JPH03271195A

JPH03271195A - 基板回転装置

Info

Publication number: JPH03271195A
Application number: JP7101090A
Authority: JP
Inventors: Kenji Maruyama; 研二丸山; Koji Shinohara; 篠原　宏爾
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1990-03-20
Filing date: 1990-03-20
Publication date: 1991-12-03

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は気相エピタキシャル装置等のＩＩＩ形戒形成に
適用しうる基板回転装置に関する。

１ｍ形成装置においては、基板上に形成される層の厚さ
、組成が基板全面に亘って均一となるように、基板を複
雑な軌跡に沿って移動させる基板回転装置が用いられる
。

薄膜形成装置を小型にするために、基板回転装置は小型
化が望まれている。

〔従来の技術〕

従来の基板回転装置の１例が、特開昭６４−２８３７０
号に示されている。

これは、回転台の中央に楕円形の歯車を設け、この歯車
の回転により、基板台を回転台の径方向に変位させる構
成である。

〔発明が解決しようとする課題〕

回転台の中央には楕円形の歯車が配されるため、基板台
は、回転台の中心から外側の部位で移動されることにな
り、その弁回転台の径を大きく定める必要があり、基板
回転装置は大型となってしまう。

本発明は、基板台が回転台の中心を含む領域で移動する
ようにして小型化を可能とした基板回転装置を提供する
ことを目的とする。

〔課題を解決するための手段）本発明は、回転する回転台と、該回転台上にこの回転中心に対して偏心して配設され、
上面に基板が固定され、上記回転台の回転により遠心力
を付与されつつ公転される基板台と、上記基板台を、その投影部分に上記回転台の回転中心を
含む範囲内で、上記回転台の径方向に移動可能に案内す
る機構と、上記回転台に組み込まれており、上記基板台を上記遠心
力に抗して上記回転台の回転中心の方向に移動させる機
構とよりなり、上記基板台がその投影部分に上記回転台の回転中心を含
む領域内で、公転しつつ往復直線運動するよう構成する
。

〔作用〕

基板台が動く領域が、回転台の回転中心を含む領域であ
るため、回転台の中心部分も基板台が移動する領域とし
て有効に利用される。

〔実施例〕

第１図乃至第３図は本発明の基板回転装置の一実施例を
示す。第１図は、基板回転装置１を水銀カドミウムテル
ル（Ｈａ　Ｃｄ　Ｔｅ　）の気相エピタキシャル成長装
置２に適用した例を示す。

３は円形のサセプタ（回転台）であり、モータ４のスピ
ンドル５に固定しである。

６はその回転中心である。

サセプタ３の上面には、径方向に直線的に延在する案内
溝７が形成しである。

１０は円形のウェハ台（基板台）であり、下面に、その
中心１１を通る直線状の突条部１２を有する。

このウェハ台１０は、突条部１２を上記案内溝７に嵌合
させて、サセプタ３の上面に、その回転中心６に対して
偏心させ・て配設しである。

突条部１２が案内溝７により案内されることにより、ウ
ェハ台１０は、サセプタ３上において、第４図中、中心
寄りの位置Ｐ＋　と外周寄りの位置Ｐ２との間を移動可
能である。

ウェハ台１０は、中心寄りの位ｌｉｔ　Ｐ　＋では勿論
、外周寄りの位Ｉ　Ｐ　２においても、サセプタ３の回
転中心６にかかつている。即ち、ウェハ台１０は、その
投影部分に回転中心６を含む領域１３内で移動しうる。

また、中心寄りの位ｉｔ　Ｐ　＋においても、ウェハ台
１０はサセプタ３に対して、δ偏心している。

即ち、ウェハ台１０はＰ＋　、Ｐ２間のどの位置に位置
するときにも、サセプタ３の回転によって遠心力Ｆを付
与される。

２０は偏心カムであり、モータ２１のスピンドル２２に
固定しである。

モータ２１及び偏心カム２０は、サセプタ３の内部に組
み込まれている。

偏心カム２０は、突条部１２の端部のうちサセプタ３の
外周側の端部１２ａ側に配設しである。

偏心カム２０は、ウェハ台１０の周側面ではなく、突条
部１２の端部１２ａに当接している。また突条部１２は
ウェハ台１０の径より短く、端部１２ａはウェハ台１０
の周側面から中心側に偏倚した部位にある。このため、
偏心カム２０は第２図の平面図上、ウェハ台１０の下側
に入り込んで配設されている。この点からもサセプタ３
の小型化が図られている。

