JPS58164783A - マグネトロン形陰極スパツタ装置 - Google Patents

マグネトロン形陰極スパツタ装置

Info

Publication number
JPS58164783A
JPS58164783A JP58032998A JP3299883A JPS58164783A JP S58164783 A JPS58164783 A JP S58164783A JP 58032998 A JP58032998 A JP 58032998A JP 3299883 A JP3299883 A JP 3299883A JP S58164783 A JPS58164783 A JP S58164783A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
support plate
cathode sputtering
sputtering apparatus
container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58032998A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0214425B2 (ja
Inventor
ヤコブス・エデユアルダス・クロムベ−ン
ペトルス・ウイルヘルムス・ヘンリカス・マリア・クロ−イマンス
ヤン・フイセル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of JPS58164783A publication Critical patent/JPS58164783A/ja
Publication of JPH0214425B2 publication Critical patent/JPH0214425B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3497—Temperature of target
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Microwave Tubes (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)
  • Resistance Welding (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野及び従来技術の説明 本発明は容器内に陽極と、支持板に取付けられたターゲ
ットから成る陰極を具え、前記支持板の背后には容器内
の前記ターゲットの前に磁界を形成する装置を設けて成
るマレネトロン形陰極スパッタ装置に関するものである
。
斯るスパッタ装置は基板上に薄い膜を設けるのにしばし
ば使用されている。マグネトロン形陰極スパッタ装置の
動作中、基板は容器内に置かれ、容器にはガスが充填さ
れる。陽極と陰極との間に充分高い電位を加えると、ガ
ス放電が生じ、ガスイオンがターゲットに高速度で衝央
し、ターゲットから材料（主として原子）を飛び出させ
る。この飛び出した材料は次いで基板上に堆積する。タ
ーゲットの前に電子を捕捉する磁力線のトンネルを与え
ると、一層多くのイオンが形成され、従ってスパッタ処
理が向上する。この結果、所望の膜が基板上に一層迅速
に形成される。斯るスパッタ装置においては、ターゲッ
トは極めて容易に冷却できるようＫしてターゲットが溶
融するのを阻止すると共にターゲットが過大な熱を放出
しないようにする必要がある。
上述した種類のマグネトロン形陰極スパッタ装置は米国
特許第４８０４９８１１号明細書により既知である。こ
の特許明細書゛に開示されている装置ではターゲットを
支持板に、その背后にある磁石と共働する１個以上の磁
石でクランプしている。
斯る装置の欠点は単位表面積当りのクランプ力が弱い点
にある。更に、ターゲット前面の磁界が悪影響を受ける
問題がある。斯るスパッタ装置は情報を多数のビットの
形で設けである薄いプラスチック又はガラスのディスク
から成る基板上に薄い金属膜を被覆して光学情報記録担
体な製造するのに使用されている。これまではターゲッ
トは支持板にはんだ接合により取り付けて機械的及び熱
的に良好な接触を得ることが時々行なわれていた。
しかし、ターゲットを支持板にはんだ付けすると、ター
ゲットがスパッタリングにより消耗したときにターゲッ
トと支持板を分離して支持板を再使用することが極め、
て困難になる。また、ターゲットと支持板の２枚１の板
をこれらが大きい場合にはそれらの表面全体に亘って一
様にはんだ付けすることも困難である。英国特許第１８
１１０４Ｂ号明細書にはターグ多ト□を支持板にねじ止
めクランプリングによって一層した高周波陰極スパッタ
装置が開示されている。この装置ではターゲットと支持
板との間に、熱エネルギーを良く導く材料、例・えば・
液体金属又は金属ペーストを介挿している。
斯る冷却構造によってもターゲットと支持板との間にマ
グネトロン形陰極スパッタ装置に必要とされるような極
めて一様な熱接触を得ることは不可能であることが確か
められている。更に、液体金属が容器内に漏出しないよ
うにシールを設ける必要がある。　　。
発明の概要　　　　　　　　　、 本発明の目的は、ターゲットと支持板との間に極め【一
様な熱接触を得ることができると共に、ターケツートを
支持板に極めて簡単に取り付は及び取り外すことができ
るようにしたマグネトロン形陰極スパッタ装置を提供せ
んとするに、ある。
本発明はｌ［誉に記した種類のマグネトロン形陰極スパ
