JP2001040475A - ターゲットホルダー構造 - Google Patents

ターゲットホルダー構造

Info

Publication number
JP2001040475A
JP2001040475A JP11216003A JP21600399A JP2001040475A JP 2001040475 A JP2001040475 A JP 2001040475A JP 11216003 A JP11216003 A JP 11216003A JP 21600399 A JP21600399 A JP 21600399A JP 2001040475 A JP2001040475 A JP 2001040475A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
pedestal
holding
target holder
screw
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11216003A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3808244B2 (ja
Inventor
Mariko Kimura
真理子 木村
Yasuhiro Iijima
康裕 飯島
Nobuyuki Sadakata
伸行 定方
Takashi Saito
隆 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikura Ltd
Original Assignee
Fujikura Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujikura Ltd filed Critical Fujikura Ltd
Priority to JP21600399A priority Critical patent/JP3808244B2/ja
Publication of JP2001040475A publication Critical patent/JP2001040475A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3808244B2 publication Critical patent/JP3808244B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 焼き付きを防止し、取り付けの平行度の確
認が容易なターゲットホルダーを提供する。 【解決手段】 平盤状の台座のターゲット保持面の周縁
に、互いに間隔をおいて3個以上に分割されたターゲッ
トの位置決めをするための位置決め枠を設け、該台座の
側面の該位置決め枠の無い切欠部分にネジ部を設け、タ
ーゲットをホールドするのに充分な長さを有する把持具
で把持し、把持具を台座の側面の各ネジ孔にネジ止めし
て固定することによって、ターゲットをターゲットホル
ダーの台座面に固定するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば酸化物超電
導体を形成する際に使用するレーザ蒸着装置などの、成
膜法に用いるターゲットホルダー構造の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、酸化物系超電導体を製造する方法
として、真空蒸着法、スパッタリング法、レーザ蒸着
法、MBE法(分子線エピタキシー法)、CVD法(化
学気相成長法)、IVD法(イオン気相成長法)などの
成膜法が知られている。これらの各種成膜方法のうち
で、均質で超電導特性の良い酸化物超電導体膜を製造で
きる方法としては、真空成膜プロセスを用い、ターゲッ
トから発生させた粒子を対向する基材上に堆積させる、
いわゆるスパッタリング法、レーザ蒸着法などの物理蒸
着法が主流となっている。
【0003】図8に、酸化物系超電導体を製造するため
のレーザ蒸着装置の一例を示した。このレーザ蒸着装置
は、内部を真空排気自在に構成された処理容器10を有
し、この処理容器10の内部の蒸着処理室10aの下部
側に基材1がセットされ、該基材1の上方側には酸化物
超電導体または酸化物超電導体と近似組成のターゲット
2を配置してある。一方、処理容器10の外部には前記
ターゲット2の表面にレーザ光を照射して粒子の噴流
(プルーム)3を発生させるための、レーザ発光装置4
が設けられている。前記処理容器10は排気孔10bを
介して図示略の真空排気装置に接続されていて、処理容
器10の内部を真空排気できるようになっている。
【0004】前記ターゲット2は平盤状のものであり、
円形の他に方形のものも使用される。材質は目的とする
薄膜の組成と同じかそれに近い組成のものが使用され
る。例えば酸化物超伝導体の場合には、Y−Ba−Cu
−O系、Bi−Sr−Ca−Cu−O系、Ti−Ba−
Ca−Cu−O系、などの酸化物焼結体を使用する。金
属薄膜を作る場合はCu、Ti、Mo、Taなどの純金
属が使用される。その他には窒化物等の高融点物質も使
用される。ターゲット2は、片方の表面が基材1表面と
所定の角度をなして向き合うようにターゲットホルダー
11によって支持され配置されている。
【0005】また、基材1とターゲット2の間には、窓
孔5aを有するフィルタ板5を配置する場合がある。フ
ィルター板5を使用することにより、ターゲット2から
基材1に向けて移動する粒子のうち、窓孔5aを通過し
て基材1に対してほぼ垂直に当たる粒子のみを選択的に
基材1上に堆積させることができるようになる。このよ
うな窓孔5aを有するフィルタ板5は、ターゲット2か
ら基材1に向けて移動する粒子の噴流3の中心線Gが窓
孔5aの中心を通るように配置される。
【0006】基材1の下には基材表面を成膜に適する温
度に保ち、時には生成した薄膜の熱処理を行うために、
