TWI581162B - Transparent conductive film, transparent conductive film manufacturing method and touch panel - Google Patents
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Description
本發明關於適合靜電容量方式的觸控面板之透明導電膜、適合該透明導電膜之製造的透明導電膜之製造方法、及使用該透明導電膜之觸控面板。
近年來,作為輸入裝置,可使用觸控面板。觸控面板係藉由觸摸顯示畫面上的顯示部位而可操作機器之輸入裝置。作為觸控面板,已知有電阻膜方式、靜電容量方式等之形式。
電阻膜方式係具備相向的2片電阻膜之方式。於對單方的電阻膜施加電壓之狀態下,若按壓電阻膜,則所按壓的電阻膜側係接觸相向的電阻膜,測知對應於所按壓的位置之電壓下降。藉此,測知所操作的地方。
靜電容量方式係補捉指尖等的靜電導電性之部位與導電膜之間的靜電容量之變化,檢測出指尖等的位置之方式。藉由在顯示畫面上配置透明導電部與非導電部,自指尖接近透明導電部時的靜電容量之變化來測知指尖的位置。又,於靜電容量方式中,藉由重疊不同配線形狀的透明導電膜,可多點檢測,更直感的操作之實現係為可能。
於如上述的觸控面板中,基於設計上之請求等,要求使透明導電部與非導電部之形狀不顯眼的不可見性對策。又,要求觸控面板的導電膜或配線之保護。於該情況下,要求全光線透過率或霧度、透過色相(transmission hue)b*等光學特性。
例如,於靜電容量式觸控面板中,有提案以視覺辨認性經提高的觸控面板為取向之透明導電膜(參照專利文獻1)。
專利文獻1 國際公開第WO2006/126604號
作為靜電容量方式之觸控面板,並無形成不可見的透明導電部與非導電部,已保護透明導電膜的導電部、非導電部及配線部之兩面導電膜構成者。
因此,本發明係為了解決上述問題而完成者,目的在於提供恰當地保護透明導電部、非導電部及配線部,同時光學特性優異之透明導電膜。
本發明之透明導電膜具備:透明基板、設於透明基板之兩面的光學調整層、設於光學調整層各自之上的透明導電層、連接於透明導電層的配線、設於透明導電膜之至少一面且被覆透明導電層及配線之保護
層。保護層之厚度為1μm以上50μm以下。以基板層、光學調整層、透明導電層與保護層來構成第1多層構造,穿透第1多層構造的光之透過色相b*為1.5以下。
又,本發明之觸控面板具備上述的透明導電膜。
於本發明的透明導電膜之製造方法中,在透明基板之兩面上形成透明導電部與非導電部,形成連接於透明導電部的配線部,於透明導電膜之至少一面,形成被覆透明導電部的保護層。
本發明的透明導電膜係藉由在至少一面上形成保護層,而在使用於觸控面板時,可保護其防止損傷所造成的斷線等,且可亦壓低透過色相b*而作成。因此,可提供導電膜面經保護的靜電容量方式之觸控面板。
1‧‧‧基材
2、3‧‧‧硬塗層
4、5‧‧‧高折射率層
6、7‧‧‧低折射率層
8、9‧‧‧透明導電層
10、11‧‧‧配線
12‧‧‧透明導電部
13‧‧‧非導電部
14‧‧‧保護層
20‧‧‧透明導電膜
21‧‧‧透明基板
22、23‧‧‧光學調整層
24‧‧‧基材
第1圖係顯示實施形態1的透明導電膜之一例之概略截面圖。
第2圖係顯示實施形態1的變化例之透明導電膜的一例之概略截面圖。
第3圖係實施形態1的透明導電膜之概略平面圖。
第4圖係顯示實施形態2的透明導電膜之一例之概略截面圖。
