JPH10150095A - ウエーハ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエーハの外周部とウエーハ載置部との接触
領域を均一にしスリップの発生を防止し、また、高成長
速度を実現するためには高速回転が可能なウエーハ処理
装置を提供する。 【解決手段】 サセプタ（１０５）にウエーハ（６）を
載置し回転軸（７）の回りに回転させるとともにヒータ
ーあるいはランプ等の加熱源（８）で加熱して処理する
ウエーハ処理装置において、サセプタはウエーハを載置
し保持するためのウエーハ載置部（１１０）を有し、こ
のウエーハ載置部は加熱源の熱をウエーハに当てるよう
に形成された貫通孔（１１２）の外縁から延設された段
部を有し、段部（１１１）の周縁部（１１１ａ）は異な
る径の複数の円弧（１１５、１１６）により形成されて
おり、複数の円弧のいずれか一つの円弧（１１５）はウ
エーハの径とほぼ等しい径を有する。また、複数の円弧
のいずれか一つの円弧（１１５）は、ウエーハの径とほ
ぼ等しい径を有するとともにその円弧の回転中心（１１
４）は回転軸の軸心位置（Ｏ）からずれて位置する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウエーハ処理装置
に係り、特にサセプタにウエーハを載置し回転させると
ともにヒーターで加熱して処理するウエーハ処理装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】高集積化が進行するＵＬＳＩに対応する
ため高均一化、高精度化が要求されるとともに基板の大
口径化の進歩も著しい。半導体装置においても従来のバ
ッチ処理から枚葉処理から枚葉処理へ移行しつつある。
このことはエピタキシャル装置、ＣＶＤ装置においても
同様である。

【０００３】枚葉処理でのキーポイントはスループット
にある。スループットの向上を図るには、昇降温時間や
搬送時間の短縮化及び高成長速度化の実現が必須であ
る。高成長速度化については、ウエーハを数百回転以上
で高速回転させることで成長に寄与する境界層の厚さが
薄くなり気相反応が制御され、高成長速度化が可能とな
る。

【０００４】図１に、このようなウエーハ処理装置の概
略を示す。図１において、ウエーハ処理装置は、反応室
１の上部のガス供給口２より整流板３を通して反応ガス
を流入させ、ウエーハ導入部４よりウエーハ６を導入し
保持台となるサセプタ５の上に載置し、ウエーハ６をサ
セプタ５ごと回転軸７を中心に回転させ、ウエーハ６の
下部に載置されているヒーター８によりウエーハ６を加
熱する機構を有している。反応ガスは反応室下部にある
排気孔９より排気される。

【０００５】図２にウエーハ６を保持しているサセプタ
５の平面図（ａ）、及び断面図（ｂ），（ｃ）を示す。
サセプタ５の中央部にはヒーター８による熱をウエーハ
６の裏面へ通過させるように貫通孔１２が形成されてい
る。サセプタ５は、ウエーハ６を載置するためのウエー
ハ載置部１１を有し、ウエーハ載置部１１には貫通孔１
２の外縁に形成された真円ザグリ形成された段部１０が
形成されている。

【０００６】ウエーハ６にオリエンテーションフラット
部（以下、オリフラ部と称する）６ａが形成されている
場合に、オリフラ部６ａに対応する形状を有するオリフ
ラ載置部１１ａがウエーハ載置部１１に形成されてい
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来のサセプタ５に
は、図２（ａ）に示すように、ウエーハ６の直径に比べ
て余裕のある大きさのザグリ径を有する段部１０（例え
ば、ウエーハ直径：１５０±０．５ｍｍに対してはザグ
リ直径：１５１．５±０．１ｍｍ）と、ウエーハ６に比
べて小さな内径を有するウエーハ載置部１１（例えば、
ウエーハ直径：１５０±０．５ｍｍに対してウエーハ載
置部内径：１４７．５±０．１ｍｍ）とが形成されてい
た。

