JPS6089569A - 合金薄膜の形成方法 - Google Patents
合金薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS6089569A JPS6089569A JP19617283A JP19617283A JPS6089569A JP S6089569 A JPS6089569 A JP S6089569A JP 19617283 A JP19617283 A JP 19617283A JP 19617283 A JP19617283 A JP 19617283A JP S6089569 A JPS6089569 A JP S6089569A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- targets
- sputtering
- target
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、合金薄膜の形成方法、とくに厚さ方向に組成
の澗度勾ｎｉ１を有する合金薄膜を形成づる方法に関づ
る。。
の澗度勾ｎｉ１を有する合金薄膜を形成づる方法に関づ
る。。
［従来技術］
近年エレク１〜に１ニクス分野の技佑進歩により電子材
料の小型化、薄型化が進み、合金薄膜が多く用いられる
ようになってきた。合金薄膜を形成覆るためにはいわゆ
る物理的１（（穆法が多く用いられ−（いる。これには
蒸着、イオンブレーティング。
料の小型化、薄型化が進み、合金薄膜が多く用いられる
ようになってきた。合金薄膜を形成覆るためにはいわゆ
る物理的１（（穆法が多く用いられ−（いる。これには
蒸着、イオンブレーティング。
スパッタリングなどの方法がある。これらの方法のうち
スパタリング法はターグツ１〜の組成とほぼ同じ組成の
合金膜を形成することができ、スパッタリング中に組成
変化もほとんどないという特徴をイ１Ｊ−るが、この特
徴が逆に厚さ方向に組成の濃度勾配を右する合金薄膜の
形成を困難にしていた。
スパタリング法はターグツ１〜の組成とほぼ同じ組成の
合金膜を形成することができ、スパッタリング中に組成
変化もほとんどないという特徴をイ１Ｊ−るが、この特
徴が逆に厚さ方向に組成の濃度勾配を右する合金薄膜の
形成を困難にしていた。
しかしスパッタリング法では、蒸着法やイオンブレーテ
ィング法でのごとく蒸発源の金属（合金）をその蒸発温
度以上に加熱する必要がなく蒸発しｉｌ［い物質の薄膜
の形成が容易で、しかもその薄膜の基板との接着が蒸着
法やイオンプレーディング法等にりも強固であるという
特長を合μて右する。
ィング法でのごとく蒸発源の金属（合金）をその蒸発温
度以上に加熱する必要がなく蒸発しｉｌ［い物質の薄膜
の形成が容易で、しかもその薄膜の基板との接着が蒸着
法やイオンプレーディング法等にりも強固であるという
特長を合μて右する。
他方、蒸着、イオンブレーティングなどの方法にＪ５い
て２以上の蒸発源を用いて濃度勾配をイ１する合金膜を
形成づることは原理的には可能であるが、コントロール
が困難であり実用的な方法とはいえない。
て２以上の蒸発源を用いて濃度勾配をイ１する合金膜を
形成づることは原理的には可能であるが、コントロール
が困難であり実用的な方法とはいえない。
［発明の目的］
本発明は、かかる特長を有するスパッタリング法を用い
て、摩さ方向の組成の）開度勾配が高精度に制御できる
合金薄膜の形成方法を提供づることを目的とする。
て、摩さ方向の組成の）開度勾配が高精度に制御できる
合金薄膜の形成方法を提供づることを目的とする。
［発明の構成］
上）ボの目的は、以下の本発明により達成される。
すなわち、本発明は、対面させたターグツ１−の側方に
基板を配し、該ターゲット間に磁界をその対向方向に印
加してスパッタし、基板上に膜形成する対向ターゲラ１
一式スバッタ法を用い、該ターゲットの夫々を組成の異
なる金属又は合金となすと共に、基板をターグツ１〜の
対向方向に移送しつつスパッタリングし、厚さ方向に濃
度勾配を有する合金薄膜を形成リ−ることを′４ｖ１徴
とＪる合金薄膜の形成方法である。
基板を配し、該ターゲット間に磁界をその対向方向に印
加してスパッタし、基板上に膜形成する対向ターゲラ１
一式スバッタ法を用い、該ターゲットの夫々を組成の異
なる金属又は合金となすと共に、基板をターグツ１〜の
対向方向に移送しつつスパッタリングし、厚さ方向に濃
度勾配を有する合金薄膜を形成リ−ることを′４ｖ１徴
とＪる合金薄膜の形成方法である。
なお、上述の対向ターゲット式スパッタ法は、特開昭！
ｉ７−１５８３８０号公報等で公知で、以下の特長を有
する。すなわち、上述の）ｍす、２枚の同寸法の平板タ