基材1を高温に加熱するヒーター6が配置されている。
基材1は通常200℃以上、高い時には900℃以上の
高温に加熱される。基材1の下部には温度を管理するた
めの熱電対7を挿入してある。
【0007】一方、ターゲット2にはレーザ光が所定の
角度を持って照射され、照射された部分のタ−ゲット2
は局部的に超高温となり、構成粒子が蒸着処理室10a
空間に叩き出されて粒子の噴流(プルーム)3となって
飛散し、対向配置された基材1上に飛来堆積して薄膜を
形成するようになっている。
【0008】良好な超電導特性の結晶薄膜を得るには、
基材1に対して方位の揃った結晶を成長させる必要があ
り、そのためにはプルーム3の軸が基材1に垂直になる
ように予め角度を選定してターゲット2を配置しておく
必要がある。ターゲット2の方位を定めるには、通常タ
ーゲット面をターゲットホルダー11の台座面と平行に
なるように仕上げておき、ターゲットホルダー11と基
材1とが所定の角度になるように配置してある。
【0009】また、ターゲット2の局部的な消耗を避
け、寿命の延長を図るためターゲット2上のレーザ光の
照射位置を移動させている。照射位置を移動させる手段
としては、一般的にはレーザ光を移動させるとともに、
支持軸19を回転させてターゲット2をターゲットホル
ダー11ごと回転させる方法が採用されている(図8で
は回転機構省略)。
【0010】ところで、タ−ゲット2をターゲットホル
ダーの台座に取り付けるには、ターゲット2が金属材料
である場合には搾孔して台座に直接ネジ止めすることも
できるが、酸化物超電導体のような非金属材料では機械
加工が難しく、ネジ止めは実用的でない。そこで通常は
図9に示すような袋ナット方式のターゲットホルダー1
1が使用されている。この方式は台座12の外周にネジ
32を切る一方、ターゲット2を包み込むための底を打
ち抜いた鍋状のターゲット受け皿40の内壁にネジ41
を切り、前記台座12のネジ32と嵌合させてターゲッ
ト2を保持するものである。この方式に依ればターゲッ
ト2には機械加工する必要はなく、台座面とターゲット
面を精度良く仕上げておけば、ターゲット面を台座と同
じ方向に保つのは比較的容易であり、ターゲット2の厚
さ変化への対応も可能である。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】ところが従来の袋ナッ
ト方式のターゲットホルダーではネジ部の噛み合い面積
が大きく、処理室内が高温に保持されるとターゲットホ
ルダーも高温となって摺動部の焼付きを生じ、ターゲッ
トが取り外し難くなる欠点があった。また、円形ターゲ
ットの場合にはターゲット本体とターゲット受け皿40
の大きさを揃えておくことで、比較的容易に台座表面に
平行に取り付けることが可能であるが、方形のターゲッ
トの場合にはターゲット2の固定が不安定となり、台座
面に平行に取り付ける際に難点がある。さらにネジ部の
締め付け具合によりターゲット受け皿40内でターゲッ
ト2が若干傾斜したまま袋ナットを締めてしまうことが
あり、ターゲット2を台座面に平行に取り付けることが
困難となり、ターゲット2の傾きを確認することもでき
なかった。このような場合、蒸発粒子の噴流3の飛散方
向が当所の設定通りにならず、レーザ光の中心が偏心し
てしまい、フィルター板5の窓5aの中心を通らなかっ
たり、基材1に垂直に当たらいなどの不都合を生じ、結
果として超電導特性に優れた薄膜が得られなくなるとい
う欠点があった。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は上記欠点を解消
するためになされたものであって、請求項1に記載の発
明は、成膜装置に用いるターゲットホルダーであって、
ターゲットを保持するための台座と、該台座を支持する
支持軸と、ターゲットを該台座に固定するための把持具
からなり、該台座は平盤状でターゲットを保持する面と
反対側の面に支持軸を有し、かつターゲットを保持する
面の周縁には、互いに切欠部分を隔てて3ヶ所以上に分
割配置されたターゲットの位置決めをするための位置決
め枠を有し、該切欠部分の台座側面にネジ部を設け、タ
ーゲットを把持する把持具を用いて、ターゲットを該台
座の側面の各ネジ部にネジ止めして固定するターゲット
ホルダー構造とした。
【0013】請求項2に記載の発明は把持具の取り付け
ネジ孔を長円形に構成し、ターゲットの厚さが変化して
も容易に対応できるようにしたものである。請求項3に
記載の発明は、台座を回転式とし、ターゲットが均一に
消耗するようにして延命を図ったものである。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図1は、本発明に係わるターゲッ
トホルダーの例を示す外観図である。図2はこのターゲ
ットホルダーのA−A’に沿った断面図、図3は下方
(B方向)から見た平面図である。このターゲットホル
ダーが従来のターゲットホルダーと異なる点は、袋ナッ
ト方式を廃止し、複数の把持具を用いてターゲットを台
座側面のネジ部に締め付けて固定する方式とした点にあ
る。
【0015】図1は円形状のターゲットを対象とした例
で、台座12の周縁に3個のL字型の把持具16を用い
てネジ止めし、タ−ゲット2をターゲットホルダー11
に固定している。台座12の周縁には図2に示すように
タ−ゲット2の位置決めをするための位置決め枠13が
台座のターゲット保持面12aよりやや下がった位置ま
で設けられている。台座12及び位置決め枠13の内壁
は使用するターゲットの大きさよりも若干大きめに構成
されており、ターゲットをはめ込めば所定の位置にター
ゲットが納まるようになっている。位置決め枠13の深
さはターゲットがずれなければ良く、台座12のターゲ
ット保持面12aからわずかに下がった状態、通常は
0.2〜2mm程度あればよい。位置決め枠13の長さ