【０００８】このため、ウエーハ６とともにサセプタ５
を回転させた場合、仮に回転中心とサセプタ５の中心を
合致させたとしてもウエーハ６と段部１０の間に隙間が
形成されるため、ウエーハはその都度四方八方に寄って
いくことになる。このため、ウエーハ６の外周部６ｂの
全体が段部１０の周縁１０ａと均一に接触することな
く、図３に示すように接触領域が不均一に分布すること
になる。

【０００９】一方、ウエーハ６は下部のヒーター８によ
り加熱されるが、ウエーハ外周部６ｂはウエーハ載置部
１１を介して間接的に加熱される。

【００１０】ウエーハ載置部１１とウエーハ外周部６ｂ
の接触領域がウエーハ外周部６ｂ全体に渡って均一に分
布するのであれば、ウエーハ載置部１１の熱容量による
温度低下分を補償する熱量をサセプタ５自身に与えてや
ることによりヒーター８から貫通孔１２を通る輻射熱で
直接的に加熱されるウエーハ６の中央部とウエーハ外周
部６ｂとの間の温度差を解消でき、スリップの発生を抑
制することが可能である。

【００１１】しかしながら、上述のように接触領域が不
均一になるとウエーハ外周部６ｂに加わる熱量も不均一
となり、結果として図４に示す如く多数のスリップが発
生するという問題があった。

【００１２】また、高成長速度を実現するためには高速
回転が必要であるが、この際、回転振動等の影響により
ウエーハ６が高速回転中に振動し、サセプタ５のザグリ
状の段部１０より外れて飛び出し、ウエーハ６が破損し
てしまうという問題もあった。

【００１３】そこで本発明の目的は、上記従来技術の有
する問題点を解消し、スリップの発生を防止でき、また
ウエーハがサセプタから飛び出て割れることを防止でき
るウエーハ処理装置を提供することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のウエーハ処理装置は、サセプタにウエーハ
を載置し回転軸の回りに回転させるとともにヒーターあ
るいはランプ等の加熱源で加熱して処理するウエーハ処
理装置において、前記サセプタはウエーハを載置し保持
するためのウエーハ載置部を有し、このウエーハ載置部
は前記ヒーターの熱をウエーハに当てるように形成され
た貫通孔の外縁から延設された段部を有し、前記段部の
周縁部は異なる径の複数の円弧により形成されており、
前記複数の円弧のいずれか一つの円弧はウエーハの径と
ほぼ等しい径を有することを特徴とする。

【００１５】また、好適には、前記複数の円弧のいずれ
か一つの円弧は、ウエーハの径とほぼ等しい径を有する
とともにその円弧の回転中心は前記回転軸の軸心位置か
らずれて位置することを特徴とする。

【００１６】また、好適には、前記段部はザグリ状に形
成されている。

【００１７】また、好適には、前記段部は断続的に立設
された複数の突起部によって形成されており、前記段部
の前記周縁部は複数の前記突起部の立設面を接続して形
成される。

【００１８】また、前記段部の周縁部は２個の異なる径
の第１円弧と第２円弧により形成されている。

【００１９】また、前記第１円弧の径は処理される複数
のウエーハの集団における径の中心値に公差を加算した
最大径値と同一であり、前記第２円弧の径は前記第１円
弧の径より大きい。

【００２０】また、前記第１円弧の中心位置は、前記回
転軸の軸線位置からずれている。

【００２１】また、前記ウエーハ載置部は、ウエーハの
オリエンテーションフラット部を載置するためのオリフ
ラ載置部を有し、前記第１円弧の中心位置は、前記回転
軸の軸線位置からずれて位置する。

【００２２】また、前記第１円弧の中心位置は、前記回
転軸の軸線位置に対し前記オリフラ載置部の位置と反対
方向に、前記回転軸の軸線位置からずれて位置する。

【００２３】また、前記第１円弧の中心位置と前記回転
軸の軸線位置との距離は、オリエンテーションフラット
部を有するウエーハの重心位置とこのウエーハの中心位
置との距離に等しい。

