JP2015112740A - フィルムセンサ及びフィルムセンサを備えるタッチパネル装置、並びに、フィルムセンサを作製するために用いられる積層体 - Google Patents

Abstract

【課題】透明導電層と金属層との間の密着力が十分に確保された積層体を製造する方法の提供。【解決手段】ＩＴＯからなる透明導電層上に高導電性の金属（Ｘ）を含む金属層を備えた積層体において、飛行時間型二次イオン質量分析装置を用いて透明導電層及び金属層の厚み方向において所定の間隔で積層体の組成分析を実施した場合の、ＸとＩｎとＯとを含む第１の二次イオンのカウント数の最大値が現れる位置が、透明導電層と金属層との界面よりも前記透明導電層側に存在する。【選択図】図１１

Description

本発明は、フィルムセンサおよびフィルムセンサを備えるタッチパネル装置に関する。また本発明は、フィルムセンサを作製するために用いられる積層体に関する。

タッチパネルセンサやディスプレイ用基板などの電子部品は一般に、光学的な特性を実現するための層や、電気的な特性を実現するための層など、複数の層から構成されている。このような電子部品を作製するための方法として、基材フィルム、透明導電層や金属層などの複数の層を含む積層体をはじめに準備し、次に、この積層体の任意の層をフォトリソグラフィー法などによってパターニングするという方法が知られている。

積層体を製造する方法の１つとして、はじめに基材フィルムを準備し、次に、スパッタリング法やＥＢ蒸着法などの物理蒸着成膜法を用いて、基材フィルム上に透明導電層や金属層を積層していく、という方法が知られている。例えば特許文献１において、スパッタリング法を用いてポリエステルフィルムの上にＩＴＯ層を形成し、その後、スパッタリング法を用いてＩＴＯ層の上にクロム層を形成し、これによって、タッチパネルセンサを作製するための積層体を得ることが開示されている。

特開平４−１６０６２４号公報

フォトリソグラフィー法などを用いて積層体をパターニングした後、若しくは、パターニング後の製造工程の際、パターニングされた積層体の表面が損傷することを防ぐため、積層体の表面に保護フィルムを貼ることがある。このような保護フィルムは、通常、最終的に出荷される前に剥がされる。このとき、透明導電層と金属層との間の密着力が小さいと、保護フィルムを剥がす際に金属層が透明導電層から部分的に剥離されてしまうことがある。

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、透明導電層と金属層との間の密着力が十分に確保された積層体を提供することを目的とする。

本発明は、基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側に所定のパターンで設けられ、透光性および導電性を有する透明導電パターンと、前記透明導電パターン上に所定のパターンで設けられ、導電性を有する取出パターンと、を備え、前記透明導電パターンは、ＩＴＯからなる透明導電層を含み、前記取出パターンは、前記透明導電層上に設けられた金属層を含み、前記金属層が高導電性の金属（Ｘ）を含み、飛行時間型二次イオン質量分析装置を用いて前記透明導電層及び前記金属層の厚み方向において所定の間隔で前記透明導電層及び前記金属層の組成分析を実施した場合、ＸとＩｎとＯとを含む第１の二次イオンのカウント数の最大値が現れる位置が、前記透明導電層と前記金属層との界面よりも前記透明導電層側にあり、前記透明導電層と前記金属層との界面の位置は、前記透明導電層及び前記金属層の厚み方向の測定位置を横軸とし、前記組成分析において検出される二次イオンのカウント数を縦軸とした場合に、隣接する測定位置における二次イオンのカウント数を二次イオン毎に結ぶ線のうち、Ｘを含む第２の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、Ｉｎ_２Ｏ_３ ⁻からなる第３の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、が交差する位置に最も近接した測定位置である、フィルムセンサである。

本発明によるフィルムセンサにおいて、好ましくは、ＸはＡｌ，Ａｇ、ＡｕまたはＣｕである。

本発明によるフィルムセンサにおいて、好ましくは、ＸがＣｕであり、前記第１の二次イオンがＣｕＩｎＯ_２ ^―であり、前記第２の二次イオンがＣｕ_３ ⁻である。

本発明によるフィルムセンサにおいて、好ましくは、前記透明導電層及び前記金属層の厚み方向において実施される前記透明導電層及び前記金属層の前記組成分析の、前記厚み方向における間隔が、１ｎｍ以下である。

本発明は、フィルムセンサと、前記フィルムセンサ上への接触位置を検出する制御回路と、を含むタッチパネル装置であって、前記フィルムセンサが、上記記載のフィルムセンサを備える、タッチパネル装置である。

本発明は、フィルムセンサを作製するために用いられる積層体であって、基材フィルムと、前記基材フィルムに設けられ、ＩＴＯからなる透明導電層と、前記透明導電層上に設けられ、導電性を有する金属層と、を備え、前記金属層が高導電性の金属（Ｘ）を含み、飛行時間型二次イオン質量分析装置を用いて前記透明導電層及び前記金属層の厚み方向において所定の間隔で前記透明導電層及び前記金属層の組成分析を実施した場合、ＸとＩｎとＯとを含む第１の二次イオンのカウント数の最大値が現れる位置が、前記透明導電層と前記金属層との界面よりも前記透明導電層側にあり、前記透明導電層と前記金属層との界面の位置は、前記透明導電層及び前記金属層の厚み方向の測定位置を横軸とし、前記組成分析において検出される二次イオンのカウント数を縦軸とした場合に、隣接する測定位置における二次イオンのカウント数を二次イオン毎に結ぶ線のうち、Ｘを含む第２の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、Ｉｎ_２Ｏ_３ ⁻からなる第３の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、が交差する位置に最も近接した測定位置である、積層体である。

本発明による積層体において、好ましくは、ＸはＡｌ，Ａｇ、ＡｕまたはＣｕである。

本発明による積層体において、好ましくは、ＸがＣｕであり、前記第１の二次イオンがＣｕＩｎＯ_２ ^―であり、前記第２の二次イオンがＣｕ_３ ⁻である。

本発明による積層体において、好ましくは、前記透明導電層及び前記金属層の厚み方向において実施される前記透明導電層及び前記金属層の前記組成分析の、前記厚み方向における間隔が、１ｎｍ以下である。

