JP2004346356A

JP2004346356A - マスクユニットおよびそれを用いた成膜装置

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Publication number: JP2004346356A
Application number: JP2003143032A
Authority: JP
Inventors: Mitsuhiro Yoshinaga; 光宏吉永
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2003-05-21
Filing date: 2003-05-21
Publication date: 2004-12-09
Anticipated expiration: 2023-05-21
Also published as: JP4200290B2; US20040232109A1

Abstract

【課題】成膜時にパターン形成用マスクと基板に蒸着源やプラズマ放電による熱が伝わりにくくして、熱膨張による寸法変動に起因するパターンの精度低下やボケの発生を防止し、基板上に微細なパターンを形成可能なマスクユニットおよびそれを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】基板ホルダー９上に保持された基板１０の上面に密着して配設され、所定のパターン開口部１２を有するパターン形成用マスク１１と、このパターン形成用マスク１１よりも所定寸法だけ大きいパターン開口部２３を有する遮蔽マスク２２とを含み、遮蔽マスク２２とパターン形成用マスク１１との間に所定の間隙を設けて、パターン形成用マスク１１と遮蔽マスク２２とが基板１０上に保持された構成からなる。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マスクユニットを用いて真空成膜法により基板上に導体膜や絶縁膜等の所定のパターンを形成するためのマスクユニットおよびそれを用いた成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
スパッタリング法を例として、従来のマスクユニットを用いた成膜装置について、図５から図７を用いて説明する。
【０００３】
図５は従来の成膜装置の一例であるスパッタリング装置の構成を説明するための模式図、図６はそれに用いるマスクユニットの構成を示す断面図である。なお、わかりやすくするために、断面図は厚さ方向の寸法を拡大して表わしている。
【０００４】
図５に示すように、スパッタリング法による従来の成膜装置は、真空槽１内に収容された蒸着源であるスパッタリングターゲット２（以下の説明においてターゲット２と表わす）とマスクユニット３とを含む構成からなる。
【０００５】
真空槽１には、真空排気を行なうための真空ポンプ４がバルブ５を介して接続され、ターゲット２は、図示しない支持体によって真空槽１内に配設されたターゲット電極６に接続されている。
【０００６】
そして、マスクユニット３は、ターゲット２に対向した基板支持台７に接続されたテーブル８上に取り付けられる。そして、図６に示すように、その基板ホルダー９の中央に基板１０が載せられて、この基板１０の上面を、形成したいパターンに対応した各種のパターン開口部１２を有する厚さ０．１ｍｍ〜０．２ｍｍの磁性金属板製のパターン形成用マスク１１が覆い、さらにその上面に、密着するように重ねて、厚さ０．５ｍｍ程度の薄い金属パターン板製の遮蔽マスク１３が配設されている。この遮蔽マスク１３には、パターン形成用マスク１１と同一または一回り大きいパターン開口部１４が設けられている。
【０００７】
そして、これらの部材は枠体１５を介して固定ネジ１６により基板ホルダー９に固定されるとともに、パターン形成用マスク１１が基板１０に密着するように、基板ホルダー９に装着された磁石１７で吸引されている。なお、基板ホルダー９が取り付けられたテーブル８は、水冷等の方法により所定の温度に維持されている。
【０００８】
このように構成される成膜装置においてターゲット電極６に電圧が印加されるとプラズマ放電が発生し、この放電により発生したイオンがターゲット２に衝突する。これにより、ターゲット２から飛び出した蒸着材料は、遮蔽マスク１３のパターン開口部１４およびパターン形成用マスク１１のパターン開口部１２を通過して、基板１０表面に付着する。したがって、パターン形成用マスク１１のパターン開口部１２と同じ所定のパターンを基板１０表面に形成することができる。このような構成のマスクユニット３を用いて基板１０上にパターン形成することは、真空蒸着法においても同様である。
