JP6349695B2 - フィルムセンサを作製するために用いられる積層体 - Google Patents
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Description
本発明は、フィルムセンサなどの電子部品を作製するために用いられる積層体に関する。
今日、入力手段として、タッチパネル装置が広く用いられている。タッチパネル装置は、フィルムセンサ（タッチパネルセンサ）、フィルムセンサ上への接触位置を検出する制御回路、配線およびＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）を含んでいる。タッチパネル装置は、多くの場合、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の表示装置が組み込まれた種々の装置等（例えば、券売機、ＡＴＭ装置、携帯電話、ゲーム機）に対する入力手段として、表示装置とともに用いられている。このような装置においては、フィルムセンサが表示装置の表示面上に配置されており、これによって、表示装置に対する極めて直接的な入力が可能になっている。フィルムセンサのうち表示装置の表示領域に対面する領域は透明になっており、フィルムセンサのこの領域が、接触位置（接近位置）を検出し得るアクティブエリアを構成するようになる。
フィルムセンサとしては、網目状に配置された金属材料からなる導線によってセンサ電極を作製するタイプのものや、ＩＴＯなどの透光性を有する導電性酸化物材料を用いてセンサ電極を作製するタイプのものが知られている。前者のタイプのタッチパネルセンサにおいては、センサ電極を構成するための金属材料として、高い導電性を有するとともに比較的に安価な銅が主に用いられている。また後者のタイプにおいても、アクティブエリアの周辺に存在する非アクティブエリア、いわゆる額縁領域に設けられる額縁配線を構成する材料として、銅が広く用いられている。
フィルムセンサを作製するための方法として、基材フィルム上に、ＩＴＯからなる透明導電層や銅からなる金属層などを設けることにより作製された積層体をはじめに準備し、次に、この積層体の任意の層をフォトリソグラフィー法などによってパターニングするという方法が知られている。また、積層体を製造する方法の１つとして、はじめに基材フィルムを準備し、次に、スパッタリング法やＥＢ蒸着法などの物理蒸着成膜法を用いて、基材フィルム上に金属層などを積層していく、という方法が知られている。例えば特許文献１において、スパッタリング法を用いてポリエステルフィルムの上に透明導電層を形成し、その後、スパッタリング法を用いて透明導電層の上に金属層を形成し、これによって、フィルムセンサを作製するための積層体を得ることが開示されている。
一般に銅は柔らかく、このため損傷しやすい。また銅からなる金属層は従来、積層体の最表面に位置している。このため、積層体の製造工程や、積層体からフィルムセンサを作製するためのフォトリソグラフィー工程などにおいて、銅からなる金属層の表面が損傷されてしまうことがある。
このような損傷を防ぐため、例えば、銅よりも高い硬度を有する金属材料からなる層を、銅を保護するための被覆層として、銅からなる金属層の上に設けることが考えられる。ここで、本件発明者らが鋭意研究を重ねた結果、積層体の表面の損傷を十分に抑制するためには、単に被覆層を設けるだけでは不十分であり、金属層や被覆層を構成する金属結晶において、所定の結晶面の比率が適切な範囲内になっていることが重要であることを見出した。
このような損傷を防ぐため、例えば、銅よりも高い硬度を有する金属材料からなる層を、銅を保護するための被覆層として、銅からなる金属層の上に設けることが考えられる。ここで、本件発明者らが鋭意研究を重ねた結果、積層体の表面の損傷を十分に抑制するためには、単に被覆層を設けるだけでは不十分であり、金属層や被覆層を構成する金属結晶において、所定の結晶面の比率が適切な範囲内になっていることが重要であることを見出した。
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、表面が損傷されてしまうことを抑制することができる積層体を提供することを目的とする。
第１の本発明は、フィルムセンサを作製するために用いられる積層体であって、基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側に設けられ、結晶状態の銅を含む銅層と、前記銅層の一方の側の面上に設けられ、導電性を有する被覆層と、を備え、前記積層体の一方の側の面にＸ線を入射させることによって発生する回折ピークをθ−２θ法で測定した場合の、前記銅層の銅結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕ｛２２０｝とし、前記銅層の銅結晶の｛３１１｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕ｛３１１｝とするとき、ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝が１．６〜１．９の範囲内になっている、積層体である。
第１の本発明による積層体において、前記被覆層が、結晶状態のＣｕＮｉ合金を含んでいてもよい。この場合、好ましくは、前記積層体の一方の側の面にＸ線を入射させることによって発生する回折ピークをθ−２θ法で測定した場合の、前記被覆層のＣｕＮｉ結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕＮｉ｛２２０｝とするとき、ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝が０．５〜０．８の範囲内になっている。
第１の本発明による積層体において、前記銅層の厚みが、８０〜２００ｎｍの範囲内になっており、前記被覆層の厚みが、１０〜５０ｎｍの範囲内になっていてもよい。
第２の本発明は、タッチパネルセンサを作製するために用いられる積層体であって、基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側に設けられ、結晶状態の銅を含む銅層と、前記銅層の一方の側の面上に設けられ、結晶状態のＣｕＮｉ合金を含む被覆層と、を備え、前記積層体の一方の側の面にＸ線を入射させることによって発生する回折ピークをθ−２θ法で測定した場合の、前記銅層の銅結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕ｛２２０｝とし、前記被覆層のＣｕＮｉ結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕＮｉ｛２２０｝とするとき、ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝が０．５〜０．８の範囲内になっている、積層体である。
第２の本発明による積層体において、前記銅層の厚みが、８０〜２００ｎｍの範囲内になっており、前記被覆層の厚みが、１０〜５０ｎｍの範囲内になっていてもよい。
第１および第２の本発明による積層体において、好ましくは、積層体の一方の側の表面のインデンテーション硬度が４．８ＧＰａ以上になっている。
第１の本発明による積層体は、基材フィルムと、基材フィルムの一方の側に設けられ、結晶状態の銅を含む銅層と、銅層の一方の側の面上に設けられ、導電性を有する被覆層と、を備えている。そして、積層体の一方の側の面にＸ線を入射させることによって発生する回折ピークをθ−２θ法で測定した場合の、銅層の銅結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕ｛２２０｝とし、銅層の銅結晶の｛３１１｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕ｛３１１｝とするとき、ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝が１．６〜１．９の範囲内になっている。本件発明者らの研究結果によれば、ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝が上記範囲に入るよう積層体の銅層を構成することにより、被覆層の下地となる銅層の硬度を十分に確保することができる。これによって、積層体の製造工程やフィルムセンサの製造工程において、被覆層の表面が損傷されてしまうことを抑制することができる。
第２の本発明による積層体は、基材フィルムと、基材フィルムの一方の側に設けられ、結晶状態の銅を含む銅層と、銅層の一方の側の面上に設けられ、導結晶状態のＣｕＮｉ合金を含む被覆層と、を備えている。そして、積層体の一方の側の面にＸ線を入射させることによって発生する回折ピークをθ−２θ法で測定した場合の、銅層の銅結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕ｛２２０｝とし、被覆層のＣｕＮｉ結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕＮｉ｛２２０｝とするとき、ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝が０．５〜０．８の範囲内になっている。本件発明者らの研究結果によれば、ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝が上記範囲に入るよう積層体の銅層を構成することにより、銅層および被覆層の硬度を十分に確保することができる。これによって、積層体の製造工程やフィルムセンサの製造工程において、被覆層の表面が損傷されてしまうことを抑制することができる。
第１の実施の形態
以下、図１乃至図７を参照して、本発明の第１の実施の形態について説明する。はじめに図３を参照して、本実施の形態における積層体１０Ａについて説明する。
以下、図１乃至図７を参照して、本発明の第１の実施の形態について説明する。はじめに図３を参照して、本実施の形態における積層体１０Ａについて説明する。
積層体
図３は、積層体１０Ａを示す断面図である。図３に示すように、積層体１０Ａは、基材フィルム１２と、基材フィルム１２の一方の側の面１２ａ上に順に設けられた第１ハードコート層１３ａ、第１高屈折率層１４ａ、第１低屈折率層１５ａ、第１酸化珪素層１６ａ、第１透明導電層１７ａ、第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａと、を含んでいる。なお「一方の側」および後述する「他方の側」とは、積層体１０Ａの各層の位置関係を、積層体１０Ａの載置のされ方に依らず相対的に表現するための用語である。例えば図３に示す例においては、「一方の側」および「他方の側」がそれぞれ上側および下側に相当するが、「一方の側」および「他方の側」が意味する向きが上側および下側に限られることはなく、積層体１０Ａの向きに応じて「一方の側」および「他方の側」が意味する向きは変化する。