本発明によれば、ＩＴＯからなる透明導電層上に高導電性の金属（Ｘ）を含む金属層を備えた積層体において、飛行時間型二次イオン質量分析装置を用いて透明導電層及び金属層の厚み方向において所定の間隔で透明導電層及び金属層の組成分析を実施した場合、ＸとＩｎとＯとを含む第１の二次イオンのカウント数の最大値が現れる位置が、透明導電層と金属層との界面よりも透明導電層側に存在する。これによって、透明導電層と金属層との間の密着力が十分に確保された積層体を得ることができる。

図１は、本発明の実施の形態における積層体製造装置を示す図。 図２は、図１に示す積層体製造装置の巻出装置を示す図。 図３は、図１に示す積層体製造装置の成膜装置を示す図。 図４は、図１に示す積層体製造装置の巻取装置を示す図。 図５は、積層体製造装置により製造された積層体を示す断面図。 図６は、積層体製造装置に供給される中間積層体を示す断面図。 図７は、積層体の変形例を示す断面図。 図８は、図７に示す積層体をパターニングすることにより得られるフィルムセンサを示す平面図。 図９は、図８に示すフィルムセンサの線VII−VIIに沿った断面図。 図１０（ａ）〜（ｅ）は、実施例における第１透明導電層に対する第１金属層の密着力の評価基準を説明するための図。 図１１は、サンプル１の各層における組成分析をした結果を示す図。 図１２は、第１の二次イオンの最大値が現れる位置と、密着性試験の結果と、の関係を示す図。

以下、図１乃至図９を参照して、本発明の実施の形態について説明する。はじめに図５を参照して、本実施の形態において製造される積層体１０について説明する。

積層体
図５は、積層体１０を示す断面図である。図５に示すように、積層体１０は、基材フィルム１２と、基材フィルム１２の一方の側の面１２ａ上に順に設けられた第１ハードコート層１３ａ、第１高屈折率層１４ａおよび第１低屈折率層１５ａと、第１低屈折率層１５ａの一方の側の面上に設けられた第１透明導電層１６ａと、第１透明導電層１６ａの一方の側の面上に設けられた第１金属層１７ａと、を含んでいる。以下、基材フィルム１２、第１ハードコート層１３ａ、第１高屈折率層１４ａ、第１低屈折率層１５ａ、第１透明導電層１６ａおよび第１金属層１７ａについてそれぞれ説明する。なお第１金属層１７ａとは、第１透明導電層１６ａに隣接して設けられ、金属材料から構成される層の総称である。

（基材フィルム）
基材フィルム１２としては、十分な透光性を有するフィルムが用いられる。基材フィルム１２を構成する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、環状オレフィン・コポリマー（ＣＯＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などが挙げられる。基材フィルム１２の厚みは、例えば２５〜２００μｍの範囲内となっている。

（ハードコート層）
第１ハードコート層１３ａは、擦り傷を防止するという目的や、層間の界面に低分子重合体（オリゴマー）が析出して白く濁ってみえることを防ぐという目的のために設けられる層である。第１ハードコート層１３ａとしては、例えばアクリル樹脂などが用いられる。なお図５に示すように、第１ハードコート層１３ａと同一の材料から構成された第２ハードコート層１３ｂが、基材フィルム１２の他方の面１２ｂ上にさらに設けられていてもよい。ハードコート層１３ａ，１３ｂの厚みは、例えば０．１〜１０μｍの範囲内となっている。

（高屈折率層および低屈折率層）
第１高屈折率層１４ａは、基材フィルム１２を構成する材料よりも高い屈折率を有する材料から構成される層であり、一方、第１低屈折率層１５ａは、基材フィルム１２を構成する材料よりも低い屈折率を有する材料から構成される層である。このような第１高屈折率層１４ａおよび第１低屈折率層１５ａを基材フィルム１２と第１透明導電層１６ａとの間に設けることにより、積層体１０における光の透過率や反射率を調整することができる。

第１低屈折率層１５ａを構成する材料としては、例えば酸化珪素やフッ化マグネシウムが用いられる。第１高屈折率層１４ａを構成する材料としては、例えば酸化ニオブやジルコニウムが用いられる。第１高屈折率層１４ａおよび第１低屈折率層１５ａの厚みは、所望の透過率や反射率が達成されるよう、用いられる材料に応じて適宜設定される。

なお本実施の形態においては、上述の第１高屈折率層１４ａおよび第１低屈折率層１５ａが積層体１０に含まれている例について説明するが、しかしながら、第１高屈折率層１４ａおよび第１低屈折率層１５ａは必ずしも設けられていなくてもよい。同様に、ハードコート層１３ａ，１３ｂも、必要に応じて任意に設けられる層である。従って、基材フィルム１２の一方の側の面１２ａや第１ハードコート層１３ａの一方の側の面に直接的に接するよう第１透明導電層１６ａが設けられることもある。

（透明導電層）
第１透明導電層１６ａを構成する材料としては、導電性を有しながら透光性を示す材料が用いられ、具体的にはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が用いられる。ここでＩＴＯとは、８９〜９９重量％のインジウムと、１〜１１重量％の錫と、０．５重量％以下のその他の添加元素または不可避の不純物と、を含む金属酸化物を意味している。第１透明導電層１６ａの厚みは、例えば１８〜５０ｎｍの範囲内となっている。

（金属層）
第１金属層１７ａは、タッチパネルセンサなどの電子部品において、信号を外部に取り出すための取出パターンや電極を形成するために用いられる、金属材料から構成される層である。第１金属層１７ａは、例えば、アルミ（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）などの高導電性の金属、またはこれらの合金から構成され、第１透明導電層１６ａに隣接して配置される。第１金属層１７ａを構成するための合金としては、銀を主成分とするとともに銅およびパラジウムを含む、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ系の銀合金、いわゆるＡＰＣ合金を挙げることができる。

ところで一般に、ＩＴＯからなる透明導電層は、金属材料からなる層との間で密着性が低いことが知られている。原因について調べるべく、積層体１０の厚み方向において組成分析をした結果、第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの界面近傍における第１透明導電層１６ａに含まれる酸化インジウムと第１金属層１７ａに含まれる高導電性の金属との化合物の形成状態によって、第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの間の密着性が変化することを見出した。