第5圖係實施形態2的透明導電膜之概略平面圖。
以下,對於實施形態的透明導電膜進行說明。
第1圖係顯示實施形態1的透明導電膜之一例之概略截面圖。
透明導電膜20具備:透明基板21、分別設置於透明基板21之兩面的光學調整層22、23、分別設置於光學調整層22、23上的透明導電層8、9、分別連接於透明導電層8、9的配線10、11、於透明導電膜20之一面被覆透明導電層8及配線10的保護層14。
本實施形態中,透明基板21係由基材1與設於基材1之兩面上的硬塗層2、3所構成。
基材1係以具有可見光穿透性的材料所形成。於基材中,例如可使用(1)無機玻璃、(2)聚烯烴(聚乙烯、聚丙烯等)、聚酯(聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等)、聚醯胺(尼龍6、尼龍66等)、聚醯亞胺、聚芳酯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚碸(polyethersulfone)、聚碸等之透明樹脂。又,基材1係可為使上述例示的透明樹脂無延伸.延伸之塑膠薄膜。又,基材1亦可為積層有複數的材料之複合薄膜。
又,基材1之厚度較佳在10μm以上200μm以下左右之範圍內。惟,於本發明的透明導電膜20中,基材1之厚度係不受此範圍所限定。
另外,可對基材1的一面或兩面進行表面處理。藉由進行表面處理,可使所積層的層強固地黏著於基材1的表面。於表面處理中,例如可使用易黏著處理、電漿處理、電暈處理、臭氧處理等之方法。
硬塗層2、3係設於基材1的表面上,提高基材1的機械強度、耐磨性等。作為硬塗層2、3所使用之材料,可利用具有可見光穿透性的材料。例如,可使用(1)丙烯酸酯類、丙烯醯胺類、甲基丙烯酸酯類、甲基丙烯醯胺類等之丙烯酸系樹脂、(2)有機矽系樹脂、(3)熱硬化型聚矽氧烷樹脂等之透明樹脂作為硬塗層2、3之材料。
作為硬塗層2、3之形成方法,可藉由符合硬塗層2、3的形成材料之薄膜形成方法來進行。硬塗層2、3例如可使主成分的如上述之樹脂與吸收紫外線的材料溶解於溶劑中以調製塗液,使用模式塗佈機、簾幕流動塗佈機(curtain flow coater)、輥塗機、逆輥塗機、凹槽輥塗佈機、刀塗機、桿塗機、旋塗機、微凹槽輥塗佈機等,將該塗液塗佈於基材上,藉由紫外線之照射等使塗膜硬化而形成。
又,硬塗層較佳為設置在基材1的兩面上。於該情況下,藉由調節表裏的硬塗層之膜厚,可儘可能地對稱地調整透明導電膜20的表裏之應力。藉由調整表裏的應力,可抑制撓曲之發生等,可將透明電極膜20合適地組入觸控面板中。惟,亦可以用僅一面設置有硬塗層的基材1來構成透明基板21,也可以用未設置硬塗層的基材1來構成透明基板21。
另外,硬塗層2、3之厚度較佳在1μm以上10μm以下左右之範圍內。惟,硬塗層2、3之厚度係不受上述範圍所限定。
透明導電層8、9係可用具有可見光穿透過性且具有導電性的材料來形成。作為透明導電層8、9之材料,例如可使用氧化銦錫(ITO:Indium Tin Oxide)、氧化鋅、碳奈米管、石墨烯、奈米銀、導電性高分子樹脂(含有具有離子傳導機構的4級銨鹽系導電性單體、具有電子傳導機構的導電性微粒子、π共軛系導電性高分子等之樹脂)等。
又,使用ITO作為透明導電層8、9之材料時,透明導電層8、9之光學膜厚較佳在30nm以上80nm以下之範圍內。當透明電極層8之光學膜厚比30nm薄時,膜厚係薄而得不到充分的導電性能。另外,當透明導電層8、9之光學膜厚比80nm厚時,所得之薄膜的透過率降低,光學特性降低。惟,於本實施形態的透明導電膜20中,將ITO之薄膜如後述地圖案化而形成透明導電層8、9時,透明導電層8、9之光學膜厚係不受上述範圍所限定。
