JP2016188412A - 成膜方法および積層体フィルムの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】サンプル基準が無くてもインライン反射率測定器を用いて金属吸収層の成膜条件を正確に制御可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】この成膜方法は、長尺フィルムの金属層上に膜厚と反応条件が異なる反応性スパッタリングにより成膜された複数サンプル用金属吸収層の分光反射率特性を反射率測定器で測定しかつサンプル毎に反射率極小値の波長と極大値／極小値の比を特定するデータ収集工程と、収集された数値群から目標とする金属吸収層の波長λと比αを特定しかつ分光反射率を測定しながら波長λと比αに設定できる成膜初期条件を設定する工程と、該条件に従い金属層上に連続成膜される金属吸収層の分光反射率を上記反射率測定器により継続して測定しかつ波長λと比αが維持されるように反応性ガスの調整または／およびスパッタリング電力の調整を行う条件維持工程を有することを特徴とする。
【選択図】図４
【解決手段】この成膜方法は、長尺フィルムの金属層上に膜厚と反応条件が異なる反応性スパッタリングにより成膜された複数サンプル用金属吸収層の分光反射率特性を反射率測定器で測定しかつサンプル毎に反射率極小値の波長と極大値／極小値の比を特定するデータ収集工程と、収集された数値群から目標とする金属吸収層の波長λと比αを特定しかつ分光反射率を測定しながら波長λと比αに設定できる成膜初期条件を設定する工程と、該条件に従い金属層上に連続成膜される金属吸収層の分光反射率を上記反射率測定器により継続して測定しかつ波長λと比αが維持されるように反応性ガスの調整または／およびスパッタリング電力の調整を行う条件維持工程を有することを特徴とする。
【選択図】図４
Description
本発明は、樹脂フィルムから成る透明基板と積層膜を有し、タッチパネル等に使用される積層体フィルムに係り、特に、樹脂フィルム上に積層膜を形成する成膜方法と積層体フィルムの製造方法に関するものである。
近年、携帯電話、携帯電子文書機器、自動販売機、カーナビゲーション等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の表面に設置する「タッチパネル」が普及している。
上記「タッチパネル」には、大きく分けて抵抗型と静電容量型が存在する。「抵抗型のタッチパネル」は、樹脂フィルムから成る透明基板と該基板上に設けられたＸ座標（またはＹ座標）検知電極シート並びにＹ座標（またはＸ座標）検知電極シートと、これ等シートの間に設けられた絶縁体スペーサーとで主要部が構成されている。そして、上記Ｘ座標検知電極シートとＹ座標検知電極シートは空間的に隔たっているが、ペン等で押さえられたときに両座標検知電極シートは電気的に接触してペンの触った位置（Ｘ座標、Ｙ座標）が判るようになっており、ペンを移動させればその都度座標を認識して、最終的に文字の入力が行なえる仕組みとなっている。他方、「静電容量型のタッチパネル」は、絶縁シートを介してＸ座標（またはＹ座標）検知電極シートとＹ座標（またはＸ座標）検知電極シートが積層され、これ等の上にガラス等の絶縁体が配置された構造を有している。そして、ガラス等の上記絶縁体に指を近づけたとき、その近傍のＸ座標検知電極、Ｙ座標検知電極の電気容量が変化するため、位置検知を行なえる仕組みとなっている。
そして、電極等の回路パターンを構成する導電性材料として、従来、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化錫）等の透明導電層が広く用いられていた（特許文献１参照）。また、タッチパネルの大型化に伴い、特許文献２や特許文献３等に開示されたメッシュ構造の金属製細線（金属層）も使用され始めている。
ところで、上記透明導電層と金属製細線（金属層）を較べた場合、透明導電層は、可視波長領域における透過性に優れるため電極等の回路パターンが殆ど視認されない利点を有するが、金属製細線（金属層）より電気抵抗値が高いためタッチパネルの大型化や応答速度の高速化には不向きな欠点を有する。他方、金属製細線（金属層）は、電気抵抗値が低いためタッチパネルの大型化や応答速度の高速化に向いているが、可視波長領域における反射率が高いため、例え微細なメッシュ構造に加工されたとしても高輝度照明下において回路パターンが視認されることがあり、製品価値を低下させてしまう欠点を有する。そして、この反射は、媒質（空気）と金属製細線（金属層）の界面、金属製細線（金属層）と樹脂フィルムの界面の屈折率差によるフレネル反射に起因している。
そこで、金属製細線（金属層）上あるいは樹脂フィルムと金属層との間に金属酸化物から成る金属吸収層（黒化膜と称される）を設け（特許文献４参照）、樹脂フィルム側等から観測される金属製細線の反射を低減させる方法が提案されている。
そして、金属酸化物から成る金属吸収層については、金属酸化物の成膜効率を図る観点から、通常、金属ターゲットと反応性ガスを用いた反応性スパッタリング等により連続して成膜されているが、金属吸収層を継続して連続成膜した場合、成膜環境の経時変化（例えば、真空チャンバー内に含まれる水分量の経時変化や反応性ガスの濃度変化等）により、金属吸収層の特性が変化してしまう問題があった。
この問題を解決するため、成膜直後における金属吸収層の透過率若しくは反射率を計測する「インライン透過率測定器」若しくは「インライン反射率測定器」を真空チャンバー内に配置して所望とする特性が維持されるようフィードバック制御を行う方法（特許文献５〜７参照）が提案されている。
しかし、上記「インライン透過率測定器」を用いて制御する方法は、樹脂フィルム両面に金属吸収層と金属層が成膜された両面構造体に対して金属吸収層の光学特性を測定することが困難なことからその汎用性に欠けるため、「インライン反射率測定器」を用いて制御する方法が一般的に採用されている。
ところで、反射率が既知であるサンプル基準を用いて正確な反射率測定を行う一般的な「２光束自記分光光度計」と異なり、真空チャンバー内に配置する「インライン反射率測定器」においては測定された反射率を比較するサンプル基準が無く、成膜直後における金属吸収層の反射率を正確に測定することは難しいため、真空チャンバー内における成膜環境の経時変化に正確に対応できない問題が存在した。
本発明はこのような問題点に着目してなされたもので、その課題とするところは、上記サンプル基準が無くても「インライン反射率測定器」を用いて金属吸収層等の成膜条件を正確に制御可能な成膜方法を提供し、合わせてタッチパネル等に使用される積層体フィルムの製造方法を提供することにある。
そこで、本発明者は上記課題を解決するため以下のような実験を試みた。
まず、片面に金属（例えば銅）層が形成された長尺樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム等）の上記金属層上に、酸素を含む反応性ガスと金属（例えばＮｉ−Ｃｕ合金）ターゲットを用いた反応性スパッタリング法により複数個のサンプル用金属吸収層を連続成膜し、かつ、得られた複数個のサンプル用金属吸収層の分光反射率特性を「インライン反射率測定器」を用いて測定した。
具体的には、サンプル用金属吸収層の膜厚を、例えば、２０ｎｍ、２４ｎｍ、および、２８ｎｍの３種（ｄ１〜ｄｎ）に設定し、反応性ガスの酸素流量を膜厚に対し一定量となる、例えば、２．０００ｓｃｃｍ／ｎｍ、２．１２５ｓｃｃｍ／ｎｍ、および、２．２５０ｓｃｃｍ／ｎｍの３組（ａ組）となるように導入して９（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層を成膜した。
尚、「インライン反射率測定器」を用いて測定したサンプル用金属吸収層の分光反射率特性を図５に示し、かつ、分光反射率特性に係る図５のグラフ図を一部拡大したグラフ図を図６に示す。
図５と図６のグラフ図から、サンプル用金属吸収層の膜厚が厚くなるにつれて分光反射特性の極小値が長波長側へほぼ平行移動することが確認され、更に、成膜時の導入酸素量が増加するにつれて分光反射率曲線が低反射側へほぼ垂直移動することが確認される。
これ等の結果を下記表１に示し、かつ、表１に示されたデータ群から「反射率極小値の波長−酸素流量／膜厚の関係、および、反射率極小値の波長−膜厚の関係」を表す関係図を作成（図７参照）すると共に、同じく表１に示されたデータ群から「反射率極大値／極小値−酸素流量／膜厚の関係、および、反射率極大値／極小値−膜厚の関係」を表す関係図も作成（図８参照）した。
そして、「反射率極小値の波長−酸素流量／膜厚の関係、および、反射率極小値の波長−膜厚の関係」を表す図７の関係図から、「反射率極小値の波長」は、反応条件（酸素流量／膜厚）に依存せず、膜厚のみに比例して増加していることが確認され、
また、「反射率極大値／極小値−酸素流量／膜厚の関係、および、反射率極大値／極小値−膜厚の関係」を表す図８の関係図から、「反射率極大値／極小値の比」は、反応条件（酸素流量／膜厚）と膜厚の両方に依存し、これ等の増加に比例して「反射率極大値／極小値の比」が増加していることが確認される。
