CN107130218B - 成膜方法及使用前述成膜方法的积层体基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开成膜方法及使用前述成膜方法的积层体基板的制造方法，具体提供一种能够消除长条状树脂膜的宽度方向的色差而不易发生蚀刻不良的成膜方法。本发明的成膜方法是利用溅镀法等干式镀敷法于在真空室10内以辊对辊方式从卷出辊11搬送至卷取辊24的长条状树脂膜F的两面分别形成第1覆膜及第2覆膜，且在第1次卷取与第2次卷取之间适宜地利用来自离子源29的离子束照射对所述第1覆膜的表面实施干式蚀刻处理，所述第1次卷取是于将所述第1覆膜形成在长条状树脂膜F的一面之后，利用卷取辊24而实施，所述第2次卷取是于将第2覆膜形成在已形成第1覆膜的长条状树脂膜F的另一面之后，利用卷取辊24而实施。

Description

成膜方法及使用前述成膜方法的积层体基板的制造方法

技术领域

本发明涉及一种利用干式镀敷法在以辊对辊方式搬送的长条状树脂膜的两面形成覆膜的方法以及使用前述成膜方法的积层体基板的制造方法。

背景技术

在手机、便携式电子书设备、自动售卖机、汽车导航等电子设备所具备的平板显示器(FPD)的表面设置“触控面板”的技术开始普及。“触控面板”能够大致分为电阻型与静电电容型，“电阻型”的触控面板的主要部分以由树脂膜构成的透明基板、设置于所述基板上的X坐标(或Y坐标)检测电极片及Y坐标(或X坐标)检测电极片、以及设置于这些电极片之间的绝缘体间隔件构成。

这些X坐标检测电极片及Y坐标检测电极片通常是通过绝缘体间隔件而隔开，在用笔等点压时两坐标检测电极片在该部位电接触。由此，能够检测出笔所点触的位置(X坐标、Y坐标)，而形成只要使笔移动便随时识别每一个坐标并且最终能够进行文字输入的机制。

另一方面，“静电电容型”的触控面板具有如下构造：X坐标(或Y坐标)检测电极片与Y坐标(或X坐标)检测电极片隔着绝缘片而积层，还在其上配置着玻璃等绝缘体。而且，成为如下机制：在将手指靠近该玻璃等绝缘体时，其附近的X坐标检测电极与Y坐标检测电极的电容发生变化，因此能够进行位置检测。

作为形成于所述电极片(也称为电极基板膜)上的具有指定电路图案的电极用导电材料，以往，广泛使用如专利文献1所公开的ITO(氧化铟-氧化锡)等的透明导电膜。另外，随着触控面板的大型化，也开始使用如专利文献2及专利文献3等所公开的由金属制细线构成的网眼构造的金属膜。

在将所述透明导电膜与金属制细线(金属膜)进行比较的情况下，透明导电膜由于在可见波长区域的透过性优异，所以具有几乎不会视认到电极等电路图案的优点，但由于电阻值比金属制细线(金属膜)高，所以具有不利于触控面板的大型化及响应速度的高速化的缺点。另一方面，金属制细线(金属膜)由于电阻值低，所以有利于触控面板的大型化及响应速度的高速化，但由于在可见波长区域的反射率高，所以即使加工为微细的网眼构造，有时在高亮度照明下也会视认到电路图案，而具有使产品价值降低的缺点。

因此，在专利文献4及专利文献5中，为了发挥电阻值低的所述金属制细线(金属膜)的特性，提出如下方法：在由树脂膜构成的透明基板与金属制细线的金属膜之间介置由金属氧化物构成的金属吸收层(也称为黑化膜)，从而降低从透明基板侧观测的金属制细线(金属膜)的反射。

在具备由所述金属氧化物构成的金属吸收层的电极片的制作中，从谋求金属氧化物的成膜效率的高效率化的观点来讲，通常进行如下操作，由此制作出成为电极基板膜的基材的积层体基板，所述操作即：通过在反应性气体环境下使用金属靶材(金属材)进行反应性溅镀，而在连续搬送的长条状树脂膜的表面连续形成金属吸收层，然后通过在惰性气体环境下使用铜等金属靶材(金属材料)进行溅镀，而在所述金属吸收层上连续形成金属层。然后进行如下操作：通过利用氯化铜水溶液或氯化铁水溶液等蚀刻液对由这些金属吸收层及金属层构成的积层膜进行蚀刻处理，而在所述积层膜(金属吸收层及金属层)图案化加工电极等的电路图案。