【０００９】
そして、マスクユニット３に遮蔽マスク１３を配設する目的は、成膜時にターゲット２から飛び出した蒸着材料がパターン形成用マスク１１のパターン開口部１２がない部分に付着することにより生じる応力でパターン開口部１２が変形すること、および、成膜時にターゲット２である蒸着源からの輻射熱やプラズマ放電による加熱によってパターン形成用マスク１１が熱膨張して寸法変動が生じることを防止するためである。この寸法変動による影響は、特に基板１０の外周領域部で顕著となり、この外周領域部でパターン開口部１２と同じ寸法形状が得られなくなる場合がある。
【００１０】
この成膜時のパターン形成用マスク１１の膨張による寸法変動の影響について、図７を用いて説明する。図７は、上記の構成において成膜したときの基板１０表面でのパターンズレを示す平面図である。成膜中にパターン形成用マスク１１や基板１０が加熱されて、基板１０に形成されるパターンは初期のパターン１０Ａの位置から点線で示す位置まで、矢印で示す外周方向へずれていく。その結果、基板１０上に形成されるパターン形状は、図７のハッチングで示すように本来作製すべきパターン形状に比べて広がりを持ったパターン形状となってしまう。これは、基板１０として樹脂基板を用いる場合に顕著に発生しやすい。
【００１１】
なお、本出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば特許文献１が知られている。
【００１２】
【特許文献１】
特開昭５５−１１１８５号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来のマスクユニットでは、遮蔽マスクとパターン形成用マスクとは、蒸着材料の基板への飛来に影響しないようにできるだけ薄い金属板によって製作されるとともに、両者は密着するように重ねて配設されているので、遮蔽マスクからパターン形成用マスクに熱が伝わりやすい。
【００１４】
したがって、遮蔽マスクからの熱が熱伝導によりパターン形成用マスクに伝わり、パターン形成用マスクや基板が熱膨張して寸法変動が生じやすい。このため、それに起因するパターンのズレが生じやすい。例えば、成膜する膜構成が、銅（Ｃｕ）膜を２．０μｍ、ニッケル（Ｎｉ）膜を０．７５μｍおよび金（Ａｕ）膜を０．１μｍ成膜する積層構成をポリイミド樹脂のような樹脂基板上に成膜する場合、成膜速度を大きくするためにターゲットに投入する電力を大きくすると、基板のサイズが１００ｍｍ×１００ｍｍであっても、その外周領域部では１００μｍ程度のズレが生じることがある。また、パターン形成用マスクが熱の影響により部分的に浮き上がり、パターンエッジがシャープに形成されなくなる現象も生じることがある。
【００１５】
本発明は、このような従来の課題を解決するものであり、成膜時にパターン形成用マスクと基板に蒸着源やプラズマ放電による熱が伝わりにくくして、熱膨張による寸法変動に起因するパターンの精度低下やエッジのシャープさがなくなることを防止し、基板上に微細なパターンを形成可能なマスクユニットおよびそれを用いた成膜装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、以下の構成を有するものである。
【００１７】
本発明のマスクユニットは、基板ホルダー上に保持された基板の膜形成面に密接して配設され、所定のパターン開口部を有するパターン形成用マスクと、このパターン形成用マスク上方にパターン開口部よりも開口面積が大きいパターン開口部を有する遮蔽マスクとを含み、遮蔽マスクとパターン形成用マスクとの間に所定の間隙を有してパターン形成用マスクと遮蔽マスクとが基板上に保持された構成からなる。
【００１８】
これにより、遮蔽マスクがパターン形成用マスクの上方に所定の間隙を設けて配設されているので、成膜時に蒸着源からの熱が遮蔽マスクにより遮られ、パターン形成用マスクが加熱されにくくなる。このため、パターン形成用マスクや基板の熱変形が抑制でき、高精度なパターンを基板上に成膜できる。特に、ポリイミド樹脂やポリエチレンテレフタレート樹脂等の樹脂基板を用いる場合にマスク成膜方式で高精度なパターン形成が可能となる。
【００１９】
また、本発明のマスクユニットは、パターン形成用マスクと遮蔽マスクとの所定の間隙に、熱伝導率が少なくとも遮蔽マスクよりも小さい材料で形成したスぺーサを介在させた構成からなる。これにより、遮蔽マスクとパターン形成用マスクの間隙を確実に確保することができるので、遮蔽マスクが薄くても、両者の間隙を小さく、かつ一定の寸法に設定することができ、断熱効果を確保しながら微細なパターンをマスク成膜方式により成膜することができる。