【００２４】また、前記第２円弧の中心位置は前記貫通
孔の中心位置と同心の位置関係にある。

【００２５】また、前記第１円弧は、半円の弧の長さ以
下の弧の長さを有する。

【００２６】また、前記段部の周縁の少なくとも一部領
域にウエーハの厚さ方向に突起する突起部が形成されて
いる。

【００２７】また、前記突起部は、ウエーハの厚さの２
倍以上の高さを有する。

【００２８】上述の本発明の作用について説明する。

【００２９】段部の周縁部は複数の円弧によって形成さ
れている。この段部は、ザグリ状に形成されていてもよ
く、あるいは、断続的に立設された複数の突起部によっ
て形成されていてもよい。

【００３０】ウエーハを載置したサセプタを回転軸の回
りに回転させると、ウエーハは遠心力を受け、段部の周
縁部に寄り付くように移動する。複数の円弧のいずれか
の円弧をウエーハの径とほぼ等しい径を有する円弧とす
ることにより、ウエーハは遠心力を受けて最終的に径の
ほぼ等しい円弧にはまり込むことになる。

【００３１】これらのことは、複数の円弧のいずれか一
つの円弧を、ウエーハの径とほぼ等しい径を有するとと
もにその円弧の回転中心が回転軸の軸心位置からずれて
位置することにより、より確実に実現することができ
る。

【００３２】例えば、段部の周縁部が第１円弧と第２円
弧で形成されている例について説明する。

【００３３】第２円弧については、その径がウエーハの
径より大きいので、ウエーハはその周縁を部分的に第２
円弧に接しながら公転するように転がり運動をする。こ
のような転がり運動を繰り返すうちに遠心力を受けてい
るウエーハの周縁は第１円弧にはまり込み、自転を繰り
返すうちに周縁部との摩擦力により静止することが可能
になる。

【００３４】また、ウエーハにはオリフラ部が形成され
ておりウエーハの重心位置はウエーハの中心位置に対し
オリフラ部の位置と反対方向の位置しているので、ウエ
ーハは第１円弧に接しながら自転するうちに、その重心
位置が軸心位置Ｏを通る安定位置に位置するようにな
り、この結果、オリフラ部はオリフラ載置部に位置する
ようになる。

【００３５】この場合、軸心位置Ｏと第１円弧の中心位
置との距離を、オリフラ部を有するウエーハ６の中心位
置と重心位置との距離に一致するように設定することに
より、第１円弧における自転をより少ない回数を経るだ
けで、オリフラ部をオリフラ載置部に容易に位置させる
ことが可能になる。

【００３６】また、段部の周縁部に、ウエーハ６の厚さ
方向に突起する突起部が形成されているので、ウエーハ
が周縁部に接しながら公転をする場合に、段部より外れ
て飛び出すことを防止することができる。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の好
適な実施の形態について説明する。

【００３８】本実施形態例の半導体装置の概略構成は、
図７に示すようにサセプタ１０５を除けば図１に示した
高速回転成長用のウエーハ処理装置とほぼ同様であり、
図７において、反応室１の上部のガス供給口２より整流
板３を通して反応ガスを流入させ、ウエーハ導入部より
保持台となるサセプタ５の上に載置したウエーハ６をサ
セプタ５ごとに回転軸７を中心に回転させ、ウエーハ６
の下方に設置されているヒーター８により加熱するよう
になっている。サセプタ１０５は、カーボン系材料、珪
素化合物、あるいはこれらの複合材料から形成されてい
る。尚、本装置の加熱源としてヒーターを用いている
が、ランプでもその限りではない。