因此，对于成为电极基板膜的基材的积层体基板要求如下特性：由金属吸收层及金属层构成的积层膜易于利用氯化铜水溶液或氯化铁水溶液等蚀刻液而被蚀刻的特性、以及通过所述蚀刻而被图案化加工后的电极等的电路图案在高亮度照明下不易被视认的特性。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2003-151358号公报

[专利文献2]日本特开2011-018194号公报

[专利文献3]日本特开2013-069261号公报

[专利文献4]日本特开2014-142462号公报

[专利文献5]日本特开2013-225276号公报

发明内容

[发明所欲解决的课题]

但是，在将通过如上所述的操作而积层的积层膜制作于长条状树脂膜的两面的情况下，会产生如下问题，所述操作即：通过在含有氧气的反应性气体环境下使用Ni系的金属靶材(金属材料)进行反应性溅镀而在长条状树脂膜的表面连续形成由金属氧化物构成的金属吸收层，然后通过使用铜等金属靶材(金属材)进行溅镀而在所述金属吸收层上连续形成金属层。

即，为了提高与被积层的金属的密合性，有时会在长条状树脂膜的两面设置易粘接层，在该情况下，如果首先于在长条状树脂膜的一面连续形成金属吸收层及金属层作为第1覆膜之后将其呈卷状卷取，然后再将其卷出以便在长条状树脂膜的另一面形成第2覆膜，那么以长条状树脂膜的宽度方向上的中央部与端部之间为界，在金属层面上发现能够通过目视确认的略微的色差。这种金属层上的色差可能会造成积层体基板的外观不良，而且如果在此状态下直接通过蚀刻图案化加工为电极电路，那么在所述颜色的交界部分会产生蚀刻速度差而造成蚀刻不良。

本发明是鉴于这种以往的问题点而完成，目的在于提供一种成膜方法，于在长条状树脂膜的两面进行成膜而制作积层体基板时，能够消除长条状树脂膜的宽度方向的色差而不易发生蚀刻不良。

[解决课题的技术手段]

为了达成所述目的，本发明所提供的成膜方法是利用干式镀敷法在以辊对辊方式搬送的长条状树脂膜的两面分别形成第1覆膜及第2覆膜，其特征在于：在第1次卷取与第2次卷取之间对所述第1覆膜的表面实施干式蚀刻处理，所述第1次卷取是于将所述第1覆膜形成在所述长条状树脂膜的一面之后，所述第2次卷取是于将第2覆膜形成在已形成所述第1覆膜的长条状树脂膜的另一面之后。

[发明的效果]

根据本发明，在长条状树脂膜的两面进行成膜而制作积层体基板时，能够消除长条状树脂膜的宽度方向的色差，因此在使用氧化剂等药液进行蚀刻加工时能够消除该宽度方向的蚀刻加工性的差别。

附图说明

图1是能够适宜地实施本发明的成膜方法的成膜装置(溅镀卷绕镀膜机(スパッタリングウェブコータ))的示意前视图。

图2是示意性地表示利用以往的成膜方法而制作的积层体基板所产生的外观上的缺陷的立体图。

图3是在透明基板的两面具有第1层的金属吸收层及第2层的金属层的积层体基板的示意剖面图，所述金属吸收层及金属层是利用本发明的成膜方法而制作。

图4是具有经厚膜化的金属层的积层体基板的示意剖面图，所述经厚膜化的金属层是通过在图3的金属层之上进而利用湿式成膜法形成金属层而获得。

图5是第2积层体基板的示意剖面图，所述第2积层体基板是通过在图4的经厚膜化的金属层之上进而利用干式镀敷法形成第3层的第2金属吸收层而获得。

图6是在透明基板的两面分别形成金属制积层细线所得的电极基板膜的示意剖面图。

[符号的说明]

F 长条状树脂膜

10 真空室

10a 间隔板

11 卷出辊

12a、12b、23 自由辊

13 冷却辊

14、22 张力传感辊

15 前进料辊

16 罐状辊

17、18、19、20 磁控溅镀阴极

21 后进料辊

24 卷取辊

25a·25b、26a·26b、27a·27b、28a·28b 气体释放管

29 干式蚀刻手段

50 树脂膜(透明基板)

