TWI668117B - 積層體薄膜與電極基板薄膜及彼等之製造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種隔著透明基板所觀察的電路圖案難以被辨識出之電極基板薄膜、和使用於該電極基板薄膜的製作之積層體薄膜。
一種電極基板薄膜，其係具有包含樹脂薄膜的透明基板e、和設置於該基板的至少一面之網孔構造的電路圖案之電極基板薄膜，其特徵為：電路圖案係以線寬20μm以下的積層細線構成，該線寬20μm以下的積層細線係對設置於透明基板的至少一面之積層膜加工而形成；在形成上述積層膜之前的透明基板的表面，具備表面粗糙度Ra為0.2μm以下且霧度值為2.5~10%的防眩層f，並且形成於上述防眩層上的積層膜係具有從透明基板側起算為第1層a的金屬吸收層和第2層b的金屬層和第3層c的第2金屬吸收層。

Description

積層體薄膜與電極基板薄膜及彼等之製造方法
本發明係關於具有包含樹脂薄膜的透明基板和設置於該透明基板的積層膜之積層體薄膜、及對該積層體薄膜的積層膜進行蝕刻處理而形成包含積層細線的電路圖案以使用於觸控面板等的構成零件之電極基板薄膜，尤其係關於在蝕刻處理後使由透明基板側所觀察(亦即，隔著透明基板觀察)之來自積層細線的反射降低，即使在高輝度照明下亦難以辨識出包含上述積層細線的電路圖案之電極基板薄膜與使用於該電極基板薄膜的製作之積層體薄膜及彼等的製造方法。
近年來，設置於行動電話、行動式電子文書機器、自動販賣機、汽車導航等的平面顯示器(FPD)表面之「觸控面板」正開始普及中。
上述的「觸控面板」大致區分有電阻式和靜電容量式。「電阻式觸控面板」的主要部分是由以下構成：包含樹脂薄膜的透明基板；設置於該基板上的X座標(或Y座標)檢測電極片以及Y座標(或X座標)檢測電極片；和設置於此等片之間的絕緣體間隔物。又，其係構成如下：上述X座標檢測電極片和Y座標檢測電極片係隔著 空間，惟以筆等按壓時，兩座標檢測電極片會電性接觸而得知筆所觸碰的位置(X座標、Y座標)，只要使筆移動，每次都可辨識座標，乃至於進行文字的輸入。另一方面，「靜電容量式觸控面板」係具有隔著絕緣片而積層有X座標(或Y座標)檢測電極片和Y座標(或X座標)檢測電極片，且在該等電極片上配置有玻璃等絕緣體之構造。又，其係構成如下：當使手指接近玻璃等的上述絕緣體時，由於其附近的X座標檢測電極、Y座標檢測電極的電容會改變，所以可進行位置檢測。
另外，作為構成電極等電路圖案的導電性材料，以往係廣泛使用ITO(氧化銦-氧化錫)等的透明導電膜(參照專利文獻1)。又，伴隨著觸控面板的大型化，也開始使用揭示於專利文獻2、專利文獻3等的網孔構造之金屬製細線(金屬膜)。
比較上述透明導電膜與金屬製細線(金屬膜)時，透明導電膜雖然因為在可見波長區域的透過性優異而具有電極等的電路圖案幾乎無法被辨識之優點，但由於其電阻值比金屬製細線(金屬膜)高，所以具有不適合於觸控面板的大型化或響應速率的高速化之缺點。另一方面，金屬製細線(金屬膜)由於電阻值低，故適合於觸控面板的大型化或響應速率的高速化，惟因可見波長區域的反射率高，所以具有例如即便加工成微細的網孔構造，也會有在高輝度照明看到電路圖案的情況，而使製品價值降低之缺點。
於是，為了使電阻值低之上述金屬製細線( 金屬膜)的特性發揮，有提議使包含金屬氧化物的金屬吸收層(稱為黑化膜)存在於包含樹脂薄膜的透明基板與金屬製細線(金屬膜)之間(參照專利文獻4、專利文獻5)，以使由透明基板側所觀察到(亦即，隔著透明基板觀察)的金屬製細線(金屬膜)的反射降低之方法。
另外，從謀求金屬氧化物的成膜效率的觀點來看，包含金屬氧化物的上述金屬吸收層，通常是藉由使用金屬靶材(金屬材)和反應性氣體的反應性濺鍍等而成膜於長形樹脂薄膜面，且在所成膜的金屬吸收層上藉由使用銅等的金屬靶材(金屬材)的濺鍍等成膜金屬層，來製造使用於電極基板薄膜的製作之積層體薄膜。
又，使用作為觸控面板等的構成零件之電極基板薄膜，係將具有包含樹脂薄膜的透明基板、和包含設置於該基板的金屬吸收層及金屬層的積層膜之積層體薄膜的上述積層膜，藉由氯化銅水溶液或氯化鐵水溶液等的蝕刻液進行蝕刻處理，而將積層體薄膜的上述積層膜(金屬吸收層和金屬層)加工成電極等的電路圖案來加以製造。
因此，使用於電極基板薄膜的製作之積層體薄膜，需要有積層膜(金屬吸收層和金屬層)容易被氯化銅水溶液或氯化鐵水溶液等蝕刻液蝕刻之特性、和經蝕刻加工的電極等電路圖案在高輝度照明下難以被辨識之特性。
然而，雖然藉由使包含金屬氧化物的上述金屬吸收層(黑化膜)存在於包含樹脂薄膜的透明基板和金 屬製細線(金屬膜)之間，隔著透明基板所觀察的電路圖案會變得難以被辨識，但是要使包含樹脂薄膜的透明基板和金屬吸收層(黑化膜)的界面完全沒有光學反射是有困難的，所以關於電路圖案的上述辨識性，尚有改善的餘地。
尤其，在包含樹脂薄膜的透明基板e的兩面形成電路圖案，且藉由溼式鍍敷法分別形成從透明基板e側起算為第2層b的金屬層的一部分，並且從透明基板e側起算為第3層c的第2金屬吸收層成膜於上述金屬層上而成的電極基板薄膜中，隔著透明基板e所觀察之來自電路圖案的正反射(由透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和透明基板的界面的正反射g)係如圖6所示，比來自從透明基板e側起算為第3層c的第2金屬吸收層的正反射還大，所以即便使包含金屬氧化物的金屬吸收層(黑化膜)存在於透明基板和金屬製細線(金屬膜)之間，也會有隔著透明基板觀察之電路圖案被辨識出的情況。而且，即便使由透明基板e側起算為第1層a的金屬吸收層和第3層c的第2金屬吸收層分別在相同條件下藉由反應性濺鍍成膜形成，來自隔著透明基板e所觀察之第1層a的金屬吸收層的反射也會變明顯，故有加以改善之必要性。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2003-151358號公報(參照請求項2)
[專利文獻2]日本特開2011-018194號公報(參照請求 項1)
[專利文獻3]日本特開2013-069261號公報(參照段落0004)
[專利文獻4]日本特開2014-142462號公報(參照請求項5、段落0038)
[專利文獻5]日本特開2013-225276號公報(參照請求項1、段落0041)
本發明係著眼於此問題點而完成者，其課題係在使蝕刻處理後隔著透明基板所觀察之來自積層細線(從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層)的反射降低，即使在高輝度照明下電路圖案也難以被辨識之電極基板薄膜與使用於該電極基板薄膜的製作之積層體薄膜，同時提供積層體薄膜與電極基板薄膜的製造方法。
為了解決上述課題，本案發明人針對來自從透明基板e側起算為第3層c的第2金屬吸收層的正反射，比隔著透明基板所觀察之來自電路圖案的正反射(從透明基板e側起算為第1層a的金屬吸收層與透明基板e之界面的正反射g)還小的原因，進行調查的結果發現，在藉由溼式鍍敷法分別形成有從透明基板e側起算為第2層b之金屬層的一部分而成之電極基板薄膜中，由於藉由溼式鍍敷法所形成之金屬層的表面成為粗糙面，所以如圖6所示，第3層c的第2金屬吸收層表面也成為粗糙面，結果 ，因應第2金屬吸收層表面的光散射變多之程度，來自第2金屬吸收層的正反射會變小。
