KR101212863B1 - 박막 증착 장비 - Google Patents

박막 증착 장비 Download PDF

Info

Publication number
KR101212863B1
KR101212863B1 KR1020110017959A KR20110017959A KR101212863B1 KR 101212863 B1 KR101212863 B1 KR 101212863B1 KR 1020110017959 A KR1020110017959 A KR 1020110017959A KR 20110017959 A KR20110017959 A KR 20110017959A KR 101212863 B1 KR101212863 B1 KR 101212863B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
deposition mask
deposition
substrate
film deposition
Prior art date
Application number
KR1020110017959A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120098179A (ko
Inventor
박찬일
Original Assignee
하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 하이디스 테크놀로지 주식회사 filed Critical 하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority to KR1020110017959A priority Critical patent/KR101212863B1/ko
Publication of KR20120098179A publication Critical patent/KR20120098179A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101212863B1 publication Critical patent/KR101212863B1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/32Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers using masks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 박막 증착 장비에 관한 것으로, 기판 상에 박막을 증착하기 위한 박막 증착 장비에 있어서, 중앙에 개구부가 형성된 사각 프레임의 형태로 이루어지며, 상기 개구부와 접하는 개구부측 테두리가 상기 기판의 상면 가장자리의 적어도 일부를 덮도록 배치되는 증착마스크; 및 상기 증착마스크의 바깥쪽 테두리 측면에 결합되는 방착판을 포함하되, 상기 증착마스크와 상기 방착판의 결합 시 상기 기판의 상면과 평행한 방향으로 볼트 체결됨으로써, 증착마스크의 세정에 따라 발생하는 부식에 취약한 부분을 개선하여 증착마스크의 수명 연장과 부식부위에서 발생될 수 있는 파티클(Particle)을 효과적으로 감소시킬 수 있다.