以下、基材フィルム１２、第１ハードコート層１３ａ、第１高屈折率層１４ａ、第１低屈折率層１５ａ、第１酸化珪素層１６ａ、第１透明導電層１７ａ、第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａについてそれぞれ説明する。
図３は、積層体１０Ａを示す断面図である。図３に示すように、積層体１０Ａは、基材フィルム１２と、基材フィルム１２の一方の側の面１２ａ上に順に設けられた第１ハードコート層１３ａ、第１高屈折率層１４ａ、第１低屈折率層１５ａ、第１酸化珪素層１６ａ、第１透明導電層１７ａ、第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａと、を含んでいる。なお「一方の側」および後述する「他方の側」とは、積層体１０Ａの各層の位置関係を、積層体１０Ａの載置のされ方に依らず相対的に表現するための用語である。例えば図３に示す例においては、「一方の側」および「他方の側」がそれぞれ上側および下側に相当するが、「一方の側」および「他方の側」が意味する向きが上側および下側に限られることはなく、積層体１０Ａの向きに応じて「一方の側」および「他方の側」が意味する向きは変化する。
以下、基材フィルム１２、第１ハードコート層１３ａ、第１高屈折率層１４ａ、第１低屈折率層１５ａ、第１酸化珪素層１６ａ、第１透明導電層１７ａ、第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａについてそれぞれ説明する。
（基材フィルム）
基材フィルム１２としては、十分な透光性を有するフィルムが用いられる。基材フィルム１２を構成する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、環状オレフィン・コポリマー（ＣＯＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などが挙げられる。基材フィルム１２の厚みは、例えば２５〜２００μｍの範囲内となっている。
基材フィルム１２としては、十分な透光性を有するフィルムが用いられる。基材フィルム１２を構成する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、環状オレフィン・コポリマー（ＣＯＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などが挙げられる。基材フィルム１２の厚みは、例えば２５〜２００μｍの範囲内となっている。
（ハードコート層）
第１ハードコート層１３ａは、擦り傷を防止するという目的や、層間の界面に低分子重合体（オリゴマー）が析出して白く濁ってみえることを防ぐという目的のために設けられる層である。第１ハードコート層１３ａとしては、例えばアクリル樹脂などが用いられる。なお図３に示すように、第１ハードコート層１３ａと同一の材料から構成された第２ハードコート層１３ｂが、基材フィルム１２の他方の面１２ｂ上にさらに設けられていてもよい。ハードコート層１３ａ，１３ｂの厚みは、例えば０．１〜１０μｍの範囲内となっている。
第１ハードコート層１３ａは、擦り傷を防止するという目的や、層間の界面に低分子重合体（オリゴマー）が析出して白く濁ってみえることを防ぐという目的のために設けられる層である。第１ハードコート層１３ａとしては、例えばアクリル樹脂などが用いられる。なお図３に示すように、第１ハードコート層１３ａと同一の材料から構成された第２ハードコート層１３ｂが、基材フィルム１２の他方の面１２ｂ上にさらに設けられていてもよい。ハードコート層１３ａ，１３ｂの厚みは、例えば０．１〜１０μｍの範囲内となっている。
（高屈折率層および低屈折率層）
第１高屈折率層１４ａは、基材フィルム１２を構成する材料よりも高い屈折率を有する材料から構成される層であり、一方、第１低屈折率層１５ａは、基材フィルム１２を構成する材料よりも低い屈折率を有する材料から構成される層である。これら第１高屈折率層１４ａおよび第１低屈折率層１５ａは、積層体１０Ａにおける光の透過率や反射率を調整するために基材フィルム１２と第１透明導電層１７ａとの間に任意に設けられるものである。第１高屈折率層１４ａおよび第１低屈折率層１５ａは、後述するように積層体１０Ａの第１透明導電層１７ａがパターニングされてフィルムセンサのセンサ電極となる場合に、センサ電極が設けられている領域と設けられていない領域との間の光の透過率および反射率の差を小さくするためのインデックスマッチング層として機能することができる。
第１高屈折率層１４ａは、基材フィルム１２を構成する材料よりも高い屈折率を有する材料から構成される層であり、一方、第１低屈折率層１５ａは、基材フィルム１２を構成する材料よりも低い屈折率を有する材料から構成される層である。これら第１高屈折率層１４ａおよび第１低屈折率層１５ａは、積層体１０Ａにおける光の透過率や反射率を調整するために基材フィルム１２と第１透明導電層１７ａとの間に任意に設けられるものである。第１高屈折率層１４ａおよび第１低屈折率層１５ａは、後述するように積層体１０Ａの第１透明導電層１７ａがパターニングされてフィルムセンサのセンサ電極となる場合に、センサ電極が設けられている領域と設けられていない領域との間の光の透過率および反射率の差を小さくするためのインデックスマッチング層として機能することができる。
第１高屈折率層１４ａの材料としては、例えば酸化ニオブやジルコニウムなどの高屈折率材料が用いられる。高屈折率材料を用いて第１高屈折率層１４ａを構成する具体的な方法が特に限られることはない。例えば第１高屈折率層１４ａは、高屈折率材料単体によって構成される膜であってもよく、若しくは、有機樹脂と、有機樹脂内に分散された高屈折率材料の粒子と、から構成されていてもよい。
第１低屈折率層１５ａの材料としては、例えば酸化珪素やＭｇＦ（フッ化マグネシウム）などの低屈折率材料が用いられる。低屈折率材料を用いて第１低屈折率層１５ａを構成する具体的な方法が特に限られることはない。例えば第１低屈折率層１５ａは、低屈折率材料単体によって構成される膜であってもよく、若しくは、有機樹脂と、有機樹脂内に分散された低屈折率材料の粒子と、から構成されていてもよい。例えば、有機樹脂および低屈折率材料の粒子を含む塗布液を、コーターを用いてコーティングすることによって、第１低屈折率層１５ａを形成することができる。
（酸化珪素層）
第１酸化珪素層１６ａは、酸化珪素の膜として形成される層である。第１酸化珪素層１６ａに含まれる酸化珪素の組成が特に限られることはなく、ＳｉＯｘ（ｘは任意の数）の組成を有する様々な酸化珪素が用いられるが、例えばｘ＝１．８となっている。
第１酸化珪素層１６ａは、酸化珪素の膜として形成される層である。第１酸化珪素層１６ａに含まれる酸化珪素の組成が特に限られることはなく、ＳｉＯｘ（ｘは任意の数）の組成を有する様々な酸化珪素が用いられるが、例えばｘ＝１．８となっている。
なお本実施の形態においては、上述の第１高屈折率層１４ａ、第１低屈折率層１５ａおよび第１酸化珪素層１６ａが積層体１０Ａに含まれている例について説明するが、しかしながら、第１高屈折率層１４ａ、第１低屈折率層１５ａおよび第１酸化珪素層１６ａは必ずしも設けられていなくてもよい。同様に、ハードコート層１３ａ，１３ｂも、必要に応じて任意に設けられる層である。従って、基材フィルム１２の一方の側の面１２ａや第１ハードコート層１３ａの一方の側の面に直接的に接するよう第１透明導電層１７ａが設けられることもある。
（透明導電層）
第１透明導電層１７ａは、後述するように、フィルムセンサのセンサ電極を形成するために用いられる層である。第１透明導電層１７ａを構成する材料としては、導電性を有しながら透光性を示す材料が用いられ、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの金属酸化物が用いられる。第１透明導電層１７ａの厚みは、積層体１０Ａから作製される透明電極またはセンサ電極における電気抵抗の仕様などに応じて適宜設定されるが、例えば１５〜４０ｎｍの範囲内となっている。
第１透明導電層１７ａは、後述するように、フィルムセンサのセンサ電極を形成するために用いられる層である。第１透明導電層１７ａを構成する材料としては、導電性を有しながら透光性を示す材料が用いられ、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの金属酸化物が用いられる。第１透明導電層１７ａの厚みは、積層体１０Ａから作製される透明電極またはセンサ電極における電気抵抗の仕様などに応じて適宜設定されるが、例えば１５〜４０ｎｍの範囲内となっている。
（銅層）
第１銅層１８ａは、銅を含む層である。例えば第１銅層１８ａは、９５ａｔｍ％以上の銅を含んでいる。本実施の形態において、第１銅層１８ａおよび上述の第１被覆層１９ａは、第１透明導電層１７ａからの信号を外部に取り出すための配線を形成するために用いられる層である。すなわち、第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａは、いわゆる額縁配線を形成するために用いられる層である。第１銅層１８ａの厚みは、額縁配線に対して求められる導電性に応じて適宜設定されるが、例えば８０〜２００ｎｍの範囲内になっている。
第１銅層１８ａは、銅を含む層である。例えば第１銅層１８ａは、９５ａｔｍ％以上の銅を含んでいる。本実施の形態において、第１銅層１８ａおよび上述の第１被覆層１９ａは、第１透明導電層１７ａからの信号を外部に取り出すための配線を形成するために用いられる層である。すなわち、第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａは、いわゆる額縁配線を形成するために用いられる層である。第１銅層１８ａの厚みは、額縁配線に対して求められる導電性に応じて適宜設定されるが、例えば８０〜２００ｎｍの範囲内になっている。
（被覆層）
ところで銅は一般に柔らかい。このため、仮に第１銅層１８ａが積層体１０Ａの最も外側の表面（以下、最表面とも称する）を構成するとした場合、積層体１０Ａの製造工程や、積層体１０Ａからフィルムセンサを作製するための工程において、積層体１０Ａの表面が損傷してしまうことが懸念される。第１被覆層１９ａは、このような損傷を防ぐために、第１銅層１８ａの一方の側の面上に設けられた層である。なお第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａは上述のように、第１透明導電層１７ａからの信号を外部に取り出すための配線を形成するための層である。従って、第１被覆層１９ａには、フィルムセンサの信号を取り出すためのフレキシブル基板の端子などが接続される。このため、第１被覆層１９ａには、単に第１銅層１８ａを保護するという役割だけでなく、信号を低抵抗で伝達するという役割も求められる。このような点を考慮し、第１被覆層１９ａは、導電性を有する金属材料から構成されている。例えば、第１被覆層１９ａは、ＣｕＮｉ合金を含んでいる。