ーゲットを向い合わせて配置してこれらを陰極とすると
共に、プラズマ収束磁界をターゲット表面に印加する４
１４成であり、ターグツ１〜からスパッタ放出される粒
子は雰囲気ガスとの衝突により散乱されながらターゲッ
ト間空間の側方に配置された基板まで到達し堆積覆る。
ｉ７−１５８３８０号公報等で公知で、以下の特長を有
する。すなわち、上述の）ｍす、２枚の同寸法の平板タ
ーゲットを向い合わせて配置してこれらを陰極とすると
共に、プラズマ収束磁界をターゲット表面に印加する４
１４成であり、ターグツ１〜からスパッタ放出される粒
子は雰囲気ガスとの衝突により散乱されながらターゲッ
ト間空間の側方に配置された基板まで到達し堆積覆る。
ターゲット表面から放出されるスパッタ粒子は基板とタ
ーゲットの距離が小さいとぎは余弦則に従い基板に到達
すると考えられる。本発明は、対向ターゲット式スパッ
タ法のこの性質に着目して鋭意もＪ１究の結！ｌＶ！な
されたものである。
ーゲットの距離が小さいとぎは余弦則に従い基板に到達
すると考えられる。本発明は、対向ターゲット式スパッ
タ法のこの性質に着目して鋭意もＪ１究の結！ｌＶ！な
されたものである。
対向する２枚のターゲットを異種の金属または合金で１
１４成し、これらをＡ、Ｂで呼称するとき、Ａに近い方
の基板位置はＢより相対的に近い位置となるため余弦則
に従う分だ【ノＡ粒イがより多く例−７ＬＪる。逆にＢ
に近い方の基板位置は８粒子がよく多く付着する。従っ
て基板位置をＡからＢ方向に連続的に移動Ｊれば厚さ方
向にΔからＢへ連続的に濃度勾配を右Ｊる含金Ｘ７ｑ膜
が形成できる。
１４成し、これらをＡ、Ｂで呼称するとき、Ａに近い方
の基板位置はＢより相対的に近い位置となるため余弦則
に従う分だ【ノＡ粒イがより多く例−７ＬＪる。逆にＢ
に近い方の基板位置は８粒子がよく多く付着する。従っ
て基板位置をＡからＢ方向に連続的に移動Ｊれば厚さ方
向にΔからＢへ連続的に濃度勾配を右Ｊる含金Ｘ７ｑ膜
が形成できる。
従って、形成り−る含金薄膜の組成と必要な膜厚方向の
濃度勾配に応しだＡ及びＢの金属又は合金若しくは適当
な組成の合金を選定りれば、所望の合金薄膜が得られる
。なお、形成づる合金薄膜の組成は二元系は勿論多元系
でも良いことは云うまでもない。
濃度勾配に応しだＡ及びＢの金属又は合金若しくは適当
な組成の合金を選定りれば、所望の合金薄膜が得られる
。なお、形成づる合金薄膜の組成は二元系は勿論多元系
でも良いことは云うまでもない。
また、ターグツ１〜に合金を用いる場合は、該当の合金
板でターグツ１〜を構成しても良いし、該合金の一成分
金属からなる金属板上にその他の成分金属小片を合金組
成に応じた面積比になるように配してターグツＩ〜を４
Ｍ成しても良い。
板でターグツ１〜を構成しても良いし、該合金の一成分
金属からなる金属板上にその他の成分金属小片を合金組
成に応じた面積比になるように配してターグツＩ〜を４
Ｍ成しても良い。
基板が長尺の可撓性のあるシー１〜状の物質である場合
には、このシー１−を連続的に移動りることによって長
尺のシー１−１に工業的′／Ｊ規模で濃度勾配を右する
薄膜を形成りることができる。かかる場合には、シート
状の基板は必ずしもターグツ１〜に垂直な軸に平行に移
動り−る必要はなく、たとえばある曲率をもったシー１
−保持板の上を滑りっつ移動してもよく、又ターゲット
側方に位置し、かつ回軸り−るドラムの表面−りをドラ
ムと共に移動してもよい。
には、このシー１−を連続的に移動りることによって長
尺のシー１−１に工業的′／Ｊ規模で濃度勾配を右する
薄膜を形成りることができる。かかる場合には、シート
状の基板は必ずしもターグツ１〜に垂直な軸に平行に移
動り−る必要はなく、たとえばある曲率をもったシー１
−保持板の上を滑りっつ移動してもよく、又ターゲット
側方に位置し、かつ回軸り−るドラムの表面−りをドラ
ムと共に移動してもよい。
［実施例］
以下、」−）ボの本ブを明の訂ＩＩＩを実施例に基づい
て説明づる。
て説明づる。
第１図は本発明の実施に用いた対向ターグツ］へ式スパ
ッタ装置の構成図である。
ッタ装置の構成図である。
図から明らかな通り、本装置は基板４０の保持手段を除
いて前ｊホの特開昭５７−１５８３８Ｑ号公報等で公知
のものと向じ構成となっている。
いて前ｊホの特開昭５７−１５８３８Ｑ号公報等で公知
のものと向じ構成となっている。
づ゛なわち、図において１０は真空槽、２０は真空槽１
０を排気づ−る真空ポンプ等からなる排気系、３０は真
空４！１１１０内の圧力をｉｏ−’ 〜１０− ｌ−Ｏ
Ｎ” Ｔ！Ｉ！ Ｉｉの所定のガス圧力に設定づる刀ス
導入系である。
０を排気づ−る真空ポンプ等からなる排気系、３０は真
