KR20090045648A - 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조 및 그 제조 방법 - Google Patents

극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090045648A
KR20090045648A KR1020070111577A KR20070111577A KR20090045648A KR 20090045648 A KR20090045648 A KR 20090045648A KR 1020070111577 A KR1020070111577 A KR 1020070111577A KR 20070111577 A KR20070111577 A KR 20070111577A KR 20090045648 A KR20090045648 A KR 20090045648A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
coating layer
coating
layer
thickness
module
Prior art date
Application number
KR1020070111577A
Other languages
English (en)
Inventor
쳉-치에 창
시우-펭 리우
피-주이 쿠오
Original Assignee
이노베이션 앤드 인피니티 글로벌 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이노베이션 앤드 인피니티 글로벌 코포레이션 filed Critical 이노베이션 앤드 인피니티 글로벌 코포레이션
Priority to KR1020070111577A priority Critical patent/KR20090045648A/ko
Publication of KR20090045648A publication Critical patent/KR20090045648A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
    • G02B1/115—Multilayers
    • G02B1/116—Multilayers including electrically conducting layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/50—Protective arrangements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조는, 기판, 코팅 모듈, 및 화합물 보호 코팅층을 포함한다. 코팅 모듈은 기판의 표면상에 형성된다. 코팅 모듈은 서로 교대로 쌓이는 복수의 Ti 기반 산화물 코팅층과 복수의 금속 코팅층으로 구성된다. 화합물 보호 코팅층은 코팅 모듈 상에 형성된다.

Description

극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조 및 그 제조 방법{EXTREME LOW RESISTIVITY LIGHT ATTENUATION ANTI-REFLECTION COATING STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 코팅 구조와 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 투명한 표면 전도층을 가진 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조와 그 제조 방법에 관한 것이다.
무반사 광학 코팅을 위한 종래의 층 구조에 일반적인 원리가 있다는 것은 잘 알려져 있다. 이 일반적인 원리는, 광학 코팅의 표면층은 굴절률이 1.46인 SiO2 또는 굴절률이 1.38인 MgF2와 같이 굴절률이 낮은 재료이어야 한다는 것이다. 그러나 디스플레이 스크린상에 금속 베이스의 무반사 코팅을 적용하여 컴퓨터 모니터 혹은 LCD 또는 PDP용의 저 반사 유리에 대해 큰 EMI 차폐 효과를 발생시키면, 대량 생산 공정에서 일부 애로 사항이 있다. 그 근본 이유는, 예를 들어 광학층 구조의 SiO2 또는 MgF2의 보호층은 본질적으로 그 미세구조가 다공성이며, H2O 증기가 내부의 저 저항 금속 박막층으로 확산하는 것을 허용하여 층 시스템의 전기 및 광학적 특성을 변경하기 때문이다.
다른 한편으로, 무반사 코팅을 위한 일반 설계 규칙상, 기판 표면에 증착되는 제1 층은 큰 굴절률(이하 H라고 부름)을 가진 재료이고, 이 층 다음에는 낮은 굴절률(이하 L이라고 부름)을 가진 재료의 제2 층이 뒤따른다. 종래 무반사 코팅에 대한 기본 설계 규칙은 HLHL 또는 HLHLHL의 층 구조를 하는 것이다. 간단한 경우로서, H의 재료가 ITO이고, L의 재료가 SiO2이면, 4층 구조는 유리/ITO/SiO2/ITO/SiO2이다. ITO는 투명한 전도성 재료이므로, 이러한 층 구조의 다층 구조는 100Ω/square 보다 낮은 전기 전도성을 갖고, 전도성 코팅층이 접지되면 EMI 차폐 및/또는 정전기 방전으로서 사용될 수 있다. 그러나, 전자 회로가 더 빠른 속도로 동작하고 더 강력한 기능을 하게 되면, EMI(전자기 간섭(Electronic magnetic Interference)) 차폐에 있어 보다 나은 기능을 제공하기 위해 극저 저항, 즉 ≤0.6Ω/square가 상당히 요구된다. 종래의 다층 ITO 코팅은 수Ω/square의 저항 범위에서 양호한 성능을 보인다. 그러나 1.0Ω/square 이하에서는 대량 생산의 난해성이 크게 증가하고, 최종 애플리케이션에 있어서 매우 큰 단가를 초래한다.