また、「反射率極大値／極小値−酸素流量／膜厚の関係、および、反射率極大値／極小値−膜厚の関係」を表す図８の関係図から、「反射率極大値／極小値の比」は、反応条件（酸素流量／膜厚）と膜厚の両方に依存し、これ等の増加に比例して「反射率極大値／極小値の比」が増加していることが確認される。
この結果、「インライン反射率測定器」で測定された反射率を上述のサンプル基準と比較することなく、「反射率極小値の波長」から膜厚を求めて膜厚に係る成膜条件（スパッタリング電力や長尺樹脂フィルムの搬送速度等）を調整でき、かつ、「反射率極大値／極小値の比」から反応条件（酸素流量／膜厚）も調整できることが確認される。
本発明はこのような技術的発見に基づき完成されたものである。
すなわち、本発明に係る第１の発明は、
少なくとも片面に金属層が形成された長尺樹脂フィルムの該金属層上に、酸素を含む反応性ガスと金属ターゲットを用いた反応性スパッタリング法により連続して金属吸収層を成膜すると共に、成膜される金属吸収層の分光反射率特性に基づいて金属吸収層の成膜条件を制御する成膜方法において、
膜厚ｄ１〜ｄｎのサンプル用金属吸収層をそれぞれａ組の反応条件（酸素流量／膜厚）に従って金属層上に成膜し、かつ、成膜された複数（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層の分光反射率を測定して極大値と極小値を有する分光反射率特性をそれぞれ求めると共に、得られた分光反射率特性から、（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層毎に「反射率極小値の波長」および「反射率極大値と極小値の比（＝極大値／極小値）」の数値をそれぞれ特定する成膜前のデータ収集工程と、
データ収集工程により得られた（ｎ×ａ）個の「反射率極小値の波長」および「反射率極大値と極小値の比（＝極大値／極小値）」の数値群から、成膜目標とする金属吸収層に係る数値（反射率極小値の波長λおよび反射率極大値と極小値の比α）を特定し、かつ、目標とする金属吸収層を金属層上に成膜しながらスパッタリング装置内に設けられたインライン反射率測定器により成膜中における金属吸収層の分光反射率を測定すると共に、上記「反射率極小値の波長λ」および「反射率極大値と極小値の比α」に設定される反応性ガスの酸素流量およびスパッタリング電力を特定する成膜条件設定工程と、
成膜条件設定工程により特定された成膜条件に従い金属層上に連続成膜される金属吸収層の分光反射率を上記インライン反射率測定器により継続して測定し、上記「反射率極小値の波長λ」および「反射率極大値と極小値の比α」が維持されるように反応性ガスの調整または／およびスパッタリング電力の調整を行う成膜条件維持工程、
を具備することを特徴とするものである。
少なくとも片面に金属層が形成された長尺樹脂フィルムの該金属層上に、酸素を含む反応性ガスと金属ターゲットを用いた反応性スパッタリング法により連続して金属吸収層を成膜すると共に、成膜される金属吸収層の分光反射率特性に基づいて金属吸収層の成膜条件を制御する成膜方法において、
膜厚ｄ１〜ｄｎのサンプル用金属吸収層をそれぞれａ組の反応条件（酸素流量／膜厚）に従って金属層上に成膜し、かつ、成膜された複数（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層の分光反射率を測定して極大値と極小値を有する分光反射率特性をそれぞれ求めると共に、得られた分光反射率特性から、（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層毎に「反射率極小値の波長」および「反射率極大値と極小値の比（＝極大値／極小値）」の数値をそれぞれ特定する成膜前のデータ収集工程と、
データ収集工程により得られた（ｎ×ａ）個の「反射率極小値の波長」および「反射率極大値と極小値の比（＝極大値／極小値）」の数値群から、成膜目標とする金属吸収層に係る数値（反射率極小値の波長λおよび反射率極大値と極小値の比α）を特定し、かつ、目標とする金属吸収層を金属層上に成膜しながらスパッタリング装置内に設けられたインライン反射率測定器により成膜中における金属吸収層の分光反射率を測定すると共に、上記「反射率極小値の波長λ」および「反射率極大値と極小値の比α」に設定される反応性ガスの酸素流量およびスパッタリング電力を特定する成膜条件設定工程と、
成膜条件設定工程により特定された成膜条件に従い金属層上に連続成膜される金属吸収層の分光反射率を上記インライン反射率測定器により継続して測定し、上記「反射率極小値の波長λ」および「反射率極大値と極小値の比α」が維持されるように反応性ガスの調整または／およびスパッタリング電力の調整を行う成膜条件維持工程、
を具備することを特徴とするものである。
次に、本発明に係る第２の発明は、
第１の発明に記載の成膜方法において、
上記成膜条件維持工程における反応性ガスの調整が、水素若しくは水蒸気の添加、または／および、上記酸素流量の変更であることを特徴とし、
第３の発明は、
第１の発明に記載の成膜方法において、
上記金属吸収層の膜厚が１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲、かつ、反応性ガスに含まれる酸素が５重量％〜２０重量％の範囲に設定されていることを特徴とし、
第４の発明は、
第１の発明または第２の発明に記載の成膜方法において、
上記金属ターゲットが、Ｎｉ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｃｕより選ばれる１種以上の元素が添加されたＮｉ系合金、または、Ｃｕ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｎｉより選ばれる１種以上の元素が添加されたＣｕ系合金で構成されていることを特徴とし、
第５の発明は、
第１の発明〜第４の発明のいずれかに記載の成膜方法において、
上記長尺樹脂フィルムと金属層との間に下側金属吸収層が設けられていることを特徴とするものである。
第１の発明に記載の成膜方法において、
上記成膜条件維持工程における反応性ガスの調整が、水素若しくは水蒸気の添加、または／および、上記酸素流量の変更であることを特徴とし、
第３の発明は、
第１の発明に記載の成膜方法において、
上記金属吸収層の膜厚が１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲、かつ、反応性ガスに含まれる酸素が５重量％〜２０重量％の範囲に設定されていることを特徴とし、
第４の発明は、
第１の発明または第２の発明に記載の成膜方法において、
上記金属ターゲットが、Ｎｉ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｃｕより選ばれる１種以上の元素が添加されたＮｉ系合金、または、Ｃｕ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｎｉより選ばれる１種以上の元素が添加されたＣｕ系合金で構成されていることを特徴とし、
第５の発明は、
第１の発明〜第４の発明のいずれかに記載の成膜方法において、
上記長尺樹脂フィルムと金属層との間に下側金属吸収層が設けられていることを特徴とするものである。
また、本発明に係る第６の発明は、
樹脂フィルムから成る透明基板と該透明基板の少なくとも片面に設けられた積層膜とで構成され、該積層膜が、下側金属吸収層と金属層と上側金属吸収層から成る積層体フィルムの製造方法において、
上記上側金属吸収層が、第１の発明〜第５の発明のいずれかに記載の成膜方法により成膜されていることを特徴とする。
樹脂フィルムから成る透明基板と該透明基板の少なくとも片面に設けられた積層膜とで構成され、該積層膜が、下側金属吸収層と金属層と上側金属吸収層から成る積層体フィルムの製造方法において、
上記上側金属吸収層が、第１の発明〜第５の発明のいずれかに記載の成膜方法により成膜されていることを特徴とする。
本発明に係る成膜方法は、
膜厚ｄ１〜ｄｎのサンプル用金属吸収層をそれぞれａ組の反応条件（酸素流量／膜厚）に従って金属層上に成膜し、かつ、成膜された複数（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層の分光反射率を測定して極大値と極小値を有する分光反射率特性をそれぞれ求めると共に、得られた分光反射率特性から、（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層毎に「反射率極小値の波長」および「反射率極大値と極小値の比（＝極大値／極小値）」の数値をそれぞれ特定する成膜前のデータ収集工程と、
データ収集工程により得られた（ｎ×ａ）個の「反射率極小値の波長」および「反射率極大値と極小値の比（＝極大値／極小値）」の数値群から、成膜目標とする金属吸収層に係る数値（反射率極小値の波長λおよび反射率極大値と極小値の比α）を特定し、かつ、目標とする金属吸収層を金属層上に成膜しながらスパッタリング装置内に設けられたインライン反射率測定器により成膜中における金属吸収層の分光反射率を測定すると共に、上記「反射率極小値の波長λ」および「反射率極大値と極小値の比α」に設定される反応性ガスの酸素流量およびスパッタリング電力を特定する成膜条件設定工程と、