Description

박막 증착 장비{APPARATUS FOR THIN FILM DEPOSITION}
본 발명은 박막 증착 장비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 박막을 증착하기 위한 장비에 있어서 증착마스크에 방착판을 측면방향으로 개선 결합함으로써, 증착마스크의 세정에 따라 발생하는 부식에 취약한 부분을 개선하여 증착마스크의 수명 연장과 부식부위에서 발생될 수 있는 파티클(Particle)을 효과적으로 감소시킬 수 있도록 한 박막 증착 장비에 관한 것이다.
일반적으로, 스퍼터(Sputter)의 박막증착이 진행되는 챔버(Chamber)의 내부에 장착되는 마스크(Mask)는 박막증착시 발생되는 파티클(Particle)의 챔버내부 유출을 방지하여 박막에 불량 디텍트(Defect) 발생을 억제한다.
이러한 파티클(Particle)이 마스크에 흡착되기 때문에 사용주기를 설정하여 사용 완료 후 세정하게 된다.
도 1은 종래의 박막 증착 장비의 사시도 및 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 박막 증착 장비(10)는, 크게 증착마스크(11)와 방착판(12)을 조립하여 구성하는데, 이때 증착마스크(11)와 방착판(12)의 조립은 증착마스크(11)의 하면에서 방착판(12)의 하단면으로 볼트(B)가 체결되는 방식으로 결합되어 있다. 여기서, 증착마스크(11)는 기판(20)의 상면 가장자리 일부를 덮도록 배치되어 있다.
이러한 종래의 박막 증착 장비(10)의 증착마스크(11)와 방착판(12)간의 결합 방식은 증착마스크(11)와 방착판(12)에 세정시 약액이 볼트(B) 홀 부분 즉, 상대적으로 두께가 얇은 부분에 부식을 유발하여 박막증착 장비(10)의 사용수명이 감소하게 되는 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 박막을 증착하기 위한 장비에 있어서 증착마스크에 방착판을 측면방향으로 개선 결합함으로써, 증착마스크의 세정에 따라 발생하는 부식에 취약한 부분을 개선하여 증착마스크의 수명 연장과 부식부위에서 발생될 수 있는 파티클(Particle)을 효과적으로 감소시킬 수 있도록 한 박막 증착 장비를 제공하는데 있다.
전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면은, 기판 상에 박막을 증착하기 위한 박막 증착 장비에 있어서, 중앙에 개구부가 형성된 사각 프레임의 형태로 이루어지며, 상기 개구부와 접하는 개구부측 테두리가 상기 기판의 상면 가장자리의 적어도 일부를 덮도록 배치되는 증착마스크; 및 상기 증착마스크의 바깥쪽 테두리 측면에 결합되는 방착판을 포함하되, 상기 증착마스크와 상기 방착판의 결합 시 상기 기판의 상면과 평행한 방향으로 볼트 체결되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장비를 제공하는 것이다.
여기서, 상기 증착마스크 및 상기 방착판은 서로 맞닿는 측면에 요철(凹凸)형태로 결합되도록 각각 볼록부 및 오목부가 형성됨이 바람직하다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 박막증착 장비에 따르면, 박막을 증착하기 위한 장비에 있어서 증착마스크에 방착판을 측면방향으로 개선 결합함으로써, 증착마스크의 세정에 따라 발생하는 부식에 취약한 부분을 개선하여 증착마스크의 수명 연장과 부식부위에서 발생될 수 있는 파티클(Particle)을 효과적으로 감소시킬 수 있는 이점이 있다.
도 1은 종래의 박막 증착 장비의 사시도 및 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장비의 사시도 및 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 증착 장비의 증착마스크와 방착판의 결합 부위를 설명하기 위한 일부 확대 사시도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장비의 사시도 및 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장비(100)는, 크게 증착마스크(110)와 방착판(120)의 고정 결합으로 구성되어 있다.
여기서, 증착마스크(110)는, 중앙이 개구된 사각 프레임의 형태로 이루어지며, 개구부와 접하는 개구부측 테두리가 기판(200)의 상면 가장자리의 적어도 일부를 덮도록 배치 형성되어 있다.
방착판(120)은 기판(200)에 박막 증착시 플라즈마 가스가 챔버(Chamber)(미도시) 내의 다른 장비들로 유입되는 것을 방지하기 위한 것으로서, 증착마스크(110)를 지지하기 위하여 그 일단이 증착마스크(110)의 바깥쪽 테두리 측면에 고정 결합되어 있으며, 그 타단이 챔버(Chamber)(미도시)의 내부에 고정되어 있다.
이때, 증착마스크(110)와 방착판(120)의 결합 시 기판(200)의 상면과 평행한 방향 즉, 방착판(120)의 측면방향으로 적어도 하나의 볼트(B)를 이용하여 고정 결합됨으로써, 박막 증착 장비(100)의 증착마스크(110)와 방착판(120)의 세정시 약액에 의한 부식 취약부분을 제거하여 박막 증착 장비(100)의 증착마스크(110) 및 방착판(120)의 수명연장과 부식부위에서 발생될 수 있는 파티클(Particle) 감소에 효과적으로 기여함과 더불어 원가를 절감할 수 있게 된다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 증착 장비의 증착마스크와 방착판의 결합 부위를 설명하기 위한 일부 확대 사시도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 증착 장비(100')는, 도 2에 전술한 박막 증착 장비(100)와 전체적인 구조는 동일하며, 다만 박막 증착 장비(100')의 증착마스크(110')와 방착판(120')이 맞닿는 측면에 요철(凹凸)형태로 결합되도록 각각 볼록부(111) 및 오목부(121)가 추가적으로 형성됨으로써, 증착마스크(110')와 방착판(120')의 결합시 볼트(B) 체결을 위한 볼트 홀(Bolt hole)(112 및 122)이 자동으로 정렬되어 볼트(B) 체결을 보다 용이하게 할 수 있다.
전술한 본 발명에 따른 박막 증착 장비에 대한 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명에 속한다.
100, 100' : 박막 증착 장비,
110, 110' : 증착마스크,
111 : 볼록부,
120, 120' : 방착판,
121 : 오목부,
112, 122 : 볼트 홀

Claims (2)