또 한편, 비록 얇은 금속층은 전기적 특성에 있어 양호한 전도성을 갖지만, 다중 광학층 시스템을 형성하는 애플리케이션에 있어서 금속은 많은 제약을 받기도 한다.
박막 금속층의 잘 알려진 현상은 얇은 금속층의 내구성이다. 일단 수증기가 표면 안으로 확산하여 얇은 금속층과 접촉하면, 산화 과정이 자발적으로 일어나, 결국 얇은 금속층의 화학적 특성을 변화시키고, 광학층 시스템의 전기 및 광학적 특성을 크게 변화시킨다. 본 발명을 위한 표면 보호층으로서 특별한 화합물 층의 설계가 이용되었다. 이 표면 보호층은 산화티타늄, 이산화규소, 및 산화알루미늄으로 구성되었다. 보호층은 수증기가 표면으로부터 내부 금속층으로 확산하는 것을 막는 효과적인 확산 장벽이다.
본 발명의 한 가지 특별한 면은 표면 보호층을 가진 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조를 제공하는 것이다. 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조를 대량으로 제조하는 공정은 신뢰성이 높고, 20여 년간 반도체 제조, 디스크 헤드 제조, LCD 제조, CRT 제조, 건축 유리 제조, 터치 센서 디스플레이 제조, 스크린 필터 제조, 및 플라스틱 웹 코팅과 같은 산업에서 흔히 사용되어 왔다.
극저 저항 광감쇠 무반사 코팅의 표면층 재료는 고굴절률 보호층이다. 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅의 반사도는 0.5% 이하이다. 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅의 저항은 0.5Ω/square 내지 0.7Ω/square로 낮고, 그 투명도는 40%에서 65% 사이이다.
본 발명의 층 시스템은 또한, EMI(전자기 간섭) 차폐에 대하여 전도성이 크며, 광학 관측에 대하여 저 반사성을 갖고, 표면 경도에 대하여 긁힘에 대한 내성이 크며, PDP의 제조에 대하여 적절한 광감쇠 효과를 갖는다. 예를 들어, 층 시스템은 0.5Ω/square 내지 0.7Ω/square 사이의 저항을 갖고, 군사 표준 MIL-C-48497의 경도 시험(scratch test)을 통과할 정도로 단단하다.
기판에 코팅 모듈이 형성된 후, 코팅 모듈의 상부 표면에 셔터가 배치된다.셔터는, 코팅 모듈의 상부 표면의 주변 영역을 노출시키기 위해 코팅 모듈보다 작은 크기를 갖는다. 이후, 접지를 하고 양호한 전기 접촉을 달성하기 위해, 코팅 모 듈의 상부 표면의 주변 영역에 전도층이 코팅된다. 마지막으로, 셔터가 제거된다. 아울러, 전도층으로는 실버 페이스트(silver paste)가 가능하다.
전술한 측면들을 달성하기 위해, 본 발명은 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조를 제공한다. 코팅 구조는 기판, 코팅 모듈, 화합물 보호 코팅층을 포함한다. 코팅 모듈은 기판의 표면에 형성되고, 서로 교대로 쌓이는 복수의 Ti 기반 산화물 코팅층과 복수의 금속 코팅층으로 구성된다. 화합물 보호 코팅층은 코팅 모듈 상에 형성된다.
전술한 측면들을 달성하기 위해, 본 발명은 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조의 제조 방법을 제공한다. 이 방법은 기판을 제공하는 단계, 기판의 표면에 코팅 모듈을 형성하는 단계, 및 코팅 모듈에 화합물 보호 코팅층을 형성하는 단계를 포함한다. 코팅 모듈은 서로 교대로 쌓이는 복수의 Ti 기반 산화물 코팅층과 복수의 금속 코팅층으로 구성된다.