於是，針對構成電極基板薄膜(積層體薄膜)的透明基板、從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層、第2層的金屬層、及第3層的第2金屬吸收層的表面粗糙度分別調查，可確認到包含樹脂薄膜的透明基板的表面粗糙度Ra為0.005μm左右，透明基板與金屬吸收層界面的表面粗糙度Ra亦為0.005μm左右，又可確認到一部分藉由溼式鍍敷法形成之金屬層的表面粗糙度Ra為0.02μm左右，成膜於金屬層上之第2金屬吸收層的表面粗糙度Ra亦為0.02μm左右。
且，確認到為了使隔著透明基板所觀察之來自積層細線的反射降低，透明基板與第1層的金屬吸收層的界面之表面粗糙度，必須設定成與從透明基板側起算為第3層的第2金屬吸收層之表面粗糙度為相同程度。
本發明係藉由此種調查與技術分析而完成者。
亦即，本發明的第1發明係一種積層體薄膜，其係由包含樹脂薄膜的透明基板、和設置於該透明基板的至少一面的積層膜所構成之積層體薄膜，其特徵為：在形成上述積層膜之前的透明基板的表面，具備表面粗糙度Ra為0.2μm以下且霧度值為2.5~10%的防眩層，並且形成於上述防眩層上的積層膜，具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層和第3層的第2金屬吸收層。
第2發明係如第1發明之積層體薄膜，其中依據JIS K5600-5-4 1999之上述防眩層的刮痕硬度為H以下。
第3發明係如第1發明之積層體薄膜，其中從透明基板側起算為第2層的金屬層的膜厚係50nm以上5000nm以下。
第4發明係如第1發明或第3發明之積層體薄膜，其中從透明基板側起算為第2層的金屬層的一部分係藉由溼式鍍敷法形成。
又，第5發明係如第1發明之積層體薄膜，其中從透明基板側起算為第1層的上述金屬吸收層係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法而形成，上述金屬材係由包含Ni單體或Cu單體，或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之2種以上的元素之合金所構成。
第6發明係如第1發明或第5發明之積層體薄膜，其中從透明基板側起算為第3層的上述第2金屬吸收層係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法而形成，上述金屬材係由包含Ni單體或Cu單體，或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之2種以上的元素之合金所構成。
第7發明係如第5發明或第6發明之積層體薄膜，其中上述合金係由添加有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之1種以上的元素之Ni系合金所構成。
其次，第8發明係一種電極基板薄膜，其係具有包含樹脂薄膜的透明基板、和設置於該透明基板的至少一面 之網孔構造的電路圖案之電極基板薄膜，其特徵為：上述電路圖案，係以將設置於透明基板的至少一面之積層膜加工而形成之線寬20μm以下的積層細線構成，在形成上述積層膜之前的透明基板的表面，具備表面粗糙度Ra為0.2μm以下且霧度值為2.5~10%的防眩層，並且形成於上述防眩層上的積層膜係具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層和第3層的第2金屬吸收層。
第9發明係如第8發明之電極基板薄膜，其中依據JIS K5600-5-4 1999之上述防眩層的刮痕硬度為H以下。
第10發明係如第8發明之電極基板薄膜，其中從透明基板側起算為第2層的金屬層的膜厚是50nm以上5000nm以下。
第11發明係如第8發明或第10發明之電極基板薄膜，其中從透明基板側起算為第2層的金屬層的一部分係藉由溼式鍍敷法而形成。
第12發明係如第8發明之電極基板薄膜，其中從透明基板側起算為第1層的上述金屬吸收層係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法而形成，上述金屬材係由包含Ni單體或Cu單體，或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之2種以上的元素之合金所構成。
第13發明係如第8發明或第12發明之電極基板薄膜，其中從透明基板側起算為第3層的上述第2金屬吸收層 係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法而形成，上述金屬材係由Ni單體或Cu單體，或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之2種以上的元素之合金所構成。
又，第14發明係如第12發明或第13發明之電極基板薄膜，其中上述合金係由添加有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之1種以上的元素之Ni系合金所構成。
接著，第15發明係一種積層體薄膜的製造方法，係由包含樹脂薄膜的透明基板、和設置於該透明基板的至少一面的積層膜所構成之積層體薄膜的製造方法，其特徵為具備：第1步驟，在上述透明基板的至少一面，形成表面粗糙度Ra為0.2μm以下且霧度值為2.5~10%的防眩層；第2步驟，將從上述積層膜的透明基板側起算為第1層的金屬吸收層形成於上述防眩層上；第3步驟，將從上述積層膜的透明基板側起算為第2層的金屬層形成於上述金屬吸收層上；及第4步驟，將從上述積層膜的透明基板側起算為第3層的第2金屬吸收層形成於上述金屬層上。
又，第16發明係如第15發明之積層體薄膜的製造方法，其中在上述第3步驟中，藉由溼式鍍敷法形成上述金屬層的一部分。
第17發明係如第15發明之積層體薄膜的製造方法，其中在上述第2步驟中，藉由使用金屬材和含氧的反應性 氣體之反應成膜法形成上述金屬吸收層，上述金屬材係由包含Ni單體或Cu單體，或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之2種以上的元素之合金所構成。
第18發明係如第15發明或第17發明之積層體薄膜的製造方法，其中在上述第4步驟中，藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法形成上述第2金屬吸收層，上述金屬材係由包含Ni單體或Cu單體，或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之2種以上的元素之合金所構成。
又，第19發明係如第17發明或第18發明之積層體薄膜的製造方法，其中上述合金係由添加有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之1種以上的元素之Ni系合金所構成。