成膜条件設定工程により特定された成膜条件に従い金属層上に連続成膜される金属吸収層の分光反射率を上記インライン反射率測定器により継続して測定し、上記「反射率極小値の波長λ」および「反射率極大値と極小値の比α」が維持されるように反応性ガスの調整または／およびスパッタリング電力の調整を行う成膜条件維持工程、
を具備することを特徴としている。
膜厚ｄ１〜ｄｎのサンプル用金属吸収層をそれぞれａ組の反応条件（酸素流量／膜厚）に従って金属層上に成膜し、かつ、成膜された複数（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層の分光反射率を測定して極大値と極小値を有する分光反射率特性をそれぞれ求めると共に、得られた分光反射率特性から、（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層毎に「反射率極小値の波長」および「反射率極大値と極小値の比（＝極大値／極小値）」の数値をそれぞれ特定する成膜前のデータ収集工程と、
データ収集工程により得られた（ｎ×ａ）個の「反射率極小値の波長」および「反射率極大値と極小値の比（＝極大値／極小値）」の数値群から、成膜目標とする金属吸収層に係る数値（反射率極小値の波長λおよび反射率極大値と極小値の比α）を特定し、かつ、目標とする金属吸収層を金属層上に成膜しながらスパッタリング装置内に設けられたインライン反射率測定器により成膜中における金属吸収層の分光反射率を測定すると共に、上記「反射率極小値の波長λ」および「反射率極大値と極小値の比α」に設定される反応性ガスの酸素流量およびスパッタリング電力を特定する成膜条件設定工程と、
成膜条件設定工程により特定された成膜条件に従い金属層上に連続成膜される金属吸収層の分光反射率を上記インライン反射率測定器により継続して測定し、上記「反射率極小値の波長λ」および「反射率極大値と極小値の比α」が維持されるように反応性ガスの調整または／およびスパッタリング電力の調整を行う成膜条件維持工程、
を具備することを特徴としている。
そして、本発明に係る成膜方法によれば、
反射率が既知であるサンプル基準が無くても「インライン反射率測定器」を用いて金属吸収層の成膜条件を正確に制御でき、これにより真空チャンバー内における成膜環境の経時変化に正確に対応できるため、連続成膜される金属吸収層の光学特性が変動し難い効果を有している。
反射率が既知であるサンプル基準が無くても「インライン反射率測定器」を用いて金属吸収層の成膜条件を正確に制御でき、これにより真空チャンバー内における成膜環境の経時変化に正確に対応できるため、連続成膜される金属吸収層の光学特性が変動し難い効果を有している。
また、透明基板と積層膜とで構成され、該積層膜が下側金属吸収層と金属層と上側金属吸収層から成る本発明に係る積層体フィルムの製造方法によれば、
上側金属吸収層が本発明の成膜方法を用いて成膜されているため、積層体フィルムにおける上側金属吸収層の光学特性を均一に揃えることが可能となる効果を有している。
上側金属吸収層が本発明の成膜方法を用いて成膜されているため、積層体フィルムにおける上側金属吸収層の光学特性を均一に揃えることが可能となる効果を有している。
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
（１）積層体フィルム
図１は本発明に係る積層体フィルムの概略断面説明図である。
図１は本発明に係る積層体フィルムの概略断面説明図である。
すなわち、図１に示す積層体フィルムは、樹脂フィルムから成る透明基板６０と、該透明基板６０の両面に乾式成膜法（乾式めっき法）により形成された下側金属吸収層６１、６３と、該下側金属吸収層６１、６３上に乾式成膜法（スパッタリング：乾式めっき法）により形成された金属層６２、６４と、該金属層６２、６４上に湿式成膜法（湿式めっき法）により形成された金属層６５、６６と、該金属層６５、６６上に乾式成膜法（反応性スパッタリング：乾式めっき法）により形成された上側金属吸収層６７、６８とで構成されている。ここで、図１に示す積層体フィルムにおいて、符号６２、６５で示す金属層の両面に下側金属吸収層６１と上側金属吸収層６７を形成し、また、符号６４、６６で示す金属層の両面に下側金属吸収層６３と上側金属吸収層６８を形成しているのは、該積層体フィルムを用いて作製された電極基板フィルムをタッチパネルに組み込んだときに金属製積層細線から成るメッシュ構造の回路パターンが反射して見えないようにするためである。
また、図１に示す積層体フィルムは、透明基板６０の両側に積層膜（下側金属吸収層、金属層および上側金属吸収層）を有する両面構造となっているが、透明基板６０の片側に上記積層膜を有する片面構造としてもよい。
（1-1）金属吸収層の構成材料（金属ターゲット）
下側並びに上側金属吸収層は、Ｎｉ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｃｕより選ばれる１種以上の元素が添加されたＮｉ系合金、または、Ｃｕ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｎｉより選ばれる１種以上の元素が添加されたＣｕ系合金から成る金属ターゲットと酸素を含む反応性ガスを用いた反応性スパッタリングにより形成される。尚、金属吸収層を構成する金属酸化物の酸化が進み過ぎると金属吸収層が透明になってしまうため、黒化膜になる程度の酸化レベルに設定することを要する。また、金属吸収層の各波長における光学定数（屈折率、消衰係数）は、反応の度合い、すなわち、酸化度に大きく影響され、金属ターゲットだけで決定されるものではない。尚、金属吸収層の膜厚は１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲が望ましく、より好ましくは６５ｎｍ以下である。
下側並びに上側金属吸収層は、Ｎｉ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｃｕより選ばれる１種以上の元素が添加されたＮｉ系合金、または、Ｃｕ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｎｉより選ばれる１種以上の元素が添加されたＣｕ系合金から成る金属ターゲットと酸素を含む反応性ガスを用いた反応性スパッタリングにより形成される。尚、金属吸収層を構成する金属酸化物の酸化が進み過ぎると金属吸収層が透明になってしまうため、黒化膜になる程度の酸化レベルに設定することを要する。また、金属吸収層の各波長における光学定数（屈折率、消衰係数）は、反応の度合い、すなわち、酸化度に大きく影響され、金属ターゲットだけで決定されるものではない。尚、金属吸収層の膜厚は１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲が望ましく、より好ましくは６５ｎｍ以下である。
（1-2）金属層の構成材料
上記金属層の構成材料（金属材）としては、電気抵抗値が低い金属であれば特に限定されず、例えば、Ｃｕ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇより選ばれる１種以上の元素が添加されたＣｕ系合金、または、Ａｇ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｕより選ばれる１種以上の元素が添加されたＡｇ系合金が挙げられ、特に、Ｃｕ単体が、回路パターンの加工性や抵抗値の観点から望ましい。また、金属層の膜厚は電気特性に依存するものであり、光学的な要素から決定されるものではないが、通常、透過光が測定不能なレベルの膜厚に設定される。尚、金属層が、乾式めっき法と湿式めっき法で形成された銅層で構成される場合、その膜厚は１００ｎｍ〜２０００ｎｍが好ましい。
上記金属層の構成材料（金属材）としては、電気抵抗値が低い金属であれば特に限定されず、例えば、Ｃｕ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇより選ばれる１種以上の元素が添加されたＣｕ系合金、または、Ａｇ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｕより選ばれる１種以上の元素が添加されたＡｇ系合金が挙げられ、特に、Ｃｕ単体が、回路パターンの加工性や抵抗値の観点から望ましい。また、金属層の膜厚は電気特性に依存するものであり、光学的な要素から決定されるものではないが、通常、透過光が測定不能なレベルの膜厚に設定される。尚、金属層が、乾式めっき法と湿式めっき法で形成された銅層で構成される場合、その膜厚は１００ｎｍ〜２０００ｎｍが好ましい。
（1-3）透明基板を構成する樹脂フィルム
上記積層体フィルムに適用される樹脂フィルムの材質としては特に限定されることはなく、その具体例として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリオレフィン（ＰＯ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）およびノルボルネンの樹脂材料から選択された樹脂フィルムの単体、あるいは、上記樹脂材料から選択された樹脂フィルム単体とこの単体の片面または両面を覆うアクリル系有機膜との複合体が挙げられる。特に、ノルボルネン樹脂材料については、代表的なものとして、日本ゼオン社のゼオノア（商品名）やＪＳＲ社のアートン（商品名）等が挙げられる。