は、ターゲットの位置決めに支障がない限り特に制限は
無い。
【0016】本発明例では位置決め枠13を台座12の
全周縁に設けるのではなく、3ヶ所の切欠部14を設け
て分割して配置した。切欠部14は図2に示すとおり台
座12の厚さのままであり、こうすることによりターゲ
ット2をターゲットホルダー11に取り付けるに際して
は、ターゲット2の傾きの有無が目視で判定できる利点
が生ずる。切欠部14の幅は特に制限はないが、把持具
16の幅と同等かやや広く構成しておくと良い。ターゲ
ットを台座に固定するために、切欠部14はターゲット
の形状、大きさに従って複数個設ける。ターゲットが円
形の場合には、把持具16は3個以上あればタ−ゲット
を所定位置に確実に固定することができる。また、ター
ゲットが方形の場合には、方形の各側面に沿って把持具
14で固定すると安定して固定可能となる。台座12の
周縁は切欠部14を含めて同一面としても良く(図5a
の場合)、或いは図5bのごとく切欠部14の部分で一
段引込めるように構成しても良い。このようにすれば把
持具16をより確実に台座12に固定することが可能と
なる利点を有する。切欠部14の台座12の側面には、
把持具取付用のネジ部15を設けておく。ネジ部15は
図5に示すようにネジ孔15aでも良いし、図6に示す
ようにネジ15bを取り付けても良い。ネジ15bを取
り付けた場合はナット20と座金21とを用いて把持具
16を台座12に取り付ける。
【0017】タ−ゲット2は、把持具16を用いて台座
12の側面にネジ止め固定する。把持具16は、最も単
純には、図3に示すように固定部16aとターゲット保
持部16bとからL字型に構成したものを利用すること
ができる。固定部16aにはネジ止めするためのネジ孔
17が明けられている。固定部16aとターゲット保持
部16bとは互いに直角になるように構成しておく。台
座12が円形で台座が曲面をなしている場合には、固定
部16aの台座12と接する面は、密着できるよう互い
に面合わせを施しておくと良い。さらに、固定部16a
の長さはタ−ゲット2の厚さに基づいてて決めれば良
く、タ−ゲット2を把持するのに充分な長さがあれば良
い。ターゲット保持部16bの形状も特に制限は無く、
ターゲットを受け止めて保持できるものであれば良い。
例えば固定部16aと同じ幅であっても良いし、ターゲ
ットに沿って横長に拡がっていても良い。ターゲット保
持部16bの長さも特に制限はなく、タ−ゲット2の大
きさに基づいて把持するのに充分な長さがあれば良い。
ネジ孔17は固定部16aに沿って長円形にしておけ
ば、ターゲットの厚さの変化にも対応できて都合がよ
い。
【0018】本発明の他の実施の態様として、図7には
方状のターゲットとして4角形のターゲットを使用する
場合の例として、台座12が4角形の例を示す。ターゲ
ット位置決め枠13、把持具16の構成方法は前述の通
りで良い。本態様では切欠部14とネジ部15の設置位
置は、方形台座の各側面とした。台座の各側面でターゲ
ットを固定することにより、安定して把持することがで
きる。本実施の態様を取ることにより、方形のターゲッ
トにも対応できるようになる。ターゲットホルダー11
の支持軸19は、ターゲット2が基材1と所定の角度を
なすように真空蒸着装置に取り付けられる(図示省
略)。その場合支持軸19を台座12の中心部に配置
し、回転機構(図示省略)に連結すればターゲット2を
回転させることができる。ターゲットを回転させること
により、高品質の成膜が得られると共に、ターゲットの
均一な消耗もはかられるので好都合である。
【0019】
【発明の効果】本発明は、簡便な構造でしかも確実にタ
ーゲットを把持できるターゲットホルダー構造を提供で
きる。本発明によれば、ネジ部の摺動面積が減少するの
で焼付きが無くなり、ターゲットの脱着が容易となる。
また、ターゲットの取り付け状況が目視で確認できるよ
うになり、ターゲット表面を所定の方向に確実に保持で
きるようになるので、特性の良い成膜が得られるように
なる。本発明はターゲットの材質に係わらず適用でき、
レーザ蒸着装置ばかりでなく、スパッタリング装置、イ
オンプレーティング装置などのターゲットを使用する物
理成膜装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係わるターゲットホルダー構造の第
1の例を示す外観図である。
【図2】 図1のターゲットホルダー構造を示す説明図
である。
【図3】 図1のターゲットホルダーを下面(B方向)
から見た図である。
【図4】 本発明に使用する把持具の一例を示す図で、
(a)は正面図、(b)は側面図である。
【図5】 本発明の台座に設ける切欠部とネジ孔の構造
例を説明する図である。
【図6】 ネジ部の一実施例を示す図である。
【図7】 本発明に係わるターゲットホルダー構造の第
2の例を示す外観図である。
【図8】 レーザ蒸着装置を説明するための図である。
【図9】 従来のターゲットホルダー構造を示す図であ
る。
【符号の説明】
1・・・基材、2・・・ターゲット、3・・・粒子の噴流(プル
ーム)、4・・・レーザ発光装置、5・・・フィルタ板、6・・
・加熱ヒーター、7・・・熱電対、8・・・反射鏡、9・・・集光
レンズ、10・・・真空処理容器、11・・・ターゲットホル
ダー、12・・・台座、13・・・位置決め枠、 14・・・切
欠部、15・・・ネジ部、16・・・把持具、17・・・長孔、
18・・・ボルト、19・・・支持軸、20・・・ナット、21・
・・座金、40・・・ターゲット受け皿、G・・・中心線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 定方 伸行 東京都江東区木場1丁目5番1号 株式会 社フジクラ内 (72)発明者 斉藤 隆 東京都江東区木場1丁目5番1号 株式会 社フジクラ内 Fターム(参考) 4K029 BC04 DB01 DB20 DC23