再者，第20發明係一種電極基板薄膜的製造方法，其係具有包含樹脂薄膜的透明基板、和包含設置於該透明基板的至少一面之積層細線的網孔構造的電路圖案之電極基板薄膜的製造方法，其特徵為：將第1發明至第7發明中任一發明之積層體薄膜的積層膜進行化學蝕刻處理，而將線寬為20μm以下的上述積層細線進行配線加工。
由包含樹脂薄膜的透明基板、和設置於該透明基板的至少一面的積層膜所構成之本發明的積層體薄膜，其特徵為： 在形成上述積層膜之前的透明基板的表面，具備表面粗糙度Ra為0.2μm以下且霧度值為2.5~10%的防眩層，並且形成於上述防眩層上的積層膜，具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層和第3層的第2金屬吸收層。
根據對積層體薄膜的積層膜進行蝕刻加工而形成包含積層細線(具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層和第3層的第2金屬吸收層)之電路圖案之電極基板薄膜， 在透明基板與積層細線之間具有防眩層，由於隔著透明基板所觀測之來自積層細線(從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層)的反射會因防眩層的作用而降低，所以具有即便在高輝度照明下也難以看到包含上述積層細線的電路圖案之效果。
尤其，在包含樹脂薄膜的透明基板的兩面形成包含積層細線的電路圖案，且藉由溼式鍍敷法分別形成有從透明基板側起算為第2層的金屬層的一部分之電極基板薄膜中，因為上述防眩層的作用的關係，隔著透明基板所觀察之來自電路圖案的正反射(從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和透明基板的界面之反射)、和來自從透明基板側起算為第3層的第2金屬吸收層的正反射係成為相同程度，因此，具有難以進一步辨識出包含上述積層細線的電路圖案之效果。
10‧‧‧真空腔室
11‧‧‧捲出輥
12‧‧‧長形樹脂薄膜
13‧‧‧自由輥
14‧‧‧張力感測輥
15‧‧‧前進料輥
16‧‧‧罐狀輥
17‧‧‧磁控濺鍍陰極
18‧‧‧磁控濺鍍陰極
19‧‧‧磁控濺鍍陰極
20‧‧‧磁控濺鍍陰極
21‧‧‧後進料輥
22‧‧‧張力感測輥
23‧‧‧自由輥
24‧‧‧捲取輥
25‧‧‧氣體放出管
26‧‧‧氣體放出管
27‧‧‧氣體放出管
28‧‧‧氣體放出管
29‧‧‧氣體放出管
30‧‧‧氣體放出管
31‧‧‧氣體放出管
32‧‧‧氣體放出管
40‧‧‧樹脂薄膜(透明基板)
41‧‧‧金屬吸收層
42‧‧‧金屬層(銅層)
43‧‧‧金屬吸收層
44‧‧‧金屬層(銅層)
50‧‧‧樹脂薄膜(透明基板)
51‧‧‧金屬吸收層
52‧‧‧以乾式成膜法形成的金屬層(銅層)
53‧‧‧金屬吸收層
54‧‧‧以乾式成膜法形成的金屬層(銅層)
55‧‧‧以溼式成膜法形成的金屬層(銅層)
56‧‧‧以溼式成膜法形成的金屬層(銅層)
60‧‧‧樹脂薄膜(透明基板)
61‧‧‧金屬吸收層
62‧‧‧以乾式成膜法形成的金屬層(銅層)
63‧‧‧金屬吸收層
64‧‧‧以乾式成膜法形成的金屬層(銅層)
65‧‧‧以溼式成膜法形成的金屬層(銅層)
66‧‧‧以溼式成膜法形成的金屬層(銅層)
67‧‧‧第2金屬吸收層
68‧‧‧第2金屬吸收層
70‧‧‧樹脂薄膜(透明基板)
71‧‧‧金屬吸收層
72‧‧‧以乾式成膜法形成的金屬層(銅層)
73‧‧‧金屬吸收層
74‧‧‧以乾式成膜法形成的金屬層(銅層)
75‧‧‧以溼式成膜法形成的金屬層(銅層)
76‧‧‧以溼式成膜法形成的金屬層(銅層)
77‧‧‧第2金屬吸收層
78‧‧‧第2金屬吸收層
a‧‧‧金屬吸收層(第1層)
b‧‧‧金屬層(第2層)
c‧‧‧第2金屬吸收層(第3層)
d‧‧‧散射
e‧‧‧透明基板
f‧‧‧防眩層
g‧‧‧第1層正反射
h‧‧‧積分球
i‧‧‧PET薄膜
j‧‧‧全光透過率(有擴散板)
k‧‧‧散射光透過率(無擴散板)
m‧‧‧粒子密度
s‧‧‧粒子尺寸
圖1係在包含樹脂薄膜的透明基板的兩面，具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層之習知技術之積層體薄膜的概略剖面說明圖。
圖2係在包含樹脂薄膜的透明基板的兩面具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層，且金屬層是藉由乾式成膜法和溼式成膜(溼式鍍敷)法所形成之習知技術之積層體薄膜的概略剖面說明圖。
圖3係在包含樹脂薄膜的透明基板的兩面具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層和第3層的第2金屬吸收層，且金屬層是藉由乾式成膜法和溼式成膜(溼式鍍敷)法所形成之習知技術之積層體薄膜的概略剖面說明圖。
圖4係在包含樹脂薄膜的透明基板的兩面分別形成有金屬製積層細線之習知技術之電極基板薄膜的概略剖面說明圖。
圖5係在包含樹脂薄膜的透明基板上實施形成金屬吸收層和金屬層的真空成膜法之成膜裝置(濺鍍腹板塗布機)的說明圖。
圖6係顯示習知技術的電極基板薄膜之「隔著透明基板所觀察之來自電路圖案的正反射」和「來自從透明基板側起算為第3層的第2金屬吸收層的正反射」的關係之說明圖。此外，圖6中，符號a表示「第1層」，符號b表示「第2層」，符號c表示「第3層」，符號d表示「散射」，符號e表示「透明基板」，以及符號g表示「第1層正 反射」。
圖7係顯示在透明基板的兩面形成有電路圖案之本發明的電極基板薄膜之「隔著透明基板所觀察之來自電路圖案的正反射」和「來自從透明基板側起算為第3層的第2金屬吸收層的正反射」的關係之說明圖。此外，圖7中，符號a表示「第1層」，符號b表示「第2層」，符號c表示「第3層」，符號d表示「散射」，符號e表示「透明基板」，符號f表示「防眩層」，以及符號g表示「第1層正反射」。
圖8係顯示針對表面設有防眩層且在防眩層上形成積層膜之前的透明基板，測定其霧度值之方法的一例之說明圖。此外，圖8中，符號h表示「積分球」，符號i表示「PET薄膜」，符號j表示「全光透過率(有擴散板)」，以及符號k表示「散射光透過率(無擴散板)」。
圖9係顯示對形成有防眩層之透明基板的霧度值造成影響的因素(包含於防眩層之粒子尺寸和粒子密度)，圖9(A)係顯示影響小的情況之說明圖，圖9(B)係顯示影響大的情況之說明圖。此外，圖9中，符號s表示「粒子尺寸」，以及符號m表示「粒子密度」。
圖10(A)係針對形成有防眩層的透明基板進行依據JIS K5600-5-1 1999之心軸直徑1mm的180°彎曲試驗時之「有」塗層(防眩層)破裂的說明圖，圖10(B)係針對形成有防眩層的透明基板進行上述180°彎曲試驗時之「無」塗層(防眩層)破裂的說明圖。
[實施發明之形態]
以下，將本發明的實施形態連同習知技術一起詳細說明。
(1)習知技術的積層體薄膜