具体的には、ＩＯＮ ＴＯＦ社製の飛行時間型二次イオン質量分析装置（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）を用い、積層体１０の厚み方向において所定の間隔で、積層体１０の第１金属層１７ａから第１透明導電層１６ａに亘って組成分析を実施する。この時、まず、第１金属層１７ａないし第１透明導電層１６ａに一次イオンを照射することによって積層体から二次イオンを得る。そして、得られた二次イオンの質量電荷比に基づいて、二次イオンの組成式を各々規定する。このようにして組成式が規定された二次イオンの中から、第１透明導電層１６ａのＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＳｎＯ_３）に含まれる酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と第１金属層１７ａに含まれる高導電性の金属（Ｘ）との化合物から検出される第１の二次イオンを特定する。同様に、第１金属層１７ａから検出される第２の二次イオン、及び、第１透明導電層１６ａから検出される第３の二次イオンを特定する。

次に、第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの界面の位置を、以下のように規定する。すなわち、上述の組成分析において、第１透明導電層１６ａ及び第１金属層１７ａの厚み方向の測定位置を横軸とし、検出される二次イオンのカウント数を縦軸とした場合に、隣接する測定位置における二次イオンのカウント数を二次イオン毎に結ぶ線のうち、第２の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、第３の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、が交差する位置に最も近接した測定位置を、第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの界面の位置として規定する。ここで、「第２の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、第３の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、が交差する位置に最も近接した測定位置」とは、第２の二次イオンのカウント数を結ぶ線と第３の二次イオンのカウント数を結ぶ線とが交差する位置と、上述の組成分析におけるいずれかの測定位置と、が一致する場合には、当該交差する位置を意味し、当該交差する位置と、いずれかの測定位置と、が一致しない場合には、当該交差する位置に最も近い測定位置を意味するものとする。

そして、このようにして規定された第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの界面を基準として、第１の二次イオンのカウント数の最大値が現れる位置が第１透明導電層１６ａの側にあれば、第１透明導電層１６ａに対する第１金属層１７ａの密着性は実用上十分な程度に高くなる。

このような点を考慮し、本実施の形態の積層体１０は、飛行時間型二次イオン質量分析装置を用いて第１透明導電層１６ａ及び第１金属層１７ａの厚み方向において所定の間隔で第１透明導電層１６ａ及び第１金属層１７ａの組成分析を実施した場合、ＸとＩｎとＯとを含む第１の二次イオンのカウント数の最大値が現れる位置が、第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの界面よりも第１透明導電層１６ａ側に存在する積層体である。

ここで、第１透明導電層１６ａに含まれる酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と第１金属層１７ａに含まれる高導電性の金属（Ｘ）との化合物から検出される二次イオンとしては、さまざまなものが存在する。例えば、ＸがＣｕである場合には、ＣｕＩｎＯ_２ ⁻が存在する。同様に、ＸがＡｌである場合には、ＡｌＩｎＯ_２ ⁻が、ＸがＡｇである場合には、ＡｇＩｎＯ_２ ⁻が、ＸがＡｕである場合には、ＡｕＩｎＯ_２ ⁻が存在する。

また、Ｘを含む第１の金属層１７ａから検出される二次イオンとしては、さまざまなものが存在する。例えば、ＸがＣｕである場合には、Ｃｕ_３ ⁻やＣｕ_２ ⁻などが存在する。同様に、ＸがＡｌである場合には、Ａｌ_３ ⁻やＡｌ_２ ⁻などが、ＸがＡｇである場合には、Ａｇ_３ ⁻やＡｇ_２ ⁻などが、ＸがＡｕである場合には、Ａｕ_３ ⁻やＡｕ_２ ⁻などが存在する。

同様に、ＩＴＯからなる第１の透明導電層１６ａから検出される二次イオンとしては、Ｉｎ_２Ｏ_３ ⁻や、ＩｎＯＨなどが存在する。

したがって、第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの界面の位置を規定し、第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの間の密着性の指標を導く上で、さまざまな二次イオンを第１、第２および第３の二次イオンとして採用可能である。

好ましくは、Ｘを含む第１の金属層１７ａに由来して検出される二次イオンのうち最も多くカウントされる二次イオンと、ＩＴＯからなる第１の透明導電層１６ａに由来して検出される二次イオンのうち最も多くカウントされる二次イオンとが、第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの界面の位置を規定する上で採用される。これによって、より高い精度で第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの界面の位置を規定することができる。その上で、Ｉｎ_２Ｏ_３とＸとの化合物に由来して検出される二次イオンのうち、最も多くカウントされる二次イオンが、第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの間の密着性の指標を導く上で採用される。これにより、より高い精度を有する指標を導くことができる。

なお、本発明者が研究を重ねた限りにおいては、Ｘを含む第１の金属層１７ａに由来して検出される二次イオンのうち、最も多くカウントされるものは、ＸがＣｕの場合はＣｕ_３ ⁻、ＸがＡｌの場合はＡｌ_３ ⁻、ＸがＡｇの場合はＡｇ_３ ⁻、ＸがＡｕの場合はＡｕ_３ ⁻であった。また、ＩＴＯからなる第１の透明導電層１６ａに由来して検出される二次イオンのうち、最も多くカウントされるものは、Ｉｎ_２Ｏ_３ ⁻であった。これらの二次イオンを用いて第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの界面の位置を規定した上で、透明導電層１６ａに含まれる酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と第１金属層１７ａに含まれる高導電性の金属（Ｘ）との化合物から検出される二次イオンとして、ＸがＣｕである場合にはＣｕＩｎＯ_２ ⁻を、ＸがＡｌである場合にはＡｌＩｎＯ_２ ⁻を、ＸがＡｇである場合にはＡｇＩｎＯ_２ ⁻を、ＸがＡｕである場合にはＡｕＩｎＯ_２ ⁻を採用することにより、第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの間の密着性の指標を高い精度で導くことができる。