【００３９】次に、図５および図６を参照してに本実施
形態例におけるサセプタ１０５について詳細に説明す
る。

【００４０】図５は、高速回転後におけるサセプタ１１
５にウエーハ６を載置した状態を示す。回転軸７の軸線
位置をＯとする。図５（ａ）はサセプタ１０５の平面図
であり、図５（ｂ），（ｃ），（ｄ）は各々図５（ａ）
における線ＯＡ，ＯＢ，ＯＣから見た断面図である。

【００４１】図５に示すように、サセプタ１０５はウエ
ーハ６を載置し保持するためにザグリ状に形成されたウ
エーハ載置部１１１を有し、ウエーハ載置部１１１はヒ
ーター８の熱をウエーハ６に当てるように形成された貫
通孔１１２の外縁に段部１１０を有し、段部１１０の周
縁部１１０ａは２個の異なる径の第１円弧１１５と第２
円弧１１６とにより形成されている。

【００４２】第１円弧１１５の中心位置１１４（×印）
は、回転軸７の軸心位置Ｏを通りオリフラ載置部１１１
ａを二等分する直線ＡＯＣ上であって軸心位置Ｏに対し
オリフラ載置部１１１ａの反対方向にずれた位置にあ
る。

【００４３】第１円弧１１５は、ウエーハ６の直径とほ
ぼ同等の直径を有する円弧であり、また半円より大きく
ない円弧である。第１円弧１１５の直径は、処理される
複数のウエーハ６からなる集団における直径の中心値に
直径の公差を加算した最大直径値に等しく設定されてい
る。

【００４４】なお、ウエーハ６がオリフラ部６ａを有す
る場合には、軸心位置Ｏと第１円弧１１５の中心位置１
１４との距離は、オリフラ部６ａを有するウエーハ６の
中心位置と重心位置との距離に一致するように設定され
ることが望ましい。これにより、後述するように、オリ
フラ部６ａがオリフラ載置部１１１ａに容易に位置する
ようにすることができる。

【００４５】第２円弧１１６は、回転軸７の軸心位置Ｏ
を中心としウエーハ６の直径より充分大きい直径を有す
る円弧である。

【００４６】貫通孔１１２は第１円弧１１５の中心位置
１１４を中心としてウエーハ６の直径より小さい径を有
する。

【００４７】図５（ａ）に示すように、ウエーハ載置部
１１１にはウエーハ６のオリフラ部６ａを載置できるよ
うに周縁部１１０ａから中心Ｏ方向に延設されたオリフ
ラ載置部１１１ａが形成されている。また、オリフラ載
置部１１１ａの両側には、貫通孔１１２の外縁から第２
円弧１１６に至る領域１１１ｂが形成されている。

【００４８】第１円弧１１５と第２円弧１１６とは周縁
部１１０ａの２点１１０ｂ，１１０ｂにおいて交叉して
いる。第１円弧１１５を仮想的に延長した仮想円弧部分
を符号１１５ａで示す。第１円弧１１５および仮想円弧
部分１１５ａと、貫通孔１１２の外縁との間には同一の
幅を有するリング領域１１１ｂが形成されている。ま
た、オリフラ載置部１１ａにも貫通孔１１２の外縁との
間にリング領域１１１ｂの幅と同一の幅のオリフラ領域
１１１ｃが形成されている。

【００４９】また、図５（ａ），（ｄ）に示すように、
段部１１０の周縁１１０ａにおける交差点１１０ｂ，１
１０ｂの近傍位置と交差点１１０ｂ，１１０ｂの中間位
置には、ウエーハ６の厚さ方向にウエーハ６の厚さの２
倍以上の高さを有する突起部１１７、１１７、１１７が
形成されている。図５（ｂ），（ｃ）のＯＡ，ＯＢ部の
断面で示される段部１１０の深さはウエーハ６の厚さと
同程度になっている。なお、突起部１１７の個数と高さ
はこの例に限らず適当に選択することが可能である。