51 金属吸收层

52 利用干式成膜法而形成的金属层(铜层)

53 利用湿式成膜法而形成的金属层(铜层)

54 第2金属吸收层

51a 经图案化加工的金属吸收层

52a 经图案化加工的、利用干式成膜法而形成的金属层(铜层)

53a 利用湿式成膜法而形成的金属层(铜层)

54a 经图案化加工的第2金属吸收层

具体实施方式

以下，采用通过溅镀而进行的成膜方法作为本发明的成膜方法的一具体例，一边参照图1，一边对能够适宜地实施该成膜方法的成膜装置进行说明。该图1所示的成膜装置也被称为溅镀卷绕镀膜机，其主要构成如下：搬送手段，以辊对辊方式将长条状树脂膜F从卷出辊11经由罐状辊16搬送至卷取辊24；成膜手段，在长条状树脂膜F已被卷绕于罐状辊16的外周面时对其表面连续且高效地实施溅镀成膜；以及真空室10，收纳这些手段。

具体地进行说明，在真空室10组装有干式真空泵、涡轮分子泵、低温盘管(クライオコイル)等各种装置(未图示)，在溅镀成膜时将真空室10内的压力降低到最终压力10^-4Pa左右之后，通过导入溅镀气体，能够将所述真空室10内的压力调整至0.1～10Pa左右。溅镀气体使用氩气等众所周知的气体，根据目的进而添加氧气等气体。真空室10的形状及材质，只要能够承受这种减压状态，就没有特别限定，可使用各种形状及材质。在真空室内设置着间隔板10a，以便从设置着搬送用辊群的空间隔离出用来进行溅镀成膜的空间。

在从卷出辊11至罐状辊16的搬送路径上，依次配置着：自由辊12a、12b，导引长条状树脂膜F；冷却辊13，卷绕长条状树脂膜F并进行冷却；张力传感辊14，对比罐状辊16靠上游侧的长条状树脂膜F的张力进行测定；以及马达驱动的前进料辊15，为了使将被送入至罐状辊16的长条状树脂膜F密合于罐状辊16的外周面而对罐状辊16的圆周速度进行调整。

罐状辊16的内部循环着已在真空室10的外部经调温的冷媒，能够在利用成膜手段对卷绕于外周面的长条状树脂膜F实施热负载施加处理时，使该长条状树脂膜F冷却。冷却辊13的内部也循环着冷媒，能够在利用与其外周面对向而配设的干式蚀刻手段29对长条状树脂膜F实施热负载施加处理时使该长条状树脂膜F冷却。另外，在不启动干式蚀刻手段29的情况下，也可停止冷却辊13内的冷媒的循环。

在从罐状辊16至卷取辊24的搬送路径上，除了没有与所述冷却辊13及第2个自由辊12b对应的辊以外，其他与上文所述相同，依次配置着：马达驱动的后进料辊21，对罐状辊16的圆周速度进行调整；张力传感辊22，对比罐状辊16靠下游侧的长条状树脂膜F的张力进行测定；以及自由辊23，导引长条状树脂膜F。

在所述卷出辊11及卷取辊24中，通过由粉末离合器等所实施的转矩控制，而保持着长条状树脂膜F的张力平衡。另外，通过马达驱动的罐状辊16的旋转以及与所述旋转连动而旋转的马达驱动的前进料辊15及后进料辊21，从卷出辊11卷出的长条状树脂膜F在沿着由所述罐状辊16等辊群所划定的搬送路径而搬送后，利用卷取辊24而被卷取。

在与罐状辊16的外周面中卷绕长条状树脂膜F的区域相对向的位置，沿着罐状辊16的搬送路径依次设置着4个磁控溅镀阴极17、18、19及20作为成膜手段，且在附近设置着能够各自释放反应性气体的4对气体释放管25a·25b、26a·26b、27a·27b及28a·28b。另外，如果使用板状的靶材，进行所述金属吸收层及金属层的溅镀成膜，那么有时会在该靶材上产生结核(异物的生长)。如果这会造成问题，那么优选使用不会产生结核且靶材的使用效率也高的圆筒形的旋转靶材。