空４！１１１０内の圧力をｉｏ−’ 〜１０− ｌ−Ｏ
Ｎ” Ｔ！Ｉ！ Ｉｉの所定のガス圧力に設定づる刀ス
導入系である。
ぞして、真空槽１０内には、図示の如く真空槽１０の側
板１４．４２に絶縁８１１月１３．１４を介して固着さ
れたターゲットントルダ−１５，１６により１対のター
ゲットＩ”＋、Ｔ２が、そのスパッタされる面一１−１
ｓ。
板１４．４２に絶縁８１１月１３．１４を介して固着さ
れたターゲットントルダ−１５，１６により１対のター
ゲットＩ”＋、Ｔ２が、そのスパッタされる面一１−１
ｓ。
］−７Ｓを空間を隔てて平行に対向づるＪ：うに配設し
である。そして、ターグツ１〜間＋、Ｔ２とそれに対応
するターゲットホルダー１５．１６は、水冷パイプ１５
１． １６１を介して冷却水ににリターゲットＴ＋、−
ｒ２、永久磁石１５２． １６２が冷却される。
である。そして、ターグツ１〜間＋、Ｔ２とそれに対応
するターゲットホルダー１５．１６は、水冷パイプ１５
１． １６１を介して冷却水ににリターゲットＴ＋、−
ｒ２、永久磁石１５２． １６２が冷却される。
磁石１５２． ＩＣ＋２はターグツｔｌ−＋、Ｔ２を介
してＮ極、Ｓ極がス４向りるように設けてあり、従って
磁界はターグツ１〜］−１，Ｔ２の対向方向に、かつタ
ーグツ１〜間のみに形成される。なお、１７．１８は絶
縁部（第１３．１４及びターゲットボルダ−１５，１６
をスパッタリング時のプラズマ粒子から保護するためと
ターゲット表面以外の部分の異常放電を防止覆るだめの
シールドである。
してＮ極、Ｓ極がス４向りるように設けてあり、従って
磁界はターグツ１〜］−１，Ｔ２の対向方向に、かつタ
ーグツ１〜間のみに形成される。なお、１７．１８は絶
縁部（第１３．１４及びターゲットボルダ−１５，１６
をスパッタリング時のプラズマ粒子から保護するためと
ターゲット表面以外の部分の異常放電を防止覆るだめの
シールドである。
また、磁性薄膜が形成される基板４０を保持する基板保
持手段４１は、真空槽１０内のターグツ１〜［Ｉ。
持手段４１は、真空槽１０内のターグツ１〜［Ｉ。
Ｔ２の側方に設りである。、基板保持手段４１は、図示
省略した支持ブラケットにより夫々回転自在かつ互いに
軸平行に支持された繰り出しロール４１ａ。
省略した支持ブラケットにより夫々回転自在かつ互いに
軸平行に支持された繰り出しロール４１ａ。
冷却ドラム４１ｂ１巻取［１−ル４１Ｃの３個のロール
からなり、基板４０をターゲットＴ＋ 、Ｔ２間の空間
に対面づるようにスパッタ面Ｔ’ｓ 、 １−２３に対
して略直角方向に保持づるように配置しである。従って
基板４０はスパッタ面Ｔ ＋ｓ ＋ −１−２３に対し
て垂直方向ＪなわちターゲットＴ＋ 、Ｔ２の対向方向
に移動可能で゛ある。
からなり、基板４０をターゲットＴ＋ 、Ｔ２間の空間
に対面づるようにスパッタ面Ｔ’ｓ 、 １−２３に対
して略直角方向に保持づるように配置しである。従って
基板４０はスパッタ面Ｔ ＋ｓ ＋ −１−２３に対し
て垂直方向ＪなわちターゲットＴ＋ 、Ｔ２の対向方向
に移動可能で゛ある。
一方、スパッタ電力を供給する直流電源からなる電力供
給手段５０はプラス側をアースに、マイナス側をターグ
ツ１〜Ｔ１．１−２に夫々接続づる。従って電力供給手
段５０からのスパッタ電力は、アースをアノードとし、
ターゲットＴ＋、１−２をカソードどして、アノード、
カッ−１〜間に供給される。
給手段５０はプラス側をアースに、マイナス側をターグ
ツ１〜Ｔ１．１−２に夫々接続づる。従って電力供給手
段５０からのスパッタ電力は、アースをアノードとし、
ターゲットＴ＋、１−２をカソードどして、アノード、
カッ−１〜間に供給される。
なＪ）、プレスパッタ時基板４０を保Ｖ！ｔ？Ｉるため
、基板４０とターゲットＴ＋ 、Ｔ２との間に出入する
シレッタ−（図示省略）が設けてｉｒ、る。
、基板４０とターゲットＴ＋ 、Ｔ２との間に出入する
シレッタ−（図示省略）が設けてｉｒ、る。
以上の通り、前述の特開昭５７−１５８３８０号公報と
基本的には同じ構成であるので、公知の通り高速低温ス
パッタが可能となる。すなわち、ターゲットＴ＋、ｌ−
２間の空間に、磁界の作用によりスパツタガスイＡン、
スパッタにより放出されたγ電子等が束縛され高密度プ
ラズマが形成される。従って、ターゲットＴ＋ 、Ｔ２
のスパッタが促進されて前記空間Ｊ：り析出【■が増大
し、基板４０上へのＪ［ｆ、積速疾が増し高速スパッタ
が出来る上、基板４０がターグツｈｌ’＋ 、Ｔ２の側
方にあるので低温スパッタも出来る。
基本的には同じ構成であるので、公知の通り高速低温ス
パッタが可能となる。すなわち、ターゲットＴ＋、ｌ−
２間の空間に、磁界の作用によりスパツタガスイＡン、
スパッタにより放出されたγ電子等が束縛され高密度プ