【００２０】
また、本発明のマスクユニットは、パターン形成用マスクと遮蔽マスク間の少なくとも中央部分を、スぺーサを挟んで予め接合した構成からなる。これにより、パターン形成用マスクと遮蔽マスクを一体に取り扱うことができるので、マスクユニットへの着脱が容易であり、しかもパターン形成用マスクが遮蔽マスクの熱膨張等の影響を受けにくいという作用を有する。
【００２１】
本発明のマスクユニットは、遮蔽マスクとパターン形成用マスクとが対向する面において、少なくとも遮蔽マスクのパターン形成用マスクに対向する面を遮蔽マスクよりも輻射率が低い材料でコーティングした構成を有する。これにより、成膜時に遮蔽マスクに達した輻射熱が下方のパターン形成用マスクに向けて輻射伝熱されることが少なくなり、パターン形成用マスクや基板の熱変形をさらに抑制できる。この場合に、遮蔽マスクのみでなく、パターン形成用マスクの遮蔽マスクに対向する面上にもコーティング層を形成すれば、さらに断熱効果を大きくできる。
【００２２】
また、本発明のマスクユニットは、遮蔽マスクと少なくとも同等以上の熱伝導率を有する金属からなる枠体で、遮蔽マスクがパターン形成用マスクと対向する面の反対側の表面外周を覆い、この枠体の周囲から基板ホルダーまで、パターン形成用マスクおよび基板の側方を通る熱伝導部材を枠体と一体に設けた構成からなる。この構成により、枠体は遮蔽マスクの外周領域部を覆い、基板ホルダーまで熱伝導性の良好な材質で一体に形成され、かつ、この枠体が遮蔽マスクの外周を覆っているので、遮蔽マスクが蒸着源やプラズマ放電により加熱されても、その熱が枠体を通して基板ホルダーに伝熱し、遮蔽マスクの温度上昇を効率よく抑制できる。
【００２３】
また、本発明のマスクユニットは、遮蔽マスクのパターン開口部をパターン形成用マスクのパターン開口部と同形状で一定寸法だけ大きく設けるとともに、パターン形成用マスクの複数個のパターン開口部の間隔が上記の一定寸法よりも狭い部分は、この複数個のパターン開口部を連結した集合形状で外径が上記の一定寸法だけ大きい開口部として設けた構成からなる。これにより、遮蔽マスクによる熱遮蔽効率が高く、しかも成膜時にパターン形成用マスクのパターン開口部を通過する蒸着材料が遮蔽マスクに遮られることが少ないようにできるので、断熱効果を確保しながら、微細なパターンを基板上にマスク成膜方式で形成できる。
【００２４】
また、本発明の成膜装置は、所定の温度に冷却されたテーブル上に、基板ホルダーの下面が密着するように載置された本発明の上記のマスクユニットと、上記のマスクユニットに配置された基板面上に所定の膜を成膜するための蒸着源とを真空槽内に収容して、所定のパターン形状を形成する装置構成からなる。これにより、基板およびパターン形成用マスクは成膜時においても温度上昇が生じにくくなる。この結果、熱変形が生じにくいので、微細なパターンを高精度に成膜することができる成膜装置を実現できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図１から図４を用いて説明する。
【００２６】
なお、わかりやすくするために断面図の厚さ寸法を拡大して表わしていることは、従来の技術の場合と同様であり、また従来の技術の項で説明した要素と同一要素については同一符号を付している。
【００２７】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態のマスクユニットについて、以下に説明する。本実施の形態による成膜装置の基本的な構成は、図５に示す従来の装置と同じであるので、説明は省略する。
【００２８】
図１は、本実施の形態によるマスクユニットの構成を示す断面図である。マスクユニット２１は、成膜装置のテーブル８上に基板ホルダー９の下面が密着するように取り付けられている。より確実に密着させるためには、例えばグラファイトシートを介して取り付ける場合もある。テーブル８は所定の温度、例えば２０℃に水冷等の方法で維持されている。基板ホルダー９は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ステンレススティール（ＳＵＳ）、鉄（Ｆｅ）またはこれらの合金等の比較的熱伝導性が良好で、機械加工が容易な材料を用いることが望ましい。
【００２９】