所述4个磁控溅镀阴极17～20之中，例如在最初两个阴极17～18的靶上设置金属吸收层形成用靶材，在剩下两个阴极19～20的靶上设置金属层用靶材，由此能够在长条状树脂膜F的单面连续地形成由金属氧化物构成的金属吸收层及金属层。在该金属吸收层的成膜时，如果使用金属氧化物靶材作为金属吸收层的形成用靶材，那么成膜速度变慢，不适于量产。因此，使用能够高速成膜的Ni系的金属靶材(金属材料)，并且采用一边控制含有氧气的反应性气体、一边导入该反应性气体的反应性溅镀等反应成膜法。

作为控制所述反应性气体的方法，已知如下4种方法：(1)释放固定流量的反应性气体的方法，(2)以使真空室内的压力保持为固定压力的方式释放反应性气体的方法，(3)以溅镀阴极的阻抗固定的方式释放反应性气体的(阻抗控制)方法，以及(4)以溅镀的等离子体强度固定的方式释放反应性气体的(等离子体发射控制)方法。

在如上所述通过反应性溅镀等而形成金属吸收层时，形成溅镀环境的反应性气体为在氩气等添加氧气而形成的混合气体。通过如此地在含有氧气的反应性气体环境下使用Ni系的金属靶材(金属材料)进行反应性溅镀，能够形成NiO膜(并非完全氧化)等。反应性气体中的适宜氧气浓度会根据成膜装置及金属靶材(金属材料)的种类而变化，只要将在金属吸收层的反射率等光学特性及蚀刻液的蚀刻性考虑在内而适当设定即可，一般来讲理想的是15体积％以下。

在如上所述使用两个溅镀阴极17及18来形成从作为透明基板的长条状树脂膜F侧数起位于第1层的金属吸收层的情况下，从两对气体释放管25a·25b及26a·26b导入反应性气体。另外，在长条状树脂膜F的两面分别形成金属吸收层及金属层的情况下，只要以如下方式进行操作即可：如图1所示使卷出辊11及卷取辊24沿着中空箭头所示的逆时针方向旋转而在长条状树脂膜F的一面进行成膜，并将该长条状树脂膜F卷取至卷取辊24，然后将此卷取而成的卷筒从卷取辊24拆下，并安装至卷出辊11，使卷出辊11沿着图1的实心箭头所示的顺时针方向旋转，并且从卷出辊11朝向自由辊12a如虚线所示卷出长条状树脂膜F，由此在另一面进行成膜。

另外，在所述溅镀成膜等干式镀敷中所使用的长条状树脂膜的表面，有时会形成易粘接层以提高与镀敷层的密合性。关于易粘接层的形成方法，有通过涂布硅烷化合物或异氰酸酯化合物等化合物而形成的化学形成法、或通过电晕放电等将表面的构成分子分解或将表面粗面化等而形成的机械形成法。如果在两面设置着此易粘接层的长条状树脂膜的一面先形成所述金属吸收层及金属层作为第1覆膜，然后再卷取长条状树脂膜，那么会担心第1覆膜与长条状树脂膜的另一未成膜侧表面接触，而使第1覆膜遭受该易粘接层部分地转印于第1覆膜等化学性影响。关于其过程，下文将进行详细说明。

如果利用干式镀敷法在长条状树脂膜进行成膜，那么其卷取也是在减压环境下进行。因此，在卷取已形成第1覆膜的长条状树脂膜后，第1覆膜与长条状树脂膜的未成膜的表面之间几乎不存在气体分子地接触。进而，已被卷取的长条状树脂膜以自身被卷取时的搬送张力而卷紧。该情况下的搬送张力在长条状树脂膜的宽度方向存在差异，宽度方向的两端部的张力最弱，宽度方向的中央部最强。即，如果在成膜装置内卷取仅形成有第1覆膜的长条状树脂膜，那么第1覆膜的金属面与易粘接层相接的部分的接触状态根据长条状树脂膜的宽度方向的位置而不同，因此有时会如图2所示在宽度方向发现色差。另外，在形成第2覆膜后的卷取中，第2覆膜与第1覆膜相接，因此不会发生所述宽度方向的色差问题。

如果在第1覆膜的表面发现所述宽度方向的色差，那么会担心在利用氧化剂等药液对第1覆膜实施化学蚀刻等加工时加工性产生差别。因此，在图1的成膜装置中，能够在将形成第2覆膜之后的长条状树脂膜F卷取之前，利用干式蚀刻手段29对第1覆膜的表面进行干式蚀刻处理。另外，虽然在图1的成膜装置中是先对第1覆膜进行干式蚀刻处理，然后再进行第2覆膜的成膜，但也可先形成第2覆膜，然后再对第1覆膜进行干式蚀刻处理。