ラズマが形成される。従って、ターゲットＴ＋ 、Ｔ２
のスパッタが促進されて前記空間Ｊ：り析出【■が増大
し、基板４０上へのＪ［ｆ、積速疾が増し高速スパッタ
が出来る上、基板４０がターグツｈｌ’＋ 、Ｔ２の側
方にあるので低温スパッタも出来る。
なａ３、本発明のλ・］向ターゲットｊ℃スパッタ法は
、前述の装置に限定されるものでなく、前述の通り一対
の対面さぼたターゲットの側方に基板を配し、ターゲッ
ト間に垂直方向の磁界を印加してスパッタし、基板上に
膜を形成づるスパッタ法を言う・従って、磁界発生手段
も永久磁石でなく、電磁石を用いても良い。また、磁界
もターゲット間の空間にγ電子等を閉じ込めるものであ
れば良く、従っ゛Ｃターゲット全面でなく、ターゲット
周囲のみに発生させた場合も含む。
、前述の装置に限定されるものでなく、前述の通り一対
の対面さぼたターゲットの側方に基板を配し、ターゲッ
ト間に垂直方向の磁界を印加してスパッタし、基板上に
膜を形成づるスパッタ法を言う・従って、磁界発生手段
も永久磁石でなく、電磁石を用いても良い。また、磁界
もターゲット間の空間にγ電子等を閉じ込めるものであ
れば良く、従っ゛Ｃターゲット全面でなく、ターゲット
周囲のみに発生させた場合も含む。
次に上）小の対向ターゲット式スパッタ装置により実施
した本発明の詳細な説明ツる。
した本発明の詳細な説明ツる。
ターゲット１−＋、Ｔ２は、大きさ３００ｓＷ Ｘ１５
０ｍｍ ｌ−Ｘ １２ｍｍｔとし、ターゲットＴ２を銀
とし、銅をターゲット１− ＋ とし、磁界の強さは３
！１０Ｑ（！（ターグツ１−表面）でターゲットＴ＋、
１−２間の距囚を １８０ｍｍとし１こ。ンＴｈ ｆＪ
Ｉト′ラム４１ｂ Ｌ３３００ｓφて・基板４０どして
厚さ５０μ７７１． Ｉ＋］ ２２０ｍｍのポリエステ
ルフィルムを用い、またターグツｔ−Ｔ＋ 、 −１−
２の中心と冷却ドラム４１ｂ中心軸との非削は２４５
ｍｍである。
０ｍｍ ｌ−Ｘ １２ｍｍｔとし、ターゲットＴ２を銀
とし、銅をターゲット１− ＋ とし、磁界の強さは３
！１０Ｑ（！（ターグツ１−表面）でターゲットＴ＋、
１−２間の距囚を １８０ｍｍとし１こ。ンＴｈ ｆＪ
Ｉト′ラム４１ｂ Ｌ３３００ｓφて・基板４０どして
厚さ５０μ７７１． Ｉ＋］ ２２０ｍｍのポリエステ
ルフィルムを用い、またターグツｔ−Ｔ＋ 、 −１−
２の中心と冷却ドラム４１ｂ中心軸との非削は２４５
ｍｍである。
基４ＪＸ ４ （＋を０．５ｍ／＋ｎｉ＋１で酊くのタ
ーグツｔ−Ｔ ２の方から銅のターグツ１〜Ｔ１の方向
へ移送しつつ、アルゴンＬｉ’力２ Ｘ １０’ ７
ｏｒｒ 、放電電力３１（Ｗでスパックリングを行い７
００人の股を形成した。得られた膜の相成分イロ？ｘ
［Ｓ ｃ Ａで調べた結果を第２１ン１に示Ｊ、、被膜
の表面から内部に進むにつれＣｔｌｉ’１度勾配のδり
る銀−銅合金！１９ができていることが判る１、な：＋
３、第２図に８３いて、白丸が銅の温度を、黒丸が銀の
）Ｇ９度を承り。
ーグツｔ−Ｔ ２の方から銅のターグツ１〜Ｔ１の方向
へ移送しつつ、アルゴンＬｉ’力２ Ｘ １０’ ７
ｏｒｒ 、放電電力３１（Ｗでスパックリングを行い７
００人の股を形成した。得られた膜の相成分イロ？ｘ
［Ｓ ｃ Ａで調べた結果を第２１ン１に示Ｊ、、被膜
の表面から内部に進むにつれＣｔｌｉ’１度勾配のδり
る銀−銅合金！１９ができていることが判る１、な：＋
３、第２図に８３いて、白丸が銅の温度を、黒丸が銀の
）Ｇ９度を承り。
実施例は限と銅のクーグツトについて説明したが、これ
以外の金属あるいは合金で同種の実験を行っても同様の
結果が１１１られることは明らかである１、まｌこｉｆ
； １反とターグツ１−のｌｊ ｒ＝Ｉｌを変えること
によつ’Ｃ１ｆｆａ度勾配のかｌこむきを適当に変える
ことができる。
以外の金属あるいは合金で同種の実験を行っても同様の
結果が１１１られることは明らかである１、まｌこｉｆ
； １反とターグツ１−のｌｊ ｒ＝Ｉｌを変えること
によつ’Ｃ１ｆｆａ度勾配のかｌこむきを適当に変える
ことができる。
第１図は、本発明の実施例のための対向ターゲット式ス
パッタ装置の説明図、第２図は実施例に基く合金薄膜の
膜１９方向の温度勾配のグラフである。 １０：真空槽、２０：排気系、３０：ガス導入系。 ４０；基 板、５０：電力供給手段。 −ｒ＋、Ｔ２ ：ターゲット
パッタ装置の説明図、第２図は実施例に基く合金薄膜の
膜１９方向の温度勾配のグラフである。 １０：真空槽、２０：排気系、３０：ガス導入系。 ４０；基 板、５０：電力供給手段。 −ｒ＋、Ｔ２ ：ターゲット
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）対面さけたターグツ１への側りに基板を配し、該タ