ところで銅は一般に柔らかい。このため、仮に第１銅層１８ａが積層体１０Ａの最も外側の表面（以下、最表面とも称する）を構成するとした場合、積層体１０Ａの製造工程や、積層体１０Ａからフィルムセンサを作製するための工程において、積層体１０Ａの表面が損傷してしまうことが懸念される。第１被覆層１９ａは、このような損傷を防ぐために、第１銅層１８ａの一方の側の面上に設けられた層である。なお第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａは上述のように、第１透明導電層１７ａからの信号を外部に取り出すための配線を形成するための層である。従って、第１被覆層１９ａには、フィルムセンサの信号を取り出すためのフレキシブル基板の端子などが接続される。このため、第１被覆層１９ａには、単に第１銅層１８ａを保護するという役割だけでなく、信号を低抵抗で伝達するという役割も求められる。このような点を考慮し、第１被覆層１９ａは、導電性を有する金属材料から構成されている。例えば、第１被覆層１９ａは、ＣｕＮｉ合金を含んでいる。
ＣｕＮｉ合金は、銅に比べて高い硬度を有している。例えば、Ｃｕからなる第１銅層１８ａと、ＣｕＮｉからなる第１被覆層１９ａとについて、インデンテーション硬度をそれぞれ測定した場合、第１被覆層１９ａの方が第１銅層１８ａよりもインデンテーション硬度が高くなる。インデンテーション硬度とは、極小領域の硬度を評価するためのナノ・インデンテーション試験によって算出される硬度である。硬度の指標としてインデンテーション硬度を採用することにより、第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａの厚みが小さい場合であっても、例えば１μｍ以下の場合であっても、それらの硬度を適切に評価することができる。
第１被覆層１９ａの厚みは、積層体１０Ａに対して求められる耐擦傷性に応じて適宜設定されるが、例えば１０〜５０ｎｍの範囲内になっている。また、その最表面が第１被覆層１９ａによって構成されている積層体１０Ａの一方の側の表面のインデンテーション硬度は、好ましくは４．８〜５．１ＧＰａの範囲内になっている。なお上述のように、インデンテーション硬度は、極小領域の硬度を表すことができる。このため、積層体１０Ａの一方の側の表面のインデンテーション硬度は、第１被覆層１９ａのインデンテーション硬度とほぼ同義である。
ここで、本件発明者らが鋭意研究を重ねた結果、積層体１０Ａの表面の損傷を十分に抑制するためには、単に第１被覆層１９ａを設けるだけでは不十分であり、後述する実施例において示されるように、第１銅層１８ａや第１被覆層１９ａを構成する金属結晶において、所定の結晶面の比率が適切な範囲内になっていることが重要であることを見出した。
（ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝に関する条件）
はじめに、第１銅層１８ａに含まれる銅結晶の結晶面について説明する。後述するように、積層体１０Ａの一方の側の面にＸ線を入射させると、積層体１０Ａの最表層である第１被覆層１９ａに含まれるＣｕＮｉ結晶の回折ピークだけでなく、第１銅層１８ａに含まれる銅結晶の回折ピークも得られる。ここでは、回折ピークをθ−２θ法で測定した場合の、第１銅層１８ａの銅結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕ｛２２０｝とし、第１銅層１８ａの銅結晶の｛３１１｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕ｛３１１｝とする。この場合、本件発明者らの研究の成果によれば、ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝が適切な範囲内になっているとき、良好な耐擦傷性を有する積層体１０Ａを得ることができた。ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝の具体的な数値については、実施例において詳細に説明するが、例えば、ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝が１．６〜１．９の範囲内になっていることが、積層体１０Ａの耐擦傷性を高める上で有効である。より好ましくは、ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝は１．６４〜１．８８の範囲内になっている。
はじめに、第１銅層１８ａに含まれる銅結晶の結晶面について説明する。後述するように、積層体１０Ａの一方の側の面にＸ線を入射させると、積層体１０Ａの最表層である第１被覆層１９ａに含まれるＣｕＮｉ結晶の回折ピークだけでなく、第１銅層１８ａに含まれる銅結晶の回折ピークも得られる。ここでは、回折ピークをθ−２θ法で測定した場合の、第１銅層１８ａの銅結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕ｛２２０｝とし、第１銅層１８ａの銅結晶の｛３１１｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕ｛３１１｝とする。この場合、本件発明者らの研究の成果によれば、ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝が適切な範囲内になっているとき、良好な耐擦傷性を有する積層体１０Ａを得ることができた。ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝の具体的な数値については、実施例において詳細に説明するが、例えば、ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝が１．６〜１．９の範囲内になっていることが、積層体１０Ａの耐擦傷性を高める上で有効である。より好ましくは、ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝は１．６４〜１．８８の範囲内になっている。
ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝を上記範囲にすることによって積層体１０Ａの耐擦傷性が得られる理由は、特には限られないが、例えば、ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝を上記範囲にすることにより、第１銅層１８ａにおける、｛２２０｝面の結晶方位を有する銅結晶の比率が十分に高くなり、この結果、第１銅層１８ａの硬度が十分に高くなり、第１銅層１８ａ上に位置する第１被覆層１９ａが傷つきにくくなる、ということが考えられる。
（ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝に関する条件）
次に、第１銅層１８ａに含まれる銅結晶の所定の結晶面の比率と、第１被覆層１９ａに含まれるＣｕＮｉ結晶の所定の結晶面の比率との間の関係の適切な範囲について説明する。ここでは、回折ピークをθ−２θ法で測定した場合の、第１被覆層１９ａのＣｕＮｉ結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕＮｉ｛２２０｝とする。この場合、本件発明者らの研究の成果によれば、ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝が適切な範囲内になっているとき、良好な耐擦傷性を有する積層体１０Ａを得ることができた。ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝の具体的な数値については、実施例において詳細に説明するが、例えば、ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝が０．５〜０．８の範囲内になっていることが、積層体１０Ａの耐擦傷性を高める上で有効である。より好ましくは、ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝は０．５３〜０．７６の範囲内になっている。
次に、第１銅層１８ａに含まれる銅結晶の所定の結晶面の比率と、第１被覆層１９ａに含まれるＣｕＮｉ結晶の所定の結晶面の比率との間の関係の適切な範囲について説明する。ここでは、回折ピークをθ−２θ法で測定した場合の、第１被覆層１９ａのＣｕＮｉ結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕＮｉ｛２２０｝とする。この場合、本件発明者らの研究の成果によれば、ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝が適切な範囲内になっているとき、良好な耐擦傷性を有する積層体１０Ａを得ることができた。ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝の具体的な数値については、実施例において詳細に説明するが、例えば、ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝が０．５〜０．８の範囲内になっていることが、積層体１０Ａの耐擦傷性を高める上で有効である。より好ましくは、ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝は０．５３〜０．７６の範囲内になっている。
ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝を上記範囲にすることによって積層体１０Ａの耐擦傷性が得られる理由は、特には限られないが、例えば、ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝が上記範囲内にあることは、第１被覆層１９ａのＣｕＮｉ結晶の結晶化が十分に進行していることを意味し、このため、第１被覆層１９ａの硬度が十分に高くなり、この結果、積層体１０Ａの耐擦傷性が良好になる、ということが考えられる。
