JPH0246667B2 - Hakumakujochakusochi - Google Patents
HakumakujochakusochiInfo
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- JPH0246667B2 JPH0246667B2 JP22247486A JP22247486A JPH0246667B2 JP H0246667 B2 JPH0246667 B2 JP H0246667B2 JP 22247486 A JP22247486 A JP 22247486A JP 22247486 A JP22247486 A JP 22247486A JP H0246667 B2 JPH0246667 B2 JP H0246667B2
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- Japan
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- evaporation source
- resistance heating
- electron beam
- thin film
- beam evaporation
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Links
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- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 33
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、多層膜を形成する薄膜蒸着装置の改
良に関する。
良に関する。
（従来の技術とその問題点）
従来の薄膜蒸着装置の蒸発源としては電子ビー
ム蒸発源と抵抗加熱蒸発源が代表的である。この
２つの蒸発源は蒸発材料によつて使い分けされ、
例えば電子ビーム蒸発源はAl、NiやMo、Ti、
Nb、Ｗ等の高融点金属に適し、抵抗加熱蒸発源
は種々のボート、ルツボ等を用いて例えば小量の
Au、Au−Ge合金、酸化物の蒸着等に適する。
ム蒸発源と抵抗加熱蒸発源が代表的である。この
２つの蒸発源は蒸発材料によつて使い分けされ、
例えば電子ビーム蒸発源はAl、NiやMo、Ti、
Nb、Ｗ等の高融点金属に適し、抵抗加熱蒸発源
は種々のボート、ルツボ等を用いて例えば小量の
Au、Au−Ge合金、酸化物の蒸着等に適する。
上述のように蒸発源にそれぞれの適性があるた
めに、複数の蒸発材料を用いて多層膜の蒸着を行
う場合には、電子ビーム蒸発源と抵抗加熱蒸発源
の両方の蒸発源を必要とすることがあり、この
時、従来は装置を第２図のように構成している。
めに、複数の蒸発材料を用いて多層膜の蒸着を行
う場合には、電子ビーム蒸発源と抵抗加熱蒸発源
の両方の蒸発源を必要とすることがあり、この
時、従来は装置を第２図のように構成している。
第２図にて、１は高真空に排気されている真空
室で、２は蒸発材料４に対する電子ビーム蒸発
源、３は蒸発材料５に対する抵抗加熱蒸発源、６
は基板を装着して自公転する基板ホルダー、７は
膜厚制御に用いる膜厚モニターである。
室で、２は蒸発材料４に対する電子ビーム蒸発
源、３は蒸発材料５に対する抵抗加熱蒸発源、６
は基板を装着して自公転する基板ホルダー、７は
膜厚制御に用いる膜厚モニターである。
しかし、第２図に示す従来の装置では、電子ビ
ーム蒸発源と抵抗加熱蒸発源が同一平面上に並べ
て設置されているため、基板ホルダー６の中央位
置から両者の何れか、または両者がともに外れて
しまうことになる。そのため、基板に蒸着される
薄膜は膜厚・膜質の均一性が欠け、またはステツ
プカバレージ性が良好でないという欠点があつ
た。
ーム蒸発源と抵抗加熱蒸発源が同一平面上に並べ
て設置されているため、基板ホルダー６の中央位
置から両者の何れか、または両者がともに外れて
しまうことになる。そのため、基板に蒸着される
薄膜は膜厚・膜質の均一性が欠け、またはステツ
プカバレージ性が良好でないという欠点があつ
た。
（発明の目的）
本発明は、前記の欠点を解決し、電子ビーム蒸
発源と抵抗加熱蒸発源の両者が、基板ホルダー上
の各基板に対してほぼ同等の配置をとつて蒸発動
作出来るように構成された薄膜蒸着装置の提供を
目的とする。
発源と抵抗加熱蒸発源の両者が、基板ホルダー上
の各基板に対してほぼ同等の配置をとつて蒸発動
作出来るように構成された薄膜蒸着装置の提供を
目的とする。
（発明の構成）
本発明は、電子ビーム蒸発源と、該電子ビーム
蒸発源と被蒸着物とを結ぶ線を横切つて移動する
移動台上に設置された抵抗加熱蒸発源とを備え、
前記抵抗加熱蒸発源はその動作時に、前記移動台
により前記結ぶ線の上に移動出来るように構成さ
れた薄膜蒸着装置によつて前記目的を達成したも
のである。
蒸発源と被蒸着物とを結ぶ線を横切つて移動する
移動台上に設置された抵抗加熱蒸発源とを備え、
前記抵抗加熱蒸発源はその動作時に、前記移動台
により前記結ぶ線の上に移動出来るように構成さ
れた薄膜蒸着装置によつて前記目的を達成したも
のである。
（実施例）
以下、図に基づいて本発明の実施例を説明す
る。
る。
第１図は、本発明の実施例であつて、１は高真
空に排気されている真空室、２は蒸発材料４に対
する電子ビーム蒸発源、３，３′はそれぞれ蒸発
材料５，８を蒸発する抵抗加熱蒸発源で移動台９
上に設置されている。、６は基板を装着して自公
転する基板ホルダー、７は膜厚制御に用いる膜厚
モニターである。
空に排気されている真空室、２は蒸発材料４に対
する電子ビーム蒸発源、３，３′はそれぞれ蒸発
材料５，８を蒸発する抵抗加熱蒸発源で移動台９
上に設置されている。、６は基板を装着して自公
転する基板ホルダー、７は膜厚制御に用いる膜厚
モニターである。
第２図の現状では抵抗加熱蒸発源３が電子ビー
ム蒸発源２の真上位置に移動してきており、蒸発
材料５が蒸発可能な状態にある。電子ビーム蒸発
源２を使用する場合には、駆動モーター１０によ
つて移動台９が矢印Ｅの方向に駆動され、蒸発材
料４の蒸気が基板ホルダー６上に基板に入射する
のに差しつかえを生じない位置にまで移動させら
れる。また抵抗加熱蒸発源３′を使用するときに
は、移動台９が矢印Ｄ方向に駆動されて、抵抗加
熱蒸発源３′が電子ビーム蒸発源２の真上位置に
移動させられる。
ム蒸発源２の真上位置に移動してきており、蒸発
材料５が蒸発可能な状態にある。電子ビーム蒸発
源２を使用する場合には、駆動モーター１０によ