(1-1)習知技術的第一積層體薄膜，係由包含樹脂薄膜的透明基板、和設置於該透明基板的至少一面的積層膜所構成，積層膜具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層，並且金屬吸收層係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法而形成，上述金屬材係由包含Ni單體或Cu單體、或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之2種以上的元素之合金所構成。
習知技術的第一積層體薄膜係如圖1所示，由包含樹脂薄膜的透明基板40、和在該透明基板40的兩面藉由乾式成膜法(乾式鍍敷法)形成的金屬吸收層41、43和金屬層42、44所構成。
此外，關於上述金屬層，亦可藉由乾式成膜法(乾式鍍敷法)和溼式成膜法(溼式鍍敷法)的組合來形成。
亦即，如圖2所示，其亦可由：包含樹脂薄膜的透明基板50；在該透明基板50的兩面藉由乾式成膜法(乾式鍍敷法)形成之膜厚15nm~30nm的金屬吸收層51、53；在該金屬吸收層51、53上藉由乾式成膜法(乾式鍍敷法)形成之金屬層52、54；和在該金屬層52、54上藉由溼式成膜法(溼式鍍敷法)形成之金屬層55、56所構成。
(1-2)習知技術的第二積層體薄膜係以上述第一積層體薄膜為前提，積層膜具有由透明基板側起算為第3層的第2金屬吸收層，並且第2金屬吸收層係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法而形成，上述金屬材係由包含Ni單體或Cu單體，或選自Ni，Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之2種以上的元素的合金所構成。
且，習知技術的第二積層體薄膜係以圖2所示之第一積層體薄膜為前提，在該積層體薄膜的金屬層上形成第2金屬吸收層而成。
亦即，如圖3所示，由：包含樹脂薄膜的透明基板60；藉由乾式成膜法(乾式鍍敷法)形成於該透明基板60兩面之膜厚15nm~30nm的金屬吸收層61、63；藉由乾式成膜法(乾式鍍敷法)形成於該金屬吸收層61、63上之金屬層62、64；藉由溼式成膜法(溼式鍍敷法)形成於該金屬層62、64上之金屬層65、66；和藉由乾式成膜法(乾式鍍敷法)形成於該金屬層65、66上之膜厚15nm~30nm的第2金屬吸收層67、68所構成。
此處，在圖3所示之第二積層體薄膜中，於元件符號62、65所示之金屬層的兩面上形成有金屬吸收層61和第2金屬吸收層67，且於元件符號64、66所示之金屬層的兩面上形成有金屬吸收層63和第2金屬吸收層68，此是為了在將使用該積層體薄膜所製得的電極基板薄膜組入觸控面板時，要使包含金屬製積層細線的網孔(mesh)構造的電路圖案反射而看不到的緣故。
此外，即使是使用在包含樹脂薄膜之透明基板的單面上形成金屬吸收層且在該金屬吸收層上形成有金屬層而成的第一積層體薄膜，來製作電極基板薄膜的情況，也可防止從該透明基板辨識出上述電路圖案。
(2)習知技術的電極基板薄膜
(2-1)將習知技術之積層體薄膜的積層膜進行蝕刻處理，配線加工成線寬為20μm以下的積層細線，藉此可得到電極基板薄膜。例如，可對圖3所示之積層體薄膜的積層膜進行蝕刻處理，而得到圖4所示之電極基板薄膜。
亦即，圖4所示之習知技術的電極基板薄膜係具有包含樹脂薄膜的透明基板70、和由設置於該透明基板70的兩面之積層細線所構成的網孔構造的電路圖案，其中上述積層細線係由線寬20μm以下且從透明基板70側起算為第1層之金屬吸收層71、73、第2層的金屬層72、75、74、76、以及第3層的第2金屬吸收層77、78所構成。
且，藉由將電極基板薄膜的電極(配線)圖案設成觸控面板用的條紋狀或格子狀，可將習知技術之電極基板薄膜使用於觸控面板。又，經配線加工成電極(配線)圖案的積層細線，由於係維持著積層體薄膜的積層構造，所以可提供作為即使在高輝度照明下設置於透明基板之電極等的電路圖案也難以被辨識之電極基板薄膜。
(2-2)由習知技術的積層體薄膜配線加工成電極基板薄膜時，可藉由週知的減去法(subtractive method)進行加工。
減去法係為，在積層體薄膜的積層膜表面形成光阻劑膜，以在欲形成配線圖案的部位殘留光阻劑膜之方式進行曝光、顯影，且將在上述積層膜表面不存在光阻劑膜之部位的積層膜藉由化學蝕刻去除而形成配線圖案之方法。
以上述化學蝕刻的蝕刻液而言，係可使用氯化鐵水溶液、氯化銅水溶液。
(3)習知技術之積層體薄膜與電極基板薄膜的問題點
在圖4所例示之習知技術的電極基板薄膜中，由於在包含樹脂薄膜的透明基板70與金屬層72、75、74、76之間，存在有包含金屬氧化物的金屬吸收層71、73，所以隔著透明基板70所觀察之電路圖案的辨識性會降低。
然而，使包含樹脂薄膜的透明基板70和包含金屬氧化物的金屬吸收層71、73之界面完全沒有光學反射，係如在習知技術處所說明般，是有困難的，所以電路圖案的辨識性尚有改善的餘地。
尤其，如圖4所示的電極基板薄膜所示，在包含樹脂薄膜的透明基板70的兩面形成電路圖案，且藉由溼式鍍敷法形成從透明基板70側起算為第2層的金屬層的一部分(以符號75、76表示)，再者從透明基板70側起算為第3層的第2金屬吸收層77、78成膜於上述金屬層75、76上而成的電極基板薄膜中，由於隔著透明基板70所 觀察之來自電路圖案的正反射(從透明基板70側起算為第1層的金屬吸收層71、73和透明基板70的界面之反射：以圖6的符號g表示之第1層正反射)，係比如圖6所示來自從透明基板e(圖4：符號70)側起算為第3層c的第2金屬吸收層(圖4：符號77、78)的正反射還要大，所以即使在圖6所示的透明基板e(圖4：符號70)和第2層b的金屬層(圖4：符號72、75、74、76)之間存在包含金屬氧化物的金屬吸收層(以圖6的符號a表示的第1層)，也會有隔著透明基板e所觀察的電路圖案被看到之情況。
又，電路圖案被看到的原因，是因為從透明基板e(圖4：符號70)側起算為第2層b之金屬層的一部分(圖4中以符號75、76所示的部位)藉由溼式鍍敷法形成且金屬層表面成為粗糙面，所以如圖6所示第3層c的第2金屬吸收層(圖4：符號77、78)表面也成為粗糙面，結果，因應第2金屬吸收層77、78表面的光散射會變多之程度，來自第2金屬吸收層77、78的正反射會變小。
(4)本發明之積層體薄膜與電極基板薄膜
本發明的積層體薄膜，係由包含樹脂薄膜的透明基板和設置於該透明基板的至少一面之積層膜所構成，其特徵為：在形成上述積層膜之前的透明基板的表面，具備表面粗糙度Ra為0.2μm以下且霧度值(haze value)為2.5~10%的防眩層(antiglare layer)，並且形成於上述防眩層上的積層膜具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層和第3層的第2金屬吸收層， 又，本發明的電極基板薄膜係具有包含樹脂薄膜的透明基板和設置於該透明基板的至少一面之網孔構造的電路圖案，其特徵為：上述電路圖案係由將設置於透明基板的至少一面的積層膜加工而形成之線寬20μm以下的積層細線所構成；在形成上述積層膜之前的透明基板的表面，具備表面粗糙度Ra為0.2μm以下且霧度值為2.5~10%的防眩層，並且形成於上述防眩層上的積層膜具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層和第3層的第2金屬吸收層。