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属又は非金属のイオン若しくは蒸気ま
    たは原子を使用して薄膜を形成する成膜装置に用いるタ
    ーゲットホルダーであって、ターゲットを保持するため
    の台座と、該台座を支持する支持軸と、ターゲットを該
    台座に固定するための把持具からなり、該台座は平盤状
    でターゲットを保持する面と反対側の面に支持軸を有
    し、かつターゲットを保持する面の周縁には、互いに切
    欠部分を隔てて3ヶ所以上に分割配置されたターゲット
    の位置決めをするための位置決め枠を有し、該切欠部分
    の台座側面にネジ部を設け、ターゲットを把持する把持
    具を用いて、ターゲットを該台座の側面の各ネジ部にネ
    ジ止めして固定するようにしたことを特徴とするターゲ
    ットホルダー構造。
  2. 【請求項2】 把持具のネジ孔が長円形であることを特
    徴とする請求項1に記載のターゲットホルダー構造。
  3. 【請求項3】 台座を回転式であることを特徴とする請
    求項1または請求項2に記載のターゲットホルダー構
    造。
JP21600399A 1999-07-29 1999-07-29 ターゲットホルダー構造 Expired - Fee Related JP3808244B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21600399A JP3808244B2 (ja) 1999-07-29 1999-07-29 ターゲットホルダー構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21600399A JP3808244B2 (ja) 1999-07-29 1999-07-29 ターゲットホルダー構造