본 발명의 하나의 실시예에서는, 무반사 코팅 구조가 9개의 층을 갖고, 기판상에 차례로 형성되는 제1 코팅층, 제2 코팅층, 제3 코팅층, 제4 코팅층, 제5 코팅층, 제6 코팅층, 제7 코팅층, 제8 코팅층, 및 화합물 보호 코팅층을 포함한다. 각 층은 물리 또는 광학 두께의 관점에서 규정된다. 광학 두께는 층의 두께와 굴절률의 수학적 곱이다. 이것은 설계 파장의 일부(fraction)로서 표현된다. 본 발명에서는 설계 파장이 약 520nm이다.
제1 코팅층 또는 표면층은 투명한 Ti 기반 산화물 코팅층이다. Ti 기반 산화 물 코팅층은 바람직하게는 가시광선을 약간 흡수하는 TiO2로, 약 520nm의 파장에서 굴절률이 2.4이고, 설계 파장에서 30nm의 물리 두께를 갖는다.
제2 코팅층은 금속 코팅층이다. 금속 코팅층은 바람직하게는 Ag(은)으로, 가시광선을 약간 흡수하고, 약 520nm의 파장에서 굴절률이 0.1 내지 0.5 사이이며, 설계 파장에서 14nm의 물리 두께를 갖는다.
제3 코팅층은 투명한 Ti 기반 산화물 코팅층이다. Ti 기반 산화물 코팅층은 바람직하게는 가시광선을 약간 흡수하는 TiO2로, 약 520nm의 파장에서 굴절률이 2.4이고, 설계 파장에서 66nm의 물리 두께를 갖는다.
제4 코팅층은 금속 코팅층이다. 금속 코팅층은 바람직하게는 Ag(은)으로, 가시광선을 약간 흡수하며, 약 520nm의 파장에서 굴절률이 0.1 내지 0.5 사이이고, 설계 파장에서 14nm의 물리 두께를 갖는다.
제5 코팅층은 투명한 Ti 기반 산화물 코팅층이다. Ti 기반 산화물 코팅층은 바람직하게는 가시광선을 약간 흡수하는 TiO2로, 약 520nm의 파장에서 굴절률이 2.4이고, 설계 파장에서 60nm의 물리 두께를 갖는다.
제6 코팅층은 금속 코팅층이다. 금속 코팅층은 바람직하게는 Ag(은)으로, 가시광선을 약간 흡수하고, 약 520nm의 파장에서 굴절률이 0.1 내지 0.5 사이이며, 설계 파장에서 14nm의 물리 두께를 갖는다.
제7 코팅층은 투명한 Ti 기반 산화물 코팅층이다. Ti 기반 산화물 코팅층은 바람직하게는 가시광선을 약간 흡수하는 TiO2로, 약 520nm의 파장에서 굴절률이 2.4 이고, 설계 파장에서 70nm의 물리 두께를 갖는다.
제8 코팅층은 금속 코팅층이다. 금속 코팅층은 바람직하게는 Ag(은)으로, 가시광선을 약간 흡수하며, 약 520nm의 파장에서 굴절률이 0.1 내지 0.5 사이이고, 설계 파장에서 14nm의 물리 두께를 갖는다.
화합물 보호 코팅층은 표면 보호층이다. 화합물 보호 코팅층은 산화티타늄, 이산화규소, 및 산화알루미늄으로 구성되고, 약 520nm의 파장에서 굴절률은 2.2이며, 설계 파장에서 40nm의 물리 두께를 갖는다.
표면층은 양호한 보호 특성을 갖기 때문에, 표면층은 수증기가 내부의 금속층으로 확산되는 것을 완전히 막는 확산 장벽으로서 작용을 하며, 모든 애플리케이션 환경에서 높은 신뢰성을 유지한다. 본 발명은 유리 및 플라스틱 막 기판에 대해 LCD 및 PDP 디스플레이 산업에 응용될 수 있는 무반사 코팅의 극저 저항 차폐를 제공한다.