ッタ装置におい【、ター〇ゲットのエツジを容器の開口
部のエツジに気密に連結し、前記支持板内にはこれとタ
ーゲットと、の接触面ＫＭ口す仝１複数個のチャンネル
を設け、この支持板、を、ターゲットに゛−記チヤンネ
ルを介して真空吸、引により取付けるようにしたことを
特徴とする。
発明の効果 スパッタリング処理中容器内は比較的低圧（０，００１
）ルー０．１８８８パスカル）に維持されるため、ター
ゲットのエツジは容器の・開口部のエツジ上に載置すれ
ばよい。前記チャンネルを介して真空吸引するととくよ
り支持板は大気圧でターゲットに一定に圧接される。チ
ャンネルの開−口部はターゲットと支持板との接触面・
上に規則正しく分布させることができるため、一様な熱
伝達に必要な極めて一様な圧接が得られる。この熱伝達
はターゲットと支持板との接触面に、陰極の動作温度よ
り数置から数恰度高い溶・融温度を有しターゲット・に
は付着しないが支持板に・は付着するはんだ材料の薄い
層を設けることにより更に改善することができる。支持
板の取付け□処理中冷却チャンネルに熱湯を通すことに
よりはん・だ材料を溶融し゛、次いで冷却して支持板に
付着ざ′せる。加えて、二様且つ一定の圧接の結果とし
てこのはんだ材料がターゲットと支持板との間に隙間が
あったとしてもその隙間を充填するため、ターゲツ゛ト
と支持板と・の関に、例えば熱伝導ペーストを使用する
場合の熱伝達よりも８〜１０倍良好な熱伝達が得られる
。
好適なはんだ材料の例としてはＢｉ　６０重量％−Ｐｂ
　８６．７重量％　−８ｎ　１８．８重量％−Ｃｄ　ｌ
　０重量％の組成のもの、又はＢ１４９重量％−Ｐｂ１
ｇ重量％−Ｉｎ　Ｂ　１重量％の組成のもの又はＢ１Ｂ
４重蓋％−Ｉｎ　６６重量うのものがある。前記米国特
許第４８０４９８６号明細書にははんだ材料層をターゲ
ットと支持板との関に設けて熱伝達を促進することが記
載されている。更に、支持板を薄いニッケル層で被覆し
てはんだが支持板に接着しないようにすることが記載さ
れている。しかし、このニッケル層は磁界の不所望な短
軸回路を構成する。
更に、この方法でははんだ材料がターゲットに付着する
ため新しいはんだ材料を何度も使用する必要がある。
実施例の説明 以下本発明を図面を参照し″Ｃ１ｌ施例につき説明する
。
第１図は本発明によるマグネトロン形陰極スパ・ツタ装
置の一例の断面図である。このスパッタ装置は容器１内
に環状陽極３と陰極システム８を具える。容器ｌは排気
管番を介して排気し得ると共にガス（例えばアルゴン）
を充填することができる。容器１は更にスルース６を具
え、ここにスパッタすべき基板りのホルダ６を取付ける
。基板７は例えば「フィリップステクニカルレビューＪ
Ｍｏ１．８　Ｂ、４７（１９７８年）、ｐｐ　ｌ　？　
８−１８０に開示されているエヌ・ベー・フィリップス
社のビデオ・ロング・プレイ（ｖ、Ｌ、ｐ、　）システ
ムに使用されるようなプラスチックのディスク状レコー
ド担体である。陰極システム８°はスパッタ材料となる
例えば１ｍの厚さのアルミニウムターゲット８を具える
。
ターゲット８のエツジ９は容器１の開口部１Ｂのエツジ
に、絶縁材料の封止リングＩＯＫより連結する。ターゲ
ット８に堰付けられる支持板１８は冷却用ダク）　１４
’を具え、このダクトを経て冷却液を流してターゲット
８かも発する熱エネルギーを消散するよ５Ｋしてある。
支持板１８には複数個の磁石１６を取付けてターゲット
８の表面の前に磁力＠１６のトンネルを発生するよ５Ｋ
してある。陰極から出た電子がこれらの磁力線のトンネ
ル内に捕捉され、容器内の陰極近傍のガスをイオン化す
る。この場合、ターゲラ）８に射突する多数のイオンが
形成されるため、スパッタリング処理が向上する。その
結果、ターゲット８が磁石を使用しない場合よりも一層
高温となる。
第８因は第１図の円■で囲、んだ部分の細部を示す断面
図である。支持板１８は夕′−ゲット８と支持板１８と
の接触面１８ＩＩＣ開口する多数のチャンネル１７を具
えている。チャンネル１７を排気す。
ることによって支持板１８を吸引によりターゲレト板８
に一様に接触させて接触面全体に亘って極めて良好な熱
伝達を得ることができる。この接触は、前述したよ５に
ターゲット８と支持板１８との関に、支持板１８にのみ
付着するはんだ材料の層を設けることｋより更に改善す
ることができる。
第１図では容器内のターゲット８の前面に３個の磁力線
１６の環状トンネルを発生させているが、もっと多数の
磁力線の環状トンネル又はただ１個の磁力線の環状トン
ネルを用いることができる勿論である。また、磁力線の
トンネルは異なる形状にすることもできる。また、磁力
線はターゲット８の表面に平行に延在させ、磁力線のシ
ールドを形成することもできる、。ターゲットと支持板
は円形にするのが好適であ・るが、方形、矩形又は任意
の他の所望の形状にすることもできる。
表図面の簡単な説明２、 第１図は本発明マグネトロン形陰極スパッタ装置の二例
の断面図、 第２図は第１図の一部の細部を示す断面図である。
ｌ・・・容器、　　　　　　　′°°°陽極・８・・・
陰極システム、　　　４・・・排気管、６．６．ユヤー
ス　　　　　６・・・ボルダ、？・・・基板、　　　　
　　　８・・・ターゲット、９・・・エツジ、　　　　
　　１０・・・封止リング、１−１・・・エツジ、１２
・・・開口部、１Ｂ・・・支持板、　　　　　１４・・
・冷却用ダクト、・１６・・・磁石、　　　　　　１６
・・・磁力線、１７・・・チャンネル、１８・・・接触
面。
特許出願人　　エヌ・べ−・フィリップス・７／Ｉ／−
イランペン７アプリクン