(4-1)本發明的第一積層體薄膜
本發明之第一積層體薄膜之特徵係在於由透明基板、防眩層、和積層膜所構成，並且上述防眩層的表面粗糙度Ra為0.2μm以下，且霧度值為2.5~10%；上述透明基板包含樹脂薄膜，上述防眩層設置於該透明基板的至少一面，上述積層膜設置於上述防眩層上且包含從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層和第3層的第2金屬吸收層。
此外，與習知技術的積層體薄膜同樣，第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層和第3層的第2金屬吸收層係藉由使用下述成膜材料的乾式成膜法(乾式鍍敷法)形成，且，第2層的金屬層亦可組合乾式成膜法(乾式鍍敷法)和溼式成膜法(溼式鍍敷法)來形成。
(4-2)本發明的第二積層體薄膜
本發明之第二積層體薄膜之特徵係在於由透明基板、防眩層、和一對積層膜所構成，並且上述防眩 層的表面粗糙度Ra為0.2μm以下且霧度值為2.5~10%，其中上述透明基板包含樹脂薄膜，上述防眩層設置於該透明基板的至少一面，上述一對積層膜係成膜於至少一面設有防眩層而成之透明基板的兩面，且包含從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層和第3層的第2金屬吸收層。
此外，與習知技術之積層體薄膜同樣，第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層和第3層的第2金屬吸收層，係藉由使用下述成膜材料的乾式成膜法(乾式鍍敷法)形成，且，關於第2層的金屬層，亦可組合乾式成膜法(乾式鍍敷法)和溼式成膜法(溼式鍍敷法)來形成。
(4-3)本發明的電極基板薄膜
藉由將本發明之上述第一或第二積層體薄膜的積層膜進行蝕刻處理，且配線加工成線寬為20μm以下的積層細線，可獲得本發明之電極基板薄膜。
例如，圖7所示之本發明的電極基板薄膜具有：包含樹脂薄膜的透明基板e、設置於該透明基板e的單面的防眩層f、以及包含積層細線之網孔構造的電路圖案，上述積層細線係設置於單面設有防眩層f而成之透明基板e的兩面，上述積層細線係由線寬20μm以下且從透明基板e側起算為第1層a的金屬吸收層和第2層b的金屬層和第3層c的第2金屬吸收層所構成。
此外，屬於第2層b的金屬層係組合乾式成膜法(乾式鍍敷法)和溼式成膜法(溼式鍍敷法)而形成，如圖7所示，屬於第3層c的第2金屬吸收層的表面成為經粗糙 面化之狀態。
又，在圖7所示的電極基板薄膜中，於透明基板e的單面設有防眩層f，但亦可在透明基板e的兩面設有防眩層f。
且，藉由將電極基板薄膜的電極(配線)圖案設成觸控面板用的條紋狀或格子狀，可將本發明的電極基板薄膜使用於觸控面板。又，由於經配線加工成電極(配線)圖案的積層細線，係維持積層體薄膜的積層構造，且在透明基板e側存在有第1層a的金屬吸收層，所以可提供作為即使在高輝度照明下也難以看到設置於透明基板e的電極等電路圖案之電極基板薄膜。
再者，在圖7所示之本發明的電極基板薄膜中，藉由設置於透明基板e的單面之防眩層f的作用，來自隔著透明基板e所觀察之電路圖案的正反射(從透明基板e側起算為第1層a的金屬吸收層和透明基板e的界面之第1層正反射g)、和來自從透明基板e側起算為第3層c的第2金屬吸收層的正反射係成為相同程度，所以具有難以進一步辨識出包含積層細線的電路圖案之優點。
從本發明的積層體薄膜配線加工成上述電極基板薄膜時，係與習知技術同樣，可藉由上述之週知的減去法來進行加工。
(5)本發明之積層體薄膜和電極基板薄膜的構成材料
(5-1)構成透明基板的樹脂薄膜
上述樹脂薄膜的材質並無特別限定，作為其 具體例，可列舉：選擇自聚對酞酸乙二酯(PET)、聚醚碸(PES)、聚芳香酯(PAR)、聚碳酸酯(PC)、聚烯烴(PO)、三乙酸纖維素(TAC)及降莰烯的樹脂材料之樹脂薄膜的單體，或者是選擇自上述樹脂材料的樹脂薄膜單體與覆蓋該單體的單面或兩面之丙烯酸系有機膜的複合體。尤其，關於降莰烯樹脂材料，可列舉日本ZEON公司的ZEONOR(商品名)、JSR公司的ARTON(商品名)等作為代表。
此外，由於使用本發明的積層體薄膜所製作的電極基板薄膜係使用於「觸控面板」等，所以較理想是在上述樹脂薄膜中於可見波長區域的透明性也優異的構成。
(5-2)金屬吸收層的構成材料(金屬材)
從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層及第3層的第2金屬吸收層係藉由使用金屬材以及含氮、氧的反應性氣體之反應成膜法所形成，上述金屬材係由包含Ni單體或Cu單體，或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之2種以上的元素的合金所構成，作為上述金屬材，特佳為Cu單體或Ni-Cu合金。又，當構成金屬吸收層之金屬氧化物的氧化過度進行時，金屬吸收層會變透明，所以必須設定為成為黑化膜之程度的氧化等級(oxidation level)。上述反應成膜法有磁控濺鍍、離子束濺鍍、真空蒸鍍、離子鍍(ion plating)、CVD等。又，金屬吸收層之各波長的光學常數(折射率、消光係數)係大幅受到反應的程度，即氧化程度、氮化程度的影 響，而不是僅以包含Cu、Ni系合金的金屬材來決定。
(5-3)金屬層的構成材料(金屬材)
作為上述金屬層的構成材料(金屬材)，只要是電阻值低的金屬即可，並無特別限定，可列舉例如：Cu單體、或添加有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag之1種以上的元素之Cu系合金；或者是，Ag單體、或添加有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Cu之1種以上的元素之Ag系合金，由電路圖案的加工性或電阻值的觀點來看，Cu單體是特別理想的。又，金屬層的膜厚係依存於電氣特性，而非由光學要素決定，而通常設定為無法測定透過光之程度的膜厚。
另外，金屬層之理想膜厚，從電阻的觀點來看，較佳為50nm以上，更佳為60nm以上。另一方面，從將金屬層加工成配線圖案的加工性之觀點來看，較佳為5μm(5000nm)以下，更佳為3μm(3000nm)以下。
(5-4)防眩處理(防眩層的形成)
上述防眩層係在包含樹脂薄膜的透明基板的至少一面形成作為硬塗層，構成防眩層的硬塗層含有樹脂和微粒子，該樹脂係可使用紫外線硬化型的胺基甲酸酯系樹脂、丙烯酸系樹脂。
又，防眩層的硬度，係可藉由添加粒徑500nm以下的矽溶膠等的無機溶膠來控制。
在防眩層中，可加入粒徑0.5μm~20μm且具有防眩層中之層厚的二倍以內的粒徑之微粒子。又，微粒子係可使用無機微粒子、有機微粒子。無機微粒子， 係可選擇氧化矽微粒子、氧化鈦微粒子、氧化鋁微粒子、氧化鋅微粒子、氧化錫微粒子、碳酸鈣微粒子、硫酸鋇微粒子、滑石微粒子、高嶺土微粒子、硫酸鈣微粒子等；有機微粒子係可選擇聚甲基丙烯酸甲酯樹脂粉末(PMMA微粒子)、矽酮樹脂粉末、聚苯乙烯樹脂粉末、聚碳酸酯樹脂粉末、丙烯酸苯乙烯樹脂粉末、苯胍(benzoguanamine)樹脂粉末、三聚氰胺樹脂粉末、聚烯烴樹脂粉末、聚酯樹脂粉末、聚醯胺樹脂粉末、聚醯亞胺樹脂粉末、聚氟化乙烯(polyfluoroethylene)樹脂粉末等。
再者，微粒子的粒徑和摻合的比例，係可考量防眩層的表面粗糙度Ra和霧度值而適當地制定，又，防眩層的層厚為30μm以下，較理想為10μm以下，可依光學特性適當地設定。
防眩處理的評價方法，有霧度測定法(JISK7136)。
圖8顯示霧度測定的概略圖。亦即，將已實施防眩處理的PET薄膜(透明基板)i固定於積分球h的光入射側，且將積分球h的另一端側開口部在以擴散板封閉的狀態下使光射入，以設於積分球下方的受光器測量在積分球h內多重反射的光，來測定「全光透過率」j。接著，將上述積分球h的另一端側開口部在沒有以擴散板封閉的狀態下使光射入，以上述受光器測量在積分球h內多重反射的光(惟，穿透開口部的光不包含在內)，來測定「散射光透過率」k。
且，由霧度值=(散射光透過率)÷(全光透過率)的數學式，來求得霧度值。
此外，在透明基板的單面設有防眩層之情況的霧度值係以10%以下為理想。當防眩層的霧度值超過10%時，會使透過觸控面板所觀察之平面顯示器的影像模糊不清，造成辨識性(透過率)變差。尤其，在將本發明之積層體薄膜的積層膜進行蝕刻處理以加工成電極基板薄膜的情況，是隔著已藉由蝕刻去除了積層膜之透明基板的防眩層，來觀測平面顯示器的影像，所以設置於透明基板之防眩層的霧度值係以10%以下為理想。
又，亦可如上所述在包含樹脂薄膜之透明基板的兩面設置防眩層。在透明基板的兩面設置防眩層時，各個面的防眩層的霧度值只要為10%以下即可。即便在隔著兩面設有防眩層的電極基板薄膜觀察平面顯示器面板的影像時也不會對辨識性造成不良影響之各防眩層的霧度值，係分別為10%以下。
施加了防眩處理之透明基板的霧度值，係如圖9所示，主要由包含於防眩層內之微粒子的粒徑(粒子尺寸s)和密度(粒子密度m)來決定，微粒子的粒徑尺寸愈大、粒子密度愈高，則愈會對霧度值造成較大的影響。又，採用粒徑較大的微粒子時，在金屬網孔(metal mesh)觸控面板(具有網孔構造的電路圖案之觸控面板)的後續步驟中，將該金屬網孔觸控面板和其他薄膜等進行貼合時，有時會產生間隙。
又，積層體薄膜和將該積層體薄膜加工所得 之電極基板薄膜的特性，係以霧度值低者較為理想。然而，為了降低積層膜(金屬吸收層)的反射率，防眩層的表面粗糙度Ra必須為0.1μm以上。若將防眩層的表面粗糙度Ra設為0.1μm以上時，即便任意地選擇包含於防眩層的微粒子，霧度值也會成為2.5%以上。
再者，金屬網孔觸控面板(具有網孔構造的電路圖案的觸控面板)除了以平面形態使用外，也有作成曲面或折曲之形態來使用之情況。使用於防眩層的塗布材料一般係為在硬化後(可使用的狀態)表面硬度(依據JIS K5600-5-4 1999)為2H以上的類型，惟如圖10(A)所示，硬質的塗布材料有時在彎折之際會破裂。如圖10(B)所示，為了防止上述破裂，只要選擇硬化後(可使用的狀態)的鉛筆硬度為HB~H程度之軟的塗布材料即可。於此情況，若滿足依據JIS K5600-5-4 1999之防眩層的刮痕硬度(鉛筆硬度)為H以下的條件，則在JIS K5600-5-1 1999所規定之「塗層的機械的性質-耐彎曲性(圓筒形心軸法)」中，可實現心軸(mandrel)直徑2mm以下。
(6)實施反應成膜法的成膜裝置
(6-1)濺鍍腹板塗布機
列舉濺鍍法來作為成膜法的一例，就該成膜裝置進行說明。
此成膜裝置被稱為濺鍍腹板塗布機，被使用於針對以輥對輥(roll-to-roll)方式所搬送的長形樹脂薄膜表面可連續且效率佳地實施成膜處理之情況。
具體來說，以輥對輥方式所搬送的長形樹脂 薄膜的成膜裝置(濺鍍腹板塗布機)係如圖5所示，設置於真空腔室10內，對從捲出輥11所捲出的長形樹脂薄膜12進行既定的成膜處理後，以捲取輥24捲取。在由此等捲出輥12至捲取輥24之搬送路徑的途中，配置有藉馬達而旋轉驅動的罐狀輥(can roll)16。於真空腔室10的外部經溫度調整後的冷媒係循環於此罐狀輥16內部
在真空腔室10內，為了進行濺鍍成膜，而進行至到達壓力10-4Pa左右為止的減壓、和其後之濺鍍氣體的導入所形成之0.1~10Pa左右的壓力調整。濺鍍氣體係使用氬等週知氣體，可依據目的，進一步添加氧等的氣體。真空腔室10的形狀、材質，只要可耐此種減壓狀態的構成即可，並無特別限定，可使用各種構成。又，為了將真空腔室10內減壓並維持該狀態，而在真空腔室10安裝有乾式泵(dry pump)、渦輪分子泵、低溫盤管(cryocoil)等各種裝置(未圖示)。
在捲出輥11至罐狀輥16的搬送路徑，依序配置有引導長形樹脂薄膜12的自由輥13、和進行長形樹脂薄膜12的張力測定之張力感測輥14。又，從張力感測輥14被送出而朝向罐狀輥16的長形樹脂薄膜12，係藉由設置於罐狀輥16附近之馬達驅動的前進料輥15而進行相對於罐狀輥16的圓周速度的調整，藉此，可使長形樹脂薄膜12密接於罐狀輥16的外圓周面。
在罐狀輥16至捲取輥24的搬送路徑亦與上述同樣，依序配置有相對於罐狀輥16的圓周速度而進行調整之馬達驅動的後進料輥21、進行長形樹脂薄膜12的張 力測定之張力感測輥22及引導長形樹脂薄膜12的自由輥23。
在上述捲出輥11及捲取輥24中，藉由粉粒離合器(powder clutch)等所進行的扭矩控制，來保持長形樹脂薄膜12的張力平衡。又，藉由罐狀輥16的旋轉和與其連動而旋轉之馬達驅動的前進料輥15、後進料輥21，將長形樹脂薄膜12從捲出輥11捲出並捲取到捲取輥24。
在罐狀輥16的附近，在與被劃定於罐狀輥16的外圓周面上之搬送路徑(亦即，捲繞罐狀輥16外圓周面內之長形樹脂薄膜12的區域)相對向的位置，設置有作為成膜手段的磁控濺鍍陰極17、18、19及20，並於此附近設置有用以放出反應性氣體的氣體放出管25、26、27、28、29、30、31、32。
此外，在實施上述金屬吸收層與金屬層的濺鍍成膜之際，如圖5所示，可使用板狀靶材，但使用板狀靶材時，有時會在靶材上產生突出物(nodule)(異物的成長)。當這會成為問題時，較佳為使用不會產生突出物且靶材的使用效率高的圓筒形旋轉靶材。
(6-2)反應性濺鍍
在為了成膜包含金屬氧化物的金屬吸收層而應用氧化物靶材的情況，成膜速度慢，不適合量產。因此，採用了使用可高速成膜的Ni系或Cu系之金屬靶材(金屬材)，且將含氧的反應性氣體一邊控制一邊導入之反應性濺鍍等的反應成膜法。
另外，控制反應性氣體的方法，已知有以下 四個方法。
(6-2-1)放出一定流量的反應性氣體之方法。
(6-2-2)以保持一定壓力的方式，放出反應性氣體之方法。
(6-2-3)以濺鍍陰極的阻抗成為一定的方式，放出反應性氣體之(阻抗控制)方法。
(6-2-4)以濺鍍的電漿強度成為一定的方式，放出反應性氣體之(電漿發射控制)方法。
[實施例]
以下，列舉比較例，具體說明關於本發明的實施例，本發明並未受到以下的實施例所限定。
[實施例1~16，比較例1~20]
(防眩層的形成)
應用2種硬質及軟質的紫外線硬化型丙烯酸系樹脂作為防眩層用的樹脂，且應用粒徑0.5μm~1μm的聚甲基丙烯酸甲酯樹脂粉末(PMMA微粒子)作為添加用的微粒子，並且適當地選擇PMMA微粒子的粒徑與摻合量，將設定成表1的「霧度值(%)」「表面粗糙度Ra(μm)」「未成膜薄膜的透過率T(%)」及表2的「表面硬度」欄所示之數值之層厚1μm的防眩層形成於PET薄膜的單面，製造出進行了防眩處理之實施例1~16與比較例1~20的透明基板。
此外，以不具有防眩層的透明基板作為「參考例」。
(特性評價用積層薄膜的製造)
接著，針對已進行防眩處理的實施例1~16與比較例1~20的透明基板及參考例的透明基板，使用圖5所示的成膜裝置(濺鍍腹板塗布機)形成「第1層的金屬吸收層」和「第2層的金屬層」，來製造屬於積層體薄膜的前驅物之特性評價用積層薄膜。
此外，特性評價用積層薄膜的特性對象，係設為表2所示之「成膜後，隔著PET薄膜所測定之波長550nm中之5°正反射率R(%)」「貼合時是否有產生間隙」、以及依據JIS K5600-5-1 1999之心軸直徑1mm的「180°彎曲試驗的塗層破裂」。
亦即，使用圖5所示的成膜裝置(濺鍍腹板塗布機)，反應性氣體係使用氧氣，並且罐狀輥16係為直徑600mm、寬度750mm的不銹鋼製，在輥本體表面實施硬鉻鍍敷。前進料輥15與後進料輥21為直徑150mm、寬度750mm的不銹鋼製，在輥本體表面實施硬鉻鍍敷。又，在各磁控濺鍍陰極17、18、19、20的上游側和下游側，設置氣體放出管25、26、27、28、29、30、31、32，且在磁控濺鍍陰極17、18安裝有金屬吸收層用Ni-Cu靶材，在磁控濺鍍陰極19和20安裝有金屬層用Cu靶材。
又，構成透明基板的樹脂薄膜係使用厚度50μm、寬度600mm且長度1200m的PET薄膜，罐狀輥16係冷卻控制成0℃。又，將真空腔室10藉由複數台乾式泵(dry pump)排氣至5Pa後，進一步使用複數台渦輪分子泵和低溫盤管排氣至3×10-3Pa。
將實施例1~16與比較例1~20之透明基板及 參考例之樹脂薄膜的搬送速度設為2m/分後，從上述氣體放出管29、30、31、32導入500sccm的氬氣，陰極19和20係以可得到80nm的Cu膜厚的電力控制進行成膜。另一方面，金屬吸收層亦同樣，從圖5所示的氣體放出管25、26、27、28將混合有500sccm的氬氣和50sccm的氧氣的混合氣體導入，關於圖5所示的陰極17和18，係以可得到30nm的Ni-Cu氧化膜厚的電力控制進行成膜。
此外，使用於實施例16之樹脂薄膜的金屬吸收層的濺鍍靶材，係設成與其他實施例和比較例等的「Ni-Cu」不同的「Cu」。
(特性評價)
接著，針對實施例1~16與比較例1~20之特性評價用積層薄膜、及參考例之特性評價用積層薄膜，測定上述「成膜後，隔著PET薄膜所測定之波長550nm中之5°正反射率R(%)」「貼合時是否有產生間隙」、以及依據JIS K5600-5-1 1999之心軸直徑1mm的「180°彎曲試驗的塗層破裂」。
將此結果顯示於以下的表1和表2。
(評價結果)
(1)由設有防眩層之實施例1~16與比較例1~20的特性評價用積層薄膜、及參考例之特性評價用積層薄膜 的「成膜後，隔著PET薄膜所測定之波長550nm中之5°正反射率R(%)」欄得知，確認到藉由實施防眩處理會使隔著PET薄膜所觀測之波長550nm中之5°正反射率R(%)降低。由於隔著PET薄膜所觀測之波長550nm中之5°正反射率R(%)降低，所以在具有實施例1~16與比較例1~20之防眩層的透明基板的兩面形成包含積層細線的電路圖案，且藉由溼式鍍敷法分別形成有從透明基板側起算為第2層的金屬層的一部分之電極基板薄膜中，因為上述防眩層的作用的關係，隔著透明基板所觀察之來自電路圖案的正反射(從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和透明基板的界面之反射)、和來自從透明基板側起算為第3層的第2金屬吸收層的正反射係成為相同程度，因此，可確認到具有包含上述積層細線的電路圖案極難被辨識出之效果。
(2)關於滿足防眩層的「表面粗糙度Ra為0.2μm以下」與「霧度值為2.5~10%」(參照表1)、以及依據JIS K5600-5-4 1999之防眩層的「刮痕硬度為H以下」(參照表2)的要件之實施例1~10、16，在該等實施例1~10、16之特性評價用積層薄膜的「貼合時是否有產生間隙」(參照表2)與依據JIS K5600-5-1 1999之心軸直徑1mm的「180°彎曲試驗的塗層破裂」(參照表2)欄中，全部評價為「無」，由此可確認到：在使用具有實施例1~10、16之防眩層的透明基板來製造的電極基板薄膜(金屬網孔觸控面板)中，不會有將該金屬網孔觸控面板與其他薄膜貼合時產生間隙之不良情況，且具有即使將該金屬網孔 觸控面板作成曲面或折曲來使用，也不會發生如圖10(A)所示之防眩層的破裂之效果。
(3)另外，關於雖滿足防眩層的「表面粗糙度Ra為0.2μm以下」與「霧度值為2.5~10%」(參照表1)的要件，但不滿足依據JIS K5600-5-4 1999之防眩層的「刮痕硬度為H以下」(參照表2)的要件之實施例11~15，由該等實施例11~15之特性評價用積層薄膜之依據JIS K5600-5-1 1999的心軸直徑1mm的「180°彎曲試驗的塗層破裂」欄(參照表2)，可確認到：在使用防眩層的刮痕硬度超過H之透明基板來製造的電極基板薄膜(金屬網孔觸控面板)中，將該金屬網孔觸控面板設成曲面或折曲來使用時，有時會產生防眩層的破裂，故以平面形態來使用較為理想。
(4)另外，由不滿足防眩層的「表面粗糙度Ra為0.2μm以下」(參照表1)的要件之比較例5~11及比較例14~20的特性評價用積層薄膜的「貼合時是否有產生間隙」(參照表2)欄的評價「有」，可確認到：在使用具有比較例5~11及比較例14~20的防眩層之透明基板來製造的電極基板薄膜(金屬網孔觸控面板)中，會有將該金屬網孔觸控面板與其他薄膜貼合時產生間隙之不良情況產生。
(5)又，由不滿足防眩層的「霧度值為2.5~10%」(參照表1)的要件之比較例1~2、3~4、10~13及19~20的特性評價用積層薄膜的「未成膜薄膜的透過率T(%)」(參照表1)，可確認到：當使用未滿足防眩層的「霧度值為2.5~10%」之要件的透明基板時，透過率未達90%。
[產業上之可利用性]
在本發明的積層體薄膜及使用該積層體薄膜來製作的電極基板薄膜中，即便電路圖案在高輝度照明下也難以被辨識，所以具有可利用於設置在FPD(平面顯示器)表面的「觸控面板」之產業上之可能性。

Claims (23)

  1. 一種積層體薄膜，其係由包含樹脂薄膜的透明基板、和設置於該透明基板的至少一面的積層膜所構成之積層體薄膜，其特徵為：在形成上述積層膜之前的透明基板的表面，具備表面粗糙度Ra為0.2μm以下且霧度值為2.5~10%的防眩層，並且形成於上述防眩層上的積層膜，具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層和第3層的第2金屬吸收層。
  2. 如請求項1之積層體薄膜，其中依據JIS K5600-5-4 1999之上述防眩層的刮痕硬度為H以下。
  3. 如請求項1之積層體薄膜，其中從透明基板側起算為第2層的金屬層的膜厚係50nm以上5000nm以下。
  4. 如請求項1或3之積層體薄膜，其中從透明基板側起算為第2層的金屬層的一部分係藉由溼式鍍敷法形成。
  5. 如請求項1之積層體薄膜，其中從透明基板側起算為第1層的上述金屬吸收層係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法而形成，上述金屬材係由包含Ni單體或Cu單體，或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之2種以上的元素之合金所構成。
  6. 如請求項1或5之積層體薄膜，其中從透明基板側起算為第3層的上述第2金屬吸收層係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法而形成，上述金屬材係由包含Ni單體或Cu單體，或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之2種以上的元素之合金所構成。
  7. 如請求項5之積層體薄膜，其中上述合金係由添加有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之1種以上的元素之Ni系合金所構成。
  8. 如請求項6之積層體薄膜，其中上述合金係由添加有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之1種以上的元素之Ni系合金所構成。
  9. 一種電極基板薄膜，其係具有包含樹脂薄膜的透明基板、和設置於該透明基板的至少一面之網孔構造的電路圖案之電極基板薄膜，其特徵為：上述電路圖案係以線寬20μm以下的積層細線構成，該線寬20μm以下的積層細線係對設置於透明基板的至少一面之積層膜加工而形成，在形成上述積層膜之前的透明基板的表面，具備表面粗糙度Ra為0.2μm以下且霧度值為2.5~10%的防眩層，並且形成於上述防眩層上的積層膜係具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層和第3層的第2金屬吸收層。
  10. 如請求項9之電極基板薄膜，其中依據JIS K5600-5-4 1999之上述防眩層的刮痕硬度為H以下。
  11. 如請求項9之電極基板薄膜，其中從透明基板側起算為第2層的金屬層的膜厚是50nm以上5000nm以下。
  12. 如請求項9或11之電極基板薄膜，其中從透明基板側起算為第2層的金屬層的一部分係藉由溼式鍍敷法而形成。
  13. 如請求項9之電極基板薄膜，其中從透明基板側起算為第1層的上述金屬吸收層係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法而形成，上述金屬材係由包含Ni單體或Cu單體，或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之2種以上的元素之合金所構成。
  14. 如請求項9或13之電極基板薄膜，其中從透明基板側起算為第3層的上述第2金屬吸收層係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法而形成，上述金屬材係由Ni單體或Cu單體，或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之2種以上的元素之合金所構成。
  15. 如請求項13之電極基板薄膜，其中上述合金係由添加有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之1種以上的元素之Ni系合金所構成。
  16. 如請求項14之電極基板薄膜，其中上述合金係由添加有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之1種以上的元素之Ni系合金所構成。
  17. 一種積層體薄膜的製造方法，係由包含樹脂薄膜的透明基板、和設置於該透明基板的至少一面的積層膜所構成之積層體薄膜的製造方法，其特徵為具備：第1步驟，在上述透明基板的至少一面，形成表面粗糙度Ra為0.2μm以下且霧度值為2.5~10%的防眩層；第2步驟，將從上述積層膜的透明基板側起算為第1層的金屬吸收層形成於上述防眩層上；第3步驟，將從上述積層膜的透明基板側起算為第2層的金屬層形成於上述金屬吸收層上；及第4步驟，將從上述積層膜的透明基板側起算為第3層的第2金屬吸收層形成於上述金屬層上。
  18. 如請求項17之積層體薄膜的製造方法，其中在上述第3步驟中，藉由溼式鍍敷法形成上述金屬層的一部分。
  19. 如請求項17之積層體薄膜的製造方法，其中在上述第2步驟中，藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法形成上述金屬吸收層，上述金屬材係由包含Ni單體或Cu單體，或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之2種以上的元素之合金所構成。
  20. 如請求項17或19之積層體薄膜的製造方法，其中在上述第4步驟中，藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法形成上述第2金屬吸收層，上述金屬材係由包含Ni單體或Cu單體，或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之2種以上的元素之合金所構成。
  21. 如請求項19之積層體薄膜的製造方法，其中上述合金係由添加有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之1種以上的元素之Ni系合金所構成。
  22. 如請求項20之積層體薄膜的製造方法，其中上述合金係由添加有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn之1種以上的元素之Ni系合金所構成。
  23. 一種電極基板薄膜的製造方法，其係具有包含樹脂薄膜的透明基板、和包含設置於該透明基板的至少一面之積層細線的網孔構造的電路圖案之電極基板薄膜的製造方法，其特徵為：將如請求項1至8中任一項之積層體薄膜的積層膜進行化學蝕刻處理，而將線寬為20μm以下的上述積層細線進行配線加工。
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