於本實施形態中,透明導電層8、9係在使用透明的導電性材料形成薄膜後,藉由將所形成的薄膜圖案化成指定形狀而形成。藉由圖案化,於透明導電層8、9中,形成設置在透明導電部12與鄰接的透明導電部12之間的無導電性之非導電部13。透明導電部12係在圖案化後透明導電性材料殘留之部分,非導電部13
係已藉由圖案化而去除透明導電性材料之部分。例如,當使用透明導電膜20於觸控面板時,透明導電層8、9係成為觸控面板之透明電極。此時,於透明導電層8中,設置在指定方向延伸的條紋狀之透明導電部12,於透明導電層9中,設置在與該指定方向呈正交的方向延伸的條紋狀之透明導電部12。
又,光學調整層22、23係自透明基板21側起依順序積層高折射率層4、5及低折射率層6、7而使用。藉由積層折射率不同之層,使在不同層的界面之反射光彼此之相位反轉及打消,而可減輕反射光。因此,可減輕自透明基板21側所發出的反射光,可使靠近觀察側的透明導電圖案電極(透明導電層8之透明導電部12)之視覺辨認變得困難。作為一例,於本實施形態中,高折射率層4、5係金屬氧化物層,低折射率層6、7係氧化矽層。再者,「高折射率層及低折射率層」中的高折射率及低折射率,係藉由相對的大小來區別一方的層之折射率與另一方的層之折射率者。即,高折射率層的折射率係相對地高於低折射率層的折射率。又,由於所減輕的反射光之頻帶係可藉由各層的折射率及光學膜厚來控制,故各層的物理膜厚係可對應於欲阻礙的頻帶來適宜地光學設計、決定。再者,光學調整層22、23係可由3個以上之層所構成。
例如,透明基材1與硬塗層2、3之折射率在1.5以上1.7以下之範圍,作為透明導電層8、9,使用氧化銦錫的薄膜(光學膜厚:30nm以上80nm以下)
時,藉由將高折射率層(折射率:1.7以上2.6以下,光學膜厚:5nm以上25nm以下)與低折射率層(折射率:1.3以上1.5以下,光學膜厚:50nm以上100nm以下)予以積層,可減輕在可見光下氧化銦錫所特有的黃色調。作為滿足上述範圍的高折射率層及低折射率層之材料的組合,例如可舉出高折射率層:氧化鈮(Nb2O5)、低折射率層:氧化矽(SiOX「x為氧原子之數」)之組合等。作為可使用於高折射率層4、5之材料,除了Nb2O5,還可例示ZnO、TiO2、CeO2、Sb2O5、SnO2、Y2O3、La2O3、ZrO2、Al2O3。
作為高折射率層4、5及低折射率層6、7之形成方法,可藉由符合高折射率層及低折射率層之形成材料的薄膜形成方法來進行。例如,可使用(1)網版印刷、噴墨印刷等之塗佈法、(2)磁控濺鍍法、照射加速電子束之EB蒸鍍法等之物理真空蒸鍍法(PVD)、化學氣相沉積法(CVD)等之氣相成膜方法等。特別地,由於氣相成膜方法可嚴密地進行膜厚控制,可調整至所欲的光學膜厚,故較佳為使用氣相成膜方法。
配線10、11係在透明導電膜20之周緣部,連接於透明導電層8、9。配線10、11係配置在透明導電膜20上,但不與和透明導電膜20組合的影像顯示裝置之影像顯示區域互相重疊。於本實施形態的透明導電膜20中,配線10、11之材料係可由具有導電性且加工性優異的材料中適宜選擇而使用。例如可使用銅、銀、金等之金屬作為配線10、11之材料。
又,配線10、11之厚度較佳在0.1μm以上2μm以下左右之範圍內。惟,配線10、11之厚度係不受此範圍所限定。