次に、図１乃至図４を参照して、第１透明導電層１６ａ上に第１金属層１７ａを形成して積層体１０を得るための積層体製造装置１について説明する。はじめに図１を参照して、積層体製造装置１全体について説明する。なおここでは、図６に示す後述する中間積層体１１に対して成膜処理を実施することによって積層体１０を製造するための積層体製造装置１について説明する。中間積層体１１は、図５に示す積層体１０を製造する工程の途中で得られる中間生成物である。図６に示すように、中間積層体１１の段階で、基材フィルム１２には、ハードコート層１３ａ，１３ｂ、第１高屈折率層１４ａ、第１低屈折率層１５ａおよび第１透明導電層１６ａが設けられている。

積層体製造装置
図１に示すように、積層体製造装置１は、中間積層体１１を巻き出す巻出装置２０と、中間積層体１１上に金属層１７ａを設ける成膜装置３０と、金属層１７ａが設けられた中間積層体１１を巻き取る巻取装置５０と、を備えている。以下、各装置２０，３０，５０について、図２乃至図４を参照してそれぞれ説明する。

（巻出装置）
図２は、巻出装置２０を示す図である。図２に示すように、巻出装置２０は、回転自在に設けられ、中間積層体１１が巻き付けられたシャフト２１と、中間積層体１１に沿って設けられ、中間積層体１１を加熱する加熱機構２９と、を備えている。

巻出装置２０においては、シャフト２１から巻き出された中間積層体１１を加熱機構２９によって加熱することにより、中間積層体１１に付着している水分や油分などの不純物を蒸発または昇華させ、これによって不純物を中間積層体１１から取り除くことができる。すなわち、いわゆる脱ガス処理を実施することができる。脱ガス処理の際の加熱温度は、中間積層体１１を構成する材料の特性が大きく変化しないような温度である限り特に限定されないが、例えば５０〜１７０℃の範囲内となっている。脱ガス処理を実施するための加熱機構２９の具体的な構成は特に限定されないが、例えば図２に示すように、搬送されている中間積層体１１に沿って中間積層体１１の両側に設けられた一対のヒーター２９ａによって加熱機構２９が構成されている。

図２に示すように、巻出装置２０は、中間積層体１１の第１透明導電層１６ａの表面に対してイオンボンバードメント処理などの表面処理を施す表面処理装置２３をさらに備えていてもよい。イオンボンバードメント処理とは、第１透明導電層１６ａの表面にガスイオンを照射することによって、第１透明導電層１６ａの表面に付着している不純物を除去する処理のことである。表面処理装置２３は、図２に示すように、電圧が印加されることによりプラズマ放電を生成する電極２４と、電極２４の周囲に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段２５と、を有している。このような表面処理装置２３を用いることにより、中間積層体１１の周囲にプラズマ雰囲気２７を形成することができ、これによって、第１透明導電層１６ａの表面に不活性ガスなどのイオンを照射する表面処理を実施することができる。電極２４を構成する材料としては、例えばチタンが用いられる。不活性ガスとしては、アルゴンガスや窒素ガスなどが用いられる。

表面処理装置２３は、図２に示すように、電極２４の周囲に酸素ガスを供給する酸素供給手段２６をさらに有していてもよい。この場合、第１透明導電層１６ａの表面には、不活性ガスのイオンに加えて、酸素ガスのイオンが照射される。図示はしないが、表面処理装置２３は、電極２４の周囲にその他のガス、例えば水素ガスなどを供給するためのガス供給手段をさらに有していてもよい。

図２に示すように、巻出装置２０は、巻出装置２０内の気体を外部に排出する排気手段２２をさらに備えている。これによって、基材フィルム１２から発生した気体を迅速に外部に排出することができ、このことにより、加熱手段２９による脱ガス処理を効率良く実施することができる。また、表面処理装置２３による表面処理を真空環境下で実施することができる。また図２に示すように、成膜装置３０の内部雰囲気を巻出装置２０の内部雰囲気に対して遮蔽するためのゲートバルブ（ロードロックバルブ）２８が設けられていてもよい。これによって、中間積層体１１の巻回体を巻出装置２０内に搬入するために巻出装置２０を大気に対して開放する際に、成膜装置３０内の真空度を維持することができる。

（成膜装置）
次に、巻出装置２０の下流側に設けられた成膜装置３０について説明する。成膜装置３０による成膜方法としては、真空蒸着、スパッタリングやイオンプレーティングなど様々な物理的気相成長法が採用され得るが、ここでは、成膜方法としてスパッタリングが用いられる例について図３を参照して説明する。

図３に示すように、成膜装置３０は、成膜処理が実施される成膜室３６と、中間積層体１１が巻き付けられて搬送される成膜用搬送ドラム３８と、搬送される中間積層体１１を案内するガイドローラー３９と、成膜室３６の内部の気体を外部に排出する成膜用真空排気機構３７と、搬送されている中間積層体１１に対向するよう設けられ、中間積層体１１上に設けられる膜の原料となるターゲットと、を備えている。図３に示す例においては、ターゲットとして、第１金属層１７ａの原料となるＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕなどの高導電性の金属またはこれらの合金からなる第１ターゲット３１ａ，第２ターゲット３２ａおよび第３ターゲット３３ａが設けられている。また、図３に示す例においては、Ｃｕからなる第１金属層１７ａの成膜のために３つのターゲット３１ａ，３２ａ，３３ａが用いられるが、これに限られることはなく、形成される層の種類や厚みに応じて適宜ターゲットの種類や個数が設定される。

成膜装置３０においては、はじめに成膜用真空排気機構３７によって成膜室３６の内部の気体を外部に排出し、これによって、成膜室３６内を真空状態とする。次に、不活性ガス供給装置（図示せず）によって成膜室３６内にアルゴンなどの不活性ガスを導入し、その後、電源によってターゲットに放電電力を印加する。これによって、各ターゲットの材料からなる膜を中間積層体１１上に設けることができる。

図３に示すように、成膜装置３０の成膜室３６は、隔壁３６ａによって、第１ターゲット３１ａを含む第１領域３１と、第２ターゲット３２ａを含む第２領域３２と、第３ターゲット３３ａを含む第３領域３３と、その他の第４領域３４と、に区画されていてもよい。また図３に示すように、成膜用真空排気機構３７は、各領域３１〜３４にそれぞれ接続され、各領域３１〜３４の内部の気体を外部に排出する排気手段３１ｂ〜３４ｂを含んでいてもよい。これによって、ターゲットごとにターゲットの周囲の雰囲気（真空度など）を調整することができ、このことにより、ターゲットごとに最適化された条件の下でスパッタリングを実施することができる。

