JPS61166964A - スパツタリング用タ−ゲツト - Google Patents
スパツタリング用タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS61166964A JPS61166964A JP706185A JP706185A JPS61166964A JP S61166964 A JPS61166964 A JP S61166964A JP 706185 A JP706185 A JP 706185A JP 706185 A JP706185 A JP 706185A JP S61166964 A JPS61166964 A JP S61166964A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target material
- target
- plate
- sputtering
- backing plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は金属膜を高効率でかつ高品質に形成できるよ
うにしたスパッタ用ターゲットに関する。
うにしたスパッタ用ターゲットに関する。
従来より、電子部品、磁気記録媒体等における高融点金
属の？１１１１形成にスパッタリングが利用されている
。スパッタリングは、陽極〜陰極間に数百ボルトの電圧
を印加してグロー放電を生じさせ、陰極周辺に配置させ
たターゲット金属原子を上記放電によってを叩き出し、
陰極付近に配置された基板上に上記金属原子を付着させ
るものである。
属の？１１１１形成にスパッタリングが利用されている
。スパッタリングは、陽極〜陰極間に数百ボルトの電圧
を印加してグロー放電を生じさせ、陰極周辺に配置させ
たターゲット金属原子を上記放電によってを叩き出し、
陰極付近に配置された基板上に上記金属原子を付着させ
るものである。
特にエレクトロンの動きを磁界と電界によって拘束し基
板に流入するエレクトロンを抑制するようにしたものに
あっては、基板の温度上昇を抑制できるという利点があ
る。
板に流入するエレクトロンを抑制するようにしたものに
あっては、基板の温度上昇を抑制できるという利点があ
る。
ところで、スパッタリングによる膜形成速度を速めて生
産性の向を化を図るためには電極間電圧を高めれば良い
が、この場合には基板の温度上昇をもたらし、熱に弱い
材料に適用することが困難になるという問題がある。
産性の向を化を図るためには電極間電圧を高めれば良い
が、この場合には基板の温度上昇をもたらし、熱に弱い
材料に適用することが困難になるという問題がある。
そこで、基板の温度を上昇させず、しかもスパッタリン
グの生産性を高めるため、スパッタリング用ターゲット
を可能な限り大形にして一度に形成可能な製品数を増加
させることが考えられる。
グの生産性を高めるため、スパッタリング用ターゲット
を可能な限り大形にして一度に形成可能な製品数を増加
させることが考えられる。
しかしながら、スパッタリング用ターゲットを大形化す
るには次のような問題があった。
るには次のような問題があった。
すな□わちターゲット材は通常バッキングプレートに固
定されるが、この固定方法として、一般にははんだ付け
が使用される。その理由は、使用済みターゲット材を回
収して再利用する場合の回収がロー付けなどに比べて容
易であるためである。
定されるが、この固定方法として、一般にははんだ付け
が使用される。その理由は、使用済みターゲット材を回
収して再利用する場合の回収がロー付けなどに比べて容
易であるためである。
ところが、例えばｃｏ−ｃｒ材のように熱伝導の良くな
い金属を銅系バッキングプレートに支障なくはんだ付け
できるターゲット材の大きさには限度がある。すなわち
、ターゲット材が５００履角以上になると、熱伝導と熱
膨張係数の差および加熱冷却方式に起因して、はんだ付
は後のバッキングプレートの反りが大きくなるからであ
る。このようにバッキングプレートの反りが大きくなる
と、プレートの修正加工をしないと真空シールが困難に
なるうえ、修正加工時にはんだが剥がれてしまうという
問題があった。つまり、このような問題がスパッタリン
グ用ターゲットを大形化する上での障害となっていた。
い金属を銅系バッキングプレートに支障なくはんだ付け
できるターゲット材の大きさには限度がある。すなわち
、ターゲット材が５００履角以上になると、熱伝導と熱
膨張係数の差および加熱冷却方式に起因して、はんだ付
は後のバッキングプレートの反りが大きくなるからであ
る。このようにバッキングプレートの反りが大きくなる
と、プレートの修正加工をしないと真空シールが困難に
なるうえ、修正加工時にはんだが剥がれてしまうという
問題があった。つまり、このような問題がスパッタリン
グ用ターゲットを大形化する上での障害となっていた。