通过如上所述对第1覆膜进行干式蚀刻处理，能够将该第1覆膜的产生宽度方向的色差的表面部去除。由此，长条状树脂膜的宽度方向的蚀刻性不会产生差别。作为干式蚀刻处理，可举出使氩离子等撞击第1覆膜的表面而进行的反溅镀处理、等离子体照射处理、离子束照射处理等。在这些处理之中，离子束照射处理由于指向性强，所以能够高效地进行干式蚀刻处理，因此较为理想。另外，只要将第1覆膜的产生宽度方向的色差的表面部去除，那么即使是在第1覆膜的表面进而利用干式镀敷或湿式镀敷形成覆膜的情况下，长条状树脂膜的宽度方向上也不易产生蚀刻性的差别，也可根据需要对设置于第1覆膜之上的覆膜实施干式蚀刻处理。

离子束处理是通过从离子源对作为被处理物的长条状树脂膜照射离子而进行。作为用于离子束的气体种类，可使用氧气、氩气、氮气、二氧化碳、或水蒸气，也可使用两种以上所述气体的混合气体。优选以大致呈直线状照射离子束，且受到照射的有效宽度相当于接受处理的长条状树脂膜的宽度的方式，设置干式蚀刻手段29。另外，离子束的照射时间依存于长条状树脂膜的搬送速度。向进行离子束处理的离子源供给的电力[W]会受成膜装置的构造及第1覆膜的化学种类等所影响，因此只要将第1覆膜的加工性等考虑在内而适当设定即可。此时，优选基于由下述数学式1所定义的照射电力[W/(m·m/min)]来设定对离子源的供给电力。

[数学式1]

照射电力＝对离子源的供给电力[W]/(有效宽度[m]×搬送速度[m/min])

在对成膜于长条状树脂膜F的第1覆膜的表面进行离子束处理时，理想的是使其相反侧部分与冷却辊13的外周面接触而进行冷却。其原因在于：离子束处理的指向性高，担心长条状树脂膜F的离子束照射部会局部温度变高而产生皱褶。另外，在离子束处理过度或冷却辊13所进行的冷却不充分的情况下也容易产生皱褶，因此理想的是适当调整离子束的供给电力或冷媒的温度等。

利用所述成膜装置，能够在制作触控面板用等的电极基板膜的基材所用的积层构造的积层体基板时抑制品质的不均。该积层体基板例如：由如图3所示的由长条状树脂膜构成的透明基板50；金属吸收层51及金属层52，通过所述成膜装置而形成于该透明基板50的两面所形成。

作为应用于所述积层体基板的长条状树脂膜的材质，并不特别限定，适宜使用选自聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚碳酸酯(PC)、聚烯烃(PO)、三乙酰纤维素(TAC)及降冰片烯等树脂材料的树脂膜单独成分、或者选自所述树脂材料的树脂膜单独成分与覆盖该单独成分的单面或两面的丙烯酸系有机膜的复合体。关于降冰片烯树脂材料，作为代表性的材料可举出日本瑞翁公司的ZEONOR(商品名)及JSR公司的ARTON(商品名)等。另外，使用本发明的积层体基板而制作的电极基板膜主要用于触控面板，因此在所述树脂膜之中，理想的是在可见波长区域透明性优异的树脂膜。

所述金属吸收层51优选为由金属氧化物层构成的层，所述金属氧化物层是使用由Cu单质、Ni单质、或Ni系合金构成的金属材料在含有氧气的反应性气体环境下利用反应成膜法进行成膜而获得，所述Ni系合金是在Ni中添加选自由Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu及Zn所组成的群中1种以上元素而形成。Ni系合金的情况下优选Ni-Cu合金。

另一方面，金属层52能够在一般的惰性气体环境下形成，作为其构成材料，只要是电阻值低的金属，并没有特别限定，例如，可举出Cu单质、或在Cu中添加选自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag的1种以上元素而形成的Cu系合金、或者Ag单质、或在Ag中添加选自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Cu的1种以上元素而形成的Ag系合金，在这些材料之中，从电路图案的加工性及电阻值的观点来讲，理想的是Cu单质。