앞서 개시한 일반적인 설명과 이하의 상세 설명은 예시적인 것이며, 주장되는 바와 같이 본 발명에 대한 설명을 더 제공하는 것을 목적으로 함을 이해해야 한다. 본 발명의 기타 장점과 특징들은 이하의 설명과 도면, 및 청구항으로부터 분명해진다.
본 발명의 여러 목적과 장점들은 첨부된 도면과 연계하여 하기의 상세 설명을 보면 더 쉽게 이해될 것이다.
도 1을 보면, 본 발명은 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조를 제공한다. 코팅 구조는 기판(S)과 코팅 모듈(M)을 포함한다.
기판(S)으로는 플라스틱 필름이나 유리가 가능하다. 코팅 모듈(M)로는 플라즈마 디스플레이나 액정 디스플레이용의 기본 코팅이 가능하다.
또한, 코팅 모듈(M)은, 기판(S)의 표면 위에 형성된 제1 코팅층(1), 제1 코팅층(1) 위에 형성된 제2 코팅층(2), 제2 코팅층(2) 위에 형성된 제3 코팅층(3), 제3 코팅층(3) 위에 형성된 제4 코팅층(4), 제4 코팅층(4) 위에 형성된 제5 코팅층(5), 제5 코팅층(5) 위에 형성된 제6 코팅층(6), 제6 코팅층(6) 위에 형성된 제7 코팅층(7), 제7 코팅층(7) 위에 형성된 제8 코팅층(8), 및 제8 코팅층(8) 위에 형성된 화합물 보호 코팅층(9)을 포함한다.
또한, 제1 코팅층(1), 제3 코팅층(3), 제5 코팅층(5), 및 제7 코팅층(7)은 Ti 기반 산화물 코팅층이다. 제2 코팅층(2), 제4 코팅층(4), 제6 코팅층(6), 및 제8 코팅층(8)은 금속 코팅층이다. 화합물 보호 코팅층(9)은 TiO2, SiO2, 및 Al2O3로 구성된다. 또한, 각 Ti 기반 산화물 코팅층은 TiO2이고, 각 금속 코팅층은 Ag(은)이다. 각 Ti 기반 산화물 코팅층은 각 금속 코팅층보다 큰 굴절률을 갖는다.
따라서, 코팅 모듈(M)은 기판(S)의 표면 위에 형성되고, 교대로 쌓이는 복수의 Ti 기반 산화물 코팅층과 복수의 금속 코팅층으로 구성된다.
또한, 제1 코팅층(1), 제3 코팅층(3), 제5 코팅층(5), 및 제7 코팅층(7)의 굴절률은 2.4이고, 제2 코팅층(2), 제4 코팅층(4), 제6 코팅층(6), 및 제8 코팅 층(8)의 굴절률은 0.1~0.5 사이이다. 화합물 보호 코팅층의 굴절률은 2.2이다. 또한, 제1 코팅층(1)의 두께는 30nm, 제2 코팅층(2)의 두께는 14nm, 제3 코팅층(3)의 두께는 66nm, 제4 코팅층(4)의 두께는 14nm, 제5 코팅층(5)의 두께는 60nm, 제6 코팅층(6)의 두께는 14nm, 제7 코팅층(7)의 두께는 70nm, 제8 코팅층(8)의 두께는 14nm이고, 화합물 보호 코팅층(9)의 두께는 40nm이다.
이와 더불어, 제1 코팅층(1), 제3 코팅층(3), 제5 코팅층(5), 제7 코팅층(7)(Ti 기반 산화물 코팅층들), 및 화합물 보호 코팅층(9)은 DC 또는 AC 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering) 방법에 의해 형성된다. 제2 코팅층(2), 제4 코팅층(4), 제6 코팅층(6), 및 제8 코팅층(8)(금속 코팅층들)은 DC 또는 AC 마그네트론 스퍼터링 방법에 의해 형성된다. 또한, 모든 코팅층들(제1 코팅층(1)에서 화합물 보호 코팅층(9)까지)은 인라인(in-line) 또는 롤투롤(roll-to-roll) 진공 스퍼터링 방법에 의해 형성된다.