本発明は、このような従来の問題に鑑みなされたもので
あり、その目的とするところは、他に支障を与えること
なしにターゲット材の大形化を図ることができ、もって
生産性の向上化に寄与し得るスパッタリング用、！−ゲ
ットを提供することにある。
あり、その目的とするところは、他に支障を与えること
なしにターゲット材の大形化を図ることができ、もって
生産性の向上化に寄与し得るスパッタリング用、！−ゲ
ットを提供することにある。
本発明は、バッキングプレートにはんだ付けによって固
定された平板状のターゲット材を複数の分割体に分割し
、かつこれら各分割体同士の合わせ面を、前記ターゲッ
ト材の少なくとも厚み方向に対して傾斜する而若しくは
直交する面を含むように形成したことを特徴としている
。
定された平板状のターゲット材を複数の分割体に分割し
、かつこれら各分割体同士の合わせ面を、前記ターゲッ
ト材の少なくとも厚み方向に対して傾斜する而若しくは
直交する面を含むように形成したことを特徴としている
。
本発明によれば、ターゲット材が複数の分割体に分割さ
れているので、ターゲット材を大形化しても、個々の分
割体自体は小形であるため、これら分割体とバッキング
プレートとの間のはんだ付けを、何等他に支障を及ぼす
ことなしに行なうことができる。
れているので、ターゲット材を大形化しても、個々の分
割体自体は小形であるため、これら分割体とバッキング
プレートとの間のはんだ付けを、何等他に支障を及ぼす
ことなしに行なうことができる。
ところで、このようにターゲット材を複数の分割体に分
割すると、分割体の合わせ部からバンキングプレートや
はんだ等がスパッタリング現象によって成膜中に混入し
てしまうことが予想される。
割すると、分割体の合わせ部からバンキングプレートや
はんだ等がスパッタリング現象によって成膜中に混入し
てしまうことが予想される。
しかしながら、この発明によれば、各分割体同士の合わ
せ面が、前記ターゲット材の少なくとも厚み方向に対し
て傾斜する面若しくは直交する面を含むように形成され
ているので、ターゲット表面から直視してバッキングプ
レートやはんだなどが露出しないような構造となってい
る。したがつて、バッキングプレートやはんだからのス
パッタリングによる汚染を効果的に防止することができ
る。
せ面が、前記ターゲット材の少なくとも厚み方向に対し
て傾斜する面若しくは直交する面を含むように形成され
ているので、ターゲット表面から直視してバッキングプ
レートやはんだなどが露出しないような構造となってい
る。したがつて、バッキングプレートやはんだからのス
パッタリングによる汚染を効果的に防止することができ
る。
以下１図面を参照しながら本発明に一実施例に係るスパ
ッタリング用ターゲットについて説明する。
ッタリング用ターゲットについて説明する。
第１図は本実施例に係るスパッタリング用ターゲットを
組込んだスパッタ源を示す縦断面図であり、第２図は同
横断面図、第３図はスパッタリング用ターゲットの平面
図である。
組込んだスパッタ源を示す縦断面図であり、第２図は同
横断面図、第３図はスパッタリング用ターゲットの平面
図である。
第１図において１はスパッタリング用の真空容器である
。スパッタ源、２−は、この真空容器１に設けられた窓
３を密封する如く固定される。
。スパッタ源、２−は、この真空容器１に設けられた窓
３を密封する如く固定される。
スパッタ源−２−は、次のように構成されている。
すなわら、ベースプレート１０上には、スタンド旦が固
定されている。このスタンド旦は、前記真空容器１の窓
３の周縁部に対向配置された角形環状の支持枠１２と、
この支持枠１２をベースプレート１０上で支持する脚１
３と、上記支持枠１２とベースブレ−ト１０との間の位
置に固定された固定板１４とからなるものである。
定されている。このスタンド旦は、前記真空容器１の窓
３の周縁部に対向配置された角形環状の支持枠１２と、
この支持枠１２をベースプレート１０上で支持する脚１
３と、上記支持枠１２とベースブレ−ト１０との間の位
置に固定された固定板１４とからなるものである。
支持枠１２と真空容器１とは取付は枠１５を介して固定
される。この取付は枠１５は、支持枠１２の外周部にね
じ１６によって固定され、前記真空容器１との間および
支持枠１２との間にそれぞれバッキング１７、、１８を
介在させて両者の間の真空シールを施すようにしている
。
される。この取付は枠１５は、支持枠１２の外周部にね
じ１６によって固定され、前記真空容器１との間および
支持枠１２との間にそれぞれバッキング１７、、１８を
介在させて両者の間の真空シールを施すようにしている
。
一方、支持枠１２の内周部には、角形環状の絶縁スペー
サ２０を介して平板状の冷却板２１が載置されている。
サ２０を介して平板状の冷却板２１が載置されている。
冷却板２１は、その上面に冷却水を通流させるための溝
２２を有したものであり、この溝２２には冷却水Ｐの導