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １　容器内に陽極と、支持板に取付けられたターゲット
    から成る平板陰極を具え、前記支持板の背后には容器内
    の前記ターゲットの前に磁界を発生する装置を設けて成
    るマグネ）ａン形隙極スパッタ装置において、前記ター
    ゲットの慕ツジを容器の開口部のエツジに気管に連結し
    、前記支持板内には前記ターゲットと支持板とのＩＩＩ
    触面に開口した複数個のチャンネルを設け、前記支持板
    をターゲットに前記チャンネルを介して真空吸引により
    取付けるようにしたことを特徴とする！ダネトロン形陰
    極スパッタ装置。 息　特許請求の範囲第１項記載のマグネト四ン形陰極ス
    パッタ装置において、前記ターゲットと支持板との接触
    面には、陰極の動作温度より高い溶融温度を有すると共
    に前記ターゲラ）Ｋは付着しないで前記支持板には付着
    す５るはんだ材料の薄い層を設けたことを特徴とするマ
    グネトロン形陰極スパッタ装置。 ＆　特許請求の範囲第３項記載のマグネトロン形陰極ス
    パッタ装装置において、前記はんだ材料の”溶融温度は
    ？θ°〜１００℃であることを特徴とするマグネトロン
    形陰極スパッタ装置。 弧　特許請求の範囲第１４１又は８項記載のマグネトロ
    ン形陰極スパッタ装置において、当該装置はディスク状
    記鎌担体に光反射膜を被覆する装置としたことを特徴と
    するマグネトロン形陰極スパッタ装置。
JP58032998A 1982-03-05 1983-03-02 マグネトロン形陰極スパツタ装置 Granted JPS58164783A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8200902 1982-03-05
NL8200902A NL8200902A (nl) 1982-03-05 1982-03-05 Magnetron-kathodesputtersysteem.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58164783A true JPS58164783A (ja) 1983-09-29
JPH0214425B2 JPH0214425B2 (ja) 1990-04-09