  1. 삭제
  2. 기판 상에 박막을 증착하기 위한 박막 증착 장비에 있어서,
    중앙에 개구부가 형성된 사각 프레임의 형태로 이루어지며, 상기 개구부와 접하는 개구부측 테두리가 상기 기판의 상면 가장자리의 적어도 일부를 덮도록 배치되는 증착마스크; 및
    상기 증착마스크의 바깥쪽 테두리 측면에 결합되는 방착판을 포함하되,
    상기 증착마스크와 상기 방착판의 결합 시 상기 기판의 상면과 평행한 방향으로 볼트 체결되고,
    상기 증착마스크 및 상기 방착판은 서로 맞닿는 측면에 요철(凹凸)형태로 결합되도록 각각 볼록부 및 오목부가 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장비.
KR1020110017959A 2011-02-28 2011-02-28 박막 증착 장비 KR101212863B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110017959A KR101212863B1 (ko) 2011-02-28 2011-02-28 박막 증착 장비

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110017959A KR101212863B1 (ko) 2011-02-28 2011-02-28 박막 증착 장비

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120098179A KR20120098179A (ko) 2012-09-05
KR101212863B1 true KR101212863B1 (ko) 2012-12-14

Family

ID=47109271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110017959A KR101212863B1 (ko) 2011-02-28 2011-02-28 박막 증착 장비

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101212863B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001040475A (ja) 1999-07-29 2001-02-13 Fujikura Ltd ターゲットホルダー構造
JP2001152327A (ja) * 1999-11-19 2001-06-05 Fujikura Ltd 薄膜の形成方法及びその装置
JP2004346356A (ja) * 2003-05-21 2004-12-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd マスクユニットおよびそれを用いた成膜装置
JP2008291299A (ja) 2007-05-23 2008-12-04 Texas Instr Japan Ltd メタル成膜装置におけるメタル膜剥離防止構造及び当該構造を用いる半導体装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001040475A (ja) 1999-07-29 2001-02-13 Fujikura Ltd ターゲットホルダー構造
JP2001152327A (ja) * 1999-11-19 2001-06-05 Fujikura Ltd 薄膜の形成方法及びその装置
JP2004346356A (ja) * 2003-05-21 2004-12-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd マスクユニットおよびそれを用いた成膜装置
JP2008291299A (ja) 2007-05-23 2008-12-04 Texas Instr Japan Ltd メタル成膜装置におけるメタル膜剥離防止構造及び当該構造を用いる半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120098179A (ko) 2012-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6100691B2 (ja) 高純度アルミニウムコーティングの硬質陽極酸化処理
JP4761569B2 (ja) 成膜用マスク及びマスク組立治具
KR101212863B1 (ko) 박막 증착 장비
CN205803584U (zh) 一种防着板及磁控溅射设备
KR100970201B1 (ko) 진공처리장치
KR101893241B1 (ko) 배터리 장착부를 구비한 하이브리드 트랙터
WO2022121359A1 (zh) 一种微粒捕捉装置及gis或gil的筒体结构
CN205791325U (zh) 电缆托架
JP2020517814A (ja) マスクシート、マスクプレートおよびその組立方法
JP3177524U (ja) 洗浄治具
US7066107B2 (en) Shielding system for plasma chamber
CN206221117U (zh) 燃油泵密封结构及二轮车
US20160169412A1 (en) Removable isolation valve shield insert assembly
JP2011168894A (ja) 成膜用マスク及びその洗浄方法
CN210851018U (zh) 一种可拆卸的pvc手套生产车间吸尘罩
CN203573941U (zh) 一种电绝缘结构的电极
CN102021512A (zh) Encore Ta装置部件清洗再生保护治具及相关清洗再生方法
CN207998637U (zh) 一种蒸镀坩埚
CN212851001U (zh) 麦克风芯片和mems麦克风
KR20190130272A (ko) 걸쇠 방착판을 구비한 진공 증착기
TWI470104B (zh) 半導體濺鍍設備的反應室結構
WO2015114918A1 (en) Vehicle suspension tower structure
CN109537533B (zh) 一种双列定轮平面闸门用的一体结构铸造轨道
CN210254633U (zh) 一种切割加工用隔栅托盘
CN102634762B (zh) 复合屏蔽

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151116

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161118

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171116

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181126

Year of fee payment: 7