도 2를 보면, 본 발명의 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조는 접지를 위해 코팅 모듈(M)의 상부 표면의 주변 영역에 형성된 전도층(C)을 더 포함한다. 따라서, 접지를 위해 코팅 모듈(M)의 화합물 보호 코팅층(9)의 상부 표면의 주변 영역에 전도층(C)이 형성된다. 다시 말해서, 코팅 모듈(M)이 기판(S) 상에 형성된 후, 코팅 모듈(M)의 상부 표면에 셔터(B)가 배치된다. 셔터(B)는, 코팅 모듈(M)의 상부 표면의 주변 영역을 노출시키기 위해 코팅 모듈(M)보다 크기가 작다. 이후 접지를 하고 양호한 전기 접촉을 달성하기 위해, 코팅 모듈(M)의 상부 표면의 주변 영역 위에 전도층(C)이 코팅된다. 마지막으로, 셔터(B)가 제거된다. 아울러, 전도층(C) 으로는 실버 페이스트가 가능하다.
도 3을 보면, 본 발명은 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조의 제조 방법을 제공한다. 이 방법은 하기의 단계를 포함한다.
S300: 기판(S)이 제공되는 단계;
S302: 제1 코팅층(1)이 기판(S)의 표면에 형성되고, 제1 코팅층(1)은 Ti 기반 산화물 코팅층인 단계;
S304: 제2 코팅층(2)이 제1 코팅층(1) 위에 형성되고, 제2 코팅층(2)은 금속 코팅층인 단계;
S306: 제3 코팅층(3)이 제2 코팅층(2) 위에 형성되고, 제3 코팅층(3)은 Ti 기반 산화물 코팅층인 단계;
S308: 제4 코팅층(4)이 제3 코팅층(3) 위에 형성되고, 제4 코팅층(4)은 금속 코팅층인 단계;
S310: 제5 코팅층(5)이 제4 코팅층(4) 위에 형성되고, 제5 코팅층(5)은 Ti 기반 산화물 코팅층인 단계;
S312: 제6 코팅층(6)이 제5 코팅층(5) 위에 형성되고, 제6 코팅층(6)은 금속 코팅층인 단계;
S314: 제7 코팅층(7)이 제6 코팅층(6) 위에 형성되고, 제7 코팅층(7)은 Ti 기반 산화물 코팅층인 단계;
S316: 제8 코팅층(8)이 제7 코팅층(7) 위에 형성되고, 제8 코팅층(8)은 금속 코팅층인 단계; 및
S318: 화합물 보호 코팅층(9)이 제8 코팅층(8) 위에 형성되고, 화합물 보호 코팅층(9)은 TiO2, SiO2, 및 Al2O3로 구성되는 단계.
결론적으로, 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조를 대량으로 제조하는 공정은 신뢰성이 높고, 20여 년간 반도체 제조, 디스크 헤드 제조, LCD 제조, CRT 제조, 건축 유리 제조, 터치 센서 디스플레이 제조, 스크린 필터 제조, 및 플라스틱 웹 코팅과 같은 산업에서 흔히 사용되어 왔다.
또한, 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅의 표면층의 재료는 TiO2, SiO2, 및 Al2O3로 구성된다. 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조의 반사도는 0.5% 이하이다. 무반사 코팅의 저항은 0.5Ω/square 내지 0.7Ω/square로 낮고, 그 투명도는 40%에서 65% 사이이다.