なお図３に示す成膜用搬送ドラム３８は、その表面が所定の成膜温度に調整されたものであってもよい。これによって、最適な温度条件下で中間積層体１１上に金属層１９を形成することができる。成膜用搬送ドラム３８の表面を所定の成膜温度に調整するための具体的な構成が特に限られることはなく、例えば図示はしないが、成膜用搬送ドラム３８の内部に設けられ、オイルなどの所定の温度媒体を循環させる媒体循環路と、温度媒体を成膜温度に調整する媒体調整手段とが用いられる。成膜温度は、中間積層体１１の基材フィルム１２の耐熱性や、中間積層体１１上に設けられる金属層１７の特性に応じて適宜設定される。

（巻取装置）
次に図４を参照して、巻取装置５０について説明する。巻取装置５０は、第１金属層１７ａが形成された中間積層体１１からなる積層体１０を巻き取るシャフト５１と、シャフト５１に向けて搬送される積層体１０を案内するガイドローラー５９と、を備えている。また図４に示すように、巻取装置５０の内部を真空状態に保つための排気手段５２が設けられていてもよい。

また、シャフト５１近傍に、図４に示すニアローラー５３が設けられていてもよい。ニアローラー５３は、シャフト５１に巻き取られている積層体１０の最外面と、ニアローラー５３のうちシャフト５１に対向する面との間の距離が、積層体１０の厚みよりもわずかに大きくなるよう構成されている。なお、シャフト５１に巻き取られている積層体１０の最外面の位置は、積層体１０の巻き数が増えるにつれて変化する。この変化に対応するよう、ニアローラー５３は移動可能に構成されている。このため、積層体１０の巻き数に依らず、シャフト５１に巻き取られている積層体１０の最外面とニアローラー５３との間の距離を常に一定に保つことができる。このようなニアローラー５３を設けることにより、シャフト５１に巻き取られる際の積層体１０にしわなどの凹凸が生じることを防ぐことができ、これによって、シャフト５１に巻き取られている積層体１０同士が密着してしまう、いわゆるブロッキングが生じることを防ぐことができる。

また図４に示すように、成膜装置３０の内部雰囲気を巻取装置５０の内部雰囲気に対して遮蔽するためのゲートバルブ５５が設けられていてもよい。これによって、積層体１０の巻回体を巻取装置５０から搬出するために巻取装置５０を大気に対して開放する際に、成膜装置３０内の真空度を維持することができる。

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用および効果について説明する。ここでは、はじめに、上述の中間積層体１１を製造する方法の一例について説明する。次に、中間積層体１１を積層体製造装置１に供給して積層体１０を製造する方法について説明する。その後、積層体１０をパターニングすることにより得られるフィルムセンサ６０について説明する。

中間積層体の製造方法
はじめに基材フィルム１２を準備する。次に、アクリル樹脂を含む塗布液を、コーターを用いて基材フィルム１２の両側にコーティングする。これによって、基材フィルム１２の両側にハードコート層１３ａ，１３ｂが形成される。次に、有機樹脂および有機樹脂内に分散された高屈折率材料の粒子、例えばジルコニウムの粒子を含む塗布液を、コーターを用いて第１ハードコート層１３ａの一方の側の面上にコーティングする。これによって、第１ハードコート層１３ａ上に第１高屈折率層１４ａが形成される。その後、有機樹脂および有機樹脂内に分散された低屈折率材料の粒子、例えば酸化珪素の粒子を含む塗布液を、コーターを用いて第１高屈折率層１４ａの一方の側の面上にコーティングする。これによって、第１高屈折率層１４ａ上に第１低屈折率層１５ａが形成される。その後、スパッタリング法などの真空成膜法を用いて、第１低屈折率層１５ａ上に第１透明導電層１６ａを形成する。このようにして、図６に示す中間積層体１１を得ることができる。

積層体の製造方法
次に、積層体製造装置１を用いて中間積層体１１の一方の側に第１金属層１７ａを形成し、これによって図５に示す積層体１０を得る方法について説明する。

（準備工程）
はじめに、巻出装置２０において、中間積層体１１が巻回されたシャフト２１を準備する。次に、排気手段２２によって巻出装置２０内の気体を外部に排出する。このようにして、第１透明導電層１６ａが設けられた基材フィルム１２を含む中間積層体１１を真空環境下に置くことができる。なお本実施例において、真空環境下または真空状態とは、圧力が１００Ｐａ以下であることを意味している。

（脱ガス工程）
次に、シャフト２１から中間積層体１１を巻き出す。このとき、加熱機構２９によって中間積層体１１を５０〜１７０℃で加熱する。これによって、中間積層体１１に付着している水分や油分などの不純物を取り除くことができる。

（表面処理工程）
脱ガス工程後、表面処理装置２３を用いて、第１透明導電層１６ａの表面にガスイオンを照射する表面処理工程を実施してもよい。この場合、はじめに、電極２４に所定の電圧を印加する。また、不活性ガス供給手段２５を用いて不活性ガスを電極２４の周囲に供給する。これによって、中間積層体１１と電極２４との間にプラズマ雰囲気２７を生成することができる。プラズマ雰囲気２７には電子やガスイオンが存在している。電子やガスイオンは、中間積層体１１の第１透明導電層１６ａの表面に照射される。これによって、第１透明導電層１６ａの表面に付着している不純物を除去することができる。不純物としては、中間積層体１１が搬送される際などに第１透明導電層１６ａの表面に付着した有機物、珪素、アルカリ金属、シロキサン成分などが考えられる。また、上述の脱ガス工程において除去しきれなかった水分が、この表面処理工程において除去されることも考えられる。

表面処理工程の際、酸素供給手段２６を用いて酸素ガスを電極２４の周囲に供給してもよい。この場合、電子や不活性ガスのイオンに加えて、酸素ガスのイオンが第１透明導電層１６ａの表面に照射される。酸素ガスのイオンは、第１透明導電層１６ａの表面に付着している有機物などの不純物と反応して水や二酸化炭素になり、そして第１透明導電層１６ａの表面から除去される。すなわち、いわゆるアッシングによって、第１透明導電層１６ａの表面に付着している不純物をより確実に除去することができる。