金属吸收层51的膜厚优选15～30nm左右。金属层的膜厚会对电特性造成影响，因此并非仅根据光学要件而决定，优选设定为透过光无法测定的水平的膜厚。一般来讲，优选将金属层的膜厚设定为50～5000nm，从将金属层加工成配线图案的加工性的观点来讲，更优选3μm(3000nm)以下。

另外，也可在利用所述干式镀敷法而形成的金属层52之上进而利用电镀法等湿式镀敷法形成金属层，而进行厚膜化。即，也可如图4所示，利用干式镀敷法在由长条状树脂膜构成的透明基板50的两面形成金属吸收层51及金属层52之后，在该金属层52之上利用湿式镀敷法形成金属层53。

也可在所述金属层53之上进而形成第2金属吸收层。即，也可如图5所示，利用干式镀敷法在由长条状树脂膜构成的透明基板50的两面形成例如膜厚为15～30nm的金属吸收层51及例如膜厚为50～1000nm的金属层52之后，利用湿式镀敷法形成金属层53，然后在该金属层53之上利用干式镀敷法形成例如膜厚为15～30nm的第2金属吸收层54。该第2金属吸收层与所述金属吸收层51相同，是通过使用由Cu单质、Ni单质、或Ni系合金构成的金属材料在含有氧气的反应性气体环境下利用反应成膜法进行成膜而获得，所述Ni系合金是在Ni中添加选自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn的1种以上元素而形成。

通过如此地在利用干式镀敷法及湿式镀敷法而厚膜化后的金属层的两面形成金属吸收层，能够在将使用该积层体基板而制作的电极基板膜组装至触控面板时，不易通过反射看见由金属制积层细线构成的网眼构造的电路图案。另外，即使是于使用仅在由长条状树脂膜构成的透明基板的单面形成金属吸收层及金属层而获得的积层体基板，制作电极基板膜的情况下，也能够不易从该透明基板看见电路图案。

另外，如果构成利用反应成膜法而形成的金属吸收层的金属氧化物过度氧化，那么金属吸收层会变为透明，因此理想的是将氧化水平抑制在视觉上成为黑化膜的程度。如果利用反应成膜法形成金属吸收层，那么各金属元素会与氧原子形成非化学计量的化合物，通过这种非化学计量的氧化物，而在视觉上呈现为黑色。

作为所述反应成膜法，除了使用如图1所示的磁控溅镀阴极17～20的溅镀法以外，还有离子束溅镀、真空蒸镀、离子镀覆、CVD等干式镀敷法。金属吸收层在各波长下的光学常数(折射率、消光系数)较大程度上受反应的程度即氧化度所影响，而并非仅由Ni系合金构成的金属材料所决定。另外，在为Ni-Cu合金的情况下，根据Ni与Cu的调配比率，有时即使是不使用反应成膜法的方法(即不使用反应性气体的成膜法)，也会形成被视认为黑色膜的金属吸收层。

通过对利用所述方法而制作的积层体基板的积层膜进行图案化加工而形成线宽为例如20μm以下的金属制积层细线，能够获得电极基板膜。具体来讲，通过下述蚀刻处理等对图5所示的积层体膜的积层膜进行图案化加工，由此能够获得如图6所示的电极基板膜。此图6所示的电极基板膜具有网眼构造的电路图案，所述电路图案设置于由树脂膜构成的透明基板50的两面，且由例如线宽为20μm以下的金属制积层细线构成，此金属制积层细线是由从透明基板50侧数起为第1层的金属吸收层51a、为第2层的金属层52a、53a及为第3层的第2金属吸收层54a所构成。

通过如此地将电极基板膜的电极(配线)图案形成为条纹状或格子状，能够将其用于触控面板。被以此方式配线加工为电极(配线)图案的金属制积层细线由于维持着积层体基板的积层构造，所以具有即使是在高亮度照明下也极难视认设置于透明基板的电极等的电路图案的特征。即，如果于在氩气中添加氧气而获得的反应性气体环境下进行反应性溅镀成膜，那么由于获得作为金属吸收层的黑色膜，所以在被照射时能够将光的反射率抑制得较低，由此，对金属吸收层进行蚀刻加工而获得的电极等的电路图案在高亮度照明下不易被视认。