또한, 본 발명의 층 시스템은 EMI(전자기 간섭) 차폐에 대하여 전도성이 크고, 광학 관측에 대하여 저 반사성을 가지며, 표면 경도에 대하여 긁힘에 대한 내성이 크고, PDP의 제조에 대하여 적절한 광감쇠 효과를 갖는다. 예를 들어, 층 시스템은 0.5Ω/square 내지 0.7Ω/square 사이의 표면 저항을 갖고, 군사 표준 MIL-C-48497의 경도 시험을 통과할 정도로 단단하다.
셔터와 마스크의 설계로 인해, 표면층의 주변 영역은 양호한 전기 전도 특성을 갖고, 표면 접촉 영역 층은 접지 프로세스에서의 작업량을 많이 감소시키며, 대량 생산에서의 수율과 신뢰성도 증가시킨다. 본 발명은 유리 및 플라스틱 막 기판에 대해 LCD 및 PDP 디스플레이 산업에 응용할 수 있는 무반사 코팅을 가진 표면 접촉 전도성 영역 구조를 제공한다.
비록 바람직한 최고 유형들을 들어 본 발명을 설명하였지만, 본 발명은 이들의 상세 내용에 제한되지 않음을 이해할 것이다. 여러 대체 유형과 수정된 유형들을 앞의 설명에서 제시하였으며, 기타 다른 유형들은 본 기술 분야의 일반적인 숙련자들에게 발생할 것이다. 따라서, 첨부된 청구항들에 명기된 바와 같이 이와 같은 모든 대체 유형과 수정된 유형들이 본 발명의 범위에 포함되도록 의도되어 있다.
도 1은 본 발명에 따른 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조의 개략적인 정면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조의 개략적인 평면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조를 제조하는 방법의 흐름도이다.

Claims (7)

  1. 기판;
    기판의 표면에 형성되고, 서로 교대로 쌓이는 복수의 Ti 기반 산화물 코팅층과 복수의 금속 코팅층으로 구성된 코팅 모듈; 및
    상기 코팅 모듈 상에 형성된 화합물 보호 코팅층을 포함하는 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 코팅 모듈은,
    상기 기판의 표면에 형성된 제1 코팅층;
    상기 제1 코팅층 위에 형성된 제2 코팅층;
    상기 제2 코팅층 위에 형성된 제3 코팅층;
    상기 제3 코팅층 위에 형성된 제4 코팅층;
    상기 제4 코팅층 위에 형성된 제5 코팅층;
    상기 제5 코팅층 위에 형성된 제6 코팅층;
    상기 제6 코팅층 위에 형성된 제7 코팅층; 및
    상기 제7 코팅층 위에 형성된 제8 코팅층을 포함하고,
    상기 제1 코팅층, 제3 코팅층, 제5 코팅층, 및 제7 코팅층은 Ti 기반 산화물 코팅층이고, 상기 제2 코팅층, 제4 코팅층, 제6 코팅층, 및 제8 코팅층은 금속 코 팅층인, 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조.
  3. 청구항 1에 있어서,
    각 Ti 기반 산화물 코팅층은 TiO2이고, 각 금속 코팅층은 Ag(은)이며, 상기 화합물 보호 코팅층은 TiO2, SiO2, 및 Al2O3로 구성되고, 각 Ti 기반 산화물 코팅층은 각 금속 코팅층보다 큰 굴절률을 갖는, 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 코팅층, 제3 코팅층, 제5 코팅층, 및 제7 코팅층의 굴절률은 2.4이고, 상기 제2 코팅층, 제4 코팅층, 제6 코팅층, 및 제8 코팅층의 굴절률은 0.1~0.5 사이이며, 상기 화합물 보호 코팅층의 굴절률은 2.2인, 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 코팅층의 두께는 30nm, 상기 제2 코팅층의 두께는 14nm, 상기 제3 코팅층의 두께는 66nm, 상기 제4 코팅층의 두께는 14nm, 상기 제5 코팅층의 두께는 60nm, 상기 제6 코팅층의 두께는 14nm, 상기 제7 코팅층의 두께는 70nm, 상기 제8 코팅층의 두께는 14nm이고, 상기 화합물 보호 코팅층의 두께는 40nm인, 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조.