【００５０】次に、本実施形態例の作用について説明す
る。

【００５１】ウエーハ６を当初、ウエーハ６の中心が軸
心位置Ｏとほぼ一致するように載置する。この場合、ウ
エーハ６は、オリフラ部６ａの位置がオリフラ載置部１
１１ａの位置に対し無関係の位置に載置されている。

【００５２】ウエーハ６を載置したサセプタ１０５を回
転軸７の回りに回転させると、ウエーハ６は遠心力を受
け段部１１０の周縁１１０ａに寄り付くように移動す
る。第２円弧１１６については、その径がウエーハ６の
径より充分に大きく、また中心位置が軸心位置Ｏにある
ので、ウエーハ６はその周縁を部分的に第２円弧１１６
に接しながら公転するように転がり運動をする。このよ
うな転がり運動を繰り返すうちに遠心力を受けているウ
エーハ６の周縁は第１円弧１１５と第２円弧１１６との
交叉点１１０ｂに至り、第１円弧１１５にはまり込む。
第１円弧１１５の直径の大きさは、ウエーハ６の直径と
ほぼ同等の直径であって処理されるウエーハ６の直径公
差を考慮した最大径値に等しく設定されているので、ウ
エーハ６は一度第１円弧１１５にはまり込むとウエーハ
６は第１円弧１１５は公転をすることなく自転のみをす
る。

【００５３】このようにして、ウエーハ６はその周縁を
第１円弧１１５に接しながら自転する。また、ウエーハ
６にはオリフラ部６ａが形成されておりウエーハ６の重
心位置はウエーハ６の中心位置に対しオリフラ部６ａの
位置と反対方向の位置しているので、ウエーハ６は第１
円弧１１５に接しながら自転するうちに、その重心位置
が直線ＯＣ上にある位置で安定位置を得る。この結果、
オリフラ部６ａはオリフラ載置部１１１ａあるいはオリ
フラ領域１１１ｃに位置する。

【００５４】なお、上述の説明において、ウエーハ６は
第１円弧１１５内で自転をするうちにオリフラ部６ａが
オリフラ載置部１１１ａに位置するようになるとした
が、ウエーハ６が第２円弧１１６に接しながら公転と自
転とを混在して転がることにより、第１円弧１１５には
まり込んだ時点で自転を繰り返すことなくオリフラ部６
ａがオリフラ載置部１１１ａに位置するようにすること
も可能である。

【００５５】また、段部１１０の周縁１１０ａにおける
交差点１１０ｂ，１１０ｂの近傍位置と交差点１１０
ｂ，１１０ｂの中間位置には、ウエーハ６の厚さ方向に
突起する突起部１１７、１１７、１１７が形成されてい
るので、ウエーハ６が周縁１１０ａに接しながら公転を
する場合に、段部１１０より外れて飛び出すことを防止
することができる。この結果、高成長速度を実現するた
めにはウエーハ６を高速回転しても、サセプタ５の段部
１１０より飛び出てウエーハ６が破損してしまう危険を
排除することができる。

【００５６】次に本実施形態の具体的な実施例について
説明する。

【００５７】ウエーハ６としては、従来例、本発明とも
に直径１５０ｍｍ、厚さ６２５μｍで、直径公差が±
０．２ｍｍであるＳｉウエーハを使用した。

【００５８】図７に示すサセプタ１０５においては、ウ
エーハ載置部１１１とオリフラ載置部１１１ａの高さが
１ｍｍ、サセプタ１０５の中央の貫通孔１１２の直径が
１４８ｍｍとなっており、サセプタ１０５の肉厚が１．
５ｍｍになっており、段部１１０の周縁１１０ａは、回
転軸７の軸心位置Ｏを中心とした直径１５２ｍｍの第２
円弧１１６と、軸心位置Ｏからオリフラ載置部１１０ａ
と反対方向に向かって直線ＯＣ上に１ｍｍずれた位置１
１４を中心とし、ウエーハ６の直径公差を加味した７
５．１ｍｍを半径とした直線ＯＣに線対称な１２０°扇
形弧よりなる第１円弧１１５とから構成されている。更
に周縁１１０ａと直線ＯＣとの交点、及び直線ＯＣに対
して左右６０°開いたエッジ部分に第１円弧１１５に沿
って幅３ｍｍ、奥行き１．５ｍｍ、高さ１ｍｍの突起部
１１７、１１７、１１７が形成されている。