入管２３および排出管２４が接続されている。冷却板２
１と前記絶縁スペーサ２０との間および支持枠１２と絶
縁スベー゛す２０との間は、冷却板２１に装着されたバ
ッキング２５および支持枠１２に装着されたバッキング
２６によってシールされている。
２２を有したものであり、この溝２２には冷却水Ｐの導
入管２３および排出管２４が接続されている。冷却板２
１と前記絶縁スペーサ２０との間および支持枠１２と絶
縁スベー゛す２０との間は、冷却板２１に装着されたバ
ッキング２５および支持枠１２に装着されたバッキング
２６によってシールされている。
そして、上記冷却板２１の上には本実施例に係るターゲ
ット拉が載置されている。このターゲット並は、バッキ
ングプレート３１の上面にターゲット材３２をはんだ付
けして構成されている。
ット拉が載置されている。このターゲット並は、バッキ
ングプレート３１の上面にターゲット材３２をはんだ付
けして構成されている。
バッキングプレート３１は、カソードとなるものであり
、長方形の銅板で形成され、ターゲット材固定面を機械
的に粗面加工して低温はんだを施し易くするために数虜
のニッケルを電気メツキ法によって電着させたものであ
る。このバッキングプレート３１は冷却板２１にねじ３
３によって固定されている。バッキングプレート３１と
冷却板２１との間のシールは、冷却板２１の外周部に並
列に埋め込まれた２つのバッキング３４．３５によって
施されている。
、長方形の銅板で形成され、ターゲット材固定面を機械
的に粗面加工して低温はんだを施し易くするために数虜
のニッケルを電気メツキ法によって電着させたものであ
る。このバッキングプレート３１は冷却板２１にねじ３
３によって固定されている。バッキングプレート３１と
冷却板２１との間のシールは、冷却板２１の外周部に並
列に埋め込まれた２つのバッキング３４．３５によって
施されている。
これら２つのバッキング３４．３５の間は孔３６を介し
て大気解放されている。このため冷却水Ｐと真気とを確
実に分離することができる。
て大気解放されている。このため冷却水Ｐと真気とを確
実に分離することができる。
ターゲット材３２は、第３図に示すように長方形であり
長手方向に３つの分割体３７に分割されている。これら
各分割体３７の合わせ面３８は、第１図に ・示すよ
うにターゲット材３２の下面部から厚み方向上側に向か
・て延びる面と、この面の上端部から ゛上記下
面と平行に延びる面と、この面の先端部から更に厚み方
向上側に向かって延びる面とで構成されている。つまり
、この合わせ面３８は、該合わせ面３８と直交する断面
の形状がクランク状になるように形成されている。
長手方向に３つの分割体３７に分割されている。これら
各分割体３７の合わせ面３８は、第１図に ・示すよ
うにターゲット材３２の下面部から厚み方向上側に向か
・て延びる面と、この面の上端部から ゛上記下
面と平行に延びる面と、この面の先端部から更に厚み方
向上側に向かって延びる面とで構成されている。つまり
、この合わせ面３８は、該合わせ面３８と直交する断面
の形状がクランク状になるように形成されている。
また、冷却板２１の外周部には角形環状の絶縁スペーサ
４１を介してやはり角形環状の７ランジ４２が載置され
ている。そして、こ、のフランジ４２と支持枠１２とを
ねじ４３で固定することによって両者の間に存在する絶
縁スペーサ２０．４１および冷却板２１が挟持固定され
る。そして上記フランジ４１の上面には環状のアノード
４４が固着されている。
４１を介してやはり角形環状の７ランジ４２が載置され
ている。そして、こ、のフランジ４２と支持枠１２とを
ねじ４３で固定することによって両者の間に存在する絶
縁スペーサ２０．４１および冷却板２１が挟持固定され
る。そして上記フランジ４１の上面には環状のアノード
４４が固着されている。
一方、前述した固定板１４の上部には可動板５０が配置
されている。この可動板５０と固定板１４とは複数の偏
心軸５１および軸受５２を介して連結されている。これ
ら偏心軸５１の１つ、例えば中心部に位置したものには
モータ５３が連結されている。可動板５０の上面には、
絶縁部材５４を介して磁石支持板５５が固定されている
。この磁石支持板５５の上面には環状の磁石５６が、ま
たこの磁石５６の中心部には平板状の磁石５７がそれぞ
れ固定されている。これら各磁石５６’、 ５７は、そ
れぞれ第１図中上下方向に着磁されており、磁石支持板
５５とともに磁気ループを形成し、バッキングプレート
３１に平行な方向の磁束を供給する。これら磁石５６．
５７は、冷却板２１の下面に対して僅かの隙間を介して
配置される。
されている。この可動板５０と固定板１４とは複数の偏
心軸５１および軸受５２を介して連結されている。これ
ら偏心軸５１の１つ、例えば中心部に位置したものには
モータ５３が連結されている。可動板５０の上面には、