そして、基板ホルダー９の上面中央には被処理部材である、例えば１００ｍｍ角のポリイミド等からなる基板１０が保持され、この基板１０の上面には形成したいパターンに対応して各種のパターン開口部１２が設けられた、厚さ０．１ｍｍ〜０．２ｍｍで１００ｍｍ角の金属板製のパターン形成用マスク１１が覆っている。このパターン形成用マスク１１は基板１０に密着するように、基板ホルダー９に装着された磁石１７により吸着されるようにすることが望ましいので、例えばインバー合金で作製する。さらに、その上面に重ねるように、パターン形成用マスク１１のパターン開口部１２よりも所定寸法だけ大きいパターン開口部２３を有し、厚さ０．５ｍｍ程度で１００ｍｍ角の遮蔽マスク２２が配設されている。この遮蔽マスク２２は、ステンレススティール（ＳＵＳ）、銅（Ｃｕ）または鉄（Ｆｅ）等の熱伝導性の良好な金属材料を用いることが望ましい。この遮蔽マスク２２は、磁石１７で吸着される材料を用いてもよいし、また非磁性材料を用いてもよい。
【００３０】
このような構成において、パターン形成用マスク１１と遮蔽マスク２２との間には０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度の間隙が設けられるとともに、この間隙部分にはスぺーサ２４が配置されている。
【００３１】
このスぺーサ２４は図２に示すように、遮蔽マスク２２に設けられた複数のパターン開口部２３の間および周囲に約１ｍｍ巾のポリイミド等の耐熱性テープを線状または点状に耐熱性の接着剤で貼り付けたものである。なお、図２は遮蔽マスク２２をパターン形成用マスク側から見た平面図であり、パターン形成用マスクのパターン開口部に対応してパターン開口部２３が設けられ、その周囲にスペーサ２４は接着された構造である。
【００３２】
そして、これらのスぺーサ２４を備えた遮蔽マスク２２、パターン形成用マスク１１および基板１０が枠体２５を介して固定ネジ１６により基板ホルダー９に固定されている。
【００３３】
このように構成されたマスクユニット２１を取り付けた成膜装置により基板１０上に成膜した結果、パターン形成用マスク１１の熱膨張に起因するパターンのズレは、膜構成として銅（Ｃｕ）膜を２．０μｍ、ニッケル（Ｎｉ）膜を０．７５μｍおよび金（Ａｕ）膜を０．１μｍとした積層構成膜の場合でも基板１０の外周領域部に配置されたパターン開口部２３でも４０μｍ以下となった。これは、従来に比較して１／２以下のズレ量であり、またパターンエッジのボケもほとんどなくなった。
【００３４】
これは、マスクユニット２１の遮蔽マスク２２がパターン形成用マスク１１の上方に約１００μｍの間隙を設けて配設されていて、成膜時のターゲット２からの輻射熱等を受けて遮蔽マスク２２が加熱されても、遮蔽マスク２２からパターン形成用マスク１１方向には間隙により断熱されるために、パターン形成用マスク１１や基板１０の温度上昇を小さくできることによる。
【００３５】
なお、上記の説明では、パターン形成用マスク１１と遮蔽マスク２２との間隙部分にスぺーサ２４を配置させたが、本発明はこれに限定されない。例えば、遮蔽マスク２２に設けるパターン開口部２３の形成面積が小さくて、遮蔽マスク２２の剛性が大きい場合には、パターン形成用マスク１１と遮蔽マスク２２の外周で所定の間隙寸法を設けておけば、特にスぺーサ２４を配置しなくてもよい。また、本実施の形態では、ポリイミドテープのような耐熱性の樹脂テープを貼り付けたが、本発明はこれに限定されない。例えば、熱伝導率の小さな樹脂を所定の個所に塗布することでスペーサを形成してもよいし、セラミック球を接着する等、熱伝導率が小さく、約１００μｍ以上の厚さに形成でき、真空中で使用できる材料であれば特に限定されない。
【００３６】
さらに、パターン形成用マスク１１と遮蔽マスク２２との間にスぺーサ２４を配置する場合に、少なくとも中央部分のスぺーサ２４を挟んでパターン形成用マスク１１と遮蔽マスク２２を予め接合させておけば、パターン形成用マスク１１と遮蔽マスク２２を一体に取り扱うことができるので、マスクユニット２１への着脱が容易であり、しかもパターン形成用マスク１１が遮蔽マスク２２の熱膨張等の影響を受けにくいようにすることができる。このような構成の場合、例えば遮蔽マスクとしてインバー合金を用いると、パターン形成用マスクと一緒に磁石で吸着しながら、所定の間隙を確保することもできるので、枠体を設けなくてもよく、マスクユニットの構成を簡略化することもできる。
【００３７】