表面処理工程において電極２４に印加される電圧は特には限られないが、例えば０．３〜３ｋＶの範囲内となっている。また、中間積層体１１に対して表面処理装置２３を用いた表面処理を実施する期間も特には限られないが、例えば０．０１〜５分間にわたって表面処理が実施される。なお、電極２４の周囲に供給されるアルゴンガスなどの不活性ガスの流量、および、酸素ガスの流量は、装置の寸法などに応じて適宜設定される。

（金属層形成工程）
次に、成膜装置３０によって、中間積層体１１上に第１金属層１７ａを形成する金属層形成工程を実施する。金属層形成工程においては、はじめに排気手段３１ｂ〜３４ｂによって各領域３１〜３４の内部の気体を外部に排出し、これによって、各領域３１〜３４内を真空状態とする。次に、不活性ガス供給装置（図示せず）によって各領域３１〜３３内にアルゴンなどの不活性ガスを導入し、その後、電源によってターゲット３１ａ〜３３ａに放電電力を印加する。これによって生じるスパッタリング現象によって、ターゲット３１ａ〜３３ａを構成するＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕなどの高導電性の金属またはこれらの合金からなる第１金属層１７ａを第１透明導電層１６ａ上に形成することができる。

（巻取工程）
その後、巻取装置５０において、中間積層体１１と、中間積層体１１上に形成された第１金属層１７ａと、を含む積層体１０が、シャフト５１によって巻き取られる。これによって、積層体１０の巻回体が得られる。

なお本実施の形態において、積層体製造装置１によって製造される積層体１０の一例として、中間積層体１１の一方の側にのみ第１透明導電層１６ａや第１金属層１７ａが形成された積層体１０を示した。しかしながら、図７に示すように、積層体製造装置１が、基材フィルム１２の一方の側および他方の側の両方にそれぞれ透明導電層１６ａ，１６ｂや金属層１７ａ，１７ｂが形成された積層体１０を製造してもよい。図７に示す積層体１０を製造する方法が特に限られることはない。

例えば、はじめに、基材フィルム１２の両側にハードコート層１３ａ，１３ｂ、高屈折率層１４ａ，１４ｂ、低屈折率層１５ａ，１５ｂおよび透明導電層１６ａ，１６ｂが形成された中間積層体１１を準備する。次に、中間積層体１１を巻出装置２０から成膜装置３０を介して巻取装置５０に搬送する間に、基材フィルム１２の一方の側に上述の準備工程、脱ガス工程、表面処理工程および金属層形成工程を施し、これによって、基材フィルム１２の一方の側に第１金属層１７ａを形成する。次に、一方の側に第１金属層１７ａが形成された中間積層体１１を、巻出装置２０に搬入する。その後、再び中間積層体１１を巻出装置２０から成膜装置３０を介して巻取装置５０に搬送する間に、中間積層体１１の他方の側に上述の準備工程、脱ガス工程、表面処理工程および金属層形成工程を施し、これによって、中間積層体１１の他方の側に第２金属層１７ｂを形成する。このようにして、図７に示す積層体１０が得られる。

フィルムセンサの製造方法
次に、積層体１０の用途の一例として、積層体１０をパターニングすることにより得られるフィルムセンサ（タッチパネルセンサ）６０について説明する。フィルムセンサ６０は、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルなどの表示パネルの観察者側に設けられ、人体などの被検出体の接触位置を検出するための透明導電パターンなどを含むセンサである。フィルムセンサ６０としては、被検出体からの圧力に基づいてタッチ箇所を検出する抵抗膜方式のフィルムセンサや、人体などの被検出体からの静電気に基づいてタッチ箇所を検出する静電容量方式のフィルムセンサなど様々なタイプのものが知られているが、ここでは、積層体１０をパターニングすることによって静電容量方式のフィルムセンサ６０を形成する例について、図８および図９を参照して説明する。図８は、フィルムセンサ６０を示す平面図であり、図９は、図８に示すフィルムセンサ６０の線VII−VIIに沿った断面図である。なお図８および図９においては、図７に示す、基材フィルム１２の一方の側および他方の側に配置された透明導電層１６ａ，１６ｂおよび金属層１７ａ，１７ｂを含む積層体１０を用いることにより、フィルムセンサ６０が作製されている。

図８に示すように、フィルムセンサ６０は、指などの外部導体の接近に起因する静電容量の変化を検出するための透明導電パターン６２ａ，６２ｂを備えている。透明導電パターン６２ａ，６２ｂは、基材フィルム１２の一方の側に配置され、図８の横方向に延びる第１透明導電パターン６２ａと、基材フィルム１２の他方の側に配置され、図８の縦方向に延びる第２透明導電パターン６２ｂと、からなっている。またフィルムセンサ６０は、第１透明導電パターン６２ａに接続された第１取出パターン６４ａと、第２透明導電パターン６２ｂに接続された第２取出パターン６４ｂと、をさらに備えている。また、各取出パターン６４ａ，６４ｂに接続され、各透明導電パターン６２ａ，６２ｂからの信号を外部へ取り出すための端子部６５ａ，６５ｂがさらに設けられていてもよい。

図９に示すように、透明導電パターン６２ａ，６２ｂは、積層体１０の透明導電層１６ａ、１６ｂをパターニングすることにより得られるものである。同様に、第１取出パターン６４ａは、積層体１０の金属層１７ａをパターニングすることにより得られるものである。また図９には示されていないが、第１端子部６５ａも、積層体１０の第１金属層１７ａをパターニングすることにより得られるものであり、また第２取出パターン６４ｂおよび第２端子部６５ｂは、積層体１０の第２金属層１７ｂをパターニングすることにより得られるものである。透明導電層１６ａ，１６ｂおよび金属層１７ａ，１７ｂをパターニングする方法としては、例えばフォトリソグラフィー法が用いられる。