【００５９】これらサセプタ１０５にウエーハ６を載置
した状態で２０００ｒｐｍで回転し、ウエーハ６を１１
５０℃で５分間加熱した。この結果、従来例のサセプタ
５では図４に示したように最大７ｍｍのスリップが多数
発生していたのに対し、本発明のサセプタ１０５ではス
リップ長も１〜２ｍｍと短く、本数もわずかであった。
また、従来例のサセプタ５では頻発していたウエーハ６
の飛びについても本発明のサセプタ１０５では皆無とな
った。

【００６０】次に図６を参照して、本発明の第２の実施
形態について説明する。

【００６１】図６にそのサセプタ２０５の概念図を示
す。図５で示したサセプタ１１５は凹形状のザグリ形成
されたウエーハ載置部１１０を有していたが、図６で示
すサセプタ２０５のウエーハ載置部２１０は、凹形にザ
グリ形成されてはいない。

【００６２】サセプタ２０５は、ウエーハ６が載置され
る円盤２０１を有し円盤２０１は図７に示した場合と同
様に回転軸７の回りに回転するようになっている。円盤
２０１上には、図５に示すウエーハ載置部１１０の周縁
１１０ａと等しい形状を有する輪郭線２１０が形成され
る。輪郭線２１０は第１円弧１１５に相当する第１円弧
２１０ａと第２円弧１１６に相当する第２円弧２１０ｂ
とから構成されている。円盤２１０上には、第１円弧２
１０ａと第２円弧２１０ｂに外接するように沿って配設
された各々３個の複数の突起部２２０、２２１が立設さ
れている。すなわち、複数の突起部２２０、２２１は、
その立設面２２０ａ，２２１ａを接続することにより輪
郭線２１０が形成されるように、立設されている。突起
部２２０、２２１の高さはウエーハ６の厚さの２倍以上
の突起により形成されている。

【００６３】具体的には、図６に示すサセプタ２０５の
ウエーハ載置部２１０は、回転軸７の軸心位置Ｏを中心
とした直径１５２ｍｍの第２円弧２１０ｂに外接する突
起部２２１と、軸心位置Ｏからオリフラ載置部２１０ａ
の反対方向に向かって１ｍｍずれた位置１１４を中心と
し、ウエーハの直径公差を加味した７５．１ｍｍを半径
とした線ＯＣに線対称な１２０°の第１円弧２１０ａに
外接する突起部２２０とを有している。これら突起部２
２０、２２１は幅３ｍｍ、奥行き１．５ｍｍ、高さ２ｍ
ｍの形状を有する。

【００６４】サセプタ２０５を前述の実施形態における
実施例と同様に、ウエーハ６を載置した状態で２０００
ｒｐｍで回転し、ウエーハ６を１１５０℃で５分間加熱
した。この結果、サセプタ１０５と同様にスリップ長も
１〜２ｍｍと短く、本数もわずかであった。また、ウエ
ーハ６の飛びについても皆無であった。