上記積層体フィルムに適用される樹脂フィルムの材質としては特に限定されることはなく、その具体例として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリオレフィン（ＰＯ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）およびノルボルネンの樹脂材料から選択された樹脂フィルムの単体、あるいは、上記樹脂材料から選択された樹脂フィルム単体とこの単体の片面または両面を覆うアクリル系有機膜との複合体が挙げられる。特に、ノルボルネン樹脂材料については、代表的なものとして、日本ゼオン社のゼオノア（商品名）やＪＳＲ社のアートン（商品名）等が挙げられる。
尚、本発明に係る積層体フィルムを用いて作製される電極基板フィルムは「タッチパネル」等に使用するため、上記樹脂フィルムの中でも可視波長領域での透明性に優れるものが望ましい。
（２）電極基板フィルム
（2-1）上記積層体フィルムの積層膜をエッチング処理して、金属製積層細線に配線加工することにより電極基板フィルムを得ることができる。具体的には、図１に示す積層体フィルムの積層膜（下側金属吸収層、金属層および上側金属吸収層）をエッチング処理して図２に示す電極基板フィルムを得ることができる。
（2-1）上記積層体フィルムの積層膜をエッチング処理して、金属製積層細線に配線加工することにより電極基板フィルムを得ることができる。具体的には、図１に示す積層体フィルムの積層膜（下側金属吸収層、金属層および上側金属吸収層）をエッチング処理して図２に示す電極基板フィルムを得ることができる。
すなわち、図２に示す電極基板フィルムは、樹脂フィルムから成る透明基板７０と、該透明基板７０の両面に設けられた金属製積層細線から成るメッシュ構造の回路パターンを有し、上記金属製積層細線が、例えば線幅５μｍでかつ透明基板７０側から数えて第１層目の下側金属吸収層７１、７３と、第２層目の金属層７２、７５、７４、７６と、第３層目の上側金属吸収層７７、７８とで構成されている。
そして、電極基板フィルムの電極（配線）パターンをタッチパネル用のストライプ状若しくは格子状とすることでタッチパネルに用いることができる。また、電極（配線）パターンに配線加工された金属製の積層細線は、積層体フィルムの積層構造を維持していることから、高輝度照明下においても透明基板に設けられた電極等の回路パターンが極めて視認され難い電極基板フィルムとして提供することができる。
（2-2）そして、本発明に係る積層体フィルムから電極基板フィルムに配線加工するには、公知のサブトラクティブ法により加工が可能である。
サブトラクティブ法は、積層体フィルムの積層膜表面にフォトレジスト膜を形成し、配線パターンを形成したい箇所にフォトレジスト膜が残るように露光、現像し、かつ、上記積層膜表面にフォトレジスト膜が存在しない箇所の積層膜を化学エッチングにより除去して配線パターンを形成する方法である。
上記記化学エッチングのエッチング液としては、塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液を用いることができる。
（３）従来例に係る成膜装置（スパッタリングウェブコータ）
（3-1）スパッタリングウェブコータ
図３に示す従来例に係る成膜装置はスパッタリングウェブコータと称され、ロールツーロール方式で搬送される長尺樹脂フィルム表面に連続的に効率よく成膜処理を施す場合に用いられる。
（3-1）スパッタリングウェブコータ
図３に示す従来例に係る成膜装置はスパッタリングウェブコータと称され、ロールツーロール方式で搬送される長尺樹脂フィルム表面に連続的に効率よく成膜処理を施す場合に用いられる。
具体的に説明すると、ロールツーロール方式で搬送される長尺樹脂フィルムの成膜装置（スパッタリングウェブコータ）は真空チャンバー１０内に設けられており、巻き出しロール１１から巻き出された長尺樹脂フィルム１２に対して所定の成膜処理を行った後、巻き取りロール２４で巻き取るようになっている。これら巻き出しロール１１から巻き取りロール２４までの搬送経路の途中に、モータで回転駆動されるキャンロール１６が配置されている。このキャンロール１６の内部には、真空チャンバー１０の外部で温調された冷媒が循環している。
真空チャンバー１０内では、スパッタリング成膜のため、到達圧力１０-4Ｐａ程度までの減圧と、その後のスパッタリングガスの導入による０.１〜１０Ｐａ程度の圧力調整が行われる。スパッタリングガスにはアルゴン等公知のガスが使用され、目的に応じて更に酸素等のガスが添加される。真空チャンバー１０の形状や材質は、このような減圧状態に耐え得るものであれば特に限定はなく種々のものを使用することができる。また、真空チャンバー１０内を減圧してその状態を維持するため、真空チャンバー１０にはドライポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオコイル等の種々の装置（図示せず）が組み込まれている。
巻き出しロール１１からキャンロール１６までの搬送経路には、長尺樹脂フィルム１２を案内するフリーロール１３と、長尺樹脂フィルム１２の張力の測定を行う張力センサロール１４とがこの順で配置されている。また、張力センサロール１４から送り出されてキャンロール１６に向かう長尺樹脂フィルム１２は、キャンロール１６の近傍に設けられたモータ駆動の前フィードロール１５によってキャンロール１６の周速度に対する調整が行われ、これによりキャンロール１６の外周面に長尺樹脂フィルム１２を密着させることができる。
キャンロール１６から巻き取りロール２４までの搬送経路も、上記同様に、キャンロール１６の周速度に対する調整を行うモータ駆動の後フィードロール２１、長尺樹脂フィルム１２の張力の測定を行う張力センサロール２２および長尺樹脂フィルム１２を案内するフリーロール２３がこの順に配置されている。
上記巻き出しロール１１および巻き取りロール２４では、パウダークラッチ等によるトルク制御によって長尺樹脂フィルム１２の張力バランスが保たれている。また、キャンロール１６の回転とこれに連動して回転するモータ駆動の前フィードロール１５、後フィードロール２１により、巻き出しロール１１から長尺樹脂フィルム１２が巻き出されて巻き取りロール２４に巻き取られるようになっている。
キャンロール１６の近傍には、キャンロール１６の外周面上に画定される搬送経路（すなわち、キャンロール１６外周面の内の長尺樹脂フィルム１２が巻き付けられる領域）に対向する位置に、成膜手段としてのマグネトロンスパッタリングカソード１７、１８、１９および２０が設けられ、この近傍に反応性ガスを放出するガス放出パイプ２５、２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２が設置されている。
ところで、上記金属吸収層と金属層のスパッタリング成膜を実施する際、図３に示すように板状のターゲットを使用できるが、板状ターゲットを用いた場合、ターゲット上にノジュール（異物の成長）が発生することがある。これが問題になる場合は、ノジュールの発生がなくかつターゲットの使用効率も高い円筒形のロータリーターゲットを使用することが好ましい。
（3-2）反応性スパッタリング
ところで、金属酸化物から成る金属吸収層を成膜する目的で酸化物ターゲットを適用した場合、成膜速度が遅く量産に適さない。このため、高速成膜が可能な例えばＮｉ系の金属ターゲットを用い、かつ、酸素を含む反応性ガスを制御しながら導入する反応性スパッタリングが採られている。
ところで、金属酸化物から成る金属吸収層を成膜する目的で酸化物ターゲットを適用した場合、成膜速度が遅く量産に適さない。このため、高速成膜が可能な例えばＮｉ系の金属ターゲットを用い、かつ、酸素を含む反応性ガスを制御しながら導入する反応性スパッタリングが採られている。
そして、反応性ガスを制御する方法として以下の４つの方法が知られている。
（3-2-1）一定流量の反応性ガスを放出する方法。
（3-2-2）一定圧力を保つように反応性ガスを放出する方法。
（3-2-3）スパッタリングカソードのインピーダンスが一定になるように反応性ガスを放出する（インピーダンス制御）方法。
（3-2-4）スパッタリングのプラズマ強度が一定になるように反応性ガスを放出する（プラズマエミッション制御）方法。
（3-2-1）一定流量の反応性ガスを放出する方法。
（3-2-2）一定圧力を保つように反応性ガスを放出する方法。
（3-2-3）スパッタリングカソードのインピーダンスが一定になるように反応性ガスを放出する（インピーダンス制御）方法。
（3-2-4）スパッタリングのプラズマ強度が一定になるように反応性ガスを放出する（プラズマエミッション制御）方法。
（４）「インライン反射率測定器」を備えた成膜装置（スパッタリングウェブコータ）