そして、パターン形成用マスク１１のパターン開口部１２と遮蔽マスク２２に設けるパターン開口部２３との関係については、図３に示すような構成とすることが望ましい。図３（ａ）はパターン形成用マスクの平面図であり、図３（ｂ）は遮蔽マスクの平面図である。パターン形成用マスク１１の比較的大きなパターン開口部１２Ａについては、遮蔽マスク２２のパターン開口部２３Ａは同形状で、かつ一定寸法、例えば０．５ｍｍだけ大きくする。また、パターン形成用マスク１１の比較的小さなパターン開口部１２Ｂについては、遮蔽マスク２２のパターン開口部２３Ｂは複数個のパターン開口部１２Ｂを連結した集合形状とし、かつ例えば０．５ｍｍだけ大きくする。また、パターン形成用マスク１１において、パターン開口部１２間が隣接しているパターン開口部１２Ｃのような場合にも、これらを連結した集合形状のパターン開口部２３Ｃとする。このようにすることにより、遮蔽マスク２２による熱遮蔽効率が高くて、しかも成膜時にパターン形成用マスク１１のパターン開口部１２を通過する蒸着材料が遮蔽マスク２２に遮られることが少ないように、遮蔽マスク２２のパターン開口部２３を効率よく決定することができる。
【００３８】
このように本実施の形態によれば、基板１０上に密着して配設されたパターン形成用マスク１１の上方に、所定の間隙を設けてパターン形成用マスク１１よりも所定寸法だけ大きいパターン開口部２３を有する遮蔽マスク２２を保持したマスクユニット２１により、成膜時にパターン形成用マスク１１に対して蒸着源からの輻射熱やプラズマ放電による加熱が生じにくく、パターン形成用マスク１１の熱膨張に起因するパターンの精度低下やボケの発生を抑制し、微細なパターンまでマスク成膜方式で作製することができる。
【００３９】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態のマスクユニットについて説明する。なお、第１の実施の形態と同一要素には、同一符号を付している。
【００４０】
図４は、本実施の形態によるマスクユニットの構成を示す断面図である。図４に示すように、本実施の形態によるマスクユニット２６は、第１の実施の形態とは遮蔽マスク２７の構成が異なる。
【００４１】
すなわち、遮蔽マスク２７は、アルミニウム（Ａｌ）等の低輻射率の材料を蒸着等の手段によりステンレススティール（ＳＵＳ）等の金属薄板２７Ａの下面にコーティングしてなるコーティング層２７Ｂを有している。それ以外については、第１の実施の形態で説明した遮蔽マスク２２と同じである。これによって、成膜時に蒸着源からの輻射熱により加熱された遮蔽マスク２７からパターン形成用マスク１１に向けて輻射伝熱されることを抑制できるので、パターン形成用マスク１１や基板１０の加熱を抑制し、熱変形をさらに大幅に小さくできる。
【００４２】
なお、このような遮蔽マスク２７下面にコーティング層２７Ｂを形成することに加えて、パターン形成用マスク１１の上面にも同様にアルミニウム（Ａｌ）等をコーティングすれば、遮蔽マスク２７からパターン形成用マスクへ輻射伝達される熱をさらに少なくすることもできる。
【００４３】
また、枠体２５は、遮蔽マスク２７の材料よりも熱伝導率が大きい、例えば銅（Ｃｕ）、カーボン（Ｃ）等の材料で形成し、基板ホルダー９に密着させる。この密着させる方法としては、例えばグラファイトシートを挟んでネジ止めする方法が簡便で、かつ効率よく熱を伝えることができるので望ましい。
【００４４】
これにより、遮蔽マスク２７が蒸着源からの輻射熱やプラズマ放電による加熱されても、枠体２５により基板ホルダー９へ効率よく伝熱することができる。さらに、遮蔽マスク２７の外周領域部は、枠体２５により覆われるので、この外周領域部では遮蔽マスク２７の加熱が生じにくくできる。これらの結果、遮蔽マスク２７自体の温度上昇を抑制できる。さらに、本実施の形態では、パターン形成用マスクに対向する面にアルミニウム（Ａｌ）等の材料の膜からなるコーティング層２７Ｂが形成されているので、遮蔽マスク２７からパターン形成用マスク１１に向けて熱輻射により伝熱されることを防ぐこともできる。したがって、パターン形成用マスクや基板の温度上昇をさらに抑制できるので、微細なパターンを厚く形成しても、パターンのズレが生じず、再現性の良好な成膜が可能となる。
【００４５】
このように構成されたマスクユニット２６を取り付けた成膜装置において、基板１０上に成膜した結果、パターン形成用マスク１１の熱膨張に起因するパターンのズレは全膜厚を約３μｍとするとき、１００ｍｍ角の基板１０の外周近くに配置されたパターン開口部のパターンのズレは２５μｍ以下となった。
【００４６】
そして、成膜する全膜厚を５μｍ程度とするような長い成膜時間の場合においても、本実施の形態によるマスクユニット２６を使用することにより、パターン形成用マスク１１の熱膨張に起因するパターンのズレはほとんど変化しなくなることがわかり、厚い膜を微細に形成するときに有効であることが見出された。