絶縁部材５４を介して磁石支持板５５が固定されている
。この磁石支持板５５の上面には環状の磁石５６が、ま
たこの磁石５６の中心部には平板状の磁石５７がそれぞ
れ固定されている。これら各磁石５６’、 ５７は、そ
れぞれ第１図中上下方向に着磁されており、磁石支持板
５５とともに磁気ループを形成し、バッキングプレート
３１に平行な方向の磁束を供給する。これら磁石５６．
５７は、冷却板２１の下面に対して僅かの隙間を介して
配置される。
なお、図中５８は、金属膜を形成される図示しない基体
を冷却しながら導くローラである。
を冷却しながら導くローラである。
いま、真空容器１の内部を１０°３〜１０′４ＴＯｒｒ
程度の真空状態にし、ローラ５８に密着するように例え
ば７００ａｍ幅の高分子フィルムからなる基板を移動さ
せ、アノード４４〜バツキングプレート（カソード）３
１間に、上記・基板が溶融しない程度の数百Ｖの電圧を
印加すると、両電極間に放電が生じる。
程度の真空状態にし、ローラ５８に密着するように例え
ば７００ａｍ幅の高分子フィルムからなる基板を移動さ
せ、アノード４４〜バツキングプレート（カソード）３
１間に、上記・基板が溶融しない程度の数百Ｖの電圧を
印加すると、両電極間に放電が生じる。
磁石５６．５７から発生した磁界と両電極間に生じた電
界とが直交する部分では、放電によって電離した電子が
マグネトロン運動を起こし、高密度プラズマが発生する
。これによって、例えばＧＯ−Ｃｒ合金からなるターゲ
ット材３２からスパッタ原子が叩き出され、このターゲ
ット材３２の近傍に配置された基板上に付着する。かく
して基板上に金属薄膜が形成されていく。この場合、タ
ーゲット材３２はスパッタ原子の叩き出された部分とそ
うでない部分とで消耗の程度が異なるため、可動板５０
をモータ５３で駆動して、磁石５６．５７とターゲット
材３２との相対位置を変化させ、消耗箇所の均一化を図
るようにしている。
界とが直交する部分では、放電によって電離した電子が
マグネトロン運動を起こし、高密度プラズマが発生する
。これによって、例えばＧＯ−Ｃｒ合金からなるターゲ
ット材３２からスパッタ原子が叩き出され、このターゲ
ット材３２の近傍に配置された基板上に付着する。かく
して基板上に金属薄膜が形成されていく。この場合、タ
ーゲット材３２はスパッタ原子の叩き出された部分とそ
うでない部分とで消耗の程度が異なるため、可動板５０
をモータ５３で駆動して、磁石５６．５７とターゲット
材３２との相対位置を変化させ、消耗箇所の均一化を図
るようにしている。
そして、この場合には、ターゲット材３２を大形にして
いるので、一度にスパッタリングされる面積を増加させ
ることができ、生産性の向上化を図ることができる。し
かも、ターゲット材３２は、３つに分割されているので
、バッキングプレート３１にターゲット材３２をはんだ
付けする際の困難性を伴うことはない。また、これら分
割体３７の合わせ面３８には、ターゲット材３２の厚み
方向と直交する面を備えているので、ターゲット材３２
の上部から直視してバッキングプルレート３１やはんだ
が直接見えることはなく、したがってこれらがスパッタ
リングによって叩き出されることもない。
いるので、一度にスパッタリングされる面積を増加させ
ることができ、生産性の向上化を図ることができる。し
かも、ターゲット材３２は、３つに分割されているので
、バッキングプレート３１にターゲット材３２をはんだ
付けする際の困難性を伴うことはない。また、これら分
割体３７の合わせ面３８には、ターゲット材３２の厚み
方向と直交する面を備えているので、ターゲット材３２
の上部から直視してバッキングプルレート３１やはんだ
が直接見えることはなく、したがってこれらがスパッタ
リングによって叩き出されることもない。
なお、本発明は、上述した実施例に限定されるものでは
ない。
ない。
例えば、分割体３７同士の合わせ面は、第４図および第
５図に示すように形成しても良い。
５図に示すように形成しても良い。
すなわち、第４図に示した分割体３７は、合わせ部３８
のはんだ付は面側にはんだの溜り溝６０を形成した例で
ある。このように、はんだの溜り溝６０を形成すれば、
ターゲット材３２とバッキングプレート３１とのはんだ
接着時に、はんだが分割体３７同士の合わせ目を毛管現
象によって這上がることがない。したがって、この場合
には、はんだによる汚染をより効果的に防止することが
できる。
のはんだ付は面側にはんだの溜り溝６０を形成した例で
ある。このように、はんだの溜り溝６０を形成すれば、
ターゲット材３２とバッキングプレート３１とのはんだ
接着時に、はんだが分割体３７同士の合わせ目を毛管現
象によって這上がることがない。したがって、この場合
には、はんだによる汚染をより効果的に防止することが
できる。
また、第５図に示すものは、分割体３７同士の合わせ面
３８を、ターゲット材の厚み方向に対して傾斜させるよ