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001040475A true JP2001040475A (ja) 2001-02-13
JP3808244B2 JP3808244B2 (ja) 2006-08-09

Family

ID=16681795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21600399A Expired - Fee Related JP3808244B2 (ja) 1999-07-29 1999-07-29 ターゲットホルダー構造

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3808244B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102501154A (zh) * 2011-10-26 2012-06-20 中国科学院光电技术研究所 一种离子束抛光过程中工件装卡装置和方法
KR101212863B1 (ko) 2011-02-28 2012-12-14 하이디스 테크놀로지 주식회사 박막 증착 장비
CN104816217A (zh) * 2015-05-05 2015-08-05 中国兵器科学研究院宁波分院 一种用于真空环境的精密角度驱动装置
CN108018534A (zh) * 2017-12-12 2018-05-11 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种用于装夹靶材的磁控溅射镀膜装夹装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101212863B1 (ko) 2011-02-28 2012-12-14 하이디스 테크놀로지 주식회사 박막 증착 장비
CN102501154A (zh) * 2011-10-26 2012-06-20 中国科学院光电技术研究所 一种离子束抛光过程中工件装卡装置和方法
CN102501154B (zh) * 2011-10-26 2014-01-29 中国科学院光电技术研究所 一种离子束抛光过程中工件装卡装置和方法
CN104816217A (zh) * 2015-05-05 2015-08-05 中国兵器科学研究院宁波分院 一种用于真空环境的精密角度驱动装置
CN108018534A (zh) * 2017-12-12 2018-05-11 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种用于装夹靶材的磁控溅射镀膜装夹装置
CN108018534B (zh) * 2017-12-12 2020-12-11 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种用于装夹靶材的磁控溅射镀膜装夹装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3808244B2 (ja) 2006-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20120263569A1 (en) Substrate holders and methods of substrate mounting
US5976263A (en) Sources used in molecular beam epitaxy
KR20070012314A (ko) 유기 재료용 증발원 및 유기 증착 장치
JP2001040475A (ja) ターゲットホルダー構造
US6485565B1 (en) Process and apparatus for making oriented crystal layers
JP2007100123A (ja) 真空蒸着装置
JP2002164303A (ja) 真空蒸着装置
JP3844630B2 (ja) ターゲットホルダー
JPH0246667B2 (ja) Hakumakujochakusochi
US7125581B2 (en) Evaporation method and apparatus thereof
JPH0524996A (ja) 酸化物超電導導体およびその製造方法
JP3075228B2 (ja) 基板取付治具
JPH0593263A (ja) ハースライナおよび蒸着方法
CN215365972U (zh) 一种真空蒸镀机的视窗固定结构
JP3227768B2 (ja) 銅薄膜の結晶配向制御方法
JPH02196086A (ja) 単結晶の製造方法
JP3139045B2 (ja) 分子線結晶成長装置
JPS63282190A (ja) 分子線結晶成長装置
JP2687845B2 (ja) パルスレーザー蒸着法を用いた複合系材料薄膜の製造方法
JPS62214172A (ja) イオンビ−ムスパツタ装置
JPH0565587B2 (ja)
JPH07187678A (ja) 窒化クロム膜被覆基体
JP2003328110A (ja) 成膜装置
EP0205963B1 (en) Method and apparatus for molecular beam epitaxial growth
JPH03232963A (ja) セラミックス膜被覆方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060421

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060509

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060517

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 3808244

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090526

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100526

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110526

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110526

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120526

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130526

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140526

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees