WO2014185403A1

WO2014185403A1 - 電子部品を作製するために用いられる積層体および積層体製造方法、フィルムセンサおよびフィルムセンサを備えるタッチパネル装置、並びに、濃度勾配型の金属層を成膜する成膜方法

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Publication number: WO2014185403A1
Application number: PCT/JP2014/062699
Authority: WO
Inventors: 正泰高橋; 中嶋　達司
Original assignee: 大日本印刷株式会社
Priority date: 2013-05-13
Filing date: 2014-05-13
Publication date: 2014-11-20
Also published as: JP2014222419A; JP6103375B2; TWI609301B; KR20160006676A; CN105102219A; KR102099138B1; TW201510808A; CN105102219B

Abstract

　透明導電層と遮光導電層との間の密着力が十分に確保された積層体を提供する。第１透明導電層と第１遮光導電層との間には、第１透明導電層および第１遮光導電層の両方に接する第１中間層が設けられている。第１中間層は、第１合金および第２合金を含み、一方、第１遮光導電層は、前記第２合金を含んでいる。ここで、第１合金としては、記第２合金に比べて第１透明導電層に対する高い密着力を有する合金が用いられている。

Description

電子部品を作製するために用いられる積層体および積層体製造方法、フィルムセンサおよびフィルムセンサを備えるタッチパネル装置、並びに、濃度勾配型の金属層を成膜する成膜方法

　本発明は、フィルムセンサなどの電子部品を作製するために用いられる積層体および積層体製造方法に関する。また本発明は、フィルムセンサおよびフィルムセンサを備えるタッチパネル装置に関する。

　今日、入力手段として、タッチパネル装置が広く用いられている。タッチパネル装置は、フィルムセンサ（タッチパネルセンサ）、フィルムセンサ上への接触位置を検出する制御回路、配線およびＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）を含んでいる。タッチパネル装置は、多くの場合、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の表示装置が組み込まれた種々の装置等（例えば、券売機、ＡＴＭ装置、携帯電話、ゲーム機）に対する入力手段として、表示装置とともに用いられている。このような装置においては、フィルムセンサが表示装置の表示面上に配置されており、これによって、表示装置に対する極めて直接的な入力が可能になっている。フィルムセンサのうち表示装置の表示領域に対面する領域は透明になっており、フィルムセンサのこの領域が、接触位置（接近位置）を検出し得るアクティブエリアを構成するようになる。

　フィルムセンサなどの電子部品は一般に、光学的な特性を実現するための層や、電気的な特性を実現するための層など、複数の層から構成されている。このような電子部品を作製するための方法として、基材フィルムおよび透明導電層や、金属を含む遮光導電層などの複数の層を含む積層体をはじめに準備し、次に、この積層体の任意の層をフォトリソグラフィー法などによってパターニングするという方法が知られている。

　積層体を製造する方法の１つとして、はじめに基材フィルムを準備し、次に、スパッタリング法やＥＢ蒸着法などの物理蒸着成膜法を用いて、基材フィルム上に透明導電層や遮光導電層を積層していく、という方法が知られている。例えば特許文献１において、スパッタリング法を用いてポリエステルフィルムの上にＩＴＯ層を形成し、その後、スパッタリング法を用いてＩＴＯ層の上にクロム層を形成し、これによって、フィルムセンサを作製するための積層体を得ることが開示されている。

特開平４－１６０６２４号公報

　フォトリソグラフィー法などを用いて積層体をパターニングした後、若しくは、パターニング後の製造工程の際、パターニングされた積層体の表面が損傷することを防ぐため、積層体の表面に保護フィルムを貼ることがある。このような保護フィルムは、通常、最終的に出荷される前に剥がされる。このとき、透明導電層と遮光導電層との間の密着力が小さいと、保護フィルムを剥がす際に遮光導電層が透明導電層から部分的に剥離されてしまうことがある。このような剥離は、銀を主成分とするとともに銅およびパラジウムを含む、Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ系の銀合金、いわゆるＡＰＣ合金が遮光導電層に含まれる場合に特に顕著になる。

　本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、透明導電層と遮光導電層との間の密着力が十分に確保された積層体およびそのような積層体を製造する方法を提供することを目的とする。

　本発明は、基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側に設けられ、透光性および導電性を有する第１透明導電層と、前記第１透明導電層の一方の側に設けられた第１遮光導電層と、前記第１透明導電層および前記第１遮光導電層の両方に接するよう前記第１透明導電層と前記第１遮光導電層との間に設けられた第１中間層と、を備え、前記第１中間層は、第１合金および第２合金を含み、前記第１遮光導電層は、前記第２合金を含み、前記第１合金は、前記第２合金に比べて、前記第１透明導電層に対する高い密着力を有する、積層体である。

　本発明による積層体において、好ましくは前記第２合金は、前記第１合金に比べて、アルカリ性溶液に対する高い耐性を有している。

　本発明による積層体において、前記第１透明導電層と前記第１中間層との間の界面から、前記第１中間層と前記第１遮光導電層との間の界面に向かうにつれて、単位体積あたりにおける前記第１合金の含有量が低くなり、かつ単位体積あたりにおける前記第２合金の含有量が高くなるよう、前記第１中間層が構成されていてもよい。

　本発明による積層体の前記第１中間層において、好ましくは、前記第１合金の含有量と前記第２合金の含有量との比が、１：１～１：１５の範囲内である。

　本発明による積層体において、前記第１合金はＭｏＮｂ合金からなり、前記第２合金はＡＰＣ合金からなっていてもよい。

　本発明による積層体は、前記基材フィルムの他方の側に設けられ、透光性および導電性を有する第２透明導電層と、前記第２透明導電層の他方の側に設けられた第２遮光導電層と、前記第２透明導電層および前記第２遮光導電層の両方に接するよう前記第２透明導電層と前記第２遮光導電層との間に設けられた第２中間層と、をさらに備えていてもよい。ここで、前記第２中間層は、前記第１合金および前記第２合金を含み、前記第２遮光導電層は、前記第２合金を含んでいる。

　本発明は、基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側に設けられ、透光性および導電性を有する第１透明導電層と、を含む中間積層体を準備する工程と、第１合金からなる第１ターゲット材および第２合金からなる第２ターゲット材を用いた成膜法により、前記第１透明導電層の一方の側の面上に第１中間層を形成する工程と、前記第２合金からなるターゲット材を用いた成膜法により、前記第１中間層の一方の側の面上に第１遮光導電層を形成する工程と、を備え、前記第１合金は、前記第２合金に比べて、前記第１透明導電層に対する高い密着力を有する、積層体製造方法である。

　本発明による積層体製造方法において、好ましくは、前記第１合金からなる前記第１ターゲット材は、前記第２合金からなる前記第２ターゲット材に比べて、前記中間積層体の搬送方向に関して上流側に配置されている。

　本発明による積層体製造方法において、前記第１合金はＭｏＮｂ合金からなり、前記第２合金はＡＰＣ合金からなっていてもよい。

　本発明は、基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側に所定のパターンで設けられ、透光性および導電性を有する第１透明導電パターンと、第１透明導電パターン上に所定のパターンで設けられ、遮光性および導電性を有する第１取出パターンと、を備え、前記第１取出パターンは、第１透明導電パターン上に設けられた第１中間層と、前記第１中間層上に設けられた第１遮光導電層と、を含み、前記第１中間層は、第１合金および第２合金を含み、前記第１遮光導電層は、前記第２合金を含み、前記第１合金は、前記第２合金に比べて、前記第１透明導電層に対する高い密着力を有する、フィルムセンサである。

　本発明は、フィルムセンサと、前記フィルムセンサ上への接触位置を検出する制御回路と、を含むタッチパネル装置であって、前記フィルムセンサが、上記記載のフィルムセンサを備える、タッチパネル装置である。

　本発明は、搬送されている被成膜体上に濃度勾配型の金属層を成膜する成膜方法であって、隔壁によって区画された１つの領域内で第１ターゲット材および第２ターゲット材に放電電力を印加して、前記被成膜体上に前記金属層を形成する工程を備え、前記第１ターゲット材は、前記第２ターゲット材に比べて、前記被成膜体の搬送方向に関して上流側に配置されており、前記第１ターゲット材は、第１合金から構成されており、前記第２ターゲット材は、前記第１合金とは異なる第２合金から構成されている、成膜方法である。

　本発明による成膜方法において、前記第１合金は、前記第２合金に比べて、前記被成膜体の表面に対する高い密着力を有していてもよい。

　本発明によれば、透明導電層と遮光導電層との間に、透明導電層および第１遮光導電層の両方に接する中間層が設けられている。この中間層は、第１合金および第２合金を含んでいる。一方、第１遮光導電層は、第２合金を含むが第１合金を含んでいない。そして、第１合金は、第２合金に比べて、第１透明導電層に対する高い密着力を有している。このため、透明導電層と遮光導電層との間の密着力を十分に確保することができる。

図１は、本発明の実施の形態における積層体製造装置を示す図。図２は、図１に示す積層体製造装置の成膜装置を示す図。図３は、図２に示す成膜装置の第１領域に配置された第１ターゲット材および第２ターゲット材を搬送ドラム側から見た場合を示す図。図４は、図２に示す成膜装置を用いることによって形成された第１中間層および第１遮光導電層を含む積層体を示す断面図。図５は、図４に示す積層体の変形例を示す断面図。図６は、図５に示す積層体をパターニングすることにより得られるフィルムセンサを示す平面図。図７は、図６に示すフィルムセンサの線VII－VIIに沿った断面図。図８（ａ）～（ｅ）は、実施例における第１遮光導電層の付着力の評価基準を説明するための図。

　以下、図１乃至図７を参照して、本発明の実施の形態について説明する。はじめに図４を参照して、本実施の形態において製造される積層体１０について説明する。

　積層体
　図４は、積層体１０を示す断面図である。図４に示すように、積層体１０は、基材フィルム１２と、基材フィルム１２の一方の側の面１２ａ上に順に設けられた第１ハードコート層１３ａ、第１高屈折率層１４ａ、第１低屈折率層１５ａ、第１酸化珪素層１６ａおよび第１透明導電層１７ａと、第１透明導電層１７ａの一方の側に設けられた第１遮光導電層１９ａと、第１透明導電層１７ａおよび第１遮光導電層１９ａの両方に接するよう第１透明導電層１７ａと第１遮光導電層１９ａとの間に設けられた第１中間層１８ａと、を含んでいる。なお「一方の側」および後述する「他方の側」とは、積層体１０の各層の位置関係を、積層体１０の載置のされ方に依らず相対的に表現するための用語である。例えば図４に示す例においては、「一方の側」および「他方の側」がそれぞれ上側および下側に相当するが、「一方の側」および「他方の側」が意味する向きが上側および下側に限られることはなく、積層体１０の向きに応じて「一方の側」および「他方の側」が意味する向きは変化する。

　以下、基材フィルム１２、第１ハードコート層１３ａ、第１高屈折率層１４ａ、第１低屈折率層１５ａ、第１酸化珪素層１６ａ、第１透明導電層１７ａ、第１遮光導電層１９ａおよび第１中間層１８ａについてそれぞれ説明する。

　（基材フィルム）
　基材フィルム１２としては、十分な透光性を有するフィルムが用いられる。基材フィルム１２を構成する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、環状オレフィン・コポリマー（ＣＯＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、（ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などが挙げられる。基材フィルム１２の厚みは、例えば２５～２００μｍの範囲内となっている。

　（ハードコート層）
　第１ハードコート層１３ａは、擦り傷を防止するという目的や、層間の界面に低分子重合体（オリゴマー）が析出して白く濁ってみえることを防ぐという目的のために設けられる層である。第１ハードコート層１３ａとしては、例えばアクリル樹脂などが用いられる。なお図４に示すように、第１ハードコート層１３ａと同一の材料から構成された第２ハードコート層１３ｂが、基材フィルム１２の他方の面１２ｂ上にさらに設けられていてもよい。ハードコート層１３ａ，１３ｂの厚みは、例えば０．１～１０μｍの範囲内となっている。

　（高屈折率層および低屈折率層）
　第１高屈折率層１４ａは、基材フィルム１２を構成する材料よりも高い屈折率を有する材料から構成される層であり、一方、第１低屈折率層１５ａは、基材フィルム１２を構成する材料よりも低い屈折率を有する材料から構成される層である。これら第１高屈折率層１４ａおよび第１低屈折率層１５ａは、積層体１０における光の透過率や反射率を調整するために基材フィルム１２と第１透明導電層１７ａとの間に任意に設けられるものである。第１高屈折率層１４ａおよび第１低屈折率層１５ａは、後述するように積層体１０の第１透明導電層１７ａがパターニングされてフィルムセンサの透明導電パターンとなる場合に、透明導電パターンが設けられている領域と設けられていない領域との間の光の透過率および反射率の差を小さくするためのインデックスマッチング層として機能することができる。

　第１高屈折率層１４ａの材料としては、例えば酸化ニオブやジルコニウムなどの高屈折率材料が用いられる。高屈折率材料を用いて第１高屈折率層１４ａを構成する具体的な方法が特に限られることはない。例えば第１高屈折率層１４ａは、高屈折率材料単体によって構成される膜であってもよく、若しくは、有機樹脂と、有機樹脂内に分散された高屈折率材料の粒子と、から構成されていてもよい。

　第１低屈折率層１５ａの材料としては、例えば酸化珪素やＭｇＦ（フッ化マグネシウム）などの低屈折率材料が用いられる。低屈折率材料を用いて第１低屈折率層１５ａを構成する具体的な方法が特に限られることはない。例えば第１低屈折率層１５ａは、低屈折率材料単体によって構成される膜であってもよく、若しくは、有機樹脂と、有機樹脂内に分散された低屈折率材料の粒子と、から構成されていてもよい。例えば、有機樹脂および低屈折率材料の粒子を含む塗布液を、コーターを用いてコーティングすることによって、第１低屈折率層１５ａを形成することができる。

　（酸化珪素層）
　第１酸化珪素層１６ａは、酸化珪素の膜として形成される層である。第１酸化珪素層１６ａに含まれる酸化珪素の組成が特に限られることはなく、ＳｉＯ_ｘ（ｘは任意の数）の組成を有する様々な酸化珪素が用いられるが、例えばｘ＝１．８となっている。

　本実施の形態による積層体１０によれば、第１低屈折率層１５ａおよび第１酸化珪素層１６ａのような、酸化珪素などの低屈折率材料を含む層を複数含むことにより、そのような層が１層しか設けられていない場合に比べて、積層体１０のバリア性を向上させることができる。

　第１酸化珪素層１６ａを構成する酸化珪素の屈折率は、ＰＥＴやＣＯＰから構成される基材フィルム１２の屈折率よりも低い。すなわち、第１酸化珪素層１６ａの屈折率は、第１低屈折率層１５ａと同様に、基材フィルム１２よりも低くなっている。この場合、第１低屈折率層１５ａの屈折率と第１酸化珪素層１６ａの屈折率との間の差を十分に小さくすることにより、第１低屈折率層１５ａおよび第１酸化珪素層１６ａが、基材フィルム１２よりも低い屈折率を有する層として光学的に一体的に機能することができる。

　なお本実施の形態においては、上述の第１高屈折率層１４ａ、第１低屈折率層１５ａおよび第１酸化珪素層１６ａが積層体１０に含まれている例について説明するが、しかしながら、第１高屈折率層１４ａ、第１低屈折率層１５ａおよび第１酸化珪素層１６ａは必ずしも設けられていなくてもよい。同様に、ハードコート層１３ａ，１３ｂも、必要に応じて任意に設けられる層である。従って、基材フィルム１２の一方の側の面１２ａや第１ハードコート層１３ａの一方の側の面に直接的に接するよう第１透明導電層１７ａが設けられることもある。

　（透明導電層）
　第１透明導電層１７ａを構成する材料としては、導電性を有しながら透光性を示す材料が用いられ、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの金属酸化物が用いられる。第１透明導電層１７ａの厚みは、積層体１０から作製される透明電極または透明導電パターンにおける電気抵抗の仕様などに応じて適宜設定されるが、例えば１８～５０ｎｍの範囲内となっている。

　（遮光導電層）
　第１遮光導電層１９ａは、後述するように、タッチパネルなどの電子部品において、信号を外部に取り出すための取出パターンや電極を形成するために用いられる層である。すなわち、第１遮光導電層１９ａは、いわゆる配線材料や電極材料として用いられる層である。従って、第１遮光導電層１９ａを構成する材料としては、高い導電性および遮光性を有する金属材料が用いられる。具体的には、銀を主成分とするとともに銅およびパラジウムを含む、Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ系の銀合金、いわゆるＡＰＣ合金が用いられる。

　ところで、第１遮光導電層１９ａを構成するＡＰＣ合金は、高い導電性を有する一方で、他の材料との間の密着力という点で従来の配線材料よりも劣ることがあることが知られている。例えば、第１透明導電層１７ａと、ＡＰＣ合金からなる第１遮光導電層１９ａとの間の密着力は、アルミニウムなどの従来の配線材料が用いられる場合よりも小さいことがある。このような課題を克服するため、本実施の形態においては、図４に示すように、第１透明導電層１７ａと第１遮光導電層１９ａとの間に第１中間層１８ａが設けられている。以下、第１中間層１８ａについて説明する。

　（中間層）
　第１中間層１８ａは、仮に第１透明導電層１７ａ上に第１遮光導電層１９ａが設けられるとした場合に第１透明導電層１７ａと第１遮光導電層１９ａとの間で実現される密着力よりも、第１透明導電層１７ａと第１中間層１８ａとの間で実現される密着力の方が高くなるよう構成された層である。

　なお、第１透明導電層１７ａと第１遮光導電層１９ａとの間の密着力を高めるために第１中間層１８ａを設けることには、従来から提案されていることである。例えば本件発明者の先願による公開公報である特開２０１０－２５７４４２号公報において、ＭｏＮｂ合金から構成された中間層を設けることが提案されている。しかしながら、本件発明者が鋭意研究を重ねた結果、ＭｏＮｂ合金からなる層を単に第１透明導電層１７ａと第１遮光導電層１９ａとの間に設けるだけでは、第１透明導電層１７ａと第１遮光導電層１９ａとの間の密着力を十分に確保することができないことを見出した。このことの原因としては様々なことが考えらえるが、１つの原因としては、中間層がＭｏＮｂ合金のみから構成される場合、中間層と第１遮光導電層１９ａとの間の密着力が小さく、この結果、第１遮光導電層１９ａが剥がれ易くなってしまうことが考えられる。

　このような課題に基づいて提案される、本実施の形態による第１中間層１８ａについて、以下に説明する。本実施の形態において、第１中間層１８ａは、第１合金および第２合金を含んでいる。ここで第１合金とは、第１遮光導電層１９ａには含まれないが、第１中間層１８ａには含まれる合金のことである。また第２合金とは、第１中間層１８ａおよび第１遮光導電層１９ａの両方に含まれる合金のことである。上述のように第１遮光導電層１９ａがＡＰＣ合金から構成されている場合、ＡＰＣ合金が第２合金に相当する。

　第１合金としては、第２合金に比べて、第１透明導電層１７ａに対する高い密着力を有する合金が用いられる。例えば第２合金がＡＰＣ合金である場合、第１合金としてＭｏＮｂ合金を用いることができる。

　なお「密着力」は、例えばＪＩＳ　Ｋ５６００－５－７に記載のプルオフ法により評価される。

　例えば、はじめに、ＪＩＳ　Ｋ５６００－５－７に記載の方法に適した引張試験機を準備する。次に、第１合金からなる層が第１透明導電層１７ａ上に設けられた試験片を準備し、引張試験機を用いて、第１合金からなる層と第１透明導電層１７ａとの間の付着力（密着力）を評価する。この場合に測定された付着力を第１付着力とする。

　次に、第２合金からなる層が第１透明導電層１７ａ上に設けられた試験片を準備し、引張試験機を用いて、第２合金からなる層と第１透明導電層１７ａとの間の付着力（密着力）を評価する。この場合に測定された付着力を第２付着力とする。

　このような評価を実施した結果、第１付着力が第２付着力よりも大きくなっている場合に、「第１合金が、第２合金に比べて、第１透明導電層１７ａに対する高い密着力を有している」と言うことができる。

　次に、上述のように構成された第１中間層１８ａおよび第１遮光導電層１９ａを用いることの利点について説明する。

　はじめに、第１透明導電層１７ａと第１中間層１８ａとの間の界面（以下、第１界面とも称する）について説明する。第１界面において、第１中間層１８ａの表面には第１合金が多く存在している。このため、第２合金のみからなる層が第１透明導電層１７ａ上に設けられる場合に比べて、第１界面における層間の密着力を高めることができる。

　次に、第１中間層１８ａと第１遮光導電層１９ａとの間の界面（以下、第２界面とも称する）について説明する。第２界面において、第１中間層１８ａの表面には、第２合金が多く存在している。同様に第１遮光導電層１９ａの表面にも、第２合金が存在している。すなわち、同種の合金同士が接する部分が、第２界面に少なくとも部分的に存在している。このため、第１中間層１８ａが第１合金のみからなる場合に比べて、第２界面における層間の密着力を高めることができる。

　このため本実施の形態によれば、従来の場合に比べて、第１遮光導電層１９ａが剥がれにくくするようにすることができる。すなわち、第１透明導電層１７ａと第１遮光導電層１９ａとの間の密着力を高めることができる。

　なお上述のように、第１中間層１８ａを構成する元素（合金）の、第１界面側における濃度分布と第２界面側における濃度分布とは異なっている。すなわち、第１中間層１８ａを構成する元素の濃度分布は、第１中間層１８ａの厚み方向に沿って変化していると言える。具体的には、第１中間層１８ａにおける第１合金の濃度分布は、第１中間層１８ａの第１界面から第２界面に向かうにつれて低くなっており、反対に、第１中間層１８ａにおける第２合金の濃度分布は、第１中間層１８ａの第１界面から第２界面に向かうにつれて高くなっている。このような特徴に基づいて、第１中間層１８ａまたは後述する第２中間層１８ｂを、濃度勾配型の金属層と称することもある。

　好ましくは、第１界面から第２界面に向かうにつれて、単位体積あたりにおける第１合金の含有量が低くなり、かつ単位体積あたりにおける第２合金の含有量が高くなるよう、第１中間層１８ａが構成されている。このように第１合金および第２合金の濃度分布を設定する場合、第１界面には、より多くの第１合金を存在させることができる。また第２界面には、より多くの第２合金を存在させることができる。このため、第１中間層１８ａが一定の濃度分布で構成される場合に比べて、第１透明導電層１７ａと第１遮光導電層１９ａとの間の密着力をさらに高めることができる。

　第１中間層１８ａにおける第１合金および第２合金の構成比率は、求められる密着力などを考慮して適宜設定される。例えば後述する実施例によって支持されるように、第１中間層１８ａにおいて、第１合金の含有量と第２合金の含有量との比が、１：１～１：１５の範囲内に設定されていてもよい。

　なお上述の説明においては、第１合金がＭｏＮｂ合金であり、第２合金がＡＰＣ合金である例を示したが、これに限られることはない。求められる密着力や電気抵抗に応じて、第１合金および第２合金を適宜選択することができる。

　なお第２合金は、第１合金に比べて積層体１０の外側に位置する合金である。また上述のように、積層体１０は、任意の層をフォトリソグラフィー法などによってパターニングすることによって電子部品を作製するという用途に用いられることが想定されている。このことは、エッチング液などの薬品に第２合金が曝される機会が、第１合金に比べて多いことを意味している。このため、第２合金は、第１合金に比べて、エッチング液などの薬品に対する高い耐性を有していることが好ましい。例えば、第２合金が第１合金に比べて、アルカリ性溶液に対する高い耐性を有していることが好ましい。また第２合金は、第１合金に比べて高い耐擦傷性や高い導電性を有するよう選択されてもよい。

　〔積層体の変形例〕
　なお図５に示すように、積層体１０は、第２ハードコート層１３ｂの他方の側に順に設けられた第２高屈折率層１４ｂ、第２低屈折率層１５ｂ、第２酸化珪素層１６ｂおよび第２透明導電層１７ｂと、第２透明導電層１７ｂの他方の側に設けられた第２遮光導電層１９ｂと、第２透明導電層１７ｂおよび第２遮光導電層１９ｂの両方に接するよう第２透明導電層１７ｂと第２遮光導電層１９ｂとの間に設けられた第２中間層１８ｂと、をさらに含んでいてもよい。第２高屈折率層１４ｂ、第２低屈折率層１５ｂ、第２酸化珪素層１６ｂ、第２透明導電層１７ｂ、第２中間層１８ｂおよび第２遮光導電層１９ｂを構成する材料は、上述の第１高屈折率層１４ａ、第１低屈折率層１５ａ、第１酸化珪素層１６ａ、第１透明導電層１７ａ、第１中間層１８ａおよび第１遮光導電層１９ａを構成する材料と同一であるので、詳細な説明を省略する。

　次に図１および図２を参照して、上述の第１中間層１８ａおよび第１遮光導電層１９ａを備えた積層体１０を製造するための積層体製造装置１について説明する。はじめに図１を参照して、積層体製造装置１全体について説明する。なおここでは、中間積層体１１に対して成膜処理を実施することによって積層体１０を製造するための積層体製造装置１について説明する。中間積層体１１は、図４に示す積層体１０を製造する工程の途中で得られる中間生成物である。図４に示すように、中間積層体１１は、基材フィルム１２と、基材フィルム１２の一方の側の面１２ａ上に順に設けられた第１ハードコート層１３ａ、第１高屈折率層１４ａ、第１低屈折率層１５ａ、第１酸化珪素層１６ａおよび第１透明導電層１７ａと、を含んでいる。

　積層体製造装置
　図１に示すように、積層体製造装置１は、中間積層体１１を巻き出す巻出装置２０と、中間積層体１１上に第１中間層１８ａおよび第１遮光導電層１９ａを設ける成膜装置３０と、第１中間層１８ａおよび第１遮光導電層１９ａが設けられた中間積層体１１を巻き取る巻取装置５０と、を備えている。

　（成膜装置）
　次に、積層体製造装置１の成膜装置３０について説明する。成膜装置３０における成膜方法としては、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤやイオンプレーティングなど様々な方法が採用され得るが、ここでは、成膜方法としてスパッタリングが用いられる例について図２を参照して説明する。

　図２に示すように、成膜装置３０は、成膜処理が実施される成膜室３６と、中間積層体１１が巻き付けられて搬送される成膜用搬送ドラム３８と、搬送される中間積層体１１を案内するガイドローラー３９と、成膜室３６の内部の気体を外部に排出する成膜用真空排気機構３７と、搬送されている中間積層体１１に対向するよう設けられ、中間積層体１１上に設けられる膜の原料となるターゲット材と、を備えている。図３に示す例においては、ターゲット材として、第１中間層１８ａの原料となるターゲット材３１ａ，３１ｂ、並びに、第１遮光導電層１９ａの原料となる第２合金を含むターゲット材３２ａ，３２ｂ、ターゲット材３３ａ，３３ｂおよびターゲット材３４ａ，３４ｂが設けられている。なお図２に示す例においては、第１遮光導電層１９ａの成膜のためにターゲット材３２ａ，３２ｂ、ターゲット材３３ａ，３３ｂおよびターゲット材３４ａ，３４ｂが用いられるが、これに限られることはなく、形成される層の種類や厚みに応じて適宜ターゲットの個数が設定される。

　成膜装置３０においては、はじめに成膜用真空排気機構３７によって成膜室３６の内部の気体を外部に排出し、これによって、成膜室３６内を真空状態とする。次に、不活性ガス供給装置（図示せず）によって成膜室３６内にアルゴンなどの不活性ガスを導入し、その後、放電装置によってターゲット材に放電電力を印加する。これによって、各ターゲット材からなる膜を中間積層体１１上に設けることができる。

　図２に示すように、成膜装置３０の成膜室３６は、隔壁３６ａによって、ターゲット材３１ａ，３１ｂを含む第１領域３１と、ターゲット材３２ａ，３２ｂを含む第２領域３２と、ターゲット材３３ａ，３３ｂを含む第３領域３３と、ターゲット材４ａ，３４ｂを含む第４領域３４と、その他の第５領域３５と、に区画されていてもよい。また図２に示すように、成膜用真空排気機構３７は、各領域３１～３５にそれぞれ接続され、各領域３１～３５の内部の気体を外部に排出する排気手段３１ｃ～３５ｃを含んでいてもよい。これによって、ターゲット材ごとにターゲット材の周囲の雰囲気（真空度など）を調整することができ、このことにより、ターゲット材ごとに最適化された条件の下でスパッタリングを実施することができる。

　次に、第１中間層１８ａを中間積層体１１上に成膜するための第１領域３１に設けられるターゲット材３１ａ，３１ｂについて詳細に説明する。図３は、ターゲット材３１ａ，３１ｂを搬送ドラム３８側から見た場合を示す図である。なお以下の説明において、符号３１ａで表されるターゲット材を第１ターゲット材と称し、符号３１ｂで表されるターゲット材を第２ターゲット材と称することもある。

　図３においては、中間積層体１１とターゲット材３１ａ，３１ｂとの間の位置関係を示すため、搬送ドラム３８の内部からターゲット材３１ａ，３１ｂを観察したと仮定した場合の中間積層体１１が点線で示されている。また搬送ドラム３８によって搬送される中間積層体１１の方向が矢印Ｆで示されている。

　図３に示すように、第１ターゲット材３１ａおよび第２ターゲット材３１ｂは、中間積層体１１の搬送方向Ｆに沿って並べられている。また第１ターゲット材３１ａは、第２ターゲット材３１ｂに比べて、中間積層体１１の搬送方向に関して上流側に配置されている。また図３に示すように、各ターゲット材３１ａ，３１ｂはそれぞれバッキングプレート４１に取り付けられている。バッキングプレート４１は、放電装置に接続されるものであり、このバッキングプレート４１を介して、放電装置からの放電電力がターゲット材３１ａ，３１ｂに印加される。バッキングプレート４１は、例えば銅などの導電性材料から構成されている。これら一対のバッキングプレート４１と、各バッキングプレート４１に取り付けられたターゲット材３１ａ，３１ｂとによって、真空成膜の際にカソードとなるカソードユニット４０が構成されている。

　本実施の形態において、第１ターゲット材３１ａは、上述の第１合金から、例えばＭｏＮｂ合金から構成されており、一方、第２ターゲット材３１ｂは、上述の第２合金から、例えばＡＰＣ合金から構成されている。このように本実施の形態においては、第１中間層１８ａを成膜するためのターゲット材として、第１合金からなる第１ターゲット材３１ａおよび第２合金からなる第２ターゲット材３１ｂという２種類のターゲット材を用いる。このため、第１合金および第２合金の両方を含む第１中間層１８ａを中間積層体１１上に形成することができる。

　なお図３に示すような、２つのターゲット材３１ａ，３１ｂが取り付けられるように構成されたカソードユニット４０の構造は、一般にダブルカソードと称されるものである。このような構造は、主に、シリコンなどの、チャージアップが生じ易い絶縁材料の成膜のために用いられているものである。従って、図３に示すような、２つのターゲット材３１ａ，３１ｂを並べるという手法は、既存の真空成膜装置を用いて容易に実現することができるものである。

　なおシリコンなどの絶縁材料の成膜工程においては、チャージアップを防ぐため、カソードユニット４０には交流電圧が印加される。このため、２つのターゲット材３１ａ，３１ｂから交互に材料が放出される。一方、本実施の形態においては、ターゲット材３１ａ，３１ｂが金属材料から構成されるため、チャージアップが問題になることはない。従って本実施の形態においては、２つのターゲット材３１ａ，３１ｂの各々に直流電圧を印加して成膜工程を実施することができる。

　次に、このような構成からなる本実施の形態の作用および効果について説明する。ここでは、はじめに、上述の中間積層体１１を製造する方法の一例について説明する。次に、中間積層体１１を積層体製造装置１に供給して積層体１０を製造する方法について説明する。その後、積層体１０をパターニングすることにより得られるフィルムセンサ６０について説明する。

　中間積層体の製造方法
　はじめに基材フィルム１２を準備する。次に、アクリル樹脂を含む塗布液を、コーターを用いて基材フィルム１２の両側にコーティングする。これによって、基材フィルム１２の両側にハードコート層１３ａ，１３ｂが形成される。次に、有機樹脂および有機樹脂内に分散された高屈折率材料の粒子、例えばジルコニウムの粒子を含む塗布液を、コーターを用いて第１ハードコート層１３ａの一方の側の面上にコーティングする。これによって、第１ハードコート層１３ａ上に第１高屈折率層１４ａが形成される。その後、有機樹脂および有機樹脂内に分散された低屈折率材料の粒子、例えば酸化珪素の粒子を含む塗布液を、コーターを用いて第１高屈折率層１４ａの一方の側の面上にコーティングする。これによって、第１高屈折率層１４ａ上に第１低屈折率層１５ａが形成される。その後、スパッタリング法などの真空成膜法を用いて、第１低屈折率層１５ａ上に第１酸化珪素層１６ａを形成する。同様に、スパッタリング法などの真空成膜法を用いて、第１酸化珪素層１６ａ上に第１透明導電層１７ａを形成する。このようにして中間積層体１１を得ることができる。なお、第１酸化珪素層１６ａや第１透明導電層１７ａを形成するための真空成膜を実施するための装置は、上述の積層体製造装置１の中に、例えば上述の巻出装置２０と成膜装置３０との間に設けられたものであってもよく、または、積層体製造装置１からは分離されたものであってもよい。

　積層体の製造方法
　次に、積層体製造装置１を用いて中間積層体１１の一方の側に第１中間層１８ａおよび第１遮光導電層１９ａを形成し、これによって図４に示す積層体１０を得る方法について説明する。なお本実施の形態によれば、上述のように、第１中間層１８ａを設けることによって、第１透明導電層１７ａと第１遮光導電層１９ａとの間の密着力を改善することができる。従って、後述する中間層形成工程を含む積層体製造方法を、密着力を改善するための密着力改善方法と呼ぶこともできる。

　はじめに、巻出装置２０において、中間積層体１１が巻回されたシャフト２１を準備し、次に、成膜装置３０に向けて中間積層体１１を巻き出す。その後、以下に説明するように、中間積層体１１を被成膜体として、スパッタリングによる成膜方法を実施する。

　（中間層形成工程）
　まず成膜装置３０の第１領域３１において、中間積層体１１の第１透明導電層１７ａの一方の側の面上に第１中間層１８ａを形成する中間層形成工程を実施する。中間層形成工程においては、はじめに排気手段３１ｃによって第１領域３１の内部の気体を外部に排出し、これによって、第１領域３１内を真空状態とする。次に、不活性ガス供給装置（図示せず）によって第１領域３１内にアルゴンなどの不活性ガスを導入し、その後、放電装置によって第１ターゲット材３１ａおよび第２ターゲット材３１ｂに放電電力を印加する。これによって生じるスパッタリング現象によって、第１ターゲット３１ａを構成する第１合金と、第２ターゲット材３１ｂを構成する第２合金とを含む第１中間層１８ａを第１透明導電層１７ａ上に形成することができる。

　この際、第１ターゲット材３１ａおよび第２ターゲット材３１ｂに印加される放電電力は、第１中間層１８ａにおける第１合金および第２合金の構成比率が所望の値になるよう、適宜調整される。なお、第１中間層１８ａにおける第１合金および第２合金の構成比率を調整する要因としては、第１ターゲット材３１ａおよび第２ターゲット材３１ｂに印加される放電電力だけでなく、第１ターゲット材３１ａおよび第２ターゲット材３１ｂの表面積を挙げることもできる。

　ところで上述のように、第１ターゲット材３１ａは、第２ターゲット材３１ｂに比べて、中間積層体１１の搬送方向に関して上流側に配置されている。この場合、中間積層体１１が第１領域３１に到達した当初は、第１透明導電層１７ａと第１ターゲット材３１ａとの間の距離が、第１透明導電層１７ａと第２ターゲット材３１ｂとの間の距離よりも小さくなっている。このため、第１領域３１における成膜においては、まず第１合金が第１ターゲット材３１ａから第１透明導電層１７ａに到達し、その後に第２合金が第２ターゲット材３１ｂから第１透明導電層１７ａに到達すると考えられる。従って、第１透明導電層１７ａと第１中間層１８ａとの界面（上述の第１界面）の近傍においては、第１中間層１８ａが主に第１合金によって構成されると考えられる。一方、搬送ドラム３８によって中間積層体１１が搬送されるにつれて、第１透明導電層１７ａと第１ターゲット材３１ａとの間の距離と、第１透明導電層１７ａと第２ターゲット材３１ｂとの間の距離との間の差が小さくなる。そして、ある時点を境に、第１透明導電層１７ａと第２ターゲット材３１ｂとの間の距離が、第１透明導電層１７ａと第１ターゲット材３１ａとの間の距離よりも小さくなる。この場合、中間積層体１１には主に第２合金が第２ターゲット材３１ｂから到達するようになる。従って、第１中間層１８ａの一方の側の面（上述の第２界面）の近傍においては、第１中間層１８ａが主に第２合金によって構成されると考えられる。この結果、第１界面から第２界面に向かうにつれて、単位体積あたりにおける第１合金の含有量が低くなり、かつ単位体積あたりにおける第２合金の含有量が高くなるよう、第１中間層１８ａを構成することができる。すなわち本実施の形態によれば、第１ターゲット材３１ａを第２ターゲット材３１ｂよりも搬送方向Ｆに関して上流側に配置することにより、第１中間層１８ａにおける第１合金および第２合金の好ましい濃度分布を実現することができる。

　（遮光導電層形成工程）
　その後、第１中間層１８ａの形成工程の場合と同様にして、ターゲット材３２ａ，３２ｂ、ターゲット材３３ａ，３３ｂおよびターゲット材３４ａ，３４ｂを用いたスパッタリングにより、ターゲット３２ａ～３４ａを構成する第２合金からなる第１遮光導電層１９ａを第１中間層１８ａ上に形成することができる。

　（巻取工程）
　その後、巻取装置５０において、中間積層体１１と、中間積層体１１上に形成された第１中間層１８ａおよび第１遮光導電層１９ａと、を含む積層体１０が、シャフト５１によって巻き取られる。これによって、積層体１０の巻回体が得られる。

　本実施の形態によれば、第１透明導電層１７ａと第１遮光導電層１９ａとの間に、第１透明導電層１７ａおよび第１遮光導電層１９ａの両方に接する第１中間層１８ａが設けられる。この第１中間層１８ａは、第１合金および第２合金を含んでいる。一方、第１遮光導電層１９ａは、第２合金を含むが第１合金を含んでいない。そして、第１合金は、第２合金に比べて、第１透明導電層１７ａに対する高い密着力を有している。このため、第１透明導電層１７ａと第１遮光導電層１９ａとの間の密着力を十分に確保することができる。

　フィルムセンサの製造方法
　次に、積層体１０の用途の一例として、積層体１０をパターニングすることにより得られるフィルムセンサ（タッチパネルセンサ）６０について説明する。フィルムセンサ６０は、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルなどの表示パネルの観察者側に設けられ、人体などの被検出体の接触位置を検出するための透明導電パターンなどを含むセンサである。フィルムセンサ６０としては、被検出体からの圧力に基づいてタッチ箇所を検出する抵抗膜方式のフィルムセンサや、人体などの被検出体からの静電気に基づいてタッチ箇所を検出する静電容量方式のフィルムセンサなど様々なタイプのものが知られているが、ここでは、積層体１０をパターニングすることによって静電容量方式のフィルムセンサ６０を形成する例について、図６および図７を参照して説明する。図６は、フィルムセンサ６０を示す平面図であり、図７は、図６に示すフィルムセンサ６０の線VII－VIIに沿った断面図である。なお図６および図７においては、図５に示す、基材フィルム１２の一方の側および他方の側に配置された透明導電層１７ａ，１７ｂ、中間層１８ａ，１８ｂおよび遮光導電層１９ａ，１９ｂを含む積層体１０を用いることにより、フィルムセンサ６０が作製されている。

　図６に示すように、フィルムセンサ６０は、指などの外部導体の接近に起因する静電容量の変化を検出するための透明導電パターン６２ａ，６２ｂを備えている。透明導電パターン６２ａ，６２ｂは、基材フィルム１２の一方の側に配置され、図６の横方向に延びる第１透明導電パターン６２ａと、基材フィルム１２の他方の側に配置され、図６の縦方向に延びる第２透明導電パターン６２ｂと、からなっている。またフィルムセンサ６０は、第１透明導電パターン６２ａに接続された第１取出パターン６４ａと、第２透明導電パターン６２ｂに接続された第２取出パターン６４ｂと、をさらに備えている。また、各取出パターン６４ａ，６４ｂに接続され、各透明導電パターン６２ａ，６２ｂからの信号を外部へ取り出すための端子部６５ａ，６５ｂがさらに設けられていてもよい。

　図７に示すように、透明導電パターン６２ａ，６２ｂは、積層体１０の透明導電層１７ａ、１７ｂをパターニングすることにより得られるものである。同様に、第１取出パターン６４ａは、積層体１０の第１中間層１８ａおよび第１遮光導電層１９ａをパターニングすることにより得られるものである。また図７には示されていないが、第１端子部６５ａも、積層体１０の第１中間層１８ａおよび第１遮光導電層１９ａをパターニングすることにより得られるものであり、また第２取出パターン６４ｂおよび第２端子部６５ｂは、積層体１０の第２中間層１８ｂおよび第２遮光導電層１９ｂをパターニングすることにより得られるものである。透明導電層１７ａ，１７ｂ、中間層１８ａ，１８ｂおよび遮光導電層１９ａ，１９ｂをパターニングする方法としては、例えばフォトリソグラフィー法が用いられる。なお図７に示すように、積層体１０の酸化珪素層１６ａ，１６ｂは、透明導電パターン６２ａ，６２ｂや取出パターン６４ａ，６４ｂに対応したパターンを有するようパターニングされていてもよい。

　本実施の形態によれば、取出パターン６４ａ，６４ｂは、第１合金および第２合金を含む中間層１８ａ，１８ｂと、第２合金を含む遮光導電層１９ａ，１９ｂと、を有している。また上述のように、第１合金は、第２合金に比べて、透明導電パターン６２ａ，６２ｂを構成する透明導電層１７ａ，１７ｂに対する高い密着力を有している。このため、透明導電パターン６２ａ，６２ｂと取出パターン６４ａ，６４ｂとの間の密着力が高められたフィルムセンサ６０を提供することができる。

　ところで、フィルムセンサ６０を作製するために積層体１０のパターニングを行う際には、様々な薬液が用いられる。例えば、フォトリソグラフィー法において用いられるレジスト層を除去したり、上述の酸化珪素層１６ａ，１６ｂをエッチングしたりする際には、アルカリ性溶液が用いられる。ところで、上述の第１合金を構成するＭｏＮｂ合金は、アルカリ性溶液に対して溶解し易い合金として知られている。一方、上述の第２合金を構成するＡＰＣ合金は、ＭｏＮｂ合金に比べて、アルカリ性溶液に対して高い耐性を有している。ここで本実施の形態によれば、上述のように、第１中間層１８ａが第１合金および第２合金を含み、第１中間層１８ａの外側に設けられる第１遮光導電層１９ａが第２合金を含んでいる。すなわち、アルカリ性溶液に対する耐性が高い第２合金の方が、第１合金よりも外側に存在している。従って、本実施の形態による第１中間層１８ａおよび第１遮光導電層１９ａの構成は、第１透明導電層１７ａと第１遮光導電層１９ａとの間の密着力を高めることができるという利点だけでなく、積層体１０やフィルムセンサ６０の薬液に対する耐性を高めることができるという利点も有している。

　次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。

　（実施例１）
　基材フィルムと、基材フィルムの一方の側の面上に順に設けられた第１高屈折率層、第１低屈折率層、第１透明導電層、第１中間層および第１遮光導電層と、を含む積層体を作製した。第１高屈折率層、第１低屈折率層、第１透明導電層および第１遮光導電層を構成する材料としてそれぞれ、酸化ニオブ、酸化珪素、ＩＴＯおよびＡＰＣ合金を用いた。第１中間層については、ＭｏＮｂ合金からなる第１ターゲット材およびＡＰＣ合金からなる第２ターゲット材の両方を用いたスパッタリングによって、第１中間層を形成した。第１ターゲット材および第２ターゲット材に印加した放電電力は、それぞれ２．４ｋＷおよび５．６ｋＷであった。

　第１中間層におけるＭｏＮｂ合金およびＡＰＣ合金の構成比率を調べるため、上述の放電電力と同一の値を用いて、ＭｏＮｂ合金のみからなる層およびＡＰＣ合金のみからなる層を別途作製した。この結果、第１ターゲット材に２．４ｋＷの放電電力を印加することにより得られるＭｏＮｂ合金の層の厚みは２．０ｎｍであり、第２ターゲット材に５．６ｋＷの放電電力を印加することにより得られるＡＰＣ合金の層の厚みは１６．０ｎｍであった。このことから、本実施例において形成された第１中間層における、ＭｏＮｂ合金の含有量とＡＰＣ合金の含有量との比は、約１：８になっていると考えられる。また、第１中間層の厚みは約１８．０ｎｍになっていると考えられる。

　（実施例２）
　第１中間層を形成する際に第１ターゲット材および第２ターゲット材に印加する放電電力を９．６ｋＷおよび３．２ｋＷとした点を除いて、実施例１の場合と同様にして積層体を作製した。なお、この放電電力の値を用いてＭｏＮｂ合金のみからなる層およびＡＰＣ合金のみからなる層を別途作製した場合、ＭｏＮｂ合金の層の厚みは７．９ｎｍであり、ＡＰＣ合金の層の厚みは９．１ｎｍであった。このことから、本実施例において形成された第１中間層における、ＭｏＮｂ合金の含有量とＡＰＣ合金の含有量との比は、約１：１．２になっていると考えられる。また、第１中間層の厚みは約１７．０ｎｍになっていると考えられる。

　（実施例３）
　第１中間層を形成する際に第１ターゲット材および第２ターゲット材に印加する放電電力を１．５ｋＷおよび５．６ｋＷとした点を除いて、実施例１の場合と同様にして積層体を作製した。なお、この放電電力の値を用いてＭｏＮｂ合金のみからなる層およびＡＰＣ合金のみからなる層を別途作製した場合、ＭｏＮｂ合金の層の厚みは１．２ｎｍであり、ＡＰＣ合金の層の厚みは１６．０ｎｍであった。このことから、本実施例において形成された第１中間層における、ＭｏＮｂ合金の含有量とＡＰＣ合金の含有量との比は、約１：１３．３になっていると考えられる。また、第１中間層の厚みは約１７．２ｎｍになっていると考えられる。

　（実施例４）
　第１中間層を形成する際に第１ターゲット材および第２ターゲット材に印加する放電電力を４．８ｋＷおよび４．８ｋＷとした点を除いて、実施例１の場合と同様にして積層体を作製した。なお、この放電電力の値を用いてＭｏＮｂ合金のみからなる層およびＡＰＣ合金のみからなる層を別途作製した場合、ＭｏＮｂ合金の層の厚みは４．０ｎｍであり、ＡＰＣ合金の層の厚みは１３．７ｎｍであった。このことから、本実施例において形成された第１中間層における、ＭｏＮｂ合金の含有量とＡＰＣ合金の含有量との比は、約１：３．４になっていると考えられる。また、第１中間層の厚みは約１７．７ｎｍになっていると考えられる。

　（比較例１）
　ＡＰＣ合金からなる第２ターゲット材のみを用いて第１中間層を形成した点を除いて、実施例１の場合と同様にして積層体を作製した。第２ターゲット材に印加した放電電力は６．４ｋＷであり、得られた第１中間層の厚みは１８．２ｎｍであった。

　（比較例２）
　ＭｏＮｂ合金からなる第１ターゲット材のみを用いて第１中間層を形成した点を除いて、実施例１の場合と同様にして積層体を作製した。第１ターゲット材に印加した放電電力は９．６ｋＷであり、得られた第１中間層の厚みは７．９ｎｍであった。

　〔評価方法〕
　（評価１）
　作製された積層体の第１遮光導電層の付着力の評価を行った。はじめに、接着テープを第１遮光導電層に貼り付け、次に、０．３秒あたり５ｃｍの速度で、接着テープを第１遮光導電層から剥がした。その後、第１遮光導電層が接着テープ側に付着しているかどうか、すなわち第１遮光導電層が積層体から剥がれてしまうかどうかを確認した。そして、第１遮光導電層が積層体から剥がれてしまった場合、当該積層体の第１遮光導電層の付着力を０点とした。一方、第１遮光導電層が積層体から剥がれなかった積層体については、ＪＩＳ　Ｋ５６００－５－６に規定されている「付着性－クロスカット法」に類似の方法を用いて、第１遮光導電層の付着力をさらに詳細に評価した。具体的には、はじめにカッターなどの工具を用いて格子パターンを第１遮光導電層に切り込み、次に接着テープを第１遮光導電層に貼り付け、その後、０．３秒あたり５ｃｍの速度（ＪＩＳ　Ｋ５６００－５－６では１．０秒あたり５ｃｍの速度）で、接着テープを第１遮光導電層から剥がした。そして、クロスカットされている第１遮光導電層の断片のうち格子パターンのエッジ部分から剥がされてしまった部分の、全体面積に対する比率に応じて、付着力を評価した。評価基準を以下に示す。

　１０点：エッジ部分における第１遮光導電層の剥がれが無い
　８点：エッジ部分における第１遮光導電層の剥がれ面積が５％以下
　６点：エッジ部分における第１遮光導電層の剥がれ面積が５～１５％
　４点：エッジ部分における第１遮光導電層の剥がれ面積が１５～３５％
　２点：エッジ部分における第１遮光導電層の剥がれ面積が３５～５０％
　０点：エッジ部分における第１遮光導電層の剥がれ面積が５０％以上
　１０点～０点として評価された積層体の例を参考として図８（ａ）～（ｅ）にそれぞれ示す。なお、格子パターンの間隔は１ｍｍとした。また接着テープとしては、ニチバンテープＮｏ．４０５を使用した。