  6. 청구항 1에 있어서,
    접지를 위해 상기 코팅 모듈의 상부 표면의 주변 영역 상에 형성된 전도층을 더 포함하는 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조.
  7. 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판의 표면에 코팅 모듈을 형성하는 단계로서, 상기 코팅 모듈은 서로 교대로 쌓이는 복수의 Ti 기반 산화물 코팅층과 복수의 금속 코팅층으로 구성되는 단계; 및
    상기 코팅 모듈 상에 화합물 보호 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조를 제조하는 방법.
KR1020070111577A 2007-11-02 2007-11-02 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조 및 그 제조 방법 KR20090045648A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070111577A KR20090045648A (ko) 2007-11-02 2007-11-02 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070111577A KR20090045648A (ko) 2007-11-02 2007-11-02 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090045648A true KR20090045648A (ko) 2009-05-08

Family

ID=40855713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070111577A KR20090045648A (ko) 2007-11-02 2007-11-02 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조 및 그 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20090045648A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180132155A (ko) * 2016-05-24 2018-12-11 쌩-고벵 글래스 프랑스 얇은 층 침착 방법
CN110275230A (zh) * 2018-03-13 2019-09-24 唯亚威通讯技术有限公司 包括具有功能处理的光学层堆叠的光学器件

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180132155A (ko) * 2016-05-24 2018-12-11 쌩-고벵 글래스 프랑스 얇은 층 침착 방법
CN110275230A (zh) * 2018-03-13 2019-09-24 唯亚威通讯技术有限公司 包括具有功能处理的光学层堆叠的光学器件

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7858194B2 (en) Extreme low resistivity light attenuation anti-reflection coating structure in order to increase transmittance of blue light and method for manufacturing the same
KR19980079255A (ko) 투명한 도전성 필름이 부착되어 있는 기판 및 이를 사용하는 디스플레이 소자
US10528167B2 (en) Conductive structure, method for manufacturing same, touch panel comprising same and display device comprising same
CN202758338U (zh) 基于消影玻璃的电容触摸屏
CN107533402B (zh) 透明导电体及其制造方法以及触摸面板
CN101055321A (zh) 高透光率触控屏
JP4349794B2 (ja) 導電性を有する多層反射防止膜付透明基板の製造方法
US8173202B2 (en) Multi-layer coating structure with anti-reflection, anti-static and anti-smudge functions and method for manufacturing the same
CN109313964B (zh) 透明导电体
JP2011037258A (ja) 透明導電性積層体及びその色度均一性改善法
US7655280B2 (en) Extreme low resistivity light attenuation anti-reflection coating structure and method for manufacturing the same
TWI668117B (zh) 積層體薄膜與電極基板薄膜及彼等之製造方法
EP3118728B1 (en) Projected capacitive touch switch panel
US7851065B2 (en) Extreme low resistivity light attenuation anti-reflection coating structure in order to increase transmittance of blue light and method for manufacturing the same
KR20090045647A (ko) 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조 및 그 제조 방법
KR20090045648A (ko) 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조 및 그 제조 방법
US20090092808A1 (en) Extreme low resistivity light attenuation anti-reflection coating structure and method for manufacturing the same
US7771848B2 (en) Extreme low resistivity light attenuation anti-reflection coating structure and method for manufacturing the same
US7785714B2 (en) Extreme low resistivity light attenuation anti-reflection coating structure and method for manufacturing the same
KR20090045649A (ko) 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조 및 그 제조 방법
US7833628B2 (en) Coating structure with an anti-reflection function and an anti-electromagnetic wave function
CN106587655A (zh) 消影增透导电玻璃
KR20090045646A (ko) 극저 저항 광감쇠 무반사 코팅 구조 및 그 제조 방법
JP3915202B2 (ja) 導電性反射防止フィルムおよびその製造方法
Zhang et al. P‐141: Research on the improvements of invisibility of metal mesh touch panel and influencing factors

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application