【００４７】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、基板上に密着して配設されたパターン形成用マスクの上方に、所定の間隙を設けて、パターン形成用マスクのパターン開口部よりも所定寸法だけ大きいパターン開口部を有する遮蔽マスクを保持したマスクユニットとすることにより、成膜時にパターン形成用マスクに向けて加わる輻射熱等が遮蔽マスクからパターン形成用マスクに伝わりにくく、パターン形成用マスクの熱変形に起因するパターンの精度低下やボケが発生しにくいマスクユニットおよびそれを用いた成膜装置を実現できるという有利な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態によるマスクユニットの構成を示す断面図
【図２】同実施の形態のマスクユニットにおける遮蔽マスクをパターン形成用マスク側から見た平面図
【図３】（ａ）同実施の形態のマスクユニットにおけるパターン形成用マスクの平面図
（ｂ）同実施の形態のマスクユニットにおける遮蔽マスクの平面図
【図４】本発明の第２の実施の形態によるマスクユニットの構成を示す断面図
【図５】従来の成膜装置の構成を説明するための模式図
【図６】同成膜装置に用いるマスクユニットの構成を示す断面図
【図７】同成膜装置に用いるマスクユニットの構成において成膜したときのパターンズレを示す図
【符号の説明】
１真空槽
２（スパッタリング）ターゲット
３，２１，２６マスクユニット
４真空ポンプ
５バルブ
６ターゲット電極
７基板支持台
８テーブル
９基板ホルダー
１０基板
１０Ａパターン
１１パターン形成用マスク
１２，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１４，２３，２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃパターン開口部
１３，２２，２７遮蔽マスク
１５，２５枠体
１６固定ネジ
１７磁石
２４スぺーサ
２７Ａ金属薄板
２７Ｂコーティング層

Claims

基板ホルダー上に保持された基板の膜形成面に密接して配設され、所定のパターン開口部を有するパターン形成用マスクと、
前記パターン形成用マスク上方に前記パターン開口部よりも開口面積が大きいパターン開口部を有する遮蔽マスクとを含み、
前記遮蔽マスクと前記パターン形成用マスクとの間に所定の間隙を有して前記パターン形成用マスクと前記遮蔽マスクとが前記基板上に保持されたことを特徴とするマスクユニット。
前記パターン形成用マスクと前記遮蔽マスクとの所定の間隙に、熱伝導率が少なくとも前記遮蔽マスクよりも小さい材料で形成したスぺーサを介在させたことを特徴とする請求項１記載のマスクユニット。
前記パターン形成用マスクと前記遮蔽マスク間の少なくとも中央部分を、前記スぺーサを挟んで予め接合したことを特徴とする請求項２記載のマスクユニット。
前記遮蔽マスクと前記パターン形成用マスクとが対向する面において、少なくとも前記遮蔽マスクの前記パターン形成用マスクに対向する面を、前記遮蔽マスクよりも輻射率が低い材料でコーティングしたことを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかに記載のマスクユニット。
前記遮蔽マスクと少なくとも同等以上の熱伝導率を有する金属からなる枠体で、前記遮蔽マスクが前記パターン形成用マスクと対向する面の反対側の表面外周を覆い、前記枠体の周囲から前記基板ホルダーまで、前記パターン形成用マスクおよび前記基板の側方を通る熱伝導部材を前記枠体と一体に設けたことを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかに記載のマスクユニット。
前記遮蔽マスクのパターン開口部を、前記パターン形成用マスクのパターン開口部と同形状で一定寸法だけ大きく設けるとともに、前記パターン形成用マスクの複数個のパターン開口部の間隔が前記一定寸法よりも狭い部分は、この複数個のパターン開口部を連結した集合形状で外径が前記一定寸法だけ大きい開口部として設けたことを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかに記載のマスクユニット。
所定の温度に冷却されたテーブル上に、基板ホルダーの下面が密着するように載置された請求項１記載のマスクユニットと、前記マスクユニットに配置された前記基板面上に所定の膜を成膜するための蒸着源とを真空槽内に収容して所定のパターン形状を形成することを特徴とする成膜装置。