保護層14係在透明電極膜20之一面,以覆蓋透明導電部12、非導電部13及配線10之方式設置。保護層14係用於保護透明導電部12、非導電部13及配線10。於本實施形態中,僅在透明導電膜20的一面設置保護層14,但亦可在透明電極膜20之兩面設置保護層14。又,藉由設置保護層14,由於可減小透明導電部12及非導電部13的光學特性之差異,故可使透明導電部12及非導電部13難以視覺辨認。
保護層14係使用具有絕緣性且薄膜形成性優異之材料來形成。於保護層14之材料中,例如可使用(1)丙烯酸酯類、丙烯醯胺類、甲基丙烯酸酯類、甲基丙烯醯胺類等之丙烯酸系樹脂,(2)有機矽系樹脂、(3)熱硬化型聚矽氧烷樹脂、(4)氧化矽等。
保護層14之厚度較佳為1μm以上50μm以下左右。又,保護層14之透過色相b*較佳在-1.0以上0.5以下左右之範圍內。無保護層14的透明電極膜,由於起因於構成透明導電層8的材料所造成的全體帶有黃色調,透過色相b*變大。因此,藉由設置透過色素b*在-1.0以上0.5以下左右之範圍的稍微帶藍色調的保護層14,可將透明導電膜20全體之透過色相b*(無配線10、11之部分的透過色相b*)控制在1.5以下,可抑制黃色調。再者,所謂的透過色相b*,係指以L*a*
b*表色系(D65光源、2°視野)表示透過光之色時的b*者。惟,保護層14之厚度係不受此範圍所限定。又,保護層14之透過色相b*更佳為-0.5以上0以下。
作為保護層14之形成方法,可藉由符合保護層14的形成材料之薄膜形成方法來進行。保護層14例如可藉由使主成分的如上述之樹脂與吸收紫外線的材料溶解於溶劑中以調製塗液,使用模式塗佈機、簾幕流動塗佈機、輥塗機、逆輥塗機、凹槽輥塗佈機、刀塗機、桿塗機、旋塗機、微凹槽輥塗佈機等,將該塗液塗佈於保護層14之被形成面後,藉由紫外線之照射等使塗膜硬化而形成。或者,亦可採用積層方式,將作為保護層14的另外形成之薄膜等貼合於導電面而使用。
第2圖係顯示實施形態1的變化例之透明導電膜的一例之概略截面圖。
變化例之透明導電膜20係在透明基板21的基材24為積層體之點,與第1圖所示之例相異。變化例之基材24係依順序積層有薄膜基材15、光學黏著層17與薄膜基材16之積層體。作為薄膜基材15、16,可利用與上述基材1相同的材料所形成之薄膜。於光學黏著層17,可利用丙烯酸系樹脂、聚矽氧系樹脂、橡膠系樹脂。又,於光學黏著層17,可利用具有UV吸收性能的黏著劑或薄膜狀或液狀之黏著劑。光學黏著層17之厚度較佳在1μm以上150μm以下左右之範圍內。藉由在此基材24之兩面上積層硬塗層2、3,而構成透明基板21。再者,積層於透明基板21上之光學調整層22、23(高折
射率層4、5、低折射率層6、7)、透明導電層8、9(透明導電部12、非導電部13)、配線10及11、保護層14,由於與第1圖中說明者相同,故省略重複之說明。
第3圖係顯示第1圖及第2圖中所示的透明導電膜之概略平面圖。
透明導電部12、非導電部13及配線部10、11,由於被保護層14從外部遮蔽,在第2圖中以虛線表示。保護層14係以覆蓋透明導電部12、非導電部13、配線部10、11之方式來形成。