ロールツーロール方式で搬送される長尺樹脂フィルム表面に連続的に成膜処理を行うスパッタリングウェブコータにおいては成膜時間が１０時間以上に及ぶことがある。
ロールツーロール方式で搬送される長尺樹脂フィルム表面に連続的に成膜処理を行うスパッタリングウェブコータにおいては成膜時間が１０時間以上に及ぶことがある。
このような長時間に亘る反応性スパッタリング処理の条件を一定に保つことは容易でない。なぜなら、真空チャンバー１０の内壁に吸着したガス（水分）が徐々に放出されて真空チャンバー１０内に含まれる水分量が経時的に変化しあるいは反応性ガスの濃度変化が起こるからである。そこで、減少した水分を補給し、あるいは、金属吸収層に取り込まれる酸素量を一定にするため上述したフィードバック制御が欠かせない。
そして、金属吸収層における酸化の度合いを連続的に把握するには、図３に示すように金属吸収層を成膜する領域（マグネトロンスパッタリングカソード１８の終端領域）と金属層を成膜する領域（マグネトロンスパッタリングカソード１９の始端領域）間におけるキャンロール１６上において唯一現れる金属吸収層の分光反射率を「インライン反射率測定器」を用いて測定することが有効である。
（4-1）「インライン反射率測定器」を備えたスパッタリングウェブコータ
従来例に係る成膜装置（スパッタリングウェブコータ）と同様、「インライン反射率測定器」を備えたスパッタリングウェブコータは、図４に示すように真空チャンバー１１０内に設けられており、巻き出しロール１１１から巻き出された長尺樹脂フィルム１１２に対して所定の成膜処理を行った後、巻き取りロール１２４で巻き取るようになっている。これ等巻き出しロール１１１から巻き取りロール１２４までの搬送経路の途中に、モータで回転駆動されるキャンロール１１６が配置されている。このキャンロール１１６の内部には、真空チャンバー１１０の外部で温調された冷媒が循環している。
従来例に係る成膜装置（スパッタリングウェブコータ）と同様、「インライン反射率測定器」を備えたスパッタリングウェブコータは、図４に示すように真空チャンバー１１０内に設けられており、巻き出しロール１１１から巻き出された長尺樹脂フィルム１１２に対して所定の成膜処理を行った後、巻き取りロール１２４で巻き取るようになっている。これ等巻き出しロール１１１から巻き取りロール１２４までの搬送経路の途中に、モータで回転駆動されるキャンロール１１６が配置されている。このキャンロール１１６の内部には、真空チャンバー１１０の外部で温調された冷媒が循環している。
真空チャンバー１１０内では、スパッタリング成膜のため、到達圧力１０-4Ｐａ程度までの減圧と、その後のスパッタリングガスの導入による０.１〜１０Ｐａ程度の圧力調整が行われる。スパッタリングガスにはアルゴン等公知のガスが使用され、目的に応じてさらに酸素等のガスが添加される。真空チャンバー１１０の形状や材質は、このような減圧状態に耐え得るものであれば特に限定はなく種々のものを使用することができる。また、真空チャンバー１１０内を減圧してその状態を維持するため、真空チャンバー１１０にはドライポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオコイル等の種々の装置（図示せず）が組み込まれている。
巻き出しロール１１１からキャンロール１１６までの搬送経路には、長尺樹脂フィルム１１２を案内するフリーロール１１３と、長尺樹脂フィルム１１２の張力測定を行う張力センサロール１１４がこの順で配置されている。また、張力センサロール１１４から送り出されてキャンロール１１６に向かう長尺樹脂フィルム１１２は、キャンロール１１６の近傍に設けられたモータ駆動の前フィードロール１１５によって、キャンロール１１６の周速度に対する調整が行われ、これによりキャンロール１１６の外周面に長尺樹脂フィルム１１２を密着させることができる。
キャンロール１１６から巻き取りロール１２４までの搬送経路も、上記同様に、キャンロール１１６の周速度に対する調整を行うモータ駆動の後フィードロール１２１、長尺樹脂フィルム１１２の張力測定を行う張力センサロール１２２、および、長尺樹脂フィルム１１２を案内するフリーロール１２３がこの順に配置されている。
上記巻き出しロール１１１および巻き取りロール１２４では、パウダークラッチ等によるトルク制御によって長尺樹脂フィルム１１２の張力バランスが保たれている。また、キャンロール１１６の回転とこれに連動して回転するモータ駆動の前フィードロール１１５、後フィードロール１２１により、巻き出しロール１１１から長尺樹脂フィルム１１２が巻き出されて巻き取りロール１２４に巻き取られるようになっている。
キャンロール１１６の近傍には、キャンロール１１６の外周面上に画定される搬送経路（すなわち、キャンロール１１６外周面の内の長尺樹脂フィルム１１２が巻き付けられる領域）に対向する位置に、成膜手段としてのマグネトロンスパッタリングカソード１１７、１１８、１１９および１２０が設けられ、この近傍に反応性ガスを放出するガス放出パイプ１２５、１２６、１２７、１２８、１２９、１３０、１３１、１３２が設置されている。
（4-2）「インライン反射率測定器」によるフィードバック制御
「インライン反射率測定器」を備えたスパッタリングウェブコータは、図４に示すようにキャンロール１１６外周面に巻き付けられた長尺樹脂フィルム１１２面に金属吸収層を成膜する第一成膜手段（マグネトロンスパッタリングカソード１１７とマグネトロンスパッタリングカソード１１８とで構成される）と、同じく長尺樹脂フィルム１１２面に金属層を成膜する第二成膜手段（マグネトロンスパッタリングカソード１１９とマグネトロンスパッタリングカソード１２０とで構成される）間のキャンロール１１６上において唯一現れる金属吸収層の分光反射率をキャンロール１１６近傍に設けられた「インライン反射率測定器」により測定し、測定された値（金属吸収層の反射率：但し、上述したようにサンプル基準が無いため、測定精度が若干劣る）と金属吸収層の目標値とを比較して上記第一成膜手段へ反応性ガスを供給する反応性ガス供給手段（ガス放出パイプ１２５、１２６、１２７、１２８）における反応性ガスの供給量を制御するようになっている。
「インライン反射率測定器」を備えたスパッタリングウェブコータは、図４に示すようにキャンロール１１６外周面に巻き付けられた長尺樹脂フィルム１１２面に金属吸収層を成膜する第一成膜手段（マグネトロンスパッタリングカソード１１７とマグネトロンスパッタリングカソード１１８とで構成される）と、同じく長尺樹脂フィルム１１２面に金属層を成膜する第二成膜手段（マグネトロンスパッタリングカソード１１９とマグネトロンスパッタリングカソード１２０とで構成される）間のキャンロール１１６上において唯一現れる金属吸収層の分光反射率をキャンロール１１６近傍に設けられた「インライン反射率測定器」により測定し、測定された値（金属吸収層の反射率：但し、上述したようにサンプル基準が無いため、測定精度が若干劣る）と金属吸収層の目標値とを比較して上記第一成膜手段へ反応性ガスを供給する反応性ガス供給手段（ガス放出パイプ１２５、１２６、１２７、１２８）における反応性ガスの供給量を制御するようになっている。
そして、キャンロール１１６の近傍に設けられる上記「インライン反射率測定器」は、図４に示すように白色（ハロゲン）光源等の安定化光源１３５と、該光源１３５からの光を２光路に分配しその一方の光路を構成する測定光照射ファイバ束が真空チャンバー１１０内に導入され他方の光路を構成する参照光照射ファイバ束が真空チャンバー１１０外に配置されるＹ分岐光ファイバ束１３４と、上記測定光照射ファイバ束と反射光受光ファイバ束から成りかつキャンロール１１６の外周面に巻き付けられた長尺樹脂フィルム１１２の金属吸収層へ向けて測定光照射ファイバ束から測定光を照射し金属吸収層からの反射光を反射光受光ファイバ束で受光して金属吸収層の反射率を測定する反射率測定プローブ１３３と、該反射率測定プローブ１３３の反射光受光ファイバ束と上記参照光照射ファイバ束の各端部が真空チャンバー１１０外において接続されかつ上記参照光照射ファイバ束の端部から出射される参照光と反射光受光ファイバ束の端部から出射される測定光を一定の時間毎に順次通過させる光切換器（光チョッパー）１３６と、該光切換器１３６を通過した参照光に基づき光源光量を測定しかつ測定された上記光源光量に基づき光切換器１３６を通過した測定光の光量を補正して金属吸収層の分光反射率を計測する分光器１３７とでその主要部が構成されている。
上記光切換器（光チョッパー）１３６で、分光器１３７に入射する測定光と参照光を切り替える理由は、長時間に亘る成膜中の光源や受光素子の温度変化、光ファイバにおけるカップリングの効率変化等によるドリフトを補正するためである。具体的には参照光の変化割合に応じて反射率を同様に補正している。尚、測定光と参照光を切り換える光切換器（光チョッパー）１３６の周期は１Ｈｚである。
そして、分光器１３７で計測された金属吸収層の分光反射率データは、図４に示すように制御パソコン１３８に送信され、該制御パソコン１３８は反応性ガスの流量を制御する流量計１３９に流量設定値を送信する。そして、ガス導入チューブ１４０を経由して反応性ガスは上記ガス放出パイプ１２５、１２６、１２７、１２８に導かれ、上記第一成膜手段への反応性ガスの供給量を制御するように構成されている。尚、上記流量計１３９については、各ガス放出パイプ１２５、１２６、１２７、１２８にそれぞれ設置してもよい。
