
r5≦(r1−d1)<r4 (B) - 前記上部座ぐりの環状底面部は、該環状底面部の中心に向けて下向きに傾斜させた傾斜面であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のサセプタ。
- 前記下部座ぐり部の底面に、前記サセプタの裏面側に貫通する貫通孔が複数箇所設けられていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のサセプタ。
- 前記サセプタの表面がシリコン膜で被覆されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のサセプタ。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載のサセプタ上に、ノッチ部の位置を前記突出部の位置に対応させてウェーハを載置した状態で、前記ウェーハ表面にエピタキシャル膜を形成することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記エピタキシャル膜はシリコンエピタキシャル膜であり、前記サセプタ上に前記ウェーハを載置する前に、前記サセプタ表面をシリコン膜で被覆しておくことを特徴とする請求項8記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載のサセプタを有するエピタキシャル成長装置。
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