此處,於第1圖及第2圖所示的透明導電膜20中,穿透由透明基板21、光學調整層22、23、透明導電層8、9與保護層14所構成的第1積層構造之光的透過色相b*為1.5以下。再者,所謂的透過色相b*,係指以L*a*b*表色系(D65光源、2°視野)表示透過光之色時的b*者。當透明導電膜的第1積層構造部分(無配線10、11之部分)之透過色相b*比1.5大時,透明導電膜之全體會帶有黃色調。若使用透過色相b*比1.5大的透明導電膜於觸控面板,則畫面會帶有黃色調,畫質變差。為了抑制透明電極膜20帶有色調,穿透第1積層構造的光之透過色相b*較佳為-3.0以上。又,第1積層構造的透過色相b*更佳為0以上1.0以下。此時,可進一步抑制透明電極膜20帶有色調。
再者,為了使透明導電膜之透過色相b*成為1.5以下,例如可採用保護層14為2層以上之積層體而且因干渉而帶有藍色調之構成。又,亦可以用含有
使保護層14之全體帶有藍色調的材料之材料來形成保護層14。
如以上說明,於本實施形態的透明導電膜20中,設置用於保護透明導電部12、非導電部13及配線10之保護層14,但第1積層構造(即無設置配線10、11之部分)之透過色相b*係被抑制在1.5以下。因此,依照本實施形態,可實現保護透明導電部12、非導電部13及配線10,同時光學特性優異之透明電極膜。
第1圖及第2圖中所示的透明導電膜20係可利用作為觸控面板之構成構件。藉由使用透明導電膜20,可實現因保護層14而提高耐擦傷性(scratch resistance),高透過率.高透明性等之光學特性優異,更且透明導電部8、9不顯眼之靜電容量方式的觸控面板。
以下,對於本發明的透明導電膜之製造方法進行說明。
首先,於透明基板21上形成透明導電層8、9的形成材料之薄膜,藉由在該薄膜形成圖案,而形成透明導電部12與非導電部13。
使用透明導電層8、9的形成材料來形成薄膜者,係可按照透明導電層8、9的形成材料,使用適合的薄膜形成方法。例如,可使用(1)網版印刷、噴墨印刷等之塗佈法、(2)磁控濺鍍法、照射加速電子束的EB蒸鍍法等之物理真空蒸鍍法(PVD)、化學氣相沉積法(CVD)等之氣相成膜方法等。特別地,使用ITO於透明
導電部的材料時,若藉由氣相成膜方法來形成ITO薄膜,則電荷密度升高,導電性亦有升高之傾向,故較宜使用氣相成膜方法。
對於透明導電層8、9的形成材料之薄膜進行圖案形成者,係可按照透明導電層8、9的形成材料,使用適合的圖案化方法。例如,可於薄膜上形成與所欲圖案對應之蝕刻遮罩,藉由浸漬在蝕刻液中,而在薄膜形成圖案。作為其它的圖案化方法,例如可使用網版印刷、光學微影術、奈米壓印、電子束微影等。又,作為蝕刻液,例如可使用氯化鐵液、王水、鹽酸、草酸等。
其次,形成配線10、11的形成材料之薄膜,形成與透明導電部連接的配線10、11。
使用配線10、11的形成材料來形成薄膜者,係可按照配線10、11的形成材料,使用適宜的薄膜形成方法。例如,可使用(1)網版印刷、噴墨印刷等之塗佈法、(2)磁控濺鍍法、照射加速電子束的EB蒸鍍法等之物理真空蒸鍍法(PVD)、化學氣相沉積法(CVD)等之氣相成膜方法等。又,亦可對於配線形成材料之薄膜施予圖案化,於一層中形成複數條之配線。
對於配線10、11的形成材料之薄膜進行圖案形成者,係可按照配線10、11所選擇的材料,使用適合的圖案化方法。例如,可於薄膜上形成與所欲圖案對應之蝕刻遮罩,藉由浸漬在蝕刻液中,而在薄膜形成
圖案。作為其它的圖案化方法,例如可使用網版印刷、光學微影術、奈米壓印、電子束微影等。又,作為蝕刻液,例如可使用氯化鐵液、王水、鹽酸、草酸等。
其次,形成保護層14的形成材料之薄膜,以覆蓋透明導電部12、非導電部13及配線10之方式,形成保護層14。
使用保護層14的形成材料來形成薄膜者,係可按照保護層14所選擇的材料,使用適合的薄膜形成方法。例如,可使用(1)網版印刷、噴墨印刷等之塗佈法、(2)積層加工等之貼合法等。