本実施の形態によれば、第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａを構成する金属結晶の結晶面に関する上述の知見に基づいて、高い耐擦傷性を有する積層体１０Ａを製造することができる。例えば、ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝またはＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝の少なくともいずれか一方に関する上述の条件を満たすことができる成膜条件を予め見出しておき、その成膜条件に沿って第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａを成膜することができる。ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝またはＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝を満たすことができる具体的な成膜条件は特には限られないが、例えば後述する実施例において示すように、第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａの成膜温度を高温にすること、例えば６０℃以上にすること、より具体的には６０℃〜１５０℃の範囲内にすることが考えられる。
ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝またはＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝に関する上述の条件を、製造された積層体１０Ａに対して実施する検査において利用してもよい。ここで、ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝またはＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝の値は、積層体１０Ａを破壊すること無く得られる。従って本実施の形態によれば、後述する学振試験などの、積層体１０Ａを実際に傷つける評価を実施することなく、製造された積層体１０Ａが有する耐擦傷性に関する指標を得ることができる。
〔積層体の変形例〕
なお図４に示すように、第２ハードコート層１３ｂの他方の側に順に設けられた第２高屈折率層１４ｂ、第２低屈折率層１５ｂ、第２酸化珪素層１６ｂおよび第２透明導電層１７ｂ、第２銅層１８ｂおよび第２被覆層１９ｂをさらに備えた積層体１０Ｂが提供されてもよい。すなわち、フィルムセンサのセンサ電極を構成するための透明導電層や、フィルムセンサの額縁配線を構成するための銅層および被覆層が、基材フィルム１２の一方の側だけでなく他方の側にも設けられていてもよい。これによって、後述するように、基材フィルム１２の両側にセンサ電極や額縁配線を形成することができる。なお本実施の形態においては、片側にのみ銅層および被覆層が設けられている積層体を符号１０Ａで表し、両側に銅層および被覆層が設けられている積層体を符号１０Ｂで表している。また後述する中間積層体についても、片側にのみ透明導電層が設けられている中間積層体を符号１１Ａで表し、両側に透明導電層が設けられている中間積層体を符号１１Ｂで表している。
なお図４に示すように、第２ハードコート層１３ｂの他方の側に順に設けられた第２高屈折率層１４ｂ、第２低屈折率層１５ｂ、第２酸化珪素層１６ｂおよび第２透明導電層１７ｂ、第２銅層１８ｂおよび第２被覆層１９ｂをさらに備えた積層体１０Ｂが提供されてもよい。すなわち、フィルムセンサのセンサ電極を構成するための透明導電層や、フィルムセンサの額縁配線を構成するための銅層および被覆層が、基材フィルム１２の一方の側だけでなく他方の側にも設けられていてもよい。これによって、後述するように、基材フィルム１２の両側にセンサ電極や額縁配線を形成することができる。なお本実施の形態においては、片側にのみ銅層および被覆層が設けられている積層体を符号１０Ａで表し、両側に銅層および被覆層が設けられている積層体を符号１０Ｂで表している。また後述する中間積層体についても、片側にのみ透明導電層が設けられている中間積層体を符号１１Ａで表し、両側に透明導電層が設けられている中間積層体を符号１１Ｂで表している。
第２高屈折率層１４ｂ、第２低屈折率層１５ｂ、第２酸化珪素層１６ｂ、第２透明導電層１７ｂ、第２銅層１８ｂおよび第２被覆層１９ｂを構成する材料は、上述の第１高屈折率層１４ａ、第１低屈折率層１５ａ、第１酸化珪素層１６ａ、第１透明導電層１７ａ、第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａを構成する材料と同一であるので、詳細な説明を省略する。
なお図４においては、１つの基材フィルム１２の両側に透明導電層、銅層および被覆層が設けられる例を示したが、しかしながら、両側にセンサ電極や額縁配線を形成するために用いられる積層体が、図４に示す積層体１０Ｂに限られることはない。例えば図５に示すように、図３に示す積層体１０Ａを２つ準備し、これらを、互いの第１被覆層１９ａが外側を向くように接着層５などを介して貼り合せることによって、積層体１０Ｂを作製してもよい。
次に図１および図２を参照して、上述の積層体１０Ａや積層体１０Ｂを製造するための積層体製造装置１について説明する。はじめに図１を参照して、積層体製造装置１全体について説明する。なおここでは、中間積層体１１Ａに対して成膜処理を実施することによって積層体１０を製造するための積層体製造装置１について説明する。中間積層体１１Ａは、図３に示す積層体１０Ａを製造する工程の途中で得られる中間生成物である。図３に示すように、中間積層体１１Ａは、基材フィルム１２と、基材フィルム１２の一方の側の面１２ａ上に順に設けられた第１ハードコート層１３ａ、第１高屈折率層１４ａ、第１低屈折率層１５ａ、第１酸化珪素層１６ａおよび第１透明導電層１７ａと、を含んでいる。
積層体製造装置
図１に示すように、積層体製造装置１は、中間積層体１１Ａを巻き出す巻出装置２０と、中間積層体１１Ａ上に第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａを設ける成膜装置３０と、第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａが設けられた中間積層体１１Ａを巻き取る巻取装置５０と、を備えている。
図１に示すように、積層体製造装置１は、中間積層体１１Ａを巻き出す巻出装置２０と、中間積層体１１Ａ上に第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａを設ける成膜装置３０と、第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａが設けられた中間積層体１１Ａを巻き取る巻取装置５０と、を備えている。
（成膜装置）
次に、積層体製造装置１の成膜装置３０について説明する。成膜装置３０における成膜方法としては、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤやイオンプレーティングなど様々な方法が採用され得るが、ここでは、成膜方法としてスパッタリングが用いられる例について図２を参照して説明する。
次に、積層体製造装置１の成膜装置３０について説明する。成膜装置３０における成膜方法としては、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤやイオンプレーティングなど様々な方法が採用され得るが、ここでは、成膜方法としてスパッタリングが用いられる例について図２を参照して説明する。
図２に示すように、成膜装置３０は、成膜処理が実施される成膜室３６と、中間積層体１１Ａが巻き付けられて搬送される成膜用搬送ドラム３８と、搬送される中間積層体１１Ａを案内するガイドローラー３９と、成膜室３６の内部の気体を外部に排出する成膜用真空排気機構３７と、搬送されている中間積層体１１Ａに対向するよう設けられ、中間積層体１１Ａ上に設けられる膜の原料となるターゲット材と、を備えている。図３に示す例においては、ターゲット材として、第１銅層１８ａの原料となる銅を含むターゲット材３１ａ，３２ａ，３３ａ、および、第１被覆層１９ａの原料となるＣｕＮｉ合金を含むターゲット材３４ａが設けられている。なお図２に示す例においては、第１銅層１８ａの成膜のために３つのターゲット材３１ａ，３２ａ，３３ａが用いられるが、これに限られることはなく、形成される層の種類や厚みに応じてターゲットの個数が適切に設定され得る。
成膜装置３０においては、はじめに成膜用真空排気機構３７によって成膜室３６の内部の気体を外部に排出し、これによって、成膜室３６内を真空状態とする。次に、不活性ガス供給装置（図示せず）によって成膜室３６内にアルゴンなどの不活性ガスを導入し、その後、放電装置によってターゲット材に放電電力を印加する。これによって、各ターゲット材からなる膜を中間積層体１１Ａ上に設けることができる。
図２に示すように、成膜装置３０の成膜室３６は、隔壁３６ａによって、第１ターゲット材３１ａを含む第１領域３１と、第２ターゲット材３２ａを含む第２領域３２と、第３ターゲット材３３ａを含む第３領域３３と、第４ターゲット材３４ａを含む第４領域３４と、その他の第５領域３５と、に区画されていてもよい。また図２に示すように、成膜用真空排気機構３７は、各領域３１〜３５にそれぞれ接続され、各領域３１〜３５の内部の気体を外部に排出する排気手段３１ｃ〜３５ｃを含んでいてもよい。これによって、ターゲット材ごとにターゲット材の周囲の雰囲気（真空度など）を調整することができ、このことにより、ターゲット材ごとに最適化された条件の下でスパッタリングを実施することができる。
成膜装置３０の搬送ドラム３８は、その表面に巻き付けられている中間積層体１１Ａを加熱するための加熱手段を含んでいてもよい。これによって、第１銅層１８ａや第１被覆層１９ａの成膜処理を適切な温度条件の下で実施することができるようになる。すなわち、第１銅層１８ａや第１被覆層１９ａを作製する際の成膜温度を制御することが可能になる。この場合、例えば成膜温度を高温にすることによって、第１銅層１８ａの銅の結晶化や、第１被覆層１９ａのＣｕＮｉ合金の結晶化を促すことができる。
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用および効果について説明する。ここでは、はじめに、上述の中間積層体１１Ａを製造する方法の一例について説明する。次に、中間積層体１１Ａを積層体製造装置１に供給して積層体１０Ａを製造する方法について説明する。その後、積層体をパターニングすることにより得られるフィルムセンサ６０について説明する。
中間積層体の製造方法