（５）「インライン反射率測定器」によるデータの解析（ベースラインの設定）
一般的な「２光束自記分光光度計」の場合、上述したように反射率が既知であるサンプル基準の反射光強度を測定してベースラインとし、その後、測定サンプルの反射光強度を測定し、上記ベースラインと比較して相対反射率を求めている。
一般的な「２光束自記分光光度計」の場合、上述したように反射率が既知であるサンプル基準の反射光強度を測定してベースラインとし、その後、測定サンプルの反射光強度を測定し、上記ベースラインと比較して相対反射率を求めている。
しかし、「インライン反射率測定器」においては、測定された反射率を比較するサンプル基準が無いため、該サンプル基準に基づいて相対反射率を求めることは現実的にできない。
そこで考えられるのは、長尺樹脂フィルム上に下側金属吸収層を成膜する際、未成膜の長尺樹脂フィルム自体における反射率をベースラインとする方法であるが、透明性の高い長尺樹脂フィルムにおいてはキャンロールの反射が主となり、キャンロールの表面状態によっては極めて信頼性の低いベースラインとなってしまう。このため、「インライン反射率測定器」による測定ではサンプル基準の分光反射率と比較することは容易ではない。
他方、長尺樹脂フィルムに設けられた金属層上に上側金属吸収層を成膜する際においては、上記「インライン反射率測定器」で測定した各波長における反射光強度自体の信頼性は高い。その理由は、「インライン反射率測定器」から照射された測定光の一部が上側金属吸収層を透過し、下側に位置する金属層からの反射光と光学的な干渉を起こして極大値と極小値を有する分光反射率特性が得られるからである。
例えば、金属（銅）層が形成された長尺樹脂フィルム（ＰＥＴフィルム）の金属層上に、酸素を含む反応性ガスと金属（Ｎｉ−Ｃｕ合金）ターゲットを用いた反応性スパッタリング法により金属吸収層（上側金属吸収層）を成膜し、かつ、この金属吸収層の分光反射率特性を「インライン反射率測定器」を用いて測定した結果を図５および図６に示す。
尚、図５のグラフ図において極大値と極小値を有する分光反射率特性となっている理由は、上述したように「インライン反射率測定器」から照射された測定光の一部が金属吸収層を透過し下側に位置する金属層からの反射光との光学的な干渉のためである。
具体的には、金属吸収層の膜厚を、２０ｎｍ、２４ｎｍ、および、２８ｎｍの３種に設定し、反応性ガスの酸素流量を膜厚に対し一定量となる、２．０００ｓｃｃｍ／ｎｍ、２．１２５ｓｃｃｍ／ｎｍ、および、２．２５０ｓｃｃｍ／ｎｍの３組となるように導入して９個の金属吸収層を成膜した。尚、「インライン反射率測定器」を用いて測定した金属吸収層の分光反射率特性を図５に示し、かつ、図５を一部拡大したグラフ図を図６に示す。
図５と図６のグラフ図から、金属吸収層の膜厚が厚くなるにつれて分光反射特性の極小値が長波長側へほぼ平行移動することが確認され、更に、成膜時の導入酸素量が増加するにつれて分光反射率曲線が低反射側へほぼ垂直移動することが確認される。
ところで、図５と図６のグラフ図に示すような分光反射特性の変化は、金属吸収層の膜厚が１０ｎｍ〜１００ｎｍ、酸素導入量がスパッタリングガスの５重量％〜２０重量％程度の狭い範囲にあるときに確認される傾向で、金属吸収層の膜厚と酸素導入量の幅を大幅に変えてしまうと上記傾向が得られ難くなることに留意しなければならない。但し、実際の成膜条件のバラツキによる変化は上記範囲に十分に含まれる。
図５と図６のグラフ図の結果を以下の表１に示し、かつ、表１に示されたデータ群から「反射率極小値の波長−酸素流量／膜厚の関係、および、反射率極小値の波長−膜厚の関係」を表す関係図を作成（図７参照）すると共に、同じく表１に示されたデータ群から「反射率極大値／極小値−酸素流量／膜厚の関係、および、反射率極大値／極小値−膜厚の関係」を表す関係図も作成（図８参照）した。
そして、「反射率極小値の波長−酸素流量／膜厚の関係、および、反射率極小値の波長−膜厚の関係」を表す図７の関係図から、「反射率極小値の波長」は、反応条件（酸素流量／膜厚）に依存せず、膜厚のみに比例して増加していることが確認され、「反射率極大値／極小値−酸素流量／膜厚の関係、および、反射率極大値／極小値−膜厚の関係」を表す図８の関係図から、「反射率極大値／極小値の比」は、反応条件（酸素流量／膜厚）と膜厚の両方に依存し、これ等の増加に比例して「反射率極大値／極小値の比」が増加していることが確認される。
この結果、「インライン反射率測定器」で測定された反射率を上述したサンプル基準と比較することなく、上記「反射率極小値の波長」から膜厚を求めて膜厚に係る成膜条件（スパッタリング電力や長尺樹脂フィルムの搬送速度等）を調整でき、かつ、「反射率極大値／極小値の比」から反応条件（酸素流量／膜厚）も調整できることが確認される。
（６）反射率が既知であるサンプル基準との比較を要しない本発明の成膜方法
すなわち、本発明は、
少なくとも片面に金属層が形成された長尺樹脂フィルムの該金属層上に、酸素を含む反応性ガスと金属ターゲットを用いた反応性スパッタリング法により連続して金属吸収層を成膜すると共に、成膜される金属吸収層の分光反射率特性に基づいて金属吸収層の成膜条件を制御する成膜方法において、
膜厚ｄ１〜ｄｎのサンプル用金属吸収層をそれぞれａ組の反応条件（酸素流量／膜厚）に従って金属層上に成膜し、かつ、成膜された複数（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層の分光反射率を測定して極大値と極小値を有する分光反射率特性をそれぞれ求めると共に、得られた分光反射率特性から、（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層毎に「反射率極小値の波長」および「反射率極大値と極小値の比（＝極大値／極小値）」の数値をそれぞれ特定する成膜前のデータ収集工程と、
データ収集工程により得られた（ｎ×ａ）個の「反射率極小値の波長」および「反射率極大値と極小値の比（＝極大値／極小値）」の数値群から、成膜目標とする金属吸収層に係る数値（反射率極小値の波長λおよび反射率極大値と極小値の比α）を特定し、かつ、目標とする金属吸収層を金属層上に成膜しながらスパッタリング装置内に設けられたインライン反射率測定器により成膜中における金属吸収層の分光反射率を測定すると共に、上記「反射率極小値の波長λ」および「反射率極大値と極小値の比α」に設定される反応性ガスの酸素流量およびスパッタリング電力を特定する成膜条件設定工程と、
成膜条件設定工程により特定された成膜条件に従い金属層上に連続成膜される金属吸収層の分光反射率を上記インライン反射率測定器により継続して測定し、上記「反射率極小値の波長λ」および「反射率極大値と極小値の比α」が維持されるように反応性ガスの調整または／およびスパッタリング電力の調整を行う成膜条件維持工程、
を具備することを特徴とするものである。
すなわち、本発明は、
少なくとも片面に金属層が形成された長尺樹脂フィルムの該金属層上に、酸素を含む反応性ガスと金属ターゲットを用いた反応性スパッタリング法により連続して金属吸収層を成膜すると共に、成膜される金属吸収層の分光反射率特性に基づいて金属吸収層の成膜条件を制御する成膜方法において、
膜厚ｄ１〜ｄｎのサンプル用金属吸収層をそれぞれａ組の反応条件（酸素流量／膜厚）に従って金属層上に成膜し、かつ、成膜された複数（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層の分光反射率を測定して極大値と極小値を有する分光反射率特性をそれぞれ求めると共に、得られた分光反射率特性から、（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層毎に「反射率極小値の波長」および「反射率極大値と極小値の比（＝極大値／極小値）」の数値をそれぞれ特定する成膜前のデータ収集工程と、
データ収集工程により得られた（ｎ×ａ）個の「反射率極小値の波長」および「反射率極大値と極小値の比（＝極大値／極小値）」の数値群から、成膜目標とする金属吸収層に係る数値（反射率極小値の波長λおよび反射率極大値と極小値の比α）を特定し、かつ、目標とする金属吸収層を金属層上に成膜しながらスパッタリング装置内に設けられたインライン反射率測定器により成膜中における金属吸収層の分光反射率を測定すると共に、上記「反射率極小値の波長λ」および「反射率極大値と極小値の比α」に設定される反応性ガスの酸素流量およびスパッタリング電力を特定する成膜条件設定工程と、
成膜条件設定工程により特定された成膜条件に従い金属層上に連続成膜される金属吸収層の分光反射率を上記インライン反射率測定器により継続して測定し、上記「反射率極小値の波長λ」および「反射率極大値と極小値の比α」が維持されるように反応性ガスの調整または／およびスパッタリング電力の調整を行う成膜条件維持工程、
を具備することを特徴とするものである。