Family

ID=19839373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58032998A Granted JPS58164783A (ja) 1982-03-05 1983-03-02 マグネトロン形陰極スパツタ装置

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4392939A (ja)
EP (1) EP0088463B1 (ja)
JP (1) JPS58164783A (ja)
AT (1) ATE22752T1 (ja)
AU (1) AU560381B2 (ja)
CA (1) CA1192318A (ja)
DE (1) DE3366772D1 (ja)
ES (1) ES520264A0 (ja)
NL (1) NL8200902A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001131738A (ja) * 1999-11-09 2001-05-15 Nikko Materials Co Ltd スパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体の矯正方法及び同矯正装置

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4606806A (en) * 1984-05-17 1986-08-19 Varian Associates, Inc. Magnetron sputter device having planar and curved targets
US4657654A (en) * 1984-05-17 1987-04-14 Varian Associates, Inc. Targets for magnetron sputter device having separate confining magnetic fields to separate targets subject to separate discharges
US4595482A (en) * 1984-05-17 1986-06-17 Varian Associates, Inc. Apparatus for and the method of controlling magnetron sputter device having separate confining magnetic fields to separate targets subject to separate discharges
US4569746A (en) * 1984-05-17 1986-02-11 Varian Associates, Inc. Magnetron sputter device using the same pole piece for coupling separate confining magnetic fields to separate targets subject to separate discharges
US4597847A (en) * 1984-10-09 1986-07-01 Iodep, Inc. Non-magnetic sputtering target
US5215639A (en) * 1984-10-09 1993-06-01 Genus, Inc. Composite sputtering target structures and process for producing such structures
JP2934711B2 (ja) * 1989-12-07 1999-08-16 カシオ計算機株式会社 スパッタ装置
KR950000906B1 (ko) * 1991-08-02 1995-02-03 니찌덴 아넬바 가부시기가이샤 스퍼터링장치
US5458759A (en) * 1991-08-02 1995-10-17 Anelva Corporation Magnetron sputtering cathode apparatus
US5374343A (en) * 1992-05-15 1994-12-20 Anelva Corporation Magnetron cathode assembly
US5286361A (en) * 1992-10-19 1994-02-15 Regents Of The University Of California Magnetically attached sputter targets
US5414588A (en) * 1993-09-20 1995-05-09 The Regents Of The University Of California High performance capacitors using nano-structure multilayer materials fabrication
US6033483A (en) * 1994-06-30 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Electrically insulating sealing structure and its method of use in a high vacuum physical vapor deposition apparatus
ES2142008T3 (es) * 1996-01-31 2000-04-01 Leybold Materials Gmbh Blanco para proyeccion ionica constituido por estaño o una aleacion a base de estaño.
EP0787818A1 (de) * 1996-01-31 1997-08-06 LEYBOLD MATERIALS GmbH Sputtertarget aus einer Zinn- oder Zinn-Basislegierung
JP2000133693A (ja) * 1998-08-19 2000-05-12 Shibaura Mechatronics Corp 真空装置用駆動機構および真空装置
US20050145487A1 (en) * 2002-04-15 2005-07-07 Michael Geisler Coating installation
DE10216671A1 (de) * 2002-04-15 2003-12-18 Applied Films Gmbh & Co Kg Beschichtungsanlage
US20080067058A1 (en) * 2006-09-15 2008-03-20 Stimson Bradley O Monolithic target for flat panel application
KR100899355B1 (ko) * 2007-11-15 2009-05-27 한국과학기술연구원 플라스마 증착 장치 및 방법
KR20130017314A (ko) * 2011-08-10 2013-02-20 삼성디스플레이 주식회사 스퍼터링 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR846557A (fr) * 1938-04-14 1939-09-20 Procédé pour métalliser des articles métalliques par pulvérisation cathodique
US3616449A (en) * 1970-03-30 1971-10-26 Bendix Corp Sputtering anode
US4204936A (en) * 1979-03-29 1980-05-27 The Perkin-Elmer Corporation Method and apparatus for attaching a target to the cathode of a sputtering system
US4297190A (en) * 1979-05-14 1981-10-27 Western Electric Co., Inc. Method for removing heat from a workpiece during processing in a vacuum chamber
US4274476A (en) * 1979-05-14 1981-06-23 Western Electric Company, Inc. Method and apparatus for removing heat from a workpiece during processing in a vacuum chamber
US4272355A (en) * 1980-02-26 1981-06-09 International Business Machines Corporation Process of bonding sputtering targets to target electrodes
US4341810A (en) * 1981-08-27 1982-07-27 Dynagel Incorporated Gelled gelatin food product prepared from non-gelled aqueous gelatin compositions