はじめに基材フィルム１２を準備する。次に、アクリル樹脂を含む塗布液を、コーターを用いて基材フィルム１２の両側にコーティングする。これによって、基材フィルム１２の両側にハードコート層１３ａ，１３ｂが形成される。次に、有機樹脂および有機樹脂内に分散された高屈折率材料の粒子、例えばジルコニウムの粒子を含む塗布液を、コーターを用いて第１ハードコート層１３ａの一方の側の面上にコーティングする。これによって、第１ハードコート層１３ａ上に第１高屈折率層１４ａが形成される。その後、有機樹脂および有機樹脂内に分散された低屈折率材料の粒子、例えば酸化珪素の粒子を含む塗布液を、コーターを用いて第１高屈折率層１４ａの一方の側の面上にコーティングする。これによって、第１高屈折率層１４ａ上に第１低屈折率層１５ａが形成される。その後、スパッタリング法などの真空成膜法を用いて、第１低屈折率層１５ａ上に第１酸化珪素層１６ａを形成する。同様に、スパッタリング法などの真空成膜法を用いて、第１酸化珪素層１６ａ上に第１透明導電層１７ａを形成する。このようにして中間積層体１１Ａを得ることができる。なお、第１酸化珪素層１６ａや第１透明導電層１７ａを形成するための真空成膜を実施するための装置は、上述の積層体製造装置１の中に、例えば上述の巻出装置２０と成膜装置３０との間に設けられたものであってもよく、または、積層体製造装置１からは分離されたものであってもよい。
積層体の製造方法
はじめに基材フィルム１２を準備する。次に、アクリル樹脂を含む塗布液を、コーターを用いて基材フィルム１２の両側にコーティングする。これによって、基材フィルム１２の両側にハードコート層１３ａ，１３ｂが形成される。次に、有機樹脂および有機樹脂内に分散された高屈折率材料の粒子、例えばジルコニウムの粒子を含む塗布液を、コーターを用いて第１ハードコート層１３ａの一方の側の面上にコーティングする。これによって、第１ハードコート層１３ａ上に第１高屈折率層１４ａが形成される。その後、有機樹脂および有機樹脂内に分散された低屈折率材料の粒子、例えば酸化珪素の粒子を含む塗布液を、コーターを用いて第１高屈折率層１４ａの一方の側の面上にコーティングする。これによって、第１高屈折率層１４ａ上に第１低屈折率層１５ａが形成される。その後、スパッタリング法などの真空成膜法を用いて、第１低屈折率層１５ａ上に第１酸化珪素層１６ａを形成する。同様に、スパッタリング法などの真空成膜法を用いて、第１酸化珪素層１６ａ上に第１透明導電層１７ａを形成する。このようにして中間積層体１１Ａを得ることができる。なお、第１酸化珪素層１６ａや第１透明導電層１７ａを形成するための真空成膜を実施するための装置は、上述の積層体製造装置１の中に、例えば上述の巻出装置２０と成膜装置３０との間に設けられたものであってもよく、または、積層体製造装置１からは分離されたものであってもよい。
積層体の製造方法
次に、積層体製造装置１を用いて中間積層体１１Ａの一方の側に第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａを形成し、これによって図３に示す積層体１０Ａを得る方法について説明する。
はじめに、巻出装置２０において、中間積層体１１Ａが巻回されたシャフト２１を準備し、次に、成膜装置３０に向けて中間積層体１１Ａを巻き出す。その後、以下に説明するように、中間積層体１１Ａを被成膜体として、スパッタリングによる成膜方法を実施する。
（銅層形成工程）
まず成膜装置３０の第１領域３１において、中間積層体１１Ａの第１透明導電層１７ａの一方の側の面上に第１銅層１８ａを形成する銅層形成工程を実施する。銅層形成工程においては、はじめに排気手段３１ｃによって第１領域３１の内部の気体を外部に排出し、これによって、第１領域３１内を真空状態とする。次に、不活性ガス供給装置（図示せず）によって第１領域３１内にアルゴンなどの不活性ガスを導入し、その後、放電装置によって第１ターゲット材３１ａに放電電力を印加する。これによって生じる、銅のスパッタリングによって、第１銅層１８ａを第１透明導電層１７ａ上に形成することができる。
まず成膜装置３０の第１領域３１において、中間積層体１１Ａの第１透明導電層１７ａの一方の側の面上に第１銅層１８ａを形成する銅層形成工程を実施する。銅層形成工程においては、はじめに排気手段３１ｃによって第１領域３１の内部の気体を外部に排出し、これによって、第１領域３１内を真空状態とする。次に、不活性ガス供給装置（図示せず）によって第１領域３１内にアルゴンなどの不活性ガスを導入し、その後、放電装置によって第１ターゲット材３１ａに放電電力を印加する。これによって生じる、銅のスパッタリングによって、第１銅層１８ａを第１透明導電層１７ａ上に形成することができる。
この際、搬送ドラム３８の温度、すなわち第１銅層１８ａの成膜温度は、得られる第１銅層１８ａの銅結晶において、所定の結晶面の比率が適切なものとなるよう、設定される。例えば、第１銅層１８ａの成膜温度は６０〜１５０℃の範囲内になっている。
第１領域３１の場合と同様に、第２領域３２および第３領域３３においても、第２ターゲット材３２ａおよび第３ターゲット材３３ａに放電電力を印加することによって、第１透明導電層１７ａ上に銅を成膜する。この際も、搬送ドラム３８の温度が適切に制御される。これによって、第１透明導電層１７ａ上に、所望の厚みを有する第１銅層１８ａを、適切な成膜温度で形成することができる。
（被覆層形成工程）
その後第１銅層１８ａの形成工程の場合と同様にして、第４ターゲット材３４ａを用いたスパッタリングにより、第４ターゲット材３４ａを構成するＣｕＮｉ合金からなる第１被覆層１９ａを第１銅層１８ａ上に形成することができる。
その後第１銅層１８ａの形成工程の場合と同様にして、第４ターゲット材３４ａを用いたスパッタリングにより、第４ターゲット材３４ａを構成するＣｕＮｉ合金からなる第１被覆層１９ａを第１銅層１８ａ上に形成することができる。
この際、搬送ドラム３８の温度、すなわち第１被覆層１９ａの成膜温度は、得られる第１被覆層１９ａのＣｕＮｉ結晶において、所定の結晶面の比率が適切なものとなるよう、設定される。例えば、第１被覆層１９ａの成膜温度は６０〜１５０℃の範囲内になっている。
（巻取工程）
その後、巻取装置５０において、中間積層体１１Ａと、中間積層体１１Ａ上に形成された第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａと、を含む積層体１０Ａが、シャフト５１によって巻き取られる。これによって、積層体１０Ａの巻回体が得られる。
その後、巻取装置５０において、中間積層体１１Ａと、中間積層体１１Ａ上に形成された第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａと、を含む積層体１０Ａが、シャフト５１によって巻き取られる。これによって、積層体１０Ａの巻回体が得られる。
本実施の形態によれば、ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝またはＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝の少なくともいずれか一方に関する上述の条件を満たすことができるよう予め設定された成膜条件、例えば成膜温度に基づいて、第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａを形成することができる。このため、優れた耐擦傷性を有する積層体１０Ａを得ることができる。
なお、上述のようにして得られた積層体１０Ａの基材フィルム１２の他方の側に、第２高屈折率層１４ｂ、第２低屈折率層１５ｂ、第２酸化珪素層１６ｂ、第２透明導電層１７ｂ、第２銅層１８ｂおよび第２被覆層１９ｂをさらに設け、これによって図４に示す積層体１０Ｂを作製してもよい。若しくは、図４に示す中間積層体１１Ｂをまず準備し、次に、積層体製造装置１の成膜装置３０を用いて中間積層体１１Ｂの一方の側に第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａを形成し、その後、積層体製造装置１の成膜装置３０を用いて中間積層体１１Ｂの他方の側に第２銅層１８ｂおよび第２被覆層１９ｂを形成し、これによって、図４に示す積層体１０Ｂを得てもよい。若しくは、上述のようにして得られた２つの積層体１０Ａを貼り合せることによって、図５に示す積層体１０Ｂを作製してもよい。
フィルムセンサの製造方法
次に、積層体の用途の一例として、本実施の形態による積層体をパターニングすることにより得られるフィルムセンサ（タッチパネルセンサ）６０について説明する。フィルムセンサ６０は、人の指などの被検出体の、フィルムセンサ６０に対する接触位置を検出するためのものである。フィルムセンサ６０は、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルなどの表示パネルの観察者側に設けられる。フィルムセンサ６０としては、被検出体からの圧力に基づいて接触箇所を検出する抵抗膜方式のフィルムセンサや、人の指などの被検出体からの静電気に基づいて接触箇所を検出する静電容量方式のフィルムセンサなど様々なタイプのものが知られている。ここでは、積層体１０Ｂをパターニングすることによって静電容量方式のフィルムセンサ６０を形成する例について、図６および図７を参照して説明する。図６は、フィルムセンサ６０を示す平面図であり、図７は、図６に示すフィルムセンサ６０の線VII−VIIに沿った断面図である。
次に、積層体の用途の一例として、本実施の形態による積層体をパターニングすることにより得られるフィルムセンサ（タッチパネルセンサ）６０について説明する。フィルムセンサ６０は、人の指などの被検出体の、フィルムセンサ６０に対する接触位置を検出するためのものである。フィルムセンサ６０は、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルなどの表示パネルの観察者側に設けられる。フィルムセンサ６０としては、被検出体からの圧力に基づいて接触箇所を検出する抵抗膜方式のフィルムセンサや、人の指などの被検出体からの静電気に基づいて接触箇所を検出する静電容量方式のフィルムセンサなど様々なタイプのものが知られている。ここでは、積層体１０Ｂをパターニングすることによって静電容量方式のフィルムセンサ６０を形成する例について、図６および図７を参照して説明する。図６は、フィルムセンサ６０を示す平面図であり、図７は、図６に示すフィルムセンサ６０の線VII−VIIに沿った断面図である。
図６に示すように、フィルムセンサ６０は、指などの外部導体の接近に起因する静電容量の変化を検出するためのセンサ電極６２ａ，６２ｂを備えている。センサ電極６２ａ，６２ｂは、基材フィルム１２の一方の側に配置され、図６の横方向に延びる第１センサ電極６２ａと、基材フィルム１２の他方の側に配置され、図６の縦方向に延びる第２センサ電極６２ｂと、からなっている。またフィルムセンサ６０は、第１センサ電極６２ａに接続された第１額縁配線６４ａと、第２センサ電極６２ｂに接続された第２額縁配線６４ｂと、をさらに備えている。また、各額縁配線６４ａ，６４ｂに接続され、各センサ電極６２ａ，６２ｂからの信号を外部へ取り出すための端子部６５ａ，６５ｂがさらに設けられていてもよい。
図７に示すように、センサ電極６２ａ，６２ｂは、積層体１０の透明導電層１７ａ、１７ｂをパターニングすることにより得られるものである。同様に、第１額縁配線６４ａは、積層体１０の第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａをパターニングすることにより得られるものである。また図７には示されていないが、第１端子部６５ａも、積層体１０の第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａをパターニングすることにより得られるものである。また第２額縁配線６４ｂおよび第２端子部６５ｂは、積層体１０の第２銅層１８ｂおよび第２被覆層１９ｂをパターニングすることにより得られるものである。透明導電層１７ａ，１７ｂ、銅層１８ａ，１８ｂおよび被覆層１９ａ，１９ｂをパターニングする方法としては、例えばフォトリソグラフィー法が用いられる。なお図７に示すように、積層体１０の酸化珪素層１６ａ，１６ｂは、センサ電極６２ａ，６２ｂや額縁配線６４ａ，６４ｂに対応したパターンを有するようパターニングされていてもよい。
本実施の形態によれば、額縁配線６４ａ，６４ｂは、結晶状態の銅を含む銅層１８ａ，１８ｂと、結晶状態のＣｕＮｉ合金を含む被覆層１９ａ，１９ｂと、を有している。また上述のように、銅層１８ａ，１８ｂおよび被覆層１９ａ，１９ｂは、ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝またはＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝の少なくともいずれか一方に関する上述の条件を満たすよう成膜されたものである。このため、フィルムセンサ６０の製造工程の間に被覆層１９ａ，１９ｂが傷ついてしまうことを抑制することができる。このことにより、表面の傷が低減された、または傷の無い額縁配線６４ａ，６４ｂを備えたフィルムセンサ６０を得ることができる。
第２の実施の形態
上述の第１の実施の形態においては、積層体の銅層および被覆層が、フィルムセンサの額縁配線を形成するための層として用いられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、積層体の銅層および被覆層は、フィルムセンサのセンサ電極を形成するための層として用いられてもよい。すなわち、いわゆるメッシュタイプのフィルムセンサを製造するための積層体として、上述の銅層および被覆層を備えた積層体が用いられてもよい。
上述の第１の実施の形態においては、積層体の銅層および被覆層が、フィルムセンサの額縁配線を形成するための層として用いられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、積層体の銅層および被覆層は、フィルムセンサのセンサ電極を形成するための層として用いられてもよい。すなわち、いわゆるメッシュタイプのフィルムセンサを製造するための積層体として、上述の銅層および被覆層を備えた積層体が用いられてもよい。
以下、図８乃至図１２を参照して、本発明の第２の実施の形態について説明する。はじめに図８を参照して、本実施の形態における積層体１０Ａについて説明する。なお、図８乃至図１２に示す第２の実施の形態において、図１乃至図７に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、第１の実施の形態において得られる作用効果が本実施の形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
積層体
図８は、積層体１０Ａを示す断面図である。図８に示すように、積層体１０Ａは、基材フィルム１２と、基材フィルム１２の一方の側の面１２ａ上に順に設けられた第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａと、を含んでいる。なお図８に示すように、第１ハードコート層１３ａと同一の材料から構成された第２ハードコート層１３ｂが、基材フィルム１２の他方の面１２ｂ上にさらに設けられていてもよい。
図８は、積層体１０Ａを示す断面図である。図８に示すように、積層体１０Ａは、基材フィルム１２と、基材フィルム１２の一方の側の面１２ａ上に順に設けられた第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａと、を含んでいる。なお図８に示すように、第１ハードコート層１３ａと同一の材料から構成された第２ハードコート層１３ｂが、基材フィルム１２の他方の面１２ｂ上にさらに設けられていてもよい。
また図９に示すように、第２ハードコート層１３ｂの他方の側に順に設けられた第２銅層１８ｂおよび第２被覆層１９ｂをさらに備えた積層体１０Ｂが提供されてもよい。すなわち、フィルムセンサのセンサ電極を構成するための銅層および被覆層が、基材フィルム１２の一方の側だけでなく他方の側にも設けられていてもよい。また図１０に示すように、図３に示す積層体１０Ａを２つ準備し、これらを、互いの第１被覆層１９ａが外側を向くように接着層５などを介して貼り合せることによって、積層体１０Ｂを作製してもよい。
本実施の形態による積層体１０Ａ，１０Ｂを製造する方法は、高屈折率層１４ａ、４ｂ、低屈折率層１５ａ，１５ｂ、酸化珪素層１６ａ，１６ｂおよび透明導電層１７ａ，１７ｂを形成する工程が省かれる点を除いて、上述の第１の実施の形態における積層体の製造方法と同一であるので、説明を省略する。
フィルムセンサの製造方法
次に、積層体の用途の一例として、本実施の形態による積層体をパターニングすることにより得られるフィルムセンサ（タッチパネルセンサ）６０について説明する。図１１は、フィルムセンサ６０を示す平面図であり、図１２は、図１１に示すフィルムセンサ６０の線XII−XIIに沿った断面図である。
次に、積層体の用途の一例として、本実施の形態による積層体をパターニングすることにより得られるフィルムセンサ（タッチパネルセンサ）６０について説明する。図１１は、フィルムセンサ６０を示す平面図であり、図１２は、図１１に示すフィルムセンサ６０の線XII−XIIに沿った断面図である。
図１１に示すように、本実施の形態において、センサ電極６２ａ，６２ｂは、網目状に配置された複数の導線７０ａ，７０ｂから構成されている。第１導線７０ａは、図１２に示すように、第１銅層１８ａと、第１銅層１８ａの一方の側の面上に設けられた第１被覆層１９ａと、を含んでいる。同様に第２導線７０ｂは、第２銅層１８ｂと、第２銅層１８ｂの他方の側の面上に設けられた第２被覆層１９ｂと、を含んでいる。なお、額縁配線６４ａ，６４ｂや端子部６５ａ，６５ｂも同様に導線７０ａ，７０ｂから構成されていてもよい。
本実施の形態によれば、センサ電極６２ａ，６２ｂを構成する導線７０ａ，７０ｂは、結晶状態の銅を含む銅層１８ａ，１８ｂと、結晶状態のＣｕＮｉ合金を含む被覆層１９ａ，１９ｂと、を有している。また上述のように、銅層１８ａ，１８ｂおよび被覆層１９ａ，１９ｂは、ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝またはＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝の少なくともいずれか一方に関する上述の条件を満たすよう成膜されたものである。このため、フィルムセンサ６０の製造工程の間に被覆層１９ａ，１９ｂが傷ついてしまうことを抑制することができる。このことにより、表面の傷が低減された、または傷の無いセンサ電極６２ａ，６２ｂを備えたフィルムセンサ６０を得ることができる。
次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
（サンプル１）
基材フィルム１２と、基材フィルム１２の一方の側に順に設けられた第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａと、を備えた積層体１０Ａを作製した。第１銅層１８ａは、９５ａｔｍ％以上の銅を含むよう、スパッタリング法によって成膜した。第１銅層１８ａの厚みは１４５ｎｍであった。また第１被覆層１９ａは、９５ａｔｍ％以上のＣｕＮｉ合金を含むよう、スパッタリング法によって成膜した。第１被覆層１９ａの厚みは３４ｎｍであった。第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａの成膜温度は室温（ＲＴ、約２５℃）とした。
基材フィルム１２と、基材フィルム１２の一方の側に順に設けられた第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａと、を備えた積層体１０Ａを作製した。第１銅層１８ａは、９５ａｔｍ％以上の銅を含むよう、スパッタリング法によって成膜した。第１銅層１８ａの厚みは１４５ｎｍであった。また第１被覆層１９ａは、９５ａｔｍ％以上のＣｕＮｉ合金を含むよう、スパッタリング法によって成膜した。第１被覆層１９ａの厚みは３４ｎｍであった。第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａの成膜温度は室温（ＲＴ、約２５℃）とした。
（サンプル２）
第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａの成膜温度を６０℃としたこと以外は、サンプル１の場合と同様にして、積層体１０Ａを作製した。
第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａの成膜温度を６０℃としたこと以外は、サンプル１の場合と同様にして、積層体１０Ａを作製した。
（サンプル３）
第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａの成膜温度を８０℃としたこと以外は、サンプル１の場合と同様にして、積層体１０Ａを作製した。
第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａの成膜温度を８０℃としたこと以外は、サンプル１の場合と同様にして、積層体１０Ａを作製した。
（サンプル４）
第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａの成膜温度を１００℃としたこと以外は、サンプル１の場合と同様にして、積層体１０Ａを作製した。
第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａの成膜温度を１００℃としたこと以外は、サンプル１の場合と同様にして、積層体１０Ａを作製した。
（サンプル５）
第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａの成膜温度を１５０℃としたこと以外は、サンプル１の場合と同様にして、積層体１０Ａを作製した。
第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａの成膜温度を１５０℃としたこと以外は、サンプル１の場合と同様にして、積層体１０Ａを作製した。
〔評価１ 回折ピーク〕
積層体１０Ａの一方の側の表面にＸ線を入射させ、第１銅層１８ａに含まれる銅結晶の回折ピーク、および、第１被覆層１９ａに含まれるＣｕＮｉ結晶の回折ピークを測定した。測定方法としては、図１３に示すように、θ−２θ法を採用した。測定器としては、（株）リガク製のＳｍａｒｔＬａｂを用いた。
積層体１０Ａの一方の側の表面にＸ線を入射させ、第１銅層１８ａに含まれる銅結晶の回折ピーク、および、第１被覆層１９ａに含まれるＣｕＮｉ結晶の回折ピークを測定した。測定方法としては、図１３に示すように、θ−２θ法を採用した。測定器としては、（株）リガク製のＳｍａｒｔＬａｂを用いた。
図１３に示すように、Ｘ線源８１から出射したＸ線Ｌ０は、積層体１０Ａの一方の側の表面から積層体１０Ａに、入射角θで入射する。積層体１０Ａに入射したＸ線Ｌ０は、第１銅層１８ａ中の銅結晶および第１被覆層１９ａ中のＣｕＮｉ結晶によってそれぞれ回折され、この結果、回折Ｘ線Ｌ１および回折Ｘ線Ｌ２が積層体１０Ａから出射する。Ｘ線Ｌ０の入射角θを変化させながら、検出器８２を用いて回折Ｘ線Ｌ１および回折Ｘ線Ｌ２の強度を測定することにより、第１銅層１８ａに含まれる銅結晶の回折ピーク、および、第１被覆層１９ａに含まれるＣｕＮｉ結晶の回折ピークを得ることができる。図１４に、サンプル１，２，４，５の積層体１０Ａにおいて得られた回折ピークを示す。図１４において、縦軸は、検出された回折Ｘ線Ｌ１および回折Ｘ線Ｌ２の強度（cps:count per sec.）を表しており、横軸は、入射角θを２倍した値（２θ）を表している。
図１４において、２θ＝７５°近傍の回折ピークは、銅結晶およびＣｕＮｉ結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークである。なおＣｕＮｉ結晶の格子定数は、銅結晶の格子定数とわずかに異なっており、このため、ＣｕＮｉ結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークは、銅結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークとはわずかに異なる位置に現れる。図１４において２θ＝７５°近傍に表れている回折ピークは、ＣｕＮｉ結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークと、銅結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークとが重なり合って形成されたものであり、このため２θ＝７５°近傍の回折ピークには、２つの極大値が現れている。２θの値が小さい側の極大値が、銅結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークに起因するものであり、２θの値が大きい側の極大値が、ＣｕＮｉ結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークに起因するものである。
図１４において、２θ＝９０°近傍の回折ピークは、銅結晶およびＣｕＮｉ結晶の｛３１１｝面に基づく回折ピークである。２θ＝７５°近傍の回折ピークの場合と同様に、ＣｕＮｉ結晶の｛３１１｝面に基づく回折ピークは、銅結晶の｛３１１｝面に基づく回折ピークとはわずかに異なる位置に現れる。
サンプル１，２，４，５について、第１銅層１８ａの銅結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さＰＣｕ｛２２０｝、第１銅層１８ａの銅結晶の｛３１１｝面に基づく回折ピークの高さＰＣｕ｛３１１｝、第１被覆層１９ａのＣｕＮｉ結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さＰＣｕＮｉ｛２２０｝、および、第１被覆層１９ａのＣｕＮｉ結晶の｛３１１｝面に基づく回折ピークの高さＰＣｕＮｉ｛３１１｝をそれぞれ算出した結果を表１に示す。単位は、図１４と同様にcpsである。また表１には、ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝、ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕＮｉ｛３１１｝、ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝およびＰＣｕＮｉ｛３１１｝／ＰＣｕ｛３１１｝の値も併せて示されている。
なお図１４に示すように、銅結晶の回折ピークおよびＣｕＮｉ結晶の回折ピークとは、互いに重なり合って現れる。従って、銅結晶の回折ピークの高さおよびＣｕＮｉ結晶の回折ピークの高さをそれぞれ個別に評価するためには、観測された回折ピークを２つに分離し、分離されたピークそれぞれの高さを算出する必要がある。図１５は、２θ＝７５°近傍の回折ピークが、銅結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークと、ＣｕＮｉ結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークとに分離され、そして各々の回折ピークの高さＰＣｕ｛２２０｝およびＰＣｕＮｉ｛２２０｝が算出される様子の概略を示す図である。
なお図１４に示すように、銅結晶の回折ピークおよびＣｕＮｉ結晶の回折ピークとは、互いに重なり合って現れる。従って、銅結晶の回折ピークの高さおよびＣｕＮｉ結晶の回折ピークの高さをそれぞれ個別に評価するためには、観測された回折ピークを２つに分離し、分離されたピークそれぞれの高さを算出する必要がある。図１５は、２θ＝７５°近傍の回折ピークが、銅結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークと、ＣｕＮｉ結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークとに分離され、そして各々の回折ピークの高さＰＣｕ｛２２０｝およびＰＣｕＮｉ｛２２０｝が算出される様子の概略を示す図である。
〔評価２ 耐擦傷性〕
サンプル１乃至５に係る積層体１０Ａの一方の側の表面の耐擦傷性を評価した。評価用の試験機としては、ＪＩＳ Ｋ ５７０１に準拠した学振試験機である、テスター産業（株）製のＡＢ−３０１型を用いた。試験条件は以下のとおりである。
・往復距離：２０ｍｍ
・往復速度：３００ｍｍ／ｓｅｃ
・往復回数：５０回
・試験荷重：２００ｇｆ
・ヘッド：白ネル（白ネルの柔面を積層体１０Ａの表面に接触させた）
ＡＢ−３０１型を用いてサンプル１〜５に係る積層体１０Ａの第１被覆層１９ａに摩擦を加えた後、各サンプルに係る積層体１０Ａの表面を、光学顕微鏡を用いて観察し、第１被覆層１９ａの表面に形成された傷の密度（傷面積率）を算出した。結果、サンプル１〜５に係る積層体１０Ａにおける傷面積率は、それぞれ２３．６％、６．６％、９．８％、１０．８％および１．２％であった。図１６（ａ）〜（ｅ）に、試験後のサンプル１〜５に係る積層体１０Ａの表面の観察結果をそれぞれ示す。
サンプル１乃至５に係る積層体１０Ａの一方の側の表面の耐擦傷性を評価した。評価用の試験機としては、ＪＩＳ Ｋ ５７０１に準拠した学振試験機である、テスター産業（株）製のＡＢ−３０１型を用いた。試験条件は以下のとおりである。
・往復距離：２０ｍｍ
・往復速度：３００ｍｍ／ｓｅｃ
・往復回数：５０回
・試験荷重：２００ｇｆ
・ヘッド：白ネル（白ネルの柔面を積層体１０Ａの表面に接触させた）
ＡＢ−３０１型を用いてサンプル１〜５に係る積層体１０Ａの第１被覆層１９ａに摩擦を加えた後、各サンプルに係る積層体１０Ａの表面を、光学顕微鏡を用いて観察し、第１被覆層１９ａの表面に形成された傷の密度（傷面積率）を算出した。結果、サンプル１〜５に係る積層体１０Ａにおける傷面積率は、それぞれ２３．６％、６．６％、９．８％、１０．８％および１．２％であった。図１６（ａ）〜（ｅ）に、試験後のサンプル１〜５に係る積層体１０Ａの表面の観察結果をそれぞれ示す。
上述のように、６０℃〜１５０℃の成膜温度で作製されたサンプル２〜５に係る積層体１０Ａにおいては、傷面積率が１１％以下になっていた。特に、１５０℃の成膜温度で作製されたサンプル５に係る積層体１０Ａにおいては、傷面積率が１．２％まで低減されていた。成膜温度を高くすることにより、第１銅層１８ａおよび第１被覆層１９ａにおける結晶化が促進され、これによって、高い耐擦傷性が得られたと考えられる。図１７に、横軸を成膜温度として、縦軸に傷面積率を描いたグラフを示す。図１７によれば、成膜温度と傷面積率の関係がより明確に理解され得る。
〔評価３ インデンテーション硬度〕
サンプル１乃至５に係る積層体の一方の側の表面におけるインデンテーション硬度を測定した。
具体的には、はじめに、所定の圧子を、各サンプルに係る積層体１０Ａの一方の側の表面に押し込んだ。この際、圧子の最大押し込み力を１５μＮにした状態での押し込み量を測定することにより、各サンプルに係る積層体１０Ａのインデンテーション硬度を算出した。結果、サンプル１〜５に係る積層体１０Ａにおけるインデンテーション硬度は、それぞれ３．４３ＧＰａ、４．８１ＧＰａ、５．０９ＧＰａ、５．０８ＧＰａおよび５．０７ＧＰａであった。なお、圧子を積層体１０Ａに押し込むための試験機としては、（株）エリオニクス製のＥＮＴ−２１００を用いた。
サンプル１乃至５に係る積層体の一方の側の表面におけるインデンテーション硬度を測定した。
具体的には、はじめに、所定の圧子を、各サンプルに係る積層体１０Ａの一方の側の表面に押し込んだ。この際、圧子の最大押し込み力を１５μＮにした状態での押し込み量を測定することにより、各サンプルに係る積層体１０Ａのインデンテーション硬度を算出した。結果、サンプル１〜５に係る積層体１０Ａにおけるインデンテーション硬度は、それぞれ３．４３ＧＰａ、４．８１ＧＰａ、５．０９ＧＰａ、５．０８ＧＰａおよび５．０７ＧＰａであった。なお、圧子を積層体１０Ａに押し込むための試験機としては、（株）エリオニクス製のＥＮＴ−２１００を用いた。
図１８に、横軸をインデンテーション硬度として、縦軸を傷発生率として、上記評価２および３の結果をプロットしたグラフを示す。なお図１８には、上述のサンプル１〜５以外のサンプルに係る積層体における、インデンテーション硬度と傷発生率との関係もプロットされている。
図１８に示すように、インデンテーション硬度がほぼ同一であっても、傷面積率が大きく異なる、というサンプルが存在していた。このことから、インデンテーション硬度だけでは、各サンプルに係る積層体の耐擦傷性を正確に予測することは困難であると言える。
図１８に示すように、インデンテーション硬度がほぼ同一であっても、傷面積率が大きく異なる、というサンプルが存在していた。このことから、インデンテーション硬度だけでは、各サンプルに係る積層体の耐擦傷性を正確に予測することは困難であると言える。