うにしたものである。このような形状であっても、ター
ゲット材３２の上から直視してバッキングプレート３１
やはんだが直視できないので、前述した実施例と同様な
効果を奏することができる。この場合にもはんだの溜り
溝６０を形成すれば、ハンダの這上がりを防止できる。
３８を、ターゲット材の厚み方向に対して傾斜させるよ
うにしたものである。このような形状であっても、ター
ゲット材３２の上から直視してバッキングプレート３１
やはんだが直視できないので、前述した実施例と同様な
効果を奏することができる。この場合にもはんだの溜り
溝６０を形成すれば、ハンダの這上がりを防止できる。
この他、ターゲット材の分割数、材質なども、上述した
実施例のものに限定される訳ではなく、任意に設定可能
である。ターゲット材の分割数は、ターゲット材の長さ
が７００〜１０００ｉｎで３分割、１０００〜２００（
１＃で４〜６分割であれば、バッキングプレートの反り
を防止できる。
実施例のものに限定される訳ではなく、任意に設定可能
である。ターゲット材の分割数は、ターゲット材の長さ
が７００〜１０００ｉｎで３分割、１０００〜２００（
１＃で４〜６分割であれば、バッキングプレートの反り
を防止できる。
第１図は本発明の一実施例に係るスパッタリング用ター
ゲットを組込んだスパッタ源の縦断面図、第２図は同ス
パッタ源の概略的な横断面図、第３図は前記ターゲット
の平面図、第４図および第５図は本発明の他の実施例に
係るスパッタリング用ターゲットの一部をそれぞれ示す
縦断面図である。 １・・・真空容器、２・・・スパッタ源、３・・・窓、
１０・・・ベースプレート、１１・・・スタンド、１２
・・・支持枠、１４・・・固定板、１５・・・取付は枠
、１７．１８．２５．２６．３４゜３５・・・バッキン
グ、２０．４１・・・絶縁スペーサ、２１・・・冷却板
、２２・・・溝、２３・・・導入管、２４・・・排出管
、３０・・・ターゲット、３１・・・バッキングプレー
ト（カソード）、３２・・・ターゲット材、３７・・・
分割体、３８・・・合わせ面、４２・・・フランジ、４
４・・・アノード、５０・・・可動板、５１・・・偏心
軸、５３・・・モータ、５４・・・絶縁部材、５５・・
・磁石支持板、５６．５７・・・磁石、５８・・・ロー
ラ、Ｐ・・・冷却水。 ａＸ２図 ニー〜、、−゛−，，−“−アコ 第３図 第４図 手続補正書
ゲットを組込んだスパッタ源の縦断面図、第２図は同ス
パッタ源の概略的な横断面図、第３図は前記ターゲット
の平面図、第４図および第５図は本発明の他の実施例に
係るスパッタリング用ターゲットの一部をそれぞれ示す
縦断面図である。 １・・・真空容器、２・・・スパッタ源、３・・・窓、
１０・・・ベースプレート、１１・・・スタンド、１２
・・・支持枠、１４・・・固定板、１５・・・取付は枠
、１７．１８．２５．２６．３４゜３５・・・バッキン
グ、２０．４１・・・絶縁スペーサ、２１・・・冷却板
、２２・・・溝、２３・・・導入管、２４・・・排出管
、３０・・・ターゲット、３１・・・バッキングプレー
ト（カソード）、３２・・・ターゲット材、３７・・・
分割体、３８・・・合わせ面、４２・・・フランジ、４
４・・・アノード、５０・・・可動板、５１・・・偏心
軸、５３・・・モータ、５４・・・絶縁部材、５５・・
・磁石支持板、５６．５７・・・磁石、５８・・・ロー
ラ、Ｐ・・・冷却水。 ａＸ２図 ニー〜、、−゛−，，−“−アコ 第３図 第４図 手続補正書
Claims (4)
- （１）バッキングプレートと、このバッキングプレート
にはんだ付けによって固定された平板状のターゲット材
とを備えたスパッタリング用ターゲットにおいて、前記
ターゲット材は複数の分割体に分割されており、これら
各分割体同士の合わせ面は、前記ターゲット材の少なく
とも厚み方向に対して傾斜する面若しくは直交する面を
含むものであることを特徴とするスパッタリング用ター
ゲット。 - （２）前記バッキングプレートは、銅系金属からなるも
のであり、その表面にニッケルメッキ層を形成したもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のス
パッタリング用ターゲット。 - （３）前記ターゲット材はＣｏ−Ｃｒ合金からなるもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のス
パッタリング用ターゲット。 - （４）前記各分割体同士の合わせ部で、かつ前記バッキ
ングプレートに面した部分にはんだの溜り溝を形成した
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のスパッタ