　（評価２）
　第１遮光導電層に格子パターンの切り込みを形成した後、接着テープを第１遮光導電層に貼り付ける前に、アルカリ性溶液に積層体を浸漬させた点を除いて、評価１の場合と同様にして、積層体の第１遮光導電層の付着力を評価した。アルカリ性溶液としては、濃度２％のＫＯＨ溶液を用いた。浸漬時間は１０分間とし、浸漬の際のＫＯＨ溶液の温度は２５℃とした。

　評価１～２の結果をまとめて表１に示す。

　表１から分かるように、第１中間層がＭｏＮｂ合金およびＡＰＣ合金の両方を含む場合、第１遮光導電層の断片が完全に剥離されてしまうことを防ぐことができた。特に、第１中間層におけるＭｏＮｂ合金の含有量とＡＰＣ合金の含有量との比が約１：８の場合、第１遮光導電層の断片が剥離されることを効果的に防ぐことができた。一方、第１中間層がＡＰＣ合金のみから構成されていた場合、または第１中間層がＭｏＮｂ合金のみから構成されていた場合、第１遮光導電層が完全に剥離されてしまった。これらのことから、第１遮光導電層の付着力を高める上で、ＭｏＮｂ合金およびＡＰＣ合金の両方を用いて第１中間層を構成することが有効であると言える。すなわち、第１中間層に第１合金（ＭｏＮｂ合金）および第２合金（ＡＰＣ合金）の両方を含ませることは、第１透明導電層と第１遮光導電層との間の密着力を改善する上で有効な手段（方法）であると言える。

　１　積層体製造装置
　１０　積層体
　１１　中間積層体
　１２　基材フィルム
　１３ａ，１３ｂ　ハードコート層
　１４ａ，１４ｂ　高屈折率層
　１５ａ，１５ｂ　低屈折率層
　１６ａ，１６ｂ　酸化珪素層
　１７ａ，１７ｂ　透明導電層
　１８ａ，１８ｂ　中間層
　１９ａ，１９ｂ　遮光導電層
　２０　巻出装置
　３０　成膜装置
　３１　第１成膜室
　３１ａ　第１ターゲット材
　３１ｂ　第２ターゲット材
　３２　第２成膜室
　３２ａ，３２ｂ　ターゲット材
　３８　搬送ドラム
　４０　カソードユニット
　４１　バッキングプレート
　５０　巻取装置
　６０　フィルムセンサ
　６２ａ，６２ｂ　透明導電パターン
　６４ａ，６４ｂ　取出パターン
　６５ａ，６５ｂ　端子部

Claims

　基材フィルムと、
　前記基材フィルムの一方の側に設けられ、透光性および導電性を有する第１透明導電層と、
　前記第１透明導電層の一方の側に設けられた第１遮光導電層と、
　前記第１透明導電層および前記第１遮光導電層の両方に接するよう前記第１透明導電層と前記第１遮光導電層との間に設けられた第１中間層と、を備え、
　前記第１中間層は、第１合金および第２合金を含み、
　前記第１遮光導電層は、前記第２合金を含み、
　前記第１合金は、前記第２合金に比べて、前記第１透明導電層に対する高い密着力を有する、積層体。
　前記第２合金は、前記第１合金に比べて、アルカリ性溶液に対する高い耐性を有する、請求項１に記載の積層体。
　前記第１透明導電層と前記第１中間層との間の界面から、前記第１中間層と前記第１遮光導電層との間の界面に向かうにつれて、単位体積あたりにおける前記第１合金の含有量が低くなり、かつ単位体積あたりにおける前記第２合金の含有量が高くなるよう、前記第１中間層が構成されている、請求項１に記載の積層体。
　前記第１中間層において、前記第１合金の含有量と前記第２合金の含有量との比が、１：１～１：１５の範囲内である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の積層体。
　前記第１合金は、ＭｏＮｂ合金からなり、
　前記第２合金は、ＡＰＣ合金からなる、請求項４に記載の積層体。
　前記基材フィルムの他方の側に設けられ、透光性および導電性を有する第２透明導電層と、
　前記第２透明導電層の他方の側に設けられた第２遮光導電層と、
　前記第２透明導電層および前記第２遮光導電層の両方に接するよう前記第２透明導電層と前記第２遮光導電層との間に設けられた第２中間層と、をさらに備え、
　前記第２中間層は、前記第１合金および前記第２合金を含み、
　前記第２遮光導電層は、前記第２合金を含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の積層体。
　基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側に設けられ、透光性および導電性を有する第１透明導電層と、を含む中間積層体を準備する工程と、
　第１合金からなる第１ターゲット材および第２合金からなる第２ターゲット材を用いた成膜法により、前記第１透明導電層の一方の側の面上に第１中間層を形成する工程と、
　前記第２合金からなるターゲット材を用いた成膜法により、前記第１中間層の一方の側の面上に第１遮光導電層を形成する工程と、を備え、
　前記第１合金は、前記第２合金に比べて、前記第１透明導電層に対する高い密着力を有する、積層体製造方法。
　前記第１合金からなる前記第１ターゲット材は、前記第２合金からなる前記第２ターゲット材に比べて、前記中間積層体の搬送方向に関して上流側に配置されている、請求項７に記載の積層体製造方法。
　前記第１合金は、ＭｏＮｂ合金からなり、
　前記第２合金は、ＡＰＣ合金からなる、請求項７または８に記載の積層体製造方法。
　基材フィルムと、
　前記基材フィルムの一方の側に所定のパターンで設けられ、透光性および導電性を有する第１透明導電パターンと、
　第１透明導電パターン上に所定のパターンで設けられ、遮光性および導電性を有する第１取出パターンと、を備え、
　前記第１取出パターンは、第１透明導電パターン上に設けられた第１中間層と、前記第１中間層上に設けられた第１遮光導電層と、を含み、
　前記第１中間層は、第１合金および第２合金を含み、
　前記第１遮光導電層は、前記第２合金を含み、
　前記第１合金は、前記第２合金に比べて、前記第１透明導電層に対する高い密着力を有する、フィルムセンサ。
　フィルムセンサと、前記フィルムセンサ上への接触位置を検出する制御回路と、を含むタッチパネル装置であって、
　前記フィルムセンサが、請求項１０に記載のフィルムセンサを備える、タッチパネル装置。
　搬送されている被成膜体上に濃度勾配型の金属層を成膜する成膜方法であって、
　隔壁によって区画された１つの領域内で第１ターゲット材および第２ターゲット材に放電電力を印加して、前記被成膜体上に前記金属層を形成する工程を備え、
　前記第１ターゲット材は、前記第２ターゲット材に比べて、前記被成膜体の搬送方向に関して上流側に配置されており、
　前記第１ターゲット材は、第１合金から構成されており、前記第２ターゲット材は、前記第１合金とは異なる第２合金から構成されている、成膜方法。
　前記第１合金は、前記第２合金に比べて、前記被成膜体の表面に対する高い密着力を有する、請求項１２に記載の成膜方法。