図１９に、第１被覆層１９ａのＣｕＮｉ結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さと、積層体１０Ａの表面に形成された傷の面積率並びに各積層体１０Ａにおけるインデンテーション硬度との関係を示す。図１９に示すように、ＣｕＮｉ結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さと、傷面積率との間には、高い相関が見られた。具体的には、ＣｕＮｉ結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さが大きくなるにつれて、傷面積率が小さくなった。このことから、積層体１０Ａの耐擦傷性は、第１被覆層１９ａにおけるＣｕＮｉ合金の｛２２０｝面の比率に密接に関係していると言える。なお図１９において、ＣｕＮｉ結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピーク高さがゼロであるサンプルは、上述のサンプル１〜５とは別に準備された、銅によって最表面が構成された積層体からなっている。また、ＣｕＮｉ結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピーク高さが２６２（cps）であるサンプルは、上述のサンプル３である。また、ＣｕＮｉ結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピーク高さが３１９（cps）であるサンプルは、上述のサンプル５である。
上述のように、積層体１０Ａの耐擦傷性は、第１被覆層１９ａにおけるＣｕＮｉ合金の結晶性の程度、すなわちＣｕＮｉ結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さＰＣｕＮｉ｛２２０｝に密接に関連している。ここで、表１に示すように、高い耐擦傷性が確認された、サンプル２，３，４，５に係る積層体１０Ａにおいては、ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝が０．５〜０．８の範囲内（より具体的には０．５３〜０．７６の範囲内）になっていた。一方、耐擦傷性が劣っていた、サンプル１に係る積層体１０Ａにおいては、ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝が０．４５になっていた。すなわち、耐擦傷性が劣っていたサンプルにおけるＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝の値は、優れた耐擦傷性を示したサンプルにおけるＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝の範囲から大きく逸脱していた。このことから、ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝が０．５〜０．８の範囲内になっていることは、積層体１０Ａの耐擦傷性を高める上で有効であると言える。
また表１に示すように、高い耐擦傷性が確認された、サンプル２，３，４，５に係る積層体１０Ａにおいては、ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝が１．６〜１．９の範囲内（より具体的には１．６４〜１．８８の範囲内）になっていた。一方、耐擦傷性が劣っていた、サンプル１に係る積層体１０Ａにおいては、ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝が１．２５になっていた。すなわち、耐擦傷性が劣っていたサンプルにおけるＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝の値は、優れた耐擦傷性を示したサンプルにおけるＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝の範囲から大きく逸脱していた。このことから、ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝が１．６〜１．９の範囲内になっていることは、積層体１０Ａの耐擦傷性を高める上で有効であると言える。
１ 積層体製造装置
５ 接着層
１０Ａ 積層体
１０Ｂ 積層体
１１Ａ 中間積層体
１１Ｂ 中間積層体
１２ 基材フィルム
１３ａ，１３ｂ ハードコート層
１４ａ，１４ｂ 高屈折率層
１５ａ，１５ｂ 低屈折率層
１６ａ，１６ｂ 酸化珪素層
１７ａ，１７ｂ 透明導電層
１８ａ，１８ｂ 銅層
１９ａ，１９ｂ 被覆層
２０ 巻出装置
３０ 成膜装置
３８ 搬送ドラム
５０ 巻取装置
６０ フィルムセンサ
６２ａ，６２ｂ センサ電極
６４ａ，６４ｂ 額縁配線
６５ａ，６５ｂ 端子部
７０ａ，７０ｂ 導線
５ 接着層
１０Ａ 積層体
１０Ｂ 積層体
１１Ａ 中間積層体
１１Ｂ 中間積層体
１２ 基材フィルム
１３ａ，１３ｂ ハードコート層
１４ａ，１４ｂ 高屈折率層
１５ａ，１５ｂ 低屈折率層
１６ａ，１６ｂ 酸化珪素層
１７ａ，１７ｂ 透明導電層
１８ａ，１８ｂ 銅層
１９ａ，１９ｂ 被覆層
２０ 巻出装置
３０ 成膜装置
３８ 搬送ドラム
５０ 巻取装置
６０ フィルムセンサ
６２ａ，６２ｂ センサ電極
６４ａ，６４ｂ 額縁配線
６５ａ，６５ｂ 端子部
７０ａ，７０ｂ 導線
Claims (11)
- フィルムセンサを作製するために用いられる積層体であって、
基材フィルムと、
前記基材フィルムの一方の側に設けられ、結晶状態の銅を含む銅層と、
前記銅層の一方の側の面上に設けられ、導電性を有する被覆層と、を備え、
前記銅層における銅の含有率は、９５ａｔｍ％以上であり、
前記積層体の一方の側の面にＸ線を入射させることによって発生する回折ピークをθ−２θ法で測定した場合の、前記銅層の銅結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕ｛２２０｝とし、前記銅層の銅結晶の｛３１１｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕ｛３１１｝とするとき、ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝が１．６〜１．９の範囲内になっている、積層体。 - 前記被覆層が、結晶状態のＣｕＮｉ合金を含み、
前記積層体の一方の側の面にＸ線を入射させることによって発生する回折ピークをθ−２θ法で測定した場合の、前記被覆層のＣｕＮｉ結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕＮｉ｛２２０｝とするとき、ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝が０．５〜０．８の範囲内になっている、請求項１に記載の積層体。 - 前記銅層の厚みが、８０〜２００ｎｍの範囲内になっており、
前記被覆層の厚みが、１０〜５０ｎｍの範囲内になっている、請求項２に記載の積層体。 - タッチパネルセンサを作製するために用いられる積層体であって、
基材フィルムと、
前記基材フィルムの一方の側に設けられ、結晶状態の銅を含む銅層と、
前記銅層の一方の側の面上に設けられ、結晶状態のＣｕＮｉ合金を含む被覆層と、を備え、
前記積層体の一方の側の面にＸ線を入射させることによって発生する回折ピークをθ−２θ法で測定した場合の、前記銅層の銅結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕ｛２２０｝とし、前記被覆層のＣｕＮｉ結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕＮｉ｛２２０｝とするとき、ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝が０．５〜０．８の範囲内になっている、積層体。 - 前記銅層の厚みが、８０〜２００ｎｍの範囲内になっており、
前記被覆層の厚みが、１０〜５０ｎｍの範囲内になっている、請求項４に記載の積層体。 - 積層体の一方の側の表面のインデンテーション硬度が４．８ＧＰａ以上になっている、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の積層体。
- フィルムセンサを作製するために用いられる積層体の製造方法であって、
前記積層体は、
基材フィルムと、
前記基材フィルムの一方の側に設けられ、結晶状態の銅を含む銅層と、
前記銅層の一方の側の面上に設けられ、導電性を有する被覆層と、を備え、
前記銅層における銅の含有率は、９５ａｔｍ％以上であり、
前記製造方法は、
前記基材フィルムの一方の側に６０〜１５０℃の成膜温度で前記銅層を成膜する工程と、
前記銅層の一方の側の面上に６０〜１５０℃の成膜温度で前記被覆層を成膜する工程と、を備える、積層体の製造方法。 - 前記積層体の一方の側の面にＸ線を入射させることによって発生する回折ピークをθ−２θ法で測定した場合の、前記銅層の銅結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕ｛２２０｝とし、前記銅層の銅結晶の｛３１１｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕ｛３１１｝とするとき、ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝が１．６〜１．９の範囲内になっている、請求項７に記載の積層体の製造方法。
- 前記製造方法は、前記積層体の一方の側の面にＸ線を入射させることによって発生する回折ピークをθ−２θ法で測定し、ＰＣｕ｛２２０｝／ＰＣｕ｛３１１｝が１．６〜１．９の範囲内になっていることを検査する工程を更に備える、請求項８に記載の積層体の製造方法。
- 前記被覆層が、結晶状態のＣｕＮｉ合金を含み、
前記積層体の一方の側の面にＸ線を入射させることによって発生する回折ピークをθ−２θ法で測定した場合の、前記被覆層のＣｕＮｉ結晶の｛２２０｝面に基づく回折ピークの高さをＰＣｕＮｉ｛２２０｝とするとき、ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝が０．５〜０．８の範囲内になっている、請求項７乃至９のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。 - 前記製造方法は、前記積層体の一方の側の面にＸ線を入射させることによって発生する回折ピークをθ−２θ法で測定し、ＰＣｕＮｉ｛２２０｝／ＰＣｕ｛２２０｝が０．５〜０．８の範囲内になっていることを検査する工程を更に備える、請求項１０に記載の積層体の製造方法。
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