再者,透明導電層及配線由於必須形成在透明基板21之兩面,故於上述透明導電層形成步驟及配線形成步驟之各自中,對於透明基板21之兩面,形成透明導電層及配線。此時,各步驟中的薄膜形成及圖案形成之順序,係按照所採用的薄膜形成方法及圖案化方法來適宜決定。
又,光學調整層22、23係可藉由依眾所周知的多層薄膜形成方法,自透明基板21側起,依順序將高折射率層4、5的薄膜與低折射率層6、7的薄膜予以成膜而形成。
另外,如第2圖之透明導電膜20,當以貼合有2片薄膜基材15、16的積層體作為基材時,亦可在薄膜基材15及16之各自上形成硬塗層、光學調整層、透明導電層、配線後,經由光學黏著層17貼合薄膜基材
15及16。此時,保護層14係可在薄膜基材15及16之貼合前形成,也可在貼合後形成。
第4圖係顯示實施形態2的透明導電膜之一例之概略截面圖。
本實施形態的透明導電膜30係在實施形態1的透明導電膜20之設有保護層14的面之相反的面上,更積層有光學黏著層31與蓋玻璃32者。於光學黏著層31,可利用丙烯酸系樹脂、聚矽氧系樹脂、橡膠系樹脂。又,於光學黏著層31,可利用具有UV吸收性能的黏著劑或薄膜狀或液狀之黏著劑。再者,透明導電膜30所具備的透明基板21、光學調整層22及23(高折射率層4、5、低折射率層6、7)、透明導電層8、9(透明導電部12、非導電部13)、配線10及11、保護層14,由於與實施形態1(第1圖)中說明者相同,故省略重複之說明。
第5圖係顯示實施形態2的透明導電膜之變化例的概略截面圖。
變化例的透明導電膜30係在使用與第3圖中說明者相同基材24作為透明基板21的基材之點,不同於第4圖所示之例。對於此基材24,由於在實施形態1之變化例中已經說明,故省略說明。
此處,於第4圖及第5圖所示的透明導電膜30中,將積層有透明基板21、光學調整層22、23、透明導電層8、9與保護層14之部分稱為第1積層構造,將積層有光學黏著層31與蓋玻璃32之部分稱為第2積
層構造。於第4圖及第5圖之構成中,穿透第1積層構造及第2積層構造之光的透過色相b為2.5以下。再者,所謂的透過色相b*,係指以L*a*b*表色系(D65光源、2°視野)表示透過光之色時的b*者。當第1積層構造與第2積層構造重疊的部分(即無配線10、11之部分)之透過色相b*比2.5大時,透明導電膜之全體會帶有黃色調。若使用透過色相b*比2.5大的透明導電膜於觸控面板,則畫面會帶有黃色調,畫質變差。再者,為了使透明導電膜的透過色相b*成為2.5以下,例如可採用保護層14為2層以上之積層體且因干渉而帶有藍色調之構成。又,亦可以用含有使保護層14之全體帶有藍色調的材料之材料來形成保護層14。為了抑制透明電極膜20帶有色調,穿透第1積層構造及第2積層構造的光之透過色相b*較佳為-3.0以上。另外,穿透第1積層構造之透過色相b*更佳為0以上2.0以下。此時,可進一步抑制透明電極膜20帶有色調。
再者,實施形態2之透明導電膜30,係可依照實施形態1中說明的製造方法,藉由在透明基板21上形成光學調整層22及23、透明導電層8及9、配線10及11、保護層14後,於與保護層14相反側之面上,經由光學黏著層31貼合蓋玻璃32而製造。
如以上說明,於本實施形態之透明導電膜30的一面,設置用於保護透明導電部12、非導電部13及配線10之保護層14,於另一面經由光學黏著層31貼合蓋玻璃32。惟,上述第1積層構造及第2積層構造的