つて移動台９が矢印Ｅの方向に駆動され、蒸発材
料４の蒸気が基板ホルダー６上に基板に入射する
のに差しつかえを生じない位置にまで移動させら
れる。また抵抗加熱蒸発源３′を使用するときに
は、移動台９が矢印Ｄ方向に駆動されて、抵抗加
熱蒸発源３′が電子ビーム蒸発源２の真上位置に
移動させられる。
この実施例では、移動台９の移動は矢印Ｄ−Ｅ
の直線運動であるが、移動台９の構造を適当にし
て移動台を回転させ、抵抗加熱蒸発源を電子ビー
ム蒸発源の真上を通る円周上を移動させるように
してもよい。
の直線運動であるが、移動台９の構造を適当にし
て移動台を回転させ、抵抗加熱蒸発源を電子ビー
ム蒸発源の真上を通る円周上を移動させるように
してもよい。
上述の構成によれば、電子ビーム蒸発源と抵抗
加熱蒸発源の両者に対し、蒸発動作中は、それぞ
れほぼ理想的な位置を占めさせることが出来るた
め、各基板に均一に薄膜を蒸着することが出来
る。更に、リフトオフ蒸着等で基板面に垂直な方
向に蒸着を行う場合には殊に大きい効果が得ら
れ、また自公転基板ホルダーを使用する場合には
均一で良好なステツプカバレージが得られる。
加熱蒸発源の両者に対し、蒸発動作中は、それぞ
れほぼ理想的な位置を占めさせることが出来るた
め、各基板に均一に薄膜を蒸着することが出来
る。更に、リフトオフ蒸着等で基板面に垂直な方
向に蒸着を行う場合には殊に大きい効果が得ら
れ、また自公転基板ホルダーを使用する場合には
均一で良好なステツプカバレージが得られる。
（発明の効果）
本発明によれば、電子ビーム蒸発源と抵抗加熱
蒸発源の両者が、蒸着動作中ともに基板ホルダー
上の各基板に対してほぼ同等の理想位置をとりう
るような薄膜蒸着装置が提供される。
蒸発源の両者が、蒸着動作中ともに基板ホルダー
上の各基板に対してほぼ同等の理想位置をとりう
るような薄膜蒸着装置が提供される。
第１図は、本発明の実施例の薄膜蒸着装置の概
略の断面図、第２図は、従来の薄膜蒸着装置の概
略の断面図。 １……真空室、２……電子ビーム蒸発源、３，
３′……抵抗加熱蒸発源、４，５，８……蒸発材
料、６……基板ホルダー、７……膜厚モニター、
９……移動台、１０……駆動モーター。
略の断面図、第２図は、従来の薄膜蒸着装置の概
略の断面図。 １……真空室、２……電子ビーム蒸発源、３，
３′……抵抗加熱蒸発源、４，５，８……蒸発材
料、６……基板ホルダー、７……膜厚モニター、
９……移動台、１０……駆動モーター。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子ビーム蒸発源と、該電子ビーム蒸発源と
被蒸着物とを結ぶ線を横切つて移動する移動台上
に設置された抵抗加熱蒸発源とを備え、前記抵抗
加熱蒸発源はその動作時に、前記移動台により前
記結ぶ線の上に移動出来るように構成されている
ことを特徴とする薄膜蒸着装置。 ２ 前記抵抗加熱蒸発源は前記移動台の移動する
曲線の上に複数個設置されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の薄膜蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22247486A JPH0246667B2 (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | Hakumakujochakusochi |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22247486A JPH0246667B2 (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | Hakumakujochakusochi |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6379959A JPS6379959A (ja) | 1988-04-09 |
| JPH0246667B2 true JPH0246667B2 (ja) | 1990-10-16 |
Family
ID=16782981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22247486A Expired - Lifetime JPH0246667B2 (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | Hakumakujochakusochi |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0246667B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294250U (ja) * | 1989-01-17 | 1990-07-26 | ||
| JP2836518B2 (ja) * | 1995-02-28 | 1998-12-14 | 日本電気株式会社 | 蒸着装置 |
| TW490714B (en) | 1999-12-27 | 2002-06-11 | Semiconductor Energy Lab | Film formation apparatus and method for forming a film |
| SG113448A1 (en) * | 2002-02-25 | 2005-08-29 | Semiconductor Energy Lab | Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device |
| JP4181332B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2008-11-12 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜の製造方法及び製造装置 |
| TWI336905B (en) | 2002-05-17 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device |
-
1986
- 1986-09-20 JP JP22247486A patent/JPH0246667B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6379959A (ja) | 1988-04-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |