TWI676549B - 積層體薄膜與電極基板薄膜及彼等之製造方法 - Google Patents

積層體薄膜與電極基板薄膜及彼等之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI676549B
TWI676549B TW104135175A TW104135175A TWI676549B TW I676549 B TWI676549 B TW I676549B TW 104135175 A TW104135175 A TW 104135175A TW 104135175 A TW104135175 A TW 104135175A TW I676549 B TWI676549 B TW I676549B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
metal
transparent substrate
laminated
layer
Prior art date
Application number
TW104135175A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201622993A (zh
Inventor
大上秀晴
Hideharu Okami
Original Assignee
日商住友金屬鑛山股份有限公司
Sumitomo Metal Mining Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商住友金屬鑛山股份有限公司, Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. filed Critical 日商住友金屬鑛山股份有限公司
Publication of TW201622993A publication Critical patent/TW201622993A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI676549B publication Critical patent/TWI676549B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C23C14/0089—Reactive sputtering in metallic mode
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0015—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterized by the colour of the layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C23C14/0057—Reactive sputtering using reactive gases other than O2, H2O, N2, NH3 or CH4
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/085—Oxides of iron group metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
    • C23C14/205—Metallic material, boron or silicon on organic substrates by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/548—Controlling the composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5873—Removal of material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/2633—Bombardment with radiation with high-energy radiation for etching, e.g. sputteretching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0274—Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061—Etching masks
    • H05K3/064—Photoresists
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/467—Adding a circuit layer by thin film methods
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0108—Transparent
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0338—Layered conductor, e.g. layered metal substrate, layered finish layer, layered thin film adhesion layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0364—Conductor shape
    • H05K2201/0373—Conductors having a fine structure, e.g. providing a plurality of contact points with a structured tool
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09681—Mesh conductors, e.g. as a ground plane
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10128—Display
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/08—Treatments involving gases
    • H05K2203/087—Using a reactive gas

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Abstract

提供一種蝕刻性優異，且經蝕刻加工的電路圖案在高輝度照明下難以辨識之積層體薄膜及電極基板薄膜，並提供彼等的製造方法。
一種由包含樹脂薄膜的透明基板60和設置於透明基板的至少一面的積層膜所構成之積層體薄膜，其特徵為：上述積層膜具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層61、63和第2層的金屬層(62、65)、(64、66)，並且金屬吸收層係藉由使用金屬靶材和含氧的反應性氣體之反應濺鍍法形成，該金屬靶材係由包含Ni單體、或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之2種以上的元素之合金所構成，且反應性氣體含有氫。

Description

積層體薄膜與電極基板薄膜及彼等之製造方法
本發明係關於具有包含樹脂薄膜的透明基板和積層膜的積層體薄膜、與將該積層體薄膜的積層膜進行蝕刻處理而製造且使用於觸控面板等的電極基板薄膜，尤其係關於蝕刻性優異且進行蝕刻處理而形成的電路圖案即便在高輝度照明下亦難以辨識之積層體薄膜與電極基板薄膜及彼等的製造方法。
近年來，設置於行動電話、行動式電子文書機器、自動販賣機、汽車導航等的平面顯示器(FPD)表面之「觸控面板」正開始普及中。
上述的「觸控面板」大致區分有電阻式和靜電容量式。「電阻式觸控面板」的主要部分是由以下構成：包含樹脂薄膜的透明基板；設置於該基板上的X座標(或Y座標)檢測電極片以及Y座標(或X座標)檢測電極片；和設置於此等片之間的絕緣體間隔物。又，其係構成如下：上述X座標檢測電極片和Y座標檢測電極片係隔著空間，惟以筆等按壓時，兩座標檢測電極片會電性接觸而得知筆所觸碰的位置(X座標、Y座標)，只要使筆移動，每次都可辨識座標，乃至於進行文字的輸入。另一方面，「靜電容量式觸控面板」係具有隔著絕緣片而 積層有X座標(或Y座標)檢測電極片和Y座標(或X座標)檢測電極片，且在該等電極片上配置有玻璃等絕緣體之構造。又，其係構成如下：當使手指接近玻璃等的上述絕緣體時，由於其附近的X座標檢測電極、Y座標檢測電極的電容會改變，所以可進行位置檢測。
另外，作為構成電極等電路圖案的導電性材料，以往係廣泛使用ITO(氧化銦-氧化錫)等的透明導電膜(參照專利文獻1)。又，伴隨著觸控面板的大型化，也開始使用揭示於專利文獻2、專利文獻3等的網孔構造之金屬製細線(金屬膜)。
比較上述透明導電膜與金屬製細線(金屬膜)時，透明導電膜雖然因為在可見波長區域的透過性優異而具有電極等的電路圖案幾乎無法被辨識之優點，但由於其電阻值比金屬製細線(金屬膜)高，所以具有不適合於觸控面板的大型化或響應速率的高速化之缺點。另一方面，金屬製細線(金屬膜)由於電阻值低，故適合於觸控面板的大型化或響應速率的高速化，惟因可見波長區域的反射率高，所以具有例如即便加工成微細的網孔構造，在高輝度照明下也會看到電路圖案，而使製品價值降低之缺點。
於是，為了使電阻值低之上述金屬製細線(金屬膜)的特性發揮，有提議使包含金屬氧化物的金屬吸收層(稱為黑化膜)存在於包含樹脂薄膜的透明基板與金屬製細線(金屬膜)之間(參照專利文獻4、專利文獻5)，以使由透明基板側所觀察到的金屬製細線(金屬膜)的反射降低之方法。
另外，從謀求金屬氧化物的成膜效率的觀點來看，包含金屬氧化物的上述金屬吸收層，通常是藉由使用金屬靶材(金屬材)和反應性氣體的反應性濺鍍等而連續成膜於長形樹脂薄膜面，且藉由使用銅等的金屬靶材(金屬材)的濺鍍等而使金屬層連續成膜於所成膜的金屬吸收層上，來製造使用於電極基板薄膜的製作之積層體薄膜。
又，使用於觸控面板等的上述電極基板薄膜，係將具有包含樹脂薄膜的透明基板和包含設置於該基板的金屬吸收層及金屬層的積層膜之積層體薄膜的上述積層膜，藉由氯化銅水溶液或氯化鐵水溶液等的蝕刻液進行蝕刻處理，而將積層體薄膜的上述積層膜(金屬吸收層和金屬層)加工成電極等的電路圖案來加以製造。
因此，使用於電極基板薄膜的製作之積層體薄膜，係需要有積層膜(金屬吸收層和金屬層)容易被氯化銅水溶液或氯化鐵水溶液等蝕刻液蝕刻之特性、和經蝕刻加工的電極等電路圖案在高輝度照明下難以被辨識之特性。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1 日本特開2003-151358號公報(參照請求項2)
專利文獻2 日本特開2011-018194號公報(參照請求項1)
專利文獻3 日本特開2013-069261號公報(參照段落0004)
專利文獻4 日本特開2014-142462號公報(參照請求項5、段落0038)
專利文獻5 日本特開2013-225276號公報(參照請求項1、段落0041)
非專利文獻
非專利文獻1 J. Vac. Soc. Jpn. Vol.53, No.9(2010), p515-520
然而，在採用藉由使用Ni系合金等的金屬靶材(金屬材)和含氧的反應性氣體之反應性濺鍍等而在長形樹脂薄膜面連續成膜包含金屬氧化物的金屬吸收層，且藉由使用銅等的金屬靶材(金屬材)的濺鍍等而在此金屬吸收層上連續成膜金屬層所製得之積層體薄膜，來製造電極基板薄膜時，會產生以下之問題。
亦即，在對上述積層體薄膜的積層膜(金屬吸收層和金屬層)進行蝕刻處理來製作電極基板薄膜的情況下，相較於在成膜初期形成有金屬吸收層的成膜開始端側積層體薄膜(長形積層體薄膜的成膜開始端側區域)，當應用在成膜終期形成有金屬吸收層之成膜結束端側積層體薄膜(長形積層體薄膜的成膜結束端側區域)時，會有其蝕刻性變差之問題，因而存在起因於此所造成之電極基板薄膜中之電路圖案的加工精度不穩定之問題。
本發明係著眼於此種問題而完成者，其課題係在於提供一種蝕刻性優異，且經蝕刻加工的電極等電路圖案即便在高輝度照明下也難以被辨識出之積層體薄膜與電極基板薄膜，同時提供積層體薄膜與電極基板薄膜各自的製造方法。
於是，本案發明人係針對成膜結束端側積層體薄膜的蝕刻性不如成膜開始端側積層體薄膜的蝕刻性的原因進行調查，並檢討其改善對策。
首先，針對構成積層體薄膜的積層膜之金屬吸收層和金屬層的蝕刻性進行調查時，可確認到：藉由使用Ni系合金等的金屬靶材(金屬材)和含氧的反應性氣體的反應性濺鍍等所形成之金屬吸收層，比起藉由使用銅等的金屬靶材(金屬材)的濺鍍等所形成之金屬層，難以被氯化銅水溶液、氯化鐵水溶液等蝕刻液所蝕刻。由此可預測：在構成積層體薄膜的積層膜之金屬吸收層和金屬層內，包含金屬氧化物的金屬吸收層係與上述成膜結束端側積層體薄膜之蝕刻性的好壞有關。依此，經針對藉由使用Ni系合金等金屬靶材(金屬材)的反應性濺鍍等所成膜之金屬氧化物(金屬吸收層)的化學組成進行文獻調查，非專利文獻1記載有：就使用Ni系金屬靶材(金屬材)的反應性濺鍍而言，若在真空腔室內導入氧作為反應性氣體，則金屬氧化物會成為NiO膜，若導入水分作為反應性氣體，則金屬氧化物會成為NiOOH膜。
因此，當依據非專利文獻1的記載，藉由使用Ni系金屬靶材(金屬材)的濺鍍來成膜Ni膜，再者，藉由使用Ni系金屬靶材(金屬材)的反應性濺鍍來成膜NiOOH膜和NiO膜，而分別調查藉由氯化銅水溶液、氯化鐵水溶液等的蝕刻液之蝕刻性時，可確認到：蝕刻進行速度快的膜，依序為Ni膜、NiOOH膜、NiO膜。由此可知，在成膜開始端側積層體薄膜中被成膜的金屬氧化物的一部分成為容易蝕刻的NiOOH膜(蝕刻性比該NiOOH膜良好的Ni膜不是金屬氧化物，並不相當於金屬吸收層)，相對地，在成膜結束端側積層體薄膜中被成膜的金屬氧化物的大部分成為NiO膜(比NiOOH膜難以被蝕刻)，可預測其原因在於，藉由上述反應性濺鍍等而形成金屬氧化物(金屬吸收層)時之成膜環境的隨時間之變化(真空腔室內之殘留水分的隨時間之變化)。
在此種技術考察下，當使用四極質譜儀測定真空腔室內之水分量的隨時間之變化時，如圖7的曲線圖(graph)所示，可確認到：與金屬氧化物(金屬吸收層)的成膜初期相比較，在成膜後期，真空腔室內的水分量明顯地減少。
再者，亦可確認到：即便是在取代上述之Ni系合金等的Ni系靶材，而應用包含由Ti、Cu、Al、V、W、Ta等選出之2種以上的元素之其他合金靶材的情況，比起成膜開始端側積層體薄膜，成膜結束端側積層體薄膜的蝕刻性會隨著真空腔室內之水分量的減少而變差。
本發明係經由此種調查與技術分析而完成者，其係在利用使用Ni系合金等的金屬靶材(金屬材)和含氧的反應性氣體之反應性濺鍍等而形成金屬氧化物(金屬吸收層)時，一邊使氫包含於上述反應性氣體以補充真空腔室內之水分量的減少量，一邊成膜金屬氧化物(金屬吸收層)，藉此改善了積層體薄膜之積層膜的蝕刻性。
亦即，本發明的第1發明係一種由包含樹脂薄膜的透明基板、和設置於該透明基板的至少一面的積層膜所構成之積層體薄膜，其特徵為：上述積層膜具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層，並且上述金屬吸收層係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法形成，上述金屬材係由包含Ni單體、或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之2種以上的元素之合金所構成，且上述反應性氣體含有氫。
第2發明係如第1發明的積層體薄膜，其中，上述金屬層的膜厚為50nm以上5000nm以下。
第3發明係如第1發明的積層體薄膜，其中，上述積層膜具有從透明基板側起算為第3層的第2金屬吸收層，並且該第2金屬吸收層係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法而形成，上述金屬材係由包含Ni單體、或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之2種以上的元素之合金所構成，且上述反應性氣體含有氫。
又，第4發明係如第1發明或第3發明之積層體薄膜，其中，上述合金係由添加有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之1種以上的元素之Ni系合金所構成。
接著，第5發明係一種具有包含樹脂薄膜的透明基板、和包含設置於該透明基板的至少一面之金屬製積層細線的網孔構造的電路圖案之電極基板薄膜，其特徵為：上述金屬製積層細線為線寬20μm以下，具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層，並且上述金屬吸收層係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法而形成，上述金屬材係由包含Ni單體、或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之2種以上的元素之合金所構成，且上述反應性氣體含有氫。
第6發明係如第5發明的電極基板薄膜，其中，上述金屬層的膜厚為50nm以上5000nm以下。
第7發明係如第5發明之電極基板薄膜，其中，上述金屬製積層細線具有從透明基板側起算為第3層的第2金屬吸收層，並且該第2金屬吸收層係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法而形成，上述金屬材係由包含Ni單體、或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之2種以上的元素之合金所構成，且上述反應性氣體含有氫。
又，第8發明係如第5發明或第7發明之電極基板薄膜，其中，上述合金係由添加有選自Ti、Al、V、W、 Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之1種以上的元素之Ni系合金所構成。
其次，本發明的第9發明係一種由包含樹脂薄膜的透明基板和設置於該透明基板的至少一面之積層膜所構成之積層體薄膜的製造方法，其特徵為：具備：第1步驟，係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法，形成由上述積層膜的透明基板側起算為第1層的金屬吸收層，上述金屬材係由包含Ni單體、或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之2種以上的元素之合金所構成；及第2步驟，係藉由使用金屬材的成膜法，形成由上述積層膜的透明基板側起算為第2層的金屬層；且上述第1步驟中的反應性氣體含有氫。
第10發明係如第9發明之積層體薄膜的製造方法，其中具備第3步驟，其係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法，形成由上述積層膜的透明基板側起算為第3層的第2金屬吸收層，上述金屬材係由包含Ni單體、或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之2種以上的元素之合金所構成，且上述第3步驟中的反應性氣體係含有氫。
第11發明係如第9發明或第10發明之積層體薄膜的製造方法，其中上述合金係由添加有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之1種以上的元素之Ni系合金所構成。
第12發明係如第9發明或第10發明之積層體薄膜的製造方法，其中包含於上述反應性氣體的氫，係以在第1步驟及第3步驟形成的金屬吸收層及第2金屬吸收層之透明基板側的氫濃度變高之方式導入成膜室內。
再者，第13發明係如第9發明或第10發明之積層體薄膜的製造方法，其中包含於上述反應性氣體之氫的含量，係設定為補充第1步驟及第3步驟之成膜室內的殘留水分量的減少量之量。
其次，本發明的第14發明係一種具有包含樹脂薄膜的透明基板、和包含設置於該透明基板的至少一面之金屬製積層細線的網孔構造的電路圖案之電極基板薄膜的製造方法，其特徵為：將第1發明至第3發明中任一發明之積層體薄膜的積層膜進行化學蝕刻處理，以將線寬為20μm以下的上述金屬製積層細線進行配線加工。
第15發明係一種具有包含樹脂薄膜的透明基板、和包含設置於該透明基板的至少一面之金屬製積層細線的網孔構造的電路圖案之電極基板薄膜的製造方法，其特徵為：將第4發明之積層體薄膜的積層膜進行化學蝕刻處理，以將線寬為20μm以下的上述金屬製積層細線進行配線加工。
由包含樹脂薄膜的透明基板、和設置於該透明基板的至少一面的積層膜所構成之本發明的積層體薄膜，其特徵為： 上述積層膜具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層，並且上述金屬吸收層係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法形成，上述金屬材係由包含Ni單體、或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之2種以上的元素之合金所構成，且上述反應性氣體含有氫。
依此，就本發明的積層體薄膜而言，由於係一邊使氫包含於反應性氣體以補充真空腔室內之水分量的減少量，一邊進行積層膜的金屬氧化物(金屬吸收層)的成膜，所以可避免成膜結束端側積層體薄膜的蝕刻性不如成膜開始端側積層體薄膜的蝕刻性之問題。
因此，具有可提供蝕刻性優異且蝕刻處理而形成的電路圖案即使在高輝度照明下也難以辨識之積層體薄膜和電極基板薄膜之效果。
10‧‧‧真空腔室
11‧‧‧捲出輥
12‧‧‧長形樹脂薄膜
13‧‧‧自由輥
14‧‧‧張力感測輥
15‧‧‧前進料輥
16‧‧‧罐狀輥
17‧‧‧磁控濺鍍陰極
18‧‧‧磁控濺鍍陰極
19‧‧‧磁控濺鍍陰極
20‧‧‧磁控濺鍍陰極
21‧‧‧後進料輥
22‧‧‧張力感測輥
23‧‧‧自由輥
24‧‧‧捲取輥
25‧‧‧氣體放出管
26‧‧‧氣體放出管
27‧‧‧氣體放出管
28‧‧‧氣體放出管
29‧‧‧氣體放出管
30‧‧‧氣體放出管
31‧‧‧氣體放出管
32‧‧‧氣體放出管
40‧‧‧樹脂薄膜(透明基板)
41‧‧‧金屬吸收層
42‧‧‧金屬層(銅層)
43‧‧‧金屬吸收層
44‧‧‧金屬層(銅層)
50‧‧‧樹脂薄膜(透明基板)
51‧‧‧金屬吸收層
52‧‧‧以乾式成膜法形成的金屬層(銅層)
53‧‧‧金屬吸收層
54‧‧‧以乾式成膜法形成的金屬層(銅層)
55‧‧‧以溼式成膜法形成的金屬層(銅層)
56‧‧‧以溼式成膜法形成的金屬層(銅層)
60‧‧‧樹脂薄膜(透明基板)
61‧‧‧金屬吸收層
62‧‧‧以乾式成膜法形成的金屬層(銅層)
63‧‧‧金屬吸收層
64‧‧‧以乾式成膜法形成的金屬層(銅層)
65‧‧‧以溼式成膜法形成的金屬層(銅層)
66‧‧‧以溼式成膜法形成的金屬層(銅層)
67‧‧‧第2金屬吸收層
68‧‧‧第2金屬吸收層
70‧‧‧樹脂薄膜(透明基板)
71‧‧‧金屬吸收層
72‧‧‧以乾式成膜法形成的金屬層(銅層)
73‧‧‧金屬吸收層
74‧‧‧以乾式成膜法形成的金屬層(銅層)
75‧‧‧以溼式成膜法形成的金屬層(銅層)
76‧‧‧以溼式成膜法形成的金屬層(銅層)
77‧‧‧第2金屬吸收層
78‧‧‧第2金屬吸收層
116‧‧‧罐狀輥
117‧‧‧磁控濺鍍第1陰極
118‧‧‧磁控濺鍍第2陰極
125‧‧‧氣體放出管
126‧‧‧氣體放出管
127‧‧‧氣體放出管
128‧‧‧氣體放出管
161‧‧‧氣體環境
162‧‧‧氣體環境
163‧‧‧氣體環境
164‧‧‧氣體環境
圖1為在包含樹脂薄膜的透明基板的兩面具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層之本發明的積層體薄膜的概略剖面說明圖。
圖2為在包含樹脂薄膜的透明基板的兩面具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層，且金屬層是藉由乾式成膜法和溼式成膜法所形成之本發明的積層體薄膜的概略剖面說明圖。
圖3為在包含樹脂薄膜的透明基板的兩面具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層 和第3層的第2金屬吸收層，且金屬層藉由乾式成膜法和溼式成膜法所形成之本發明的積層體薄膜的概略剖面說明圖。
圖4為在包含樹脂薄膜的透明基板的兩面分別形成有金屬製積層細線之本發明的電極基板薄膜的概略剖面說明圖。
圖5為在包含樹脂薄膜的透明基板上實施形成金屬吸收層和金屬層的真空成膜法之成膜裝置(濺鍍腹板塗布機)的說明圖。
圖6為圖5所示成膜裝置(濺鍍腹板塗布機)的部分放大圖。
圖7為表示真空腔室內之水分量的隨時間之變化之曲線圖。
[用以實施發明之形態]
以下，使用圖面詳細說明本發明的實施形態。
(1)積層體薄膜
本發明的第一積層體薄膜，其係由包含樹脂薄膜的透明基板、和設置於該透明基板的至少一面的積層膜所構成，其特徵為：上述積層膜具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層，並且上述金屬吸收層係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法而形成，上述金屬材係由包含Ni單體、或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之2種以上的元素之合金所構成，且上述反應性氣體含有氫， 又，本發明的第二積層體薄膜，其特徵為：以上述第一積層體薄膜為前提，上述積層膜具有從透明基板側起算為第3層的第2金屬吸收層，並且該第2金屬吸收層係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法而形成，上述金屬材係由包含Ni單體、或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之2種以上的元素之合金所構成，且上述反應性氣體含有氫。
(1-1)第一積層體薄膜
第一積層體薄膜係如圖1所示，由包含樹脂薄膜的透明基板40、和藉由乾式成膜法(乾式鍍敷法)形成於該透明基板40的兩面之金屬吸收層41、43及金屬層42、44所構成。
此外，關於上述金屬層，亦可組合乾式成膜法(乾式鍍敷法)和溼式成膜法(溼式鍍敷法)來形成。
亦即，亦可如圖2所示，由：包含樹脂薄膜的透明基板50；藉由乾式成膜法(乾式鍍敷法)形成於該透明基板50的兩面之膜厚15nm~30nm的金屬吸收層51、53；藉由乾式成膜法(乾式鍍敷法)形成於該金屬吸收層51、53上之金屬層52、54；和藉由溼式成膜法(溼式鍍敷法)形成於該金屬層52、54上之金屬層55、56所構成。
(1-2)第二積層體薄膜
接著，第二積層體薄膜係以圖2所示之第一積層體薄膜為前提，在該積層體薄膜的金屬層上形成第2金屬吸收層而成。
亦即，如圖3所示，由：包含樹脂薄膜的透明基板60；藉由乾式成膜法(乾式鍍敷法)形成於該透明基板60兩面之膜厚15nm~30nm的金屬吸收層61、63；藉由乾式成膜法(乾式鍍敷法)形成於該金屬吸收層61、63上之金屬層62、64；藉由溼式成膜法(溼式鍍敷法)形成於該金屬層62、64上之金屬層65、66；和藉由乾式成膜法(乾式鍍敷法)形成於該金屬層65、66上之膜厚15nm~30nm的第2金屬吸收層67、68所構成。
此處，在圖3所示第二積層體薄膜中，於元件符號62、65所示之金屬層的兩面上形成有金屬吸收層61和第2金屬吸收層67，且於元件符號64、66所示之金屬層的兩面上形成有金屬吸收層63和第2金屬吸收層68，此是為了在將使用該積層體薄膜所製得的電極基板薄膜組入觸控面板時，要使包含金屬製積層細線的網孔(mesh)構造的電路圖案反射而看不到的緣故。
此外，即使是使用在包含樹脂薄膜之透明基板的單面上形成金屬吸收層且在該金屬吸收層上形成有金屬層的第一積層體薄膜來製作電極基板薄膜的情況，也可防止從該透明基板辨識上述電路圖案。
(1-3)金屬吸收層的構成材料(金屬材)
金屬吸收層係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法而形成，上述金屬材係由包含Ni單體、或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之2種以上的元素之合金所構成。又，作為上述合金，係可廣泛地利用添加有選自Ti、Al、V、W、Ta、 Si、Cr、Ag、Mo、Cu之1種以上的元素之Ni系合金，作為上述Ni系合金，較佳為Ni-Cu合金。又，當構成金屬吸收層之金屬氧化物的氧化過度進行時，金屬吸收層會變透明，所以必須設定為成為黑化膜之程度的氧化等級(oxidation level)。上述反應成膜法有磁控濺鍍、離子束濺鍍、真空蒸鍍、離子鍍(ion plating)、CVD等。又，金屬吸收層之各波長的光學常數(折射率、消光係數)係大幅受到反應的程度，即氧化程度的影響，而不是僅以包含Ni系合金的金屬材來決定。
(1-4)金屬層的構成材料(金屬材)
作為上述金屬層的構成材料(金屬材)，只要是電阻值低的金屬即可，並無特別限定，可列舉例如：Cu單體、或添加有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag之1種以上的元素之Cu系合金；或者是，Ag單體、或添加有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Cu之1種以上的元素之Ag系合金，由電路圖案的加工性或電阻值的觀點來看，Cu單體是特別理想的。
又，金屬層的膜厚係依存於電氣特性，而非由光學要素決定，而通常設定為無法測定透過光之程度的膜厚。
另外，金屬層之理想膜厚，從電阻的觀點來看，較佳為50nm以上，更佳為60nm以上。另一方面，從將金屬層加工成配線圖案的加工性之觀點來看，較佳為5μm(5000nm)以下，更佳為3μm(3000nm)以下。
(1-5)構成透明基板的樹脂薄膜
作為適用於上述積層體薄膜之樹脂薄膜的材質，並無特別限定，作為其具體例，可列舉：選擇自聚對酞酸乙二酯(PET)、聚醚碸(PES)、聚芳香酯(PAR)、聚碳酸酯(PC)、聚烯烴(PO)、三乙酸纖維素(triacetyl cellulose)(TAC)及降莰烯的樹脂材料之樹脂薄膜的單體，或者是選擇自上述樹脂材料的樹脂薄膜單體與覆蓋該單體的單面或兩面之丙烯酸系有機膜的複合體。尤其是關於降莰烯樹脂材料，可列舉日本ZEON公司的ZEONOR(商品名)、JSR公司的ARTON(商品名)等作為代表。
此外，由於使用本發明的積層體薄膜所製作的電極基板薄膜係使用於「觸控面板」等，所以期望是在上述樹脂薄膜中於可見波長區域的透明性也優異的構成。
(2)實施反應成膜法的成膜裝置 (2-1)濺鍍腹板塗布機(sputtering web coater)
列舉濺鍍法來作為成膜法的一例，就該成膜裝置進行說明。
此外，此成膜裝置被稱為濺鍍腹板塗布機，被使用於針對以輥對輥(roll-to-roll)方式所搬送的長形樹脂薄膜表面可連續且效率佳地實施成膜處理之情況。
具體來說，以輥對輥方式所搬送的長形樹脂薄膜的成膜裝置(濺鍍腹板塗布機)係如圖5所示，設置於真空腔室10內，對從捲出輥11所捲出的長形樹脂薄 膜12進行既定的成膜處理後，以捲取輥24捲取。在由此等捲出輥12至捲取輥24之搬送路徑的途中，配置有藉馬達而旋轉驅動的罐狀輥(can roll)16。於真空腔室10的外部經溫度調整後的冷媒係循環於此罐狀輥16內部。
在真空腔室10內，為了進行濺鍍成膜，而進行至到達壓力10-4Pa左右為止的減壓、和其後之濺鍍氣體的導入所形成之0.1~10Pa左右的壓力調整。濺鍍氣體係使用氬等週知氣體，可依據目的，進一步添加氧等的氣體。真空腔室10的形狀、材質，只要可耐此種減壓狀態的構成即可，並無特別限定，可使用各種構成。又，為了將真空腔室10內減壓並維持該狀態，而在真空腔室10安裝有乾式泵(dry pump)、渦輪分子泵、低溫盤管(cryocoil)等各種裝置(未圖示)。
在捲出輥11至罐狀輥16的搬送路徑，依序配置有引導長形樹脂薄膜12的自由輥13、和進行長形樹脂薄膜12的張力測定之張力感測輥14。又，從張力感測輥14被送出而朝向罐狀輥16的長形樹脂薄膜12，係藉由設置於罐狀輥16附近之馬達驅動的前進料輥15對罐狀輥16的圓周速度進行調整，藉此，可使長形樹脂薄膜12密接於罐狀輥16的外圓周面。
在罐狀輥16至捲取輥24的搬送路徑亦與上述同樣，依序配置有對罐狀輥16的圓周速度進行調整之馬達驅動的後進料輥21、進行長形樹脂薄膜12的張力測定之張力感測輥22及引導長形樹脂薄膜12的自由輥23。
在上述捲出輥11及捲取輥24中，藉由粉粒離合器(powder clutch)等所進行的扭矩控制，來保持長形樹脂薄膜12的張力平衡。又，藉由罐狀輥16的旋轉和與其連動而旋轉之馬達驅動的前進料輥15、後進料輥21，將長形樹脂薄膜12從捲出輥11捲出並捲取到捲取輥24。
在罐狀輥16的附近，在與被劃定於罐狀輥16的外圓周面上之搬送路徑(亦即，捲繞罐狀輥16外圓周面內之長形樹脂薄膜12的區域)相對向的位置，設置有作為成膜手段的磁控濺鍍陰極17、18、19及20，並於此附近設置有用以放出反應性氣體的氣體放出管25、26、27、28、29、30、31、32。
此外，在實施上述金屬吸收層與金屬層的濺鍍成膜之際，如圖5所示，可使用板狀靶材，但使用板狀靶材時，有時會在靶材上產生突出物(nodule)(異物的成長)。當這會成為問題時，較佳為使用不會產生突出物且靶材的使用效率高的圓筒形旋轉靶材。
(2-2)反應性濺鍍
在為了成膜包含金屬氧化物的金屬吸收層而應用氧化物靶材的情況，成膜速度慢，不適合量產。因此，採用了使用可高速成膜的Ni系合金等金屬靶材(金屬材)，且將含氧的反應性氣體一邊控制一邊導入之反應性濺鍍等的反應成膜法。
另外，控制反應性氣體的方法，已知有以下四個方法。
(2-2-1)放出一定流量的反應性氣體之方法。
(2-2-2)以保持一定壓力的方式放出反應性氣體之方法。
(2-2-3)以濺鍍陰極的阻抗成為一定的方式，放出反應性氣體之(阻抗控制)方法。
(2-2-4)以濺鍍的電漿強度成為一定的方式，放出反應性氣體之(電漿發射控制)方法。
(3)金屬吸收層的成膜
使用於電極基板薄膜的製作之積層體薄膜係需要有：積層膜(金屬吸收層和金屬層)容易被氯化銅水溶液或氯化鐵水溶液等蝕刻液蝕刻之特性、和經蝕刻加工的電極等的電路圖案在高輝度照明下難以被辨識之特性。
將上述金屬吸收層藉由例如反應性濺鍍而成膜時，係於濺鍍氣體的氬添加氧作為反應性氣體而獲得作為黑色膜的金屬吸收層。
調查積層體薄膜中之積層膜(金屬吸收層和金屬層)的蝕刻性時，如上所述，銅等金屬層的蝕刻容易，但金屬吸收層難以被蝕刻。因此，欲改善積層體薄膜的蝕刻性時，必須改善金屬吸收層的蝕刻性。
惟，於使用圖5的成膜裝置而在長形樹脂薄膜上進行連續濺鍍成膜而獲得的積層體薄膜，係可確認到其在長形樹脂薄膜的長邊方向上藉由蝕刻液進行的蝕刻速度不同，成膜開始端側積層體薄膜(長形積層體薄膜的成膜開始端側區域)的蝕刻速度比成膜結束端側積層 體薄膜(長形積層體薄膜的成膜結束端側區域)快，此現象係如上所述可推斷是因為金屬吸收層的蝕刻速度不同的緣故。
另一方面，利用四極質譜儀等可確認到在長形樹脂薄膜連續地進行濺鍍成膜的真空成膜裝置中，包含於真空腔室內的水分量隨時間而減少(參照圖7的曲線圖)。
又，根據非專利文獻1，其係記載：藉由使用上述Ni系靶材的反應性濺鍍所成膜之金屬氧化物(金屬吸收層)的化學組成(Ni的化學狀態)係如上所述，當導入氧作為反應性氣體時會變成NiO膜，而當導入水分時則會成為NiOOH膜。
此外，在本案發明人反覆進行積層體薄膜的試作試驗的過程中，可推斷出上述金屬氧化物(金屬吸收層)的結晶粒是細的，氫氧化物之上述NiOOH的存在會對蝕刻性造成影響。再者，即便是在取代上述Ni系靶材，而改應用包含由Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu選出之2種以上的元素的合金靶材而形成的金屬氧化物(金屬吸收層)的情況，氫氧化物的存在也會對蝕刻性造成影響。
於是，本案發明人為了補充在成膜中減少的真空腔室內的水分量，係藉由使氫包含於反應性氣體，而解決了蝕刻速度因長形樹脂薄膜的長邊方向而異的現象。
在真空腔室內，水分子係藉由濺鍍的電漿而被分解成氫與氧。因此，藉由使氫包含於反應性氣體，可獲得與水的添加同樣的效果。原因在於包含於反應性氣體的氫會被抓進金屬吸收層。
又，與將水導入真空腔室內的情況相比較，使用氫氣時，可避免氣化所得的蒸氣變回成水的不良情況。再者，將水導入真空腔室內的方法，有使載體氣體通過水中之起泡法(bubbling method)、將水加熱並使其氣化的直接氣化法等，但因為是複雑的機構且會冷卻而變回成水，故而難以處理。而氫因為是氣體，所以容易處理。
又，若氫是以小於4%的方式混入載體氣體(例如氬)來進行處理，安全性也高。
氫的添加量只要如上所述般地設定為以補充包含於真空腔室內之水分量的隨時間減少量的方式即可。包含於真空腔室內的水分量，係依真空腔室內之四極質譜儀的配置位置或真空腔室的形狀等而變動。因此，氫的添加量只要按各成膜裝置適當地設定即可。
此外，補充真空腔室內的水分量之方法，較佳為使氫包含於反應性氣體的方法，惟，取代氫而改添加水也會有同樣的效果。
另外，在真空腔室內，藉由四極質譜儀等觀測的水，是因為將成膜後的積層體薄膜從真空成膜裝置取出時的大氣開放，而被吸附於真空腔室內的水。
(4)成膜裝置中之反應性氣體的導入
藉由反應性濺鍍等而成膜金屬吸收層時，成為濺鍍環境的反應性氣體係在氬添加氧。藉由添加氧，利用例如使用Ni系金屬靶材(金屬材)的反應性濺鍍等，可作成NiO膜(沒有完全氧化)等。反應性氣體的氧含量，只要依存於成膜裝置或金屬靶材(金屬材)的種類，並考量金屬吸收層的反射率等的光學特性或利用蝕刻液的蝕刻性而適當地設定即可，較理想為15體積%以下。
另外，圖7係顯示在沒有將氫氣或水供給至真空腔室內的情況下，開始濺鍍後之真空腔室內的殘留水分量的變化。可確認到在濺鍍成膜時間經過的同時，殘留水分逐漸降低。濺鍍一開始後，水分降低很快，被認為是因為濺鍍時產生的電漿及熱會造成吸附於真空腔室內部的水分子容易脫離的緣故。
接著，將圖5的成膜裝置之濺鍍陰極17、18的周邊顯示於圖6的放大圖。
在從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層的成膜是使用兩根濺鍍陰極的情況，可將反應性氣體導入用以在濺鍍陰極的附近放出反應性氣體的4根氣體放出管125、126、127、128。
在使用例如Ni系金屬靶材(金屬材)的情況，也是依存於蝕刻液，蝕刻的進行速度快者係如上所述，依序為Ni膜、NiOOH膜、NiO膜。又，若是重視蝕刻性，則將金屬吸收層之厚度方向的樹脂薄膜側作成NiOOH膜(並非完全氧化)是較理想的，反之，若是重視來自樹 脂薄膜的水分不會使積層膜氧化之阻障性的話，則將金屬吸收層之厚度方向的樹脂薄膜側作成NiO膜(並不是完全氧化)是較理想的。
另外，欲使金屬吸收層的厚度方向具有構成成分的分布時，只要選擇從4根氣體放出管125、126、127、128導入的反應性氣體，獲得各氣體放出管附近的氣體環境161、162、163、164即可。例如，若從氣體放出管125導入氫，則容易在金屬吸收層之厚度方向的樹脂薄膜側形成NiOOH膜，若從氣體放出管128導入氫，則容易在金屬吸收層之厚度方向的樹脂薄膜側形成NiO膜。
(5)電極基板薄膜
(5-1)藉由將本發明之積層體薄膜的積層膜進行蝕刻處理，且配線加工為線寬成20μm以下的金屬製積層細線，可獲得本發明之電極基板薄膜。具體而言，將圖3所示之積層體薄膜的積層膜進行蝕刻處理，可獲得圖4所示之電極基板薄膜。
亦即，圖4所示的電極基板薄膜的構成包括：包含樹脂薄膜的透明基板70；從透明基板70側起算為第1層的金屬吸收層71、73，係具有包含設置於該透明基板70兩面之金屬製積層細線之網孔構造的電路圖案，上述金屬製積層細線為線寬20μm以下；第2層的金屬層72、75、74、76；和第3層的第2金屬吸收層77、78。
藉由將電極基板薄膜的電極(配線)圖案作成觸控面板用條紋狀或格子狀，可將本發明的電極基板薄膜使用於觸控面板。又，由於配線加工成電極(配線)圖案的金屬製積層細線係維持著積層體薄膜的積層構造，所以可提供來作為設置於透明基板之電極等的電路圖案即便在高輝度照明下也極難以被辨識之電極基板薄膜。
(5-2)又，欲從本發明的積層體薄膜配線加工成電極基板薄膜，可藉由週知的減去法(subtractive process)進行加工。
減去法，係在積層體薄膜的積層膜表面形成光阻劑膜，針對欲形成配線圖案的部位，以殘留光阻劑膜的方式進行曝光、顯影，且在上述積層膜表面將不存在光阻劑膜的部位的積層膜藉由化學蝕刻予以去除而形成配線圖案之方法。
可使用氯化鐵水溶液、氯化銅水溶液，作為上述化學蝕刻的蝕刻液。
[實施例]
以下，雖列舉比較例具體說明本發明的實施例，但本發明並不受以下的實施例所限定。
[實施例1~5]
使用圖5所示的成膜裝置(濺鍍腹板塗布機)，反應性氣體係使用氧氣，並且罐狀輥16係為直徑600mm、寬度750mm的不銹鋼製，在輥本體表面實施鍍硬鉻。前進料輥15與後進料輥21為直徑150mm、寬度750mm的不銹鋼製，在輥本體表面實施鍍硬鉻。又，在 各磁控濺鍍陰極17、18、19、20的上游側和下游側，設置氣體放出管25、26、27、28、29、30、31、32，且在磁控濺鍍陰極17、18安裝有金屬吸收層用Ni-Cu靶材，在磁控濺鍍陰極19和20安裝有金屬層用Cu靶材。
此外，圖5的磁控濺鍍陰極17、18，係與圖6中的磁控濺鍍陰極117、118對應，又，圖5的氣體放出管25、26、27、28係與圖6中的氣體放出管125、126、127、128對應。
又，構成透明基板的樹脂薄膜係使用寬度600mm且長度1200m的PET薄膜，罐狀輥16係冷卻控制為0℃。又，將真空腔室10藉由複數台乾式泵(dry pump)排氣至5Pa後，進一步使用複數台渦輪分子泵和低溫盤管排氣至3×10-3Pa。
另外，將樹脂薄膜的搬送速度設為2m/分後，從上述氣體放出管29、30、31、32導入500sccm的氬氣，陰極19和20係以可得到80nm的Cu膜厚的電力控制，進行成膜。另一方面，金屬吸收層亦同樣，從圖5所示的氣體放出管25、26、27、28(圖6中為氣體放出管125、126、127、128)將混合有500sccm的氬氣和50sccm的氧氣的混合氣體導入，關於圖5所示的陰極17和18(圖6中為磁控濺鍍陰極117、118)，係以可得到30nm的Ni-Cu氧化膜厚的電力控制進行成膜。
在此，將利用四極質譜儀(ULVAC公司製)而預先測得之真空腔室內的殘留水分的變化顯示於圖7。要使真空腔室內的殘留水分量固定時，只要以水和氬 的比成為與濺鍍開始時的0.7%(參照圖7的曲線圖)同樣的方式，依氫和氧以莫耳比成為2：1的比例，在濺鍍時間經過之同時，增加流量即可。較佳為在各自的載體氣體使用屬於濺鍍氣體的氬。包含於反應性氣體之氫的含量，亦可考量成膜之金屬吸收層的反射率和蝕刻性，而設定一定量的偏移量(offset)。
包含於反應性氣體之氫的導入，係可由以下的表1所示之氣體放出管進行。
首先，在實施例1中，僅從位於磁控濺鍍第1陰極117的上游側之氣體放出管125導入氫，沒有從位於磁控濺鍍第1陰極117的下游側之氣體放出管126及磁控濺鍍第2陰極118的各氣體放出管127、128導入氫。
在實施例2中，從磁控濺鍍第1陰極117的各氣體放出管125、126導入氫，沒有從磁控濺鍍第2陰極118的各氣體放出管127、128導入氫。
在實施例3中，從位於磁控濺鍍第1陰極117的上游側的氣體放出管125和位於磁控濺鍍第2陰極118的上游側的氣體放出管127導入氫，沒有從位於磁控濺鍍第1陰極117的下游側的氣體放出管126和位於磁控濺鍍第2陰極118的下游側之氣體放出管128導入氫。
在實施例4中，從磁控濺鍍第2陰極118的各氣體放出管127、128導入氫，沒有從磁控濺鍍第1陰極117的各氣體放出管125、126導入氫。
在實施例5中，僅從位於磁控濺鍍第2陰極118的下游側的氣體放出管128導入氫，沒有從位於磁控濺鍍第1陰極117的各氣體放出管125、126及位於磁控濺鍍第2陰極118的上游側之氣體放出管127導入氫。
此外，由於藉由來自氣體放出管之氫及氧的導入量，可預測金屬吸收層中之成膜速度的降低，所以為了獲得目標之金屬吸收層的膜厚，必須要調整濺鍍電力。又，亦可使H2和O2的混合氣體流到1根氣體放出管。又，在實施例等所適用之成膜裝置的磁控濺鍍第1陰極117和磁控濺鍍第2陰極118沒有進行差動排氣，圖6所示的氣體環境161、162、163、164並非獨立的。
依此，製得由透明基板和積層膜所構成之實施例1~5的積層體薄膜，該透明基板包含長形PET薄膜，該積層膜包含設置於該透明基板之屬於Ni-Cu氧化膜的金屬吸收層和屬於Cu膜的金屬層。
[比較例1]
除了反應性氣體未含有氫這部分之外，其餘係以與實施例大致相同方式進行。
亦即，除了沒有從磁控濺鍍第1陰極117的各氣體放出管125、126及磁控濺鍍第2陰極118的各氣體放出管127、128導入氫這部分之外，其餘係以與實施例大致相同的方式進行，製得由透明基板和積層膜所構成之比較例1的積層體薄膜，該透明基板包含長形PET薄膜，該積層膜包含設置於該透明基板之屬於Ni-Cu氧化膜的金屬吸收層和屬於Cu膜的金屬層。
[評價試驗]
(1)針對實施例1~5和比較例1的積層體薄膜(具備包含從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的銅層之積層膜之積層體薄膜)的每一者，每隔100m的間隔取樣0m~1100m，進行各積層體薄膜的分光反射特性和蝕刻性的評價。
(2)關於積層體薄膜的分光反射特性，係隔著透明基板使用自記分光光度計來進行第1層的金屬吸收層的分光反射特性的評價。
(3)關於積層體薄膜的蝕刻性，使用氯化鐵水溶液作為蝕刻液，將上述積層膜(金屬吸收層和銅層)進行化學蝕刻。
關於上述蝕刻性的評價，係依據以下的基準，標註優劣標記(◎，○，△，×)來進行。
「◎」：以目視觀察或光學顯微鏡無法確認蝕刻殘留。
「○」：以目視觀察無法確認蝕刻殘留，但可實用。
「△」：以目視觀察，在一部分可確認蝕刻殘留。
「×」：以目視觀察，涵蓋廣範圍可確認蝕刻殘留。
(4)將評價結果顯示於以下的表2和表3。
[確認]
(1)在一邊使氫包含於反應性氣體以補充真空腔室內之水分量的減少量，一邊進行金屬吸收層的成膜之實施例1~5的積層體薄膜中，由表2和表3中的「蝕刻性」欄的優劣標記可確認到，成膜結束端側積層體薄膜的蝕刻性比成膜開始端側積層體薄膜的蝕刻性差之習知問題得以解決。
(2)可確認到：從成膜區域比磁控濺鍍第2陰極118位於更靠上游側之磁控濺鍍第1陰極117的氣體放出管125、126導入氫的實施例1~3的積層體薄膜，其蝕刻性比從磁控濺鍍第2陰極118的氣體放出管127、128導入有氫之實施例4~5的積層體薄膜還良好。
產生此種差異的理由，可推測是因為在實施例1~3的積層體薄膜中，於金屬吸收層之厚度方向的透明基板側含有較多容易被蝕刻的NiOOH膜之緣故。
(3)另一方面，也可確認到：從磁控濺鍍第1陰極117的氣體放出管125、126導入有氫之實施例1~3的積層體薄膜，其反射率稍為高於從磁控濺鍍第2陰極118的氣體放出管127、128導入有氫之實施例4~5的積層體薄膜。
(4)此外，也可確認到：在成膜開始後(取樣位置0m附近)由真空腔室放出水分的影響大，所以實施例1~5與比較例1的積層體薄膜中，蝕刻性不安定。
(5)製造將從透明基板側起算為第3層的第2金屬吸收層成膜於上述銅層上所形成的積層體薄膜，且 進行該第2金屬吸收層的蝕刻性評價時，可確認是比較良好的。這被認為是從透明基板側起算有第2層的銅層之緣故。
[產業上之可利用性]
本發明之積層體薄膜的蝕刻性優異，且使用上述積層體薄膜而製作之本發明的電極基板薄膜的電極等即便在高輝度照明下也難以被辨識，所以具有可利用於設置在FPD(平面顯示器)表面的「觸控面板」之產業上的可能性。

Claims (14)

  1. 一種積層體薄膜，其係由包含樹脂薄膜的透明基板、和設置於該透明基板的至少一面的積層膜所構成之積層體薄膜，其特徵為：上述積層膜具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層，並且上述金屬吸收層係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法形成，上述金屬材係由包含Ni單體、或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之2種以上的元素之合金所構成，且上述反應性氣體含有氫；包含於上述反應性氣體之氫的含量，係設定為補充成膜室內的殘留水分量的減少量之量。
  2. 如請求項1之積層體薄膜，其中上述金屬層的膜厚為50nm以上5000nm以下。
  3. 如請求項1之積層體薄膜，其中上述積層膜具有從透明基板側起算為第3層的第2金屬吸收層，並且該第2金屬吸收層係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法而形成，上述金屬材係由包含Ni單體、或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之2種以上的元素之合金所構成，且上述反應性氣體含有氫；包含於上述反應性氣體之氫的含量，係設定為補充成膜室內的殘留水分量的減少量之量。
  4. 如請求項1或3之積層體薄膜，其中上述合金係由添加有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之1種以上的元素之Ni系合金所構成。
  5. 一種電極基板薄膜，其係具有包含樹脂薄膜的透明基板、和包含設置於該透明基板的至少一面之金屬製積層細線的網孔構造的電路圖案之電極基板薄膜，其特徵為：上述金屬製積層細線為線寬20μm以下，具有從透明基板側起算為第1層的金屬吸收層和第2層的金屬層，並且上述金屬吸收層係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法而形成，上述金屬材係由包含Ni單體、或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之2種以上的元素之合金所構成，且上述反應性氣體含有氫；包含於上述反應性氣體之氫的含量，係設定為補充成膜室內的殘留水分量的減少量之量。
  6. 如請求項5之電極基板薄膜，其中上述金屬層的膜厚為50nm以上5000nm以下。
  7. 如請求項5之電極基板薄膜，其中上述金屬製積層細線具有從透明基板側起算為第3層的第2金屬吸收層，並且該第2金屬吸收層係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法而形成，上述金屬材係由包含Ni單體、或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之2種以上的元素之合金所構成，且上述反應性氣體含有氫；包含於上述反應性氣體之氫的含量，係設定為補充成膜室內的殘留水分量的減少量之量。
  8. 如請求項5或7之電極基板薄膜，其中上述合金係由添加有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之1種以上的元素之Ni系合金所構成。
  9. 一種積層體薄膜的製造方法，其係由包含樹脂薄膜的透明基板和設置於該透明基板的至少一面之積層膜所構成之積層體薄膜的製造方法，其特徵為：具備：第1步驟，係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法，形成由上述積層膜的透明基板側起算為第1層的金屬吸收層，上述金屬材係由包含Ni單體、或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之2種以上的元素之合金所構成；及第2步驟，係藉由使用金屬材的成膜法，形成由上述積層膜的透明基板側起算為第2層的金屬層；且上述第1步驟中的反應性氣體含有氫；包含於上述反應性氣體之氫的含量，係設定為補充第1步驟之成膜室內的殘留水分量的減少量之量。
  10. 如請求項9之積層體薄膜的製造方法，其中具備第3步驟，其係藉由使用金屬材和含氧的反應性氣體之反應成膜法，形成由上述積層膜的透明基板側起算為第3層的第2金屬吸收層，上述金屬材係由包含Ni單體、或選自Ni、Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之2種以上的元素之合金所構成，且上述第3步驟中的反應性氣體含有氫；包含於上述反應性氣體之氫的含量，係設定為補充第3步驟之成膜室內的殘留水分量的減少量之量。
  11. 如請求項9或10之積層體薄膜的製造方法，其中上述合金係由添加有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu之1種以上的元素之Ni系合金所構成。
  12. 如請求項9或10之積層體薄膜的製造方法，其中包含於上述反應性氣體的氫，係以在第1步驟及第3步驟形成的金屬吸收層及第2金屬吸收層之透明基板側的氫濃度變高之方式導入成膜室內。
  13. 一種電極基板薄膜的製造方法，其係具有包含樹脂薄膜的透明基板、和包含設置於該透明基板的至少一面之金屬製積層細線的網孔構造的電路圖案之電極基板薄膜的製造方法，其特徵為：將如請求項1至3中任一項之積層體薄膜的積層膜進行化學蝕刻處理，以將線寬為20μm以下的上述金屬製積層細線進行配線加工。
  14. 一種電極基板薄膜的製造方法，其係具有包含樹脂薄膜的透明基板、和包含設置於該透明基板的至少一面之金屬製積層細線的網孔構造的電路圖案之電極基板薄膜的製造方法，其特徵為：將如請求項4之積層體薄膜的積層膜進行化學蝕刻處理，以將線寬為20μm以下的上述金屬製積層細線進行配線加工。
TW104135175A 2014-10-29 2015-10-27 積層體薄膜與電極基板薄膜及彼等之製造方法 TWI676549B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014220331 2014-10-29
JP2014-220331 2014-10-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201622993A TW201622993A (zh) 2016-07-01
TWI676549B true TWI676549B (zh) 2019-11-11

Family

ID=55857284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104135175A TWI676549B (zh) 2014-10-29 2015-10-27 積層體薄膜與電極基板薄膜及彼等之製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10752985B2 (zh)
JP (1) JP6176401B2 (zh)
TW (1) TWI676549B (zh)
WO (1) WO2016067943A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI665080B (zh) * 2014-08-27 2019-07-11 日商住友金屬鑛山股份有限公司 積層薄膜與電極基板薄膜及此等之製造方法
JP6555341B2 (ja) * 2015-04-28 2019-08-07 住友金属鉱山株式会社 導電性基板
JP6791172B2 (ja) * 2016-01-29 2020-11-25 住友金属鉱山株式会社 導電性基板
JP6801497B2 (ja) * 2017-02-17 2020-12-16 住友金属鉱山株式会社 スパッタリング成膜装置と成膜方法および積層体フィルムの製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013178613A1 (de) * 2012-05-31 2013-12-05 Bayer Materialscience Ag Mit zink-zinn-oxid beschichtete kunststofffolie mit verbesserter optischer absorptionseigenschaft

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4086132B2 (ja) 2001-11-16 2008-05-14 株式会社ブリヂストン 透明導電性フィルムおよびタッチパネル
JP2003132737A (ja) * 2001-10-30 2003-05-09 Mitsui Chemicals Inc 保護フィルム付き透明導電性フィルム、及びそれを用いたディスプレイ用光学フィルター、及びその製造方法
EP1796108A4 (en) * 2004-09-24 2009-04-01 Konica Minolta Holdings Inc TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
JP2006336084A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Canon Inc スパッタ成膜方法
JP2007039781A (ja) * 2005-07-06 2007-02-15 Idemitsu Kosan Co Ltd スパッタリングターゲット、その製造方法、反射膜、及び有機エレクトロルミネッセンス素子
DK1992716T3 (da) * 2006-03-03 2013-07-29 Shenzhen Commonpraise Solar Co Ltd Lysselektive absorberende lag og fremgangsmåde til fremstilling af samme
US20090291293A1 (en) * 2006-07-14 2009-11-26 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Film with transparent electroconductive membrane and its use
JP5361579B2 (ja) 2009-07-09 2013-12-04 信越ポリマー株式会社 大型ディスプレイ用のセンサパネル及びその製造方法
WO2012053818A2 (ko) * 2010-10-19 2012-04-26 주식회사 엘지화학 도전성 패턴을 포함하는 터치패널 및 이의 제조방법
JP2013001993A (ja) * 2011-06-21 2013-01-07 Meltex Inc キャリア箔付き極薄銅箔およびその製造方法
JP2013069261A (ja) 2011-09-08 2013-04-18 Dainippon Printing Co Ltd タッチパネル用電極基材、及びタッチパネル、並びに画像表示装置
KR20130118082A (ko) 2012-04-19 2013-10-29 삼성전기주식회사 터치패널 및 그 제조방법
JP2014142462A (ja) 2013-01-23 2014-08-07 Dainippon Printing Co Ltd 光学機能層付きタッチパネル用電極部、円偏光板付きタッチパネル電極部、タッチパネル、画像表示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013178613A1 (de) * 2012-05-31 2013-12-05 Bayer Materialscience Ag Mit zink-zinn-oxid beschichtete kunststofffolie mit verbesserter optischer absorptionseigenschaft

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016067943A1 (ja) 2016-05-06
TW201622993A (zh) 2016-07-01
JPWO2016067943A1 (ja) 2017-04-27
JP6176401B2 (ja) 2017-08-09
US20170226624A1 (en) 2017-08-10
US10752985B2 (en) 2020-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI676549B (zh) 積層體薄膜與電極基板薄膜及彼等之製造方法
TWI671185B (zh) 積層體薄膜與電極基板薄膜及彼等之製造方法
TWI665080B (zh) 積層薄膜與電極基板薄膜及此等之製造方法
JP6418060B2 (ja) 金属吸収層の製造方法と積層体フィルムの製造方法
JP6617607B2 (ja) 成膜方法及びこれを用いた積層体基板の製造方法
TWI668117B (zh) 積層體薄膜與電極基板薄膜及彼等之製造方法
JP6277926B2 (ja) 成膜装置および積層体フィルムと電極基板フィルムの各製造方法
TWI668506B (zh) 電極基板薄膜及其製造方法
JP6330708B2 (ja) 成膜方法および積層体フィルムの製造方法
JP6330709B2 (ja) 成膜方法と積層体フィルムおよび電極基板フィルムの各製造方法