なお、このようにして製造されたフィルムセンサ６０と、フィルムセンサ６０上への接触位置を検出する制御回路と、を用いて、本実施の形態のタッチパネル装置が製造される。

本実施の形態によれば、上述のように、第１取出パターン６４ａを構成する第１金属層１７ａおよび第１透明導電パターン６２ａを構成する第１透明導電層１６ａ、並びに、第２取出パターン６４ｂを構成する第２金属層１７ｂおよび第２透明導電パターン６２ｂを構成する第２透明導電層１６ｂは、飛行時間型二次イオン質量分析装置を用いて透明導電層１６ａ，１６ｂおよび金属層１７ａ，１７ｂの厚み方向において所定の間隔で透明導電層１６ａ，１６ｂおよび金属層１７ａ，１７ｂの組成分析を実施した場合に、ＸとＩｎとＯとを含む第１の二次イオンのカウント数の最大値が現れる位置が、第１透明導電層１６ａと第１金属層１７ａとの界面よりも第１透明導電層１６ａ側に存在し、また、第２透明導電層１６ｂと第２金属層１７ｂとの界面よりも第２透明導電層１６ｂ側に存在する。このため、第１取出パターン６４ａおよび第２取出パターン６４ｂは、第１透明導電パターン６２ａおよび第２透明導電パターン６２ｂに対して、それぞれ高い密着性を有している。このため、透明導電パターン６２ａ，６２ｂと取出パターン６４ａ，６４ｂとの間の密着力が高められたフィルムセンサ６０を提供することができる。

次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。

上述の積層体製造装置１を用いて、図５に示す上述の積層体１０のサンプル１〜６を作製した。サンプル１〜６の金属層は、全て、Ｃｕで構成されたターゲット３１ａ〜３３ａを用いて形成されている。しかし、サンプル１〜６のその他の作成条件、例えば金属層成膜前に透明導電層に対して施されるプラズマ処理の強度や金属層の成膜温度、は様々である。

〔評価方法〕
（評価１ 密着試験）
サンプル１〜６に係る積層体における第１透明導電層に対する第１金属層の密着力の評価を行った。具体的には、ＪＩＳ Ｋ５６００−５−６に規定されている「付着性−クロスカット法」に類似の方法を用いて、第１金属層の付着力をさらに詳細に評価した。具体的には、はじめにカッターなどの工具を用いて格子パターンを第１金属層に切り込み、次に接着テープを第１金属層に貼り付け、その後、０．３秒あたり５ｃｍの速度（ＪＩＳ Ｋ５６００−５−６では１．０秒あたり５ｃｍの速度）で、接着テープを第１金属層から剥がした。そして、クロスカットされている第１金属層の断片のうち格子パターンのエッジ部分から剥がされてしまった部分の、全体面積に対する比率に応じて、付着力を評価した。評価基準を以下に示す。
１０点：エッジ部分における第１金属層の剥がれが無い
８点：エッジ部分における第１金属層の剥がれ面積が５％以下
６点：エッジ部分における第１金属層の剥がれ面積が５〜１５％
４点：エッジ部分における第１金属層の剥がれ面積が１５〜３５％
２点：エッジ部分における第１金属層の剥がれ面積が３５〜５０％
０点：エッジ部分における第１金属層の剥がれ面積が５０％以上
１０点〜０点として評価された積層体の例を参考として図１０（ａ）〜（ｅ）にそれぞれ示す。なお、格子パターンの間隔は１ｍｍとした。また接着テープとしては、ニチバンテープＮｏ．４０５を使用した。

（評価２ 組成分析）
さらに、サンプル１〜６に係る積層体の各層における組成を分析した。具体的には、ＩＯＮ ＴＯＦ社製の飛行時間型二次イオン質量分析装置（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）による積層体の表面の組成分析と、スパッタリングによる積層体の厚み方向における掘削と、を交互に繰り返すことにより、積層体の厚み方向の各位置における積層体の組成分析を行った。なお、ＴＯＦ−ＳＩＭＳは、試料の表面に一次イオンを照射し、この結果得られた二次イオンを分析することにより、試料表面の組成分析を行うものである。本実施例における一次イオンの照射条件は、以下の通りであった。
一次イオン：Ｂｉ^３＋
一次イオン電流値：０．２ｐＡ
一次イオン加速電圧：２５ｋｅＶ
一次イオン照射面積：１００×１００μｍ
なお、一次イオンの照射に先立って、帯電補正のために、積層体表面に電子照射がなされた。

また、積層体の掘削のためのスパッタリング条件は、以下の通りであった。
スパッタガンガス種：Ｃｓ^＋
掘削面積：５００×５００μｍ
加速電圧：１ｋｅＶ
電流値：５０ｎＡ

このような条件の下、積層体の厚み方向の各位置において、一次イオンの照射と、それにより発生した二次イオンの検出と、を行い、得られた二次イオンの質量電荷比ｍ／ｚと、二次イオンの組成式と、の対応関係を以下のように規定することによって、積層体の組成を分析した。
ｍ／ｚ＝２０９．８２：ＣｕＩｎＯ_２ ⁻（質量数：２０９．８２）
ｍ／ｚ＝１９０．７０：Ｃｕ_３ ⁻（質量数：１９０．７０）
ｍ／ｚ＝２７７．７８：Ｉｎ_２Ｏ_３ ⁻（質量数：２７７．７８）

このようにして検出されたＣｕＩｎＯ_２ ⁻は、第１透明導電層に含まれるＩｎ_２Ｏ_３と、第１金属層に含まれるＣｕと、により形成された化合物に由来するものと考えられる。

図１１に、サンプル１に係る積層体の組成分析結果を示す。図１１において、横軸は、積層体を掘削するために実施されたスパッタリングの回数を示している。より正確には、１回のスパッタリングと、１回のＴＯＦ−ＳＩＭＳによる組成分析と、を１つのサイクルとして、積層体の各層における組成を分析を行う為に実施されたサイクルの回数を表している。サイクルの回数は、積層体の表面からの距離に対応している。従って、図１１においては、左から右に向かって、第１金属層１７ａおよび第１透明導電層１６ａの組成分析結果が順次示されている。また、積層体の厚み方向において実施された積層体の組成分析の、積層体の厚み方向における間隔は、１ｎｍであり、積層体の厚み方向における組成分析の分解能は５ｎｍであった。