ここでウェハ台１０の移動軌跡について説明する。

モータ４により、サセプタ３が矢印六方向に回転され、
モータ２１により偏心カム２０が矢印Ｂ方向に回転され
る。

サセプタ３の回転により、ウェハ台１０は矢印Ａ方向に
公転される。

ウェハ台１０は、遠心力Ｆが作用した状態、即ち、突条
部１２の端部１２ａを偏心カム２０により受は止められ
た状態で公転される。

一方、偏心カム２０の上記回転により、偏心カム２０が
突条部１２の端部１２ａを回転中心６の方向に押す。即
ち偏心カム２０の半回転の過程で、ウェハ台１０は偏心
カム２０により押されて案内溝７により案内されつつ遠
心力Ｆに抗して矢印Ｃ１方向に直線的に移動され、続い
ての半回転の過程で、ウェハ台１０は遠心力Ｅにより矢
印Ｃ２方向に直線的に移動される。

即ち、偏心カム２０の回転により、ウェハ台１０のサセ
プタ３の径方向に直線的に往復移動される。

ウェハ台１０は、上記の二種類の運動が重なり合った状
態となり、公転しつつサセプタ３の径方向に、即ち公転
軌跡である円の径方向に往復直線運動を行う。

ここで、上記の運動は、ウェハ台１０の投影部分にサセ
プタ３の回転中心６を常に含む領域で行われる。このた
め、サセプタ３の中心部分もつ工へ台１０の運動のため
の領域として有効に利用されており、サセプタ３はその
分径を小さくし得、基板回転装置１は小型とし得る。

第１図の気相エピタキシャル成長装置２における動作は
以下の如くである。

ウェハ台１０上にウェハ３０が固定され、サセプタ３が
３９０℃に加熱され、モータ４が２７７ｒｌ）Ｉ。

モータ２１が４７ｒｏｍで回転される。

ウェハ３０は、反応管３１内で、２７７ｒｐＨｔ’公転
されると共に、径方向に毎分当り４７回往復移動される
。

ノズル３２より反応管３１内に、水素をキャリアガスと
する原料ガスを供給する。

原料ガスは、総流量が６１／分、ＤＥＴｅ分圧が２．４
ｘ　１Ｑ’　ａｔｅ　、　［）ＭＣｄ分圧が５．０×１
０’ａｔ園、水銀分圧が６．Ｏｘ　１０　！　ａｔｅ　
テある。

これにより、ウェハ３０の上面に、ＨｉＪ　ＣｄＴｅが
厚さ、組成にムラがない状態でエピタキシャル成長され
る。

なお、上記実施例においては、説明の便宜上偏心カム２
０を専用のモータ２１で回転させる構成としであるが、
サセプタ３を回転するモ・−夕４を共通の駆動源とし、
スピンドル５にギヤを設け、偏心カム２０のスピンドル
２２にモータ２１の代わりにギヤを設け、モータ４によ
り、偏心カム２０をサセプタ３の回転に対して所定のギ
ヤ比で回転させる構成とするのが都合が良い。

なお、本発明は上記の気相エピタキシャル成長装置に限
らず、スパッタリング装置、真空蒸着装置にも適用でき
る。また基板はウェハに限らない。

〔発明の効果〕以上説明した様に、本発明によれば、回転台の中心部分
も基板台が移動する領域として利用することが出来るた
め、その分回転台の大きさを小さくして基板回転装置の
小型化を図ることが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の基板回転装置の一実施例の概略斜視図
、第２図は第１図の基板回転装置の平面図、第３図は第２
図中■−■線に沿う断面図、第４図はウェハ台のサセプ
タ上における動きを説明する図である。図において、１は基板回転装置、２は気相エピタキシャル成長装置、３はサセプタ（回転台〉、４．２１はモータ、６は回転中心、７は案内溝、１０はウェハ台（基板台〉、１２は突条部、１２ａは端部、１３はウェハ台の移動領域、２０は偏心カム、３０はウェハを示す。＃１図の署オに目ｖｌＨ１：Ｏ平歪ア劇第２図俸２聞中０ｍ−ｍ嫁ｌ：沿う−ｌ論圀第３図図面の浄書（内容に変更なし）１１ウニ八台申曵１ウェハ台のサセプタに一１＝おＬする動きｒ益り唱する
図＄４図５゜補正命令の日付自発補正

Claims

【特許請求の範囲】

　回転する回転台（３）と、該回転台上にこの回転中心
（６）に対して偏心して配設され、上面に基板（３０）
が固定され、上記回転台の回転により遠心力（Ｆ）を付
与されつつ公転される基板台（１０）と、上記基板台を
、その投影部分に上記回転台の回転中心（６）を含む範
囲内で、上記回転台の径方向に移動可能に案内する機構
（７、１２）と、上記回転台に組み込まれており、上記
基板台を上記遠心力に抗して上記回転台の回転中心の方
向に移動させる機構（２０、２１）とよりなり、上記基
板台（１０）がその投影部分に上記回転台の回転中心（
６）を含む領域内で、公転しつつ往復直線運動する構成
としてなる基板回転装置。