積層部分(即,沒有設置配線10、11之部分)之透過色相b*係被抑制在2.5以下。因此,依照本實施形態,可實現保護透明導電部12、非導電部13及配線10,同時光學特性優異之透明電極膜。
第4圖及第5圖中所示的透明導電膜30係可利用作為觸控面板之構成構件。藉由使用透明導電膜30,可實現因保護層14而提高耐擦傷性,高透過率.高透明性等之光學特性優異,更且透明導電部8、9不顯眼之靜電容量方式的觸控面板。
首先,於基材之兩面上塗佈樹脂,形成下部硬塗層及上部硬塗層。
於基材,使用厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(PET)。又,下部硬塗層之膜厚為1.5μm。又,上部硬塗層之膜厚為1.5μm。
其次,於上部硬塗層上形成高折射率層。用於高折射率層之材料係氧化鈮(Nb2O5)。又,高折射率層之形成使用磁控濺鍍。
接著,於高折射率層上形成低折射率層。於低折射率層之材料,使用氧化矽。又,低折射率層之形成使用磁控濺鍍。
隨後,於低折射率層上形成透明導電圖案電極。用於透明導電圖案電極之材料係含有5wt%氧化錫的氧化銦.錫(ITO)。又,透明導電圖案電極係藉由磁控
濺鍍形成ITO之薄膜,用網版印刷形成對應於圖案的蝕刻遮罩,浸漬於蝕刻液中而形成。此時,透明導電部之圖案寬度為5mm,非導電部的圖案寬度為7()μm。又,蝕刻液使用氯化鐵液。
接著,形成與透明導電部連接之配線。用於配線之材料為銅。又,下層之配線係藉由磁控濺鍍形成銅之薄膜,用網版印刷形成對應於圖案之蝕刻遮罩,浸漬於蝕刻液中而形成。此時,蝕刻液使用過硫酸鈉水溶液。又,下層之配線的配線圖案係成為與透明導電部的圖案之線圖案連接之配線圖案。
隨後,以覆蓋透明導電部、非導電部、配線之方式,形成保護層。用於保護層之材料係丙烯酸系樹脂。又,保護層之形成使用微凹槽輥塗佈機,保護層之膜厚為1.0μm。
經過以上之步驟,製造實施形態1之透明導電膜。經製造之透明導電膜所具備之高折射率層/低折射率層/透明導電部的各層之光學膜厚係如下所示。
高折射率層:12nm,低折射率層:74nm,透明導電部:40nm
將於與實施例1相同之條件下,在基材上形成有硬塗層、高折射率層、低折射率層、透明導電部、非導電部及配線者當作比較例1之透明導電膜。於比較例1之透明導電膜中,未設置保護層。
對於實施例1與比較例1,實施全光線透過率(JIS-K7105)、以L*a*b*表色系(D65光源、視野2°)表示時的透過色相b*、擦傷試驗、鉛筆硬度試驗(JIS-K5600)。
實施例1的透明導電膜之導電性圖案區域(無配線之區域)的全光線透過率(JIS-K7105)為90.6%,透過色相b*為1.5,得到黃色調少,高透過率.高透明且透明導電部之圖案不顯眼的透明導電膜。而且,於實施例1之透明導電膜,即使在鉛筆硬度試驗(鉛筆硬度H、500g荷重)中亦無可確認之傷痕。另一方面,比較例1的透明導電膜之導電性圖案區域(無配線之區域)的全光線透過率(JIS-K7105)為90.0%,透過色相b*為1.8,帶有黃色調。又,於比較例的透明導電膜,在鉛筆硬度試驗(鉛筆硬度H、500g荷重)中有可確認之傷痕。
將於與實施例1相同之條件下,在基材上形成硬塗層、高折射率層、低折射率層、透明導電部、非導電部、配線及保護層後,在與保護層相反側的面上,經由厚度100μm的光學黏著層貼合厚度500μm之蓋玻璃者,當作實施例2之透明導電膜。
將於與實施例1相同之條件下,在基材上形成實硬塗層、高折射率層、低折射率層、透明導電部、非導電部及配線後,經由厚度100μm的光學黏著層貼合
