JP2010034372A - 気相成長装置用のサセプタ及び気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置用のサセプタ及び気相成長装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】半導体ウェーハWを載置する凹状のウェーハ載置部21を上面に有するサセプタ2であって、ウェーハ載置部21は、第1凹部211と、第2凹部212とからなる。第2凹部212の外周縁側の位置に第1凹部211の底面でウェーハWを支持するウェーハ支持部213が形成されており、第2凹部212の径方向に沿うウェーハ支持部213の長さLは、L=(A−B)+C+D+E<6(mm)(Aはウェーハ載置部21の内径、Bは半導体ウェーハWの直径、Cは半導体ウェーハWのノッチNの深さ、Dはノッチの面取り部分の幅、及びEは安全係数。)の関係を満たし、かつ、半導体ウェーハWがウェーハ載置部21に載置された状態で、サセプタ2の上面が半導体ウェーハWの上面よりも10〜400μm高くなるように設定されている。
【選択図】図2
Description
(1)L=(A−B)+C+D+E<6(mm)
(Aは第1凹部の内径(mm)、Bは半導体ウェーハの直径(mm)、Cは半導体ウェーハのノッチの深さ(mm)、Dはノッチの面取り部分の幅(mm)、Eは安全係数(mm)である。)かつ、前記第1凹部の深さは、前記半導体ウェーハが前記ウェーハ載置部に載置された状態で、該サセプタの上面が前記半導体ウェーハの上面よりも10〜400μm高くなるように設定されていることを特徴とする。
(1) L=(A−B)+C+D+E<6
(Aはウェーハ載置部21の内径(mm)、Bは半導体ウェーハWの直径(mm)、Cは半導体ウェーハWのノッチの深さ(mm)、DはノッチNの面取り部分の幅(mm)、Eは安全係数(mm)である。)
内径Aが301.5mmのウェーハ載置部21を有し、半導体ウェーハWがウェーハ載置部21に載置された状態で、サセプタ2の上面が半導体ウェーハWの上面よりも10μm高くなるように設定したサセプタ2を用いた。サセプタ2の第1凹部211には、厚さが2μmのシリコン被膜を形成した。
半導体ウェーハWがウェーハ載置部21に載置された状態で、サセプタ2の上面が半導体ウェーハWの上面よりも300μm高くなるように設定した以外はそれぞれ比較例1、実施例1及び実施例2と同様に測定を行った。結果を表2に示す。
半導体ウェーハWがウェーハ載置部21に載置された状態で、サセプタ2の上面が半導体ウェーハWの上面よりも400μm高くなるように設定した以外はそれぞれ比較例1、実施例1及び実施例2と同様に測定を行った。結果を表3に示す。
半導体ウェーハWがウェーハ載置部21に載置された状態で、サセプタ2の上面が半導体ウェーハWの上面よりも250μm低くなるように設定した以外はそれぞれ比較例1、実施例1及び実施例2と同様に測定を行った。結果を表4に示す。
半導体ウェーハWがウェーハ載置部21に載置された状態で、サセプタ2の上面と半導体ウェーハWの上面とを同じ高さに設定した以外はそれぞれ比較例1、実施例1及び実施例2と同様に測定を行った。結果を表5に示す。
半導体ウェーハWがウェーハ載置部21に載置された状態で、サセプタ2の上面が半導体ウェーハWの上面よりも500μm高くなるように設定した以外はそれぞれ比較例1、実施例1及び実施例2と同様に測定を行った。結果を表6に示す。
2 サセプタ
21 ウェーハ載置部
211 第1凹部
212 第2凹部
213 ウェーハ支持部
3 反応容器
4 加熱装置
A 第1凹部(ウェーハ載置部)の内径
B 半導体ウェーハの直径
C 半導体ウェーハのノッチの深さ
D ノッチの面取り部分の幅
E 安全係数
EP エピタキシャル層
EW エピタキシャルウェーハ
N ノッチ
W 半導体ウェーハ
Claims (3)
- 半導体ウェーハを載置する凹状のウェーハ載置部を上面に有する気相成長装置用のサセプタであって、
前記ウェーハ載置部は、該サセプタの上面から下側に凹んだ円形の第1凹部と、前記第1凹部よりも小径で前記第1凹部の底面から下側に凹んでおりかつ前記第1凹部と同心の円形の第2凹部と、からなり、前記第2凹部の外周縁側の位置に前記第1凹部の底面で前記半導体ウェーハを支持するウェーハ支持部が形成されており、
前記第2凹部の径方向に沿う前記ウェーハ支持部の長さL(mm)は、下記式(1)の関係を満たすように設定されており、
(1)L=(A−B)+C+D+E<6(mm)
(Aは第1凹部の内径(mm)、Bは半導体ウェーハの直径(mm)、Cは半導体ウェーハのノッチの深さ(mm)、Dはノッチの面取り部分の幅(mm)、Eは安全係数(mm)である。)
かつ、前記第1凹部の深さは、前記半導体ウェーハが前記ウェーハ載置部に載置された状態で、該サセプタの上面が前記半導体ウェーハの上面よりも10〜400μm高くなるように設定されている気相成長装置用のサセプタ。 - 前記安全係数Eは、0〜2mmである請求項1に記載の気相成長装置用のサセプタ。
- 請求項1または2に記載のサセプタを備える気相成長装置。
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