ーゲラ１〜間に磁界をその対向方向に印加してスパッタ
し、基板上に膜形成する対向ターゲット式スパッタ法を
用い、該クーゲットの夫々を異なる金属又は合金となり
ど共に、基板をターゲットの対向方向に移送しつつスパ
ッタリングし、厚さ方向に濃度勾配をイｊリ−る合金薄
膜を形成することを特徴とする合金薄膜の形成方法。 ２）基板が長尺の可撓性のあるシー１〜状の物質である
特許請求の範囲第１項記載の合金薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19617283A JPS6089569A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 合金薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19617283A JPS6089569A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 合金薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6089569A true JPS6089569A (ja) | 1985-05-20 |
| JPH0470392B2 JPH0470392B2 (ja) | 1992-11-10 |
Family
ID=16353394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19617283A Granted JPS6089569A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 合金薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6089569A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60145342A (ja) * | 1984-01-05 | 1985-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | 成分濃度勾配を有する合金 |
| FR2739631A1 (fr) * | 1995-10-05 | 1997-04-11 | Europ Gas Turbines Sa | Revetement de surface anticorrosion de type mcraly, procede de depot d'un tel revetement, aube monocristalline de turbine a gaz pourvue d'un tel revetement |
| WO2014185403A1 (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-20 | 大日本印刷株式会社 | 電子部品を作製するために用いられる積層体および積層体製造方法、フィルムセンサおよびフィルムセンサを備えるタッチパネル装置、並びに、濃度勾配型の金属層を成膜する成膜方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5855566A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-04-01 | Teijin Ltd | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
-
1983
- 1983-10-21 JP JP19617283A patent/JPS6089569A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5855566A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-04-01 | Teijin Ltd | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60145342A (ja) * | 1984-01-05 | 1985-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | 成分濃度勾配を有する合金 |