ところで、上記成膜条件維持工程において、「反射率極小値の波長」と「反射率極大値と極小値の比」の各値（λ、α）が保持されるように行う調整については、以下に述べる理由から、例えば、反応性ガス中に水素若しくは水蒸気を添加しまたは／および酸素流量を変更する方法、および、スパッタリング電力を調整し、更に長尺樹脂フィルムの搬送速度を変更する等の方法が挙げられる。
（７）真空チャンバー内に含まれる水分の影響
反応性スパッタリング成膜中の真空チャンバー内部における水分圧とアルゴン分圧（スパッタリングを行うために導入するガス）の経時変化について、四重極質量分析計で計測した結果を図９に示す。すなわち、図９は、図４に示す成膜装置の真空チャンバー内部における水分量の経時変化を示すグラフ図である。
反応性スパッタリング成膜中の真空チャンバー内部における水分圧とアルゴン分圧（スパッタリングを行うために導入するガス）の経時変化について、四重極質量分析計で計測した結果を図９に示す。すなわち、図９は、図４に示す成膜装置の真空チャンバー内部における水分量の経時変化を示すグラフ図である。
図９のグラフ図から、スパッタリング時間の経過と共に真空チャンバーから水分が脱離していくことが確認される。この水分も、スパッタリングのプラズマ中において酸素と水素に分解され、金属吸収層の酸化に寄与する。従って、成膜スタート時と同じ分光反射特性曲線を長時間に亘り維持するには、反応性スパッタガスの酸素に加えて真空チャンバーから脱離する水分量を補う水蒸気若しくは水素ガスを補充する必要がある。
例えば、スパッタリング時間の経過と共に、真空チャンバーから脱離する水分量を補わない場合、下記比較例に示されているように反射率は上昇する（表２参照）。
そこで、「反射率極大値と極小値の比」が一定（α）に維持できるように反応性ガスの酸素に加え、真空チャンバーから脱離する水分量を補う水蒸気若しくは水素ガスを含むガス導入すればよい。例えば、モル比で２：１の水素ガスと酸素ガスの混合ガスが挙げられる。この混合ガスを増加させると「反射率極大値と極小値の比」が増加し、この混合ガスを減少させると「反射率極大値と極小値の比」が減少するので、「反射率極大値と極小値の比」を一定に保つように混合ガスの量を調整すればよい。
ところで、真空チャンバーから脱離する水分量を把握するには一般的に四重極質量分析計が利用される。上記四重極質量分析計はその場の雰囲気を計測する機器であり、「インライン反射率測定器」による測定の方が実際に取り込まれた反応性ガスを反映しているのでより直接的である。
尚、真空チャンバー内において四重極質量分析計により観測される水分は、成膜後における長尺樹脂フィルムをスパッタリングウェブコータから取り出したりした際の大気開放により、真空チャンバー内に吸着される水分である。また、真空チャンバー内に含まれる水分量は、真空チャンバー内における四重極質量分析計の配置位置や真空チャンバーの形状等で変動する。
以下、比較例を挙げて本発明の実施例について具体的に説明するが、本発明は以下の実施例により限定されるものではない。
図４に示す成膜装置（スパッタリングウェブコータ）を用い、反応性ガスには酸素ガスを用いると共に、キャンロール１１６は、直径６００ｍｍ、幅７５０ｍｍのステンレス製で、ロール本体表面にハードクロムめっきが施されている。前フィードロール１１５と後フィードロール１２１は直径１５０ｍｍ、幅７５０ｍｍのステンレス製で、ロール本体表面にハードクロムめっきが施されている。
また、各マグネトロンスパッタリングカソード１１７、１１８、１１９、１２０の上流側と下流側にガス放出パイプ１２５、１２６、１２７、１２８、１２９、１３０、１３１、１３２を設置し、かつ、マグネトロンスパッタリングカソード１１７、１１８には金属吸収層用のＮｉ−Ｃｕターゲットを取付け、マグネトロンスパッタリングカソード１１９と１２０にはターゲットを取付けずかつ運転しなかった。
長尺樹脂フィルムには、フィルムの片面にスパッタリングで成膜した膜厚１００ｎｍと電気めっきで形成した膜厚４００ｎｍの合計膜厚５００ｎｍの銅層（金属層）が設けられた幅６００ｍｍで長さ１２００ｍのＰＥＴフィルムを用い、上記キャンロール１１６は０℃に冷却制御している。また、真空チャンバー１１０を複数台のドライポンプにより５Ｐａまで排気した後、更に、複数台のターボ分子ポンプとクライオコイルを用いて３×１０-3Ｐａまで排気している。
そして、以下の実施例と比較例は、片面に上記銅層（金属層）が形成された長尺樹脂フィルムの搬送速度を４ｍ／分にした後、ガス放出パイプ１２５、１２６からアルゴンガスを３００ｓｃｃｍ導入し、かつ、マグネトロンスパッタリングカソード１１７、１１８については、膜厚２４ｎｍのＮｉ−Ｃｕ金属吸収層が得られる電力制御により成膜を行っている。
また、反応性ガスの酸素ガスと、真空チャンバーから脱離する水分を補う水素ガスとを含むガス（水素＋酸素）は、流量計ユニット１３９を経由して、ガス放出パイプ１２５、１２６、１２７、１２８へ混合ガスとして導入している。
［実施例］
本実施例においては、銅層（金属層）が片面に形成された長尺樹脂フィルムの銅層（金属層）上に、表１の「サンプル番号５」に記載された条件（膜厚２４ｎｍ、酸素流量５１ｓｃｃｍ、酸素流量／膜厚＝２．１２５ｓｃｃｍ／ｎｍ）に従って、Ｎｉ−Ｃｕの金属吸収層を連続的に成膜している。
本実施例においては、銅層（金属層）が片面に形成された長尺樹脂フィルムの銅層（金属層）上に、表１の「サンプル番号５」に記載された条件（膜厚２４ｎｍ、酸素流量５１ｓｃｃｍ、酸素流量／膜厚＝２．１２５ｓｃｃｍ／ｎｍ）に従って、Ｎｉ−Ｃｕの金属吸収層を連続的に成膜している。
まず、図４に示す成膜装置（スパッタリングウェブコータ）に組み込まれた「インライン反射率測定器」を用い、連続成膜しているＮｉ−Ｃｕ金属吸収層の分光反射率特性を測定しながら「反射率極小値の波長」の数値（λ）が５７３ｎｍ（表１のサンプル番号５欄参照）になるようにスパッタ電力を微調整する。
次に、「反射率極大値と極小値の比（＝極大値／極小値）」の数値（α）が１．０４３（表１のサンプル番号５欄参照）になるように反応性ガスを調整する。
これが、成膜スタート時における成膜条件になる。
そして、成膜時間が経過するにつれて真空チャンバー内から水分が脱離し、真空チャンバー内に含まれる水分量が経時的に減少するため、「反射率極大値と極小値の比（＝極大値／極小値）」の数値（α）が１．０４３に維持されるように反応性ガス中への「水素＋酸素の混合ガス」を徐々に増加させたところ、長尺樹脂フィルム全長（１２００ｍ）の成膜終了時には、各カソードに対する「水素＋酸素の混合ガス」の導入量が１０ｓｃｃｍに達した。
尚、実施例において、表１のサンプル番号５欄に記載された目標値、すなわち「反射率極小値の波長の数値（λ）が５７３ｎｍ」、かつ、「反射率極大値と極小値の比（＝極大値／極小値）の数値（α）が１．０４３」である目標値が、長尺樹脂フィルム全長（０ｍ〜１２００ｍ）に亘って達成されているか否かについて以下の表２に示し、合わせて、長尺樹脂フィルム全長（１２００ｍ）に亘る「反射率極大値」と「反射率極小値」の数値も表２に示す。
そして、表２における実施例の「反射率極大値」と「反射率極小値」欄から、長尺樹脂フィルム全長（０ｍ〜１２００ｍ）に亘り目標とする分光反射率特性が維持されていることが確認される。
［比較例］
比較例においても、銅層（金属層）が片面に形成された長尺樹脂フィルムの銅層（金属層）上に、表１の「サンプル番号５」に記載された条件（膜厚２４ｎｍ、酸素流量５１ｓｃｃｍ、酸素流量／膜厚＝２．１２５ｓｃｃｍ／ｎｍ）に従って、Ｎｉ−Ｃｕの金属吸収層を連続的に成膜している。
比較例においても、銅層（金属層）が片面に形成された長尺樹脂フィルムの銅層（金属層）上に、表１の「サンプル番号５」に記載された条件（膜厚２４ｎｍ、酸素流量５１ｓｃｃｍ、酸素流量／膜厚＝２．１２５ｓｃｃｍ／ｎｍ）に従って、Ｎｉ−Ｃｕの金属吸収層を連続的に成膜している。
但し、比較例においては、「インライン反射率測定器」によって測定されたデータを利用せず、そのままフィードバック制御無しに全長（１２００ｍ）の成膜を行っている。
すなわち、「反射率極小値の波長」の数値（λ）が５７３ｎｍで、かつ、「反射率極大値と極小値の比（＝極大値／極小値）」の数値（α）が１．０４３に維持されるようなフィードバック制御は行わなかった。
上記フィードバック制御を行っていない比較例も、表１のサンプル番号５欄に記載された目標値、すなわち「反射率極小値の波長の数値（λ）が５７３ｎｍ」、かつ、「反射率極大値と極小値の比（＝極大値／極小値）の数値（α）が１．０４３」である目標値が、長尺樹脂フィルム全長（０ｍ〜１２００ｍ）に亘って達成されているか否かについて表２に示し、合わせて、長尺樹脂フィルム全長（０ｍ〜１２００ｍ）に亘る「反射率極大値」と「反射率極小値」の数値も表２に示す。
そして、表２における比較例の「反射率極大値」と「反射率極小値」欄から、長尺樹脂フィルム全長（０ｍ〜１２００ｍ）に亘り目標とする分光反射率特性が維持されていないことが確認される。
「評 価」
（１）表２の「反射率極大値」と「反射率極小値」欄から、実施例においては長尺樹脂フィルム全長（０ｍ〜１２００ｍ）に亘って目標とする分光反射率特性を維持できる製法上の利点を有している。