図１１に示すようなサンプル１〜６の組成分析結果において、第１透明導電層と第１金属層との界面の位置を、次のように規定した。すなわち、第１金属層から第１透明導電層に移行する領域において、隣接する測定位置におけるＣｕ_３ ⁻（第２の二次イオン）のカウント数を結ぶ線と、隣接する測定位置におけるＩｎ_２Ｏ_３ ⁻（第３の二次イオン）のカウント数を結ぶ線と、が交差する位置に最も近接した測定位置を、第１透明導電層と第１金属層との界面の位置とした。また、第１透明導電層と第１金属層との界面の位置を原点とし、且つ、第１金属層から第１透明導電層に向かう方向を正の向きとして、サンプル１〜６のＣｕＩｎＯ_２ ⁻（第１の二次イオン）のカウント数の最大値が現れる位置（界面からの距離）を測定した。

評価１〜２の結果をまとめて表１に示す。また、各サンプル１〜６の、評価１の結果と評価２の結果との関係を図１２に示す。

表１および図１２から分かるように、ＣｕＩｎＯ_２ ⁻のカウント数の最大値が現れる位置が第１透明導電層と第１金属層との界面よりも第１透明導電層側に存在する積層体は、ＣｕＩｎＯ_２ ⁻のカウント数の最大値が現れる位置が第１透明導電層と第１金属層との界面よりも第１金属層側に存在する積層体と比較して、第１透明導電層に対する第１金属層の密着性が高かった。このことから、第１透明導電層と第１金属層との界面近傍において第１金属層に含まれるＣｕと第１透明導電層に含まれるＩｎ_２Ｏ_３との化合物の形成状態が、第１透明導電層に対する金属層の密着力を低下させる一因になっていると考えられる。

そして、ＣｕＩｎＯ_２ ⁻のカウント数の最大値が現れる位置が第１透明導電層と第１金属層との界面よりも第１透明導電層側に存在する場合、第１金属層の断片が第１透明導電層から剥離されることを効果的に防ぐことができた。

１ 積層体製造装置
１０ 積層体
１１ 中間積層体
１２ 基材フィルム
１７ａ，１７ｂ 金属層
２０ 巻出装置
２３ 表面処理装置
２４ 電極
２５ 不活性ガス供給手段
２６ 酸素供給手段
２７ プラズマ雰囲気
３０ 成膜装置
５０ 巻取装置

Claims (9)

1. 基材フィルムと、
   前記基材フィルムの一方の側に所定のパターンで設けられ、透光性および導電性を有する透明導電パターンと、
   前記透明導電パターン上に所定のパターンで設けられ、導電性を有する取出パターンと、を備え、
   前記透明導電パターンは、ＩＴＯからなる透明導電層を含み、
   前記取出パターンは、前記透明導電層上に設けられた金属層を含み、
   前記金属層が高導電性の金属（Ｘ）を含み、
   飛行時間型二次イオン質量分析装置を用いて前記透明導電層及び前記金属層の厚み方向において所定の間隔で前記透明導電層及び前記金属層の組成分析を実施した場合、ＸとＩｎとＯとを含む第１の二次イオンのカウント数の最大値が現れる位置が、前記透明導電層と前記金属層との界面よりも前記透明導電層側にあり、
   前記透明導電層と前記金属層との界面の位置は、前記透明導電層及び前記金属層の厚み方向の測定位置を横軸とし、前記組成分析において検出される二次イオンのカウント数を縦軸とした場合に、隣接する測定位置における二次イオンのカウント数を二次イオン毎に結ぶ線のうち、Ｘを含む第２の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、Ｉｎ_２Ｏ_３ ⁻からなる第３の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、が交差する位置に最も近接した測定位置である、フィルムセンサ。
2. ＸはＡｌ，Ａｇ、ＡｕまたはＣｕである、請求項１に記載のフィルムセンサ。
3. ＸがＣｕであり、
   前記第１の二次イオンがＣｕＩｎＯ_２ ^―であり、
   前記第２の二次イオンがＣｕ_３ ⁻である、請求項２に記載のフィルムセンサ。
4. 前記透明導電層及び前記金属層の厚み方向において実施される前記透明導電層及び前記金属層の前記組成分析の、前記厚み方向における間隔が、１ｎｍ以下である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のフィルムセンサ。
5. フィルムセンサと、前記フィルムセンサ上への接触位置を検出する制御回路と、を含むタッチパネル装置であって、
   前記フィルムセンサが、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のフィルムセンサを備える、タッチパネル装置。
6. フィルムセンサを作製するために用いられる積層体であって、
   基材フィルムと、
   前記基材フィルムに設けられ、ＩＴＯからなる透明導電層と、
   前記透明導電層上に設けられ、導電性を有する金属層と、を備え、
   前記金属層が高導電性の金属（Ｘ）を含み、
   飛行時間型二次イオン質量分析装置を用いて前記透明導電層及び前記金属層の厚み方向において所定の間隔で前記透明導電層及び前記金属層の組成分析を実施した場合、ＸとＩｎとＯとを含む第１の二次イオンのカウント数の最大値が現れる位置が、前記透明導電層と前記金属層との界面よりも前記透明導電層側にあり、
   前記透明導電層と前記金属層との界面の位置は、前記透明導電層及び前記金属層の厚み方向の測定位置を横軸とし、前記組成分析において検出される二次イオンのカウント数を縦軸とした場合に、隣接する測定位置における二次イオンのカウント数を二次イオン毎に結ぶ線のうち、Ｘを含む第２の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、Ｉｎ_２Ｏ_３ ⁻からなる第３の二次イオンのカウント数を結ぶ線と、が交差する位置に最も近接した測定位置である、積層体。
7. ＸはＡｌ，Ａｇ、ＡｕまたはＣｕである、請求項６に記載の積層体。
8. ＸがＣｕであり、
   前記第１の二次イオンがＣｕＩｎＯ_２ ^―であり、
   前記第２の二次イオンがＣｕ_３ ⁻である、請求項７に記載の積層体。
9. 前記透明導電層及び前記金属層の厚み方向において実施される前記透明導電層及び前記金属層の前記組成分析の、前記厚み方向における間隔が、１ｎｍ以下である、請求項６乃至８のいずれか一項に記載の積層体。