リング用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP706185A JPS61166964A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP706185A JPS61166964A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61166964A true JPS61166964A (ja) | 1986-07-28 |
Family
ID=11655548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP706185A Pending JPS61166964A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61166964A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63143258A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Mitsubishi Metal Corp | スパツタリング用タ−ゲツト |
| JPS63183262U (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-25 | ||
| JP2003027227A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-01-29 | Dainippon Printing Co Ltd | スパッタリング用ターゲット |
| WO2004076706A3 (en) * | 2003-02-25 | 2005-01-27 | Cabot Corp | A method of forming sputtering target assembly and assemblies made therefrom |
| WO2012036079A1 (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-22 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5027782A (ja) * | 1973-07-14 | 1975-03-22 | ||
| JPS58100679A (ja) * | 1981-12-10 | 1983-06-15 | Shinku Yakin Kk | 高融点金属とケイ素とからなるマグネトロンスパッタ用分割タ−ゲット |
-
1985
- 1985-01-18 JP JP706185A patent/JPS61166964A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5027782A (ja) * | 1973-07-14 | 1975-03-22 | ||
| JPS58100679A (ja) * | 1981-12-10 | 1983-06-15 | Shinku Yakin Kk | 高融点金属とケイ素とからなるマグネトロンスパッタ用分割タ−ゲット |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63143258A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Mitsubishi Metal Corp | スパツタリング用タ−ゲツト |
| JPS63183262U (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-25 | ||
| JP2003027227A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-01-29 | Dainippon Printing Co Ltd | スパッタリング用ターゲット |
| WO2004076706A3 (en) * | 2003-02-25 | 2005-01-27 | Cabot Corp | A method of forming sputtering target assembly and assemblies made therefrom |
| WO2012036079A1 (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-22 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US8753921B2 (en) | 2010-09-15 | 2014-06-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for semiconductor device |
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