厚度500μm之蓋玻璃者,當作比較例2之透明導電膜。於比較例2之透明導電膜中,未設置保護層。
對於實施例2與比較例2,實施全光線透過率(JIS-K7105)、以L*a*b*表色系(D65光源、視野2°)表示時的透過色相b*、擦傷試驗、鉛筆硬度試驗(JIS-K5600)。
實施例2的透明導電膜之導電性圖案區域(無配線之區域)的全光線透過率(JIS-K7105)為90.6%,透過色相b*為2.5,得到無黃色調、高透過率.高透明且透明導電部之圖案不顯眼的透明導電膜。而且,於實施例1之透明導電膜,即使在鉛筆硬度試驗(鉛筆硬度H、500g荷重)中亦無可確認之傷痕。另一方面,比較例1之透明導電膜的導電性圖案區域(無配線之區域)之全光線透過率(JIS-K7105)為90.0%,透過色相b*為3.0,帶有黃色調。又,於比較例之透明導電膜,在鉛筆硬度試驗(鉛筆硬度H、500g荷重)中有可確認之傷痕。
本發明之透明導電膜係可在利用靜電容量方式的觸控面板之廣泛領域中利用。例如,可利用於一種觸控面板,該觸控面板係構成金融機關的ATM、電子機器(影印機、傳真機、汽車導航機、其它家電等)、攜帶型資訊終端(行動電話、智慧型手機、平板PC等)、電子書籍終端、攜帶型遊戲終端、攜帶型音樂撥放器、自動販賣機等之操作面板。
1‧‧‧基材
2、3‧‧‧硬塗層
4、5‧‧‧高折射率層
6、7‧‧‧低折射率層
8、9‧‧‧透明導電層
10、11‧‧‧配線
12‧‧‧透明導電部
13‧‧‧非導電部
14‧‧‧保護層
20‧‧‧透明導電膜
21‧‧‧透明基板
22、23‧‧‧光學調整層
Claims (10)
- 一種透明導電膜,其具備:透明基板,設於該透明基板之兩面的光學調整層,設於該光學調整層各自之上的透明導電層,連接於該透明導電層的配線,及設於該透明導電膜之至少一面,被覆該透明導電層及該配線的保護層;該保護層之厚度為1μm以上50μm以下,以該透明基板、該光學調整層、該透明導電層與該保護層來構成第1多層構造,穿透該第1多層構造的光之透過色相(transmission hue)b *為1.5以下。
- 如請求項1之透明導電膜,其更具備由:設於該透明導電膜之至少一面的光學黏著層,與設於該光學黏著層之上的蓋玻璃所構成之第2多層構造;穿透該第1多層構造及該第2多層構造的光之透過色相b *為2.5以下。
- 如請求項1之透明導電膜,其中藉由設於該透明基板之兩面上的該透明導電層之圖案化,形成透明導電部與非導電部。
- 如請求項3之透明導電膜,其中該透明導電膜的該保護層係覆蓋該透明導電部、該非導電部及該配線而形成。
- 如請求項1之透明導電膜,其中該光學調整層係自該透明基板側起,依順序積層金屬氧化物層及氧化矽層而構成。
- 如請求項1之透明導電膜,其中該透明基板係依順序積層薄膜基材、光學黏著層及光學薄膜而構成。
- 如請求項1之透明導電膜,其中該配線的配線寬度為10μm以上40μm以下。
- 一種觸控面板,其具備如請求項1之透明導電膜。
- 一種透明導電膜之製造方法,其係在透明基板之兩面上具有透明導電部之附配線的透明導電膜之製造方法,於該透明基板之兩面上,形成該透明導電部與非導電部,形成連接於該透明導電部的配線部,於該透明導電膜之至少一面,形成被覆該透明導電部的保護層。
- 如請求項9之透明導電膜之製造方法,其中於該透明導電膜之一面,更貼合光學黏著層及蓋玻璃。
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