作为对所述积层体基板进行图案化加工而形成电极基板膜的方法，可举出众所周知的减成法。减成法是如下方法：在积层体基板的积层膜表面形成光阻膜，对于欲形成电极图案的部位以保留光阻膜的方式进行曝光及显影处理，通过化学蚀刻将从光阻膜露出的积层膜部分去除，而形成电极图案。作为所述化学蚀刻的蚀刻液，可使用氯化铁水溶液或氯化铜水溶液。

以上，对本发明的一具体例的电极基板膜用积层体基板的制造方法进行了说明，积层体基板的用途并不限定于触控面板用电极基板膜，也可用于软性配线基板等。在将积层体基板用于软性配线基板的情况下，积层体基板是第1覆膜及第2覆膜各自为至少两层的积层构造，例如优选第1层是Ni系合金层，且第2层由以铜层形成的金属层所构成，所述Ni系合金层是在Ni中添加选自由Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu及Zn所组成的群中1种以上元素而形成。

也可在该第2层的金属层之上还设置着第3层，该第3层优选由第2Ni系合金层构成，所述第2Ni系合金层例如是在Ni中添加选自由Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、及Zn所组成的群的1种以上元素而形成。这些第1及第2Ni合金层理想的是Ni-Cr系合金，其膜厚适宜为3～50nm。另外，铜层的膜厚优选50nm以上，更优选15μm以下。作为长条状树脂膜，除了电极基板膜用积层体膜中所使用的构成透明基板的树脂膜以外，在不要求透明性的情况下也可使用经着色的膜。例如，可使用聚酰亚胺膜等树脂膜。

[实施例]

使用如图1所示的成膜装置(溅镀卷绕镀膜机)，在含有氧气的反应性气体环境下进行反应溅镀，由此在长条状树脂膜F的两面分别成膜第1覆膜及第2覆膜。具体地进行说明，罐状辊16使用外径为600mm、宽度为750mm的不锈钢制圆筒部件，并对其表面实施硬铬镀敷。前进料辊15与后进料辊21均使用外径为150mm、宽度为750mm的不锈钢制圆筒部件，并对其表面实施硬铬镀敷。在磁控溅镀阴极17、18安装金属吸收层用Ni-Cu靶材，在磁控溅镀阴极19、20安装金属层用Cu靶材。

构成透明基板的长条状树脂膜F使用宽度为600mm、长度为1200m的PET膜。将该长条状树脂膜F设置于卷出辊11，并将其前端部经由各种辊群而卷绕于卷取辊24。罐状辊16中所循环的冷媒的温度控制为0℃。在该状态下，通过多台干式真空泵将真空室10内排气至5Pa，然后再使用多台涡轮分子泵及低温盘管排气至1×10^-4Pa。然后，以2m/min的搬送速度搬送长条状树脂膜F而进行溅镀成膜。

溅镀成膜时，在进行金属吸收层的成膜的磁控溅镀阴极17、18中，从分别配设于其附近的气体释放管25a·25b、26a·26b以300sccm的流量导入氩气，以15sccm的流量导入氧气，并以可获得膜厚为30nm的Ni-Cu氧化层的方式进行电力控制。另一方面，在进行金属层(铜层)的成膜的磁控溅镀阴极19、20中，从分别配设于其附近的气体释放管27a·27b、28a·28b以300sccm的流量导入氩气，并以可获得膜厚为80nm的Cu层的方式进行电力控制。

在长条状树脂膜F的单面完成第1覆膜的成膜之后，向真空室10导入大气，将已被卷取的长条状树脂膜从卷取辊24拆下并设置于卷出辊11。然后，在利用与第1覆膜的成膜的情况相同的方法进行真空排气之后，以2m/min的搬送速度搬送长条状树脂膜F，除了进行下述离子束处理以外按照与所述第1覆膜的成膜的情况相同的步骤进行第2覆膜的成膜。

即，在该第2覆膜的成膜中，与所述第1覆膜的成膜的情况不同，一边利用循环着温度被控制为0℃的冷媒的冷却辊13对长条状树脂膜F进行冷却，一边启动作为干式蚀刻手段29的离子源，以100sccm的离子束用气体供给量对第1覆膜的成膜面侧实施离子束处理。另外，为了调查改变了干式蚀刻处理条件时的效果，每隔固定时间便改变对离子源的供给电力及离子束用供给气体的种类而进行离子束处理。另外，为了进行比较，在停止离子源并且不供给离子束用供给气体的条件下进行第2覆膜的成膜。

在第2覆膜的成膜完成后，在大气中将已被卷取的积层体基板卷出，通过目视确认第1覆膜的宽度方向的两端的色差。其次，对于第1覆膜及第2覆膜两者通过电镀以铜厚成为1μm的方式进行成膜，再次通过成膜装置，利用与所述相同的方法，在第1覆膜及第2覆膜之上形成膜厚为30nm的第2金属吸收层。另外，在该第2金属吸收层的成膜时未进行离子束处理。以此方式，制造出在透明基板的两面积层下述积层膜而形成的试样1～7的积层体基板，所述积层膜由从该透明基板数起成为第1层的金属吸收层的Ni-Cu氧化膜、成为第2层的金属层的Cu膜及成为第3层的第2金属吸收层的Ni-Cu氧化膜构成。

对于所获得的试样1～7的各积层体基板，在开始成膜后对100m、500m及900m的位置进行取样，使用氯化铁水溶液作为蚀刻液而进行蚀刻，由此进行蚀刻性的评价。作为评价基准，如果宽度方向的中央部与距离端部50mm的部分的蚀刻速度差未达3秒，那么判断为“合格”，如果该速度差为3秒以上，那么判断为“不合格”。另外，通过目视确认有无产生皱褶。将这些评价结果与所述通过目视而得出的色差的评价及使用数学式1由离子源的供给电力和其值而算出的照射电力一起示于下述表1。

[表1]

(注)表中带*的试样是比较例。

根据所述表1，可知：在对第1覆膜的成膜面侧实施了离子束处理的试样1～6中，均不具有色差，另外，蚀刻性也良好。与此相对地，在未实施离子束处理的试样7中，虽然与试样1～6一样未发现皱褶的产生，但在第1覆膜的两端部发现了色差。另外，在蚀刻性的评价中，试样7的所有样本均不合格。

Claims (10)

1.一种成膜方法，利用干式镀敷法在以辊对辊方式搬送的长条状树脂膜的两面分别形成第1覆膜及第2覆膜，其特征在于：在第1次卷取与第2次卷取之间对所述第1覆膜的表面实施干式蚀刻处理，以将该第1覆膜的产生宽度方向的色差的表面部去除，所述第1次卷取是于将所述第1覆膜形成在所述长条状树脂膜的一面之后，所述第2次卷取是于将第2覆膜形成在已形成所述第1覆膜的长条状树脂膜的另一面之后。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：所述干式蚀刻处理是离子束照射。

3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于：在实施所述干式蚀刻处理时，使其相反侧部分与冷却辊接触。

4.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于：所述干式镀敷法是溅镀法。

5.根据权利要求3所述的成膜方法，其特征在于：所述干式镀敷法是溅镀法。

6.一种积层体基板的制造方法，在长条状树脂膜的两面分别形成第1覆膜及第2覆膜，其特征在于：

所述第1覆膜及第2覆膜各自具有至少两层的积层构造，利用权利要求1至5中任一项所述的成膜方法而形成这些第1覆膜及第2覆膜。

7.根据权利要求6所述的积层体基板的制造方法，其特征在于所述积层构造如下：从长条状树脂膜数起，第1层是Ni系合金层，第2层是铜层，所述Ni系合金层是在Ni中添加选自由Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu及Zn所组成的群中1种以上元素而形成。

8.根据权利要求7所述的积层体基板的制造方法，其特征在于：在所述第2层之上还设置着第2Ni系合金层作为第3层，所述第2Ni系合金层是在Ni中添加选自由Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu及Zn所组成的群中1种以上元素而形成。

9.根据权利要求6所述的积层体基板的制造方法，其特征在于所述积层构造如下：从长条状树脂膜数起，第1层是使用由Cu单质、Ni单质、或Ni系合金构成的金属材料在含有氧气的反应性气体环境下利用反应成膜法而形成的金属吸收层，第2层是在惰性气体环境下形成的铜层，所述Ni系合金是在Ni中添加选自由Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu及Zn所组成的群中1种以上元素而形成。

10.根据权利要求9所述的积层体基板的制造方法，其特征在于：在所述第2层之上还设置着使用由Cu单质、Ni单质、或Ni系合金构成的金属材料在含有氧气的反应性气体环境下利用反应成膜法而形成的第2金属吸收层作为第3层，所述Ni系合金是在Ni中添加选自由Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu及Zn所组成的群中1种以上元素而形成。

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