【００６５】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、上述の説明においては、ウエーハ６はオリフラ部
６ａを有しウエーハ載置部はオリフラ載置部を有すると
して説明した。しかしながら、本発明は、ウエーハ載置
部は必ずしもオリフラ載置部を有していなくともよく、
オリフラ部６ａを有しないウエーハ６をも処理すること
が可能である。この場合、ウエーハ載置部の段部の第２
円弧は図５あるいは図６に示すようにはオリフラ載置部
用に直線状に削られておらず、第２円弧を連続的な円弧
に構成する。この場合であっても、第１円弧の中心位置
を軸心位置Ｏからずらすように設定することにより、サ
セプタの回転に伴いウエーハ６は遠心力を受け、ウエー
ハは最終的に第１円弧にはまり込むことになる。

【００６６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の構成によ
れば、ウエーハ載置部の段部の周縁部は異なる径の複数
の円弧により形成されており、複数の円弧のいずれか一
つの円弧はウエーハの径とほぼ等しい径を有するので、
ウエーハをその径のほぼ等しい円弧にはまり込ませるこ
とができる。

【００６７】また、複数の円弧のいずれか一つの円弧
は、ウエーハの径とほぼ等しい径を有するとともにその
円弧の回転中心はサセプタの回転軸の軸心位置からずれ
て位置するので、ウエーハは遠心力を受け確実にその円
弧にはまり込むことができる。

【００６８】この結果、ウエーハ載置部とウエーハの外
周部との接触領域をウエーハの外周部の全体に渡って均
一に分布させることができるので、スリップの発生を抑
制することが可能になる。

【００６９】また、ウエーハ載置部は、ウエーハのオリ
エンテーションフラット部を載置するためのオリフラ載
置部を有し、第１円弧の中心位置は、サセプタの回転軸
の軸線位置からずれて位置するので、ウエーハのオリフ
ラ部はオリフラ載置部の位置に確実に移動するようにす
ることができ、オリフラ部を有するウエーハに対しても
スリップの発生を抑制することが可能になる。

【００７０】また、段部の周縁部に、ウエーハの厚さ方
向に突起する突起部が形成されているので、ウエーハが
周縁部に接しながら公転をする場合に、段部より外れて
飛び出すことを防止することができる。この結果、成長
速度を実現するためにウエーハを高速回転した場合にで
も、ウエーハが高速回転中に振動しウエーハ載置部の段
部より外れて飛び出してウエーハが破損してしまうこと
を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のウエーハ処理装置の概略構成を示す断面
図。

【図２】従来のサセプタのウエーハ載置部を示す平面図
（ａ）と線ＯＡ，ＯＢから見たサセプタ、ウエーハ、ヒ
ーターの配置を示した断面図（ｂ）、（Ｃ）。

【図３】図２に示す従来のサセプタ上にウエーハを載置
して高速回転した場合のウエーハとサセプタの接続領域
（網掛け部分）を示す平面図。

【図４】図２に示す従来のサセプタを用い、高速回転さ
せ、加熱したウエーハに発生したスリップの状況を示す
図。

【図５】本発明の一実施形態におけるサセプタを高速回
転した後のサセプタ及びウエーハの状況を示す平面図
（ａ）と線ＯＡ，ＯＢ，ＯＣから見たサセプタ、ウエー
ハ、ヒーターの配置を示した断面図（ｂ）、（ｃ），
（ｄ）。

【図６】本発明の他の実施形態におけるサセプタを高速
回転した後のサセプタ及びウエーハの状況を示す平面図
（ａ）と線ＯＡ，ＯＢ，ＯＣから見たサセプタ、ウエー
ハ、ヒーターの配置を示した断面図（ｂ）、（ｃ），
（ｄ）。

【図７】本発明のウエーハ処理装置の概略構成を示す断
面図。

【符号の説明】

１ 反応室 ２ 反応ガス供給口 ３ 整流板 ４ ウエーハ導入口 ５ 従来のサセプタ ６ ウエーハ ６ａ ウエーハのオリフラ部 ７ 回転軸 ８ ヒーター ９ 排気口 １１０ ウエーハ載置部 １１０ａ オリフラ載置部 １１２ 貫通孔 １１５ 第１円弧 １１６ 第２円弧 １１７ 突起部 ２０１ 円盤 ２１０ ウエーハ載置部 ２１０ａ オリフラ載置部 ２１１ 輪郭線 ２１１ａ 第１円弧 ２１１ｂ 第２円弧 ２２０、２２１ 突起部 ２２０ａ、２２１ａ 突起部の立設面