| FR2739631A1 (fr) * | 1995-10-05 | 1997-04-11 | Europ Gas Turbines Sa | Revetement de surface anticorrosion de type mcraly, procede de depot d'un tel revetement, aube monocristalline de turbine a gaz pourvue d'un tel revetement |
| WO2014185403A1 (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-20 | 大日本印刷株式会社 | 電子部品を作製するために用いられる積層体および積層体製造方法、フィルムセンサおよびフィルムセンサを備えるタッチパネル装置、並びに、濃度勾配型の金属層を成膜する成膜方法 |
| JP2014222419A (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-27 | 大日本印刷株式会社 | 電子部品を作製するために用いられる積層体および積層体製造方法、フィルムセンサおよびフィルムセンサを備えるタッチパネル装置、並びに、濃度勾配型の金属層を成膜する成膜方法 |
| KR20160006676A (ko) * | 2013-05-13 | 2016-01-19 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 전자 부품을 제작하기 위하여 사용되는 적층체 및 적층체 제조 방법, 필름 센서 및 필름 센서를 구비하는 터치 패널 장치 및 농도 구배형의 금속층을 성막하는 성막 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0470392B2 (ja) | 1992-11-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wehner et al. | Angular distribution of sputtered material | |
| JP3452578B2 (ja) | 立方晶系窒化硼素より成る耐摩耗性層を形成する方法およびその用途 | |
| WO2004055233A1 (ja) | 透明導電膜及びその成膜方法 | |
| KR20140057597A (ko) | 액체 타겟 물질의 스퍼터링 시스템 | |
| JP2635385B2 (ja) | イオンプレーティング方法 | |
| Thornton | Sputter coating—its principles and potential | |
| JPS6089569A (ja) | 合金薄膜の形成方法 | |
| JPS62158863A (ja) | 被膜形成装置 | |
| WO2017020535A1 (zh) | 一种铜铝合金晶振片镀膜工艺 | |
| JP2008231532A (ja) | 被銅メッキ処理材の製造方法 | |
| JP2875892B2 (ja) | 立方晶窒化ほう素膜の形成方法 | |
| JPH0257144B2 (ja) | ||
| JPH0273963A (ja) | 低温基体への薄膜形成方法 | |
| JPH0699799B2 (ja) | 真空蒸着方法 | |
| JPS62211374A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPH04116160A (ja) | 皮膜形成装置 | |
| JPS6192431A (ja) | 磁気記録媒体の製造法 | |
| JPH01255668A (ja) | 同軸型マグネトロンスパッタ装置による成膜方法 | |
| Monagham et al. | Deposition of thick films of oxygen-free high conductivity copper by unbalanced dc magnetron sputtering: self-biased and biased conditions | |
| JPS5891168A (ja) | マグネトロン型スパッタ装置 | |
| JP2001115259A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
| JPS5813622B2 (ja) | マグネトロン型スパッタ装置 | |
| JP2000038663A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
| JPH07300674A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0625845A (ja) | スパッタリング装置 |