TWI736590B - 成膜方法及使用其的積層體基板的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種能夠消除長條狀樹脂膜的寬度方向的色差而不易發生蝕刻不良的成膜方法。

本發明的成膜方法是利用濺鍍法等乾式鍍敷法於在真空室10內以輥對輥方式從捲出輥11搬送至捲取輥24的長條狀樹脂膜F的兩面分別形成第1覆膜及第2覆膜，且在第1次捲取與第2次捲取之間適宜地利用來自離子源的離子束照射對該第1覆膜的表面實施乾式蝕刻處理，所述第1次捲取是於將上述第1覆膜形成在長條狀樹脂膜F的一面之後，利用捲取輥24而實施，所述第2次捲取是於將上述第2覆膜形成在已形成第1覆膜的長條狀樹脂膜F的另一面之後，利用捲取輥24而實施。

Description

成膜方法及使用其的積層體基板的製造方法

本發明涉及一種利用乾式鍍敷法在以輥對輥方式搬送的長條狀樹脂膜的兩面形成覆膜的方法以及使