（１）表２の「反射率極大値」と「反射率極小値」欄から、実施例においては長尺樹脂フィルム全長（０ｍ〜１２００ｍ）に亘って目標とする分光反射率特性を維持できる製法上の利点を有している。
（２）他方、比較例においては、成膜初期と比較して成膜終了時において反射率が上昇してしまう（反射率極大値と反射率極小値が上昇する）製法上の欠点を有している。
本発明に係る成膜方法を用いて得られた金属吸収層を有する積層体フィルムは金属吸収層の光学特性が均一に揃っているため、タッチパネルに組み込まれる電極基板フィルムとして利用される産業上の可能性を有している。
１０ 真空チャンバー
１１ 巻き出しロール
１２ 長尺樹脂フィルム
１３ フリーロール
１４ 張力センサロール
１５ 前フィードロール
１６ キャンロール
１７ マグネトロンスパッタリングカソード
１８ マグネトロンスパッタリングカソード
１９ マグネトロンスパッタリングカソード
２０ マグネトロンスパッタリングカソード
２１ 後フィードロール
２２ 張力センサロール
２３ フリーロール
２４ 巻き取りロール
２５ ガス放出パイプ
２６ ガス放出パイプ
２７ ガス放出パイプ
２８ ガス放出パイプ
２９ ガス放出パイプ
３０ ガス放出パイプ
３１ ガス放出パイプ
３２ ガス放出パイプ
６０ 透明基板（樹脂フィルム）
６１ 下側金属吸収層
６２ 乾式成膜法で形成された金属層（銅層）
６３ 下側金属吸収層
６４ 乾式成膜法で形成された金属層（銅層）
６５ 湿式成膜法で形成された金属層（銅層）
６６ 湿式成膜法で形成された金属層（銅層）
６７ 上側金属吸収層
６８ 上側金属吸収層
７０ 透明基板（樹脂フィルム）
７１ 下側金属吸収層
７２ 乾式成膜法で形成された金属層（銅層）
７３ 下側金属吸収層
７４ 乾式成膜法で形成された金属層（銅層）
７５ 湿式成膜法で形成された金属層（銅層）
７６ 湿式成膜法で形成された金属層（銅層）
７７ 上側金属吸収層
７８ 上側金属吸収層
１１０ 真空チャンバー
１１１ 巻き出しロール
１１２ 長尺樹脂フィルム
１１３ フリーロール
１１４ 張力センサロール
１１５ 前フィードロール
１１６ キャンロール
１１７ マグネトロンスパッタリングカソード
１１８ マグネトロンスパッタリングカソード
１１９ マグネトロンスパッタリングカソード
１２０ マグネトロンスパッタリングカソード
１２１ 後フィードロール
１２２ 張力センサロール
１２３ フリーロール
１２４ 巻き取りロール
１２５ ガス放出パイプ
１２６ ガス放出パイプ
１２７ ガス放出パイプ
１２８ ガス放出パイプ
１２９ ガス放出パイプ
１３０ ガス放出パイプ
１３１ ガス放出パイプ
１３２ ガス放出パイプ
１３３ 反射率測定プローブ
１３４ Ｙ分岐光ファイバ束
１３５ 安定化光源
１３６ 光切換器（光チョッパー）
１３７ 分光器
１３８ 制御パソコン
１３９ 流量計（流量計ユニット）
１４０ ガス導入チューブ
１１ 巻き出しロール
１２ 長尺樹脂フィルム
１３ フリーロール
１４ 張力センサロール
１５ 前フィードロール
１６ キャンロール
１７ マグネトロンスパッタリングカソード
１８ マグネトロンスパッタリングカソード
１９ マグネトロンスパッタリングカソード
２０ マグネトロンスパッタリングカソード
２１ 後フィードロール
２２ 張力センサロール
２３ フリーロール
２４ 巻き取りロール
２５ ガス放出パイプ
２６ ガス放出パイプ
２７ ガス放出パイプ
２８ ガス放出パイプ
２９ ガス放出パイプ
３０ ガス放出パイプ
３１ ガス放出パイプ
３２ ガス放出パイプ
６０ 透明基板（樹脂フィルム）
６１ 下側金属吸収層
６２ 乾式成膜法で形成された金属層（銅層）
６３ 下側金属吸収層
６４ 乾式成膜法で形成された金属層（銅層）
６５ 湿式成膜法で形成された金属層（銅層）
６６ 湿式成膜法で形成された金属層（銅層）
６７ 上側金属吸収層
６８ 上側金属吸収層
７０ 透明基板（樹脂フィルム）
７１ 下側金属吸収層
７２ 乾式成膜法で形成された金属層（銅層）
７３ 下側金属吸収層
７４ 乾式成膜法で形成された金属層（銅層）
７５ 湿式成膜法で形成された金属層（銅層）
７６ 湿式成膜法で形成された金属層（銅層）
７７ 上側金属吸収層
７８ 上側金属吸収層
１１０ 真空チャンバー
１１１ 巻き出しロール
１１２ 長尺樹脂フィルム
１１３ フリーロール
１１４ 張力センサロール
１１５ 前フィードロール
１１６ キャンロール
１１７ マグネトロンスパッタリングカソード
１１８ マグネトロンスパッタリングカソード
１１９ マグネトロンスパッタリングカソード
１２０ マグネトロンスパッタリングカソード
１２１ 後フィードロール
１２２ 張力センサロール
１２３ フリーロール
１２４ 巻き取りロール
１２５ ガス放出パイプ
１２６ ガス放出パイプ
１２７ ガス放出パイプ
１２８ ガス放出パイプ
１２９ ガス放出パイプ
１３０ ガス放出パイプ
１３１ ガス放出パイプ
１３２ ガス放出パイプ
１３３ 反射率測定プローブ
１３４ Ｙ分岐光ファイバ束
１３５ 安定化光源
１３６ 光切換器（光チョッパー）
１３７ 分光器
１３８ 制御パソコン
１３９ 流量計（流量計ユニット）
１４０ ガス導入チューブ
Claims (6)
- 少なくとも片面に金属層が形成された長尺樹脂フィルムの該金属層上に、酸素を含む反応性ガスと金属ターゲットを用いた反応性スパッタリング法により連続して金属吸収層を成膜すると共に、成膜される金属吸収層の分光反射率特性に基づいて金属吸収層の成膜条件を制御する成膜方法において、
膜厚ｄ１〜ｄｎのサンプル用金属吸収層をそれぞれａ組の反応条件（酸素流量／膜厚）に従って金属層上に成膜し、かつ、成膜された複数（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層の分光反射率を測定して極大値と極小値を有する分光反射率特性をそれぞれ求めると共に、得られた分光反射率特性から、（ｎ×ａ）個のサンプル用金属吸収層毎に「反射率極小値の波長」および「反射率極大値と極小値の比（＝極大値／極小値）」の数値をそれぞれ特定する成膜前のデータ収集工程と、
データ収集工程により得られた（ｎ×ａ）個の「反射率極小値の波長」および「反射率極大値と極小値の比（＝極大値／極小値）」の数値群から、成膜目標とする金属吸収層に係る数値（反射率極小値の波長λおよび反射率極大値と極小値の比α）を特定し、かつ、目標とする金属吸収層を金属層上に成膜しながらスパッタリング装置内に設けられたインライン反射率測定器により成膜中における金属吸収層の分光反射率を測定すると共に、上記「反射率極小値の波長λ」および「反射率極大値と極小値の比α」に設定される反応性ガスの酸素流量およびスパッタリング電力を特定する成膜条件設定工程と、
成膜条件設定工程により特定された成膜条件に従い金属層上に連続成膜される金属吸収層の分光反射率を上記インライン反射率測定器により継続して測定し、上記「反射率極小値の波長λ」および「反射率極大値と極小値の比α」が維持されるように反応性ガスの調整または／およびスパッタリング電力の調整を行う成膜条件維持工程、
を具備することを特徴とする成膜方法。 - 上記成膜条件維持工程における反応性ガスの調整が、水素若しくは水蒸気の添加、または／および、上記酸素流量の変更であることを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
- 上記金属吸収層の膜厚が１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲、かつ、反応性ガスに含まれる酸素が５重量％〜２０重量％の範囲に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
- 上記金属ターゲットが、Ｎｉ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｃｕより選ばれる１種以上の元素が添加されたＮｉ系合金、または、Ｃｕ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｎｉより選ばれる１種以上の元素が添加されたＣｕ系合金で構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜方法。
- 上記長尺樹脂フィルムと金属層との間に下側金属吸収層が設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の成膜方法。
- 樹脂フィルムから成る透明基板と該透明基板の少なくとも片面に設けられた積層膜とで構成され、該積層膜が、下側金属吸収層と金属層と上側金属吸収層から成る積層体フィルムの製造方法において、
上記上側金属吸収層が、請求項１〜５のいずれかに記載の成膜方法により成膜されていることを特徴とする積層体フィルムの製造方法。
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2015
- 2015-03-30 JP JP2015069300A patent/JP6330708B2/ja active Active
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