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001131738A (ja) * 1999-11-09 2001-05-15 Nikko Materials Co Ltd スパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体の矯正方法及び同矯正装置

Also Published As

Publication number Publication date
AU1203283A (en) 1983-09-08
US4392939A (en) 1983-07-12
AU560381B2 (en) 1987-04-02
ATE22752T1 (de) 1986-10-15
JPH0214425B2 (ja) 1990-04-09
ES8401678A1 (es) 1983-12-01
CA1192318A (en) 1985-08-20
ES520264A0 (es) 1983-12-01
EP0088463B1 (en) 1986-10-08
EP0088463A1 (en) 1983-09-14
DE3366772D1 (en) 1986-11-13
NL8200902A (nl) 1983-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS58164783A (ja) マグネトロン形陰極スパツタ装置
US5428882A (en) Process for the fabrication of aluminum metallized pyrolytic graphite sputtering targets
JPH0227433B2 (ja)
JPS59116378A (ja) スパツタリングによる薄膜デポジシヨン
GB2173217A (en) Target holder for cathodic sputtering
JPH0645872B2 (ja) 陰極型マグネトロン装置
US5284539A (en) Method of making segmented pyrolytic graphite sputtering targets
US4290876A (en) Sputtering apparatus
JP2004346356A (ja) マスクユニットおよびそれを用いた成膜装置
US20030183518A1 (en) Concave sputtering apparatus
CN116904953A (zh) 一种气相沉积设备
JPH0925570A (ja) スパッタリング式被膜コーティング・ステーション、スパッタリング式被膜コートする方法、および真空処理装置
JPH11106914A (ja) 対向マグネトロン複合スパッタ装置
JPH05295538A (ja) 両面スパッタ成膜方法及びその装置
US4476000A (en) Method of making a magnetic film target for sputtering
JPS60200962A (ja) プレ−ナマグネトロンスパツタリング方法
JPS6320303B2 (ja)
JP3972982B2 (ja) 対向ターゲット式スパッタ装置
JPH05287519A (ja) スパッタ装置
JPS61166964A (ja) スパツタリング用タ−ゲツト
JPS58141387A (ja) スパツタ装置
JPS63223173A (ja) 基板処理方法およびその装置
JPS6089569A (ja) 合金薄膜の形成方法
JPS6358912B2 (ja)
JPH02301558A (ja) スパッタ装置