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】サセプタにウエーハを載置し回転軸の回り
   に回転させるとともにヒーターあるいはランプ等の加熱
   源で加熱して処理するウエーハ処理装置において、 前記サセプタはウエーハを載置し保持するためのウエー
   ハ載置部を有し、このウエーハ載置部は前記加熱源の熱
   をウエーハに当てるように形成された貫通孔の外縁から
   延設された段部を有し、前記段部の周縁部は異なる径の
   複数の円弧により形成されており、前記複数の円弧のい
   ずれか一つの円弧はウエーハの径とほぼ等しい径を有す
   ることを特徴とするウエーハ処理装置。
2. 【請求項２】前記複数の円弧のいずれか一つの円弧は、
   ウエーハの径とほぼ等しい径を有するとともにその円弧
   の回転中心は前記回転軸の軸心位置からずれて位置する
   ことを特徴とする請求項１に記載のウエーハ処理装置。
3. 【請求項３】前記段部はザグリ状に形成されていること
   を特徴とする請求項１または請求項２に記載のウエーハ
   処理装置。
4. 【請求項４】前記段部は断続的に立設された複数の突起
   部によって形成されており、前記段部の前記周縁部は複
   数の前記突起部の立設面を接続して形成されることを特
   徴とする請求項１または請求項２に記載のウエーハ処理
   装置。
5. 【請求項５】前記段部の周縁部は２個の異なる径の第１
   円弧と第２円弧により形成されていることを特徴とする
   請求項１または請求項２に記載のウエーハ処理装置。
6. 【請求項６】前記第１円弧の径は処理される複数のウエ
   ーハの集団における径の中心値に公差を加算した最大径
   値と同一であり、前記第２円弧の径は前記第１円弧の径
   より大きいことを特徴とする請求項５に記載のウエーハ
   処理装置。
7. 【請求項７】前記第１円弧の中心位置は、前記回転軸の
   軸線位置からずれていることを特徴とする請求項５に記
   載の半導体装置。
8. 【請求項８】前記ウエーハ載置部は、ウエーハのオリエ
   ンテーションフラット部を載置するためのオリフラ載置
   部を有し、前記第１円弧の中心位置は、前記回転軸の軸
   線位置からずれて位置することを特徴とする請求項５に
   記載の半導体装置。
9. 【請求項９】前記第１円弧の中心位置は、前記回転軸の
   軸線位置に対し前記オリフラ載置部の位置と反対方向
   に、前記回転軸の軸線位置からずれて位置することを特
   徴とする請求項８に記載の半導体装置。
10. 【請求項１０】前記第１円弧の中心位置と前記回転軸の
    軸線位置との距離は、オリエンテーションフラット部を
    有するウエーハの重心位置とこのウエーハの中心位置と
    の距離に等しいことを特徴とする請求項９に記載の半導
    体装置。
11. 【請求項１１】前記第２円弧の中心位置は前記貫通孔の
    中心位置と同心の位置関係にあることを特徴とする請求
    項５に記載のウエーハ処理装置。
12. 【請求項１２】前記第１円弧は、半円の弧の長さ以下の
    弧の長さを有することを特徴とする請求項５に記載のウ
    エーハ処理装置。
13. 【請求項１３】前記段部の周縁の少なくとも一部領域に
    ウエーハの厚さ方向に突起する突起部が形成されている
    ことを特徴とする請求項１に記載のウエーハ処理装置。
14. 【請求項１４】前記突起部は、ウエーハの厚さの２倍以
    上の高さを有することを特徴とする請求項１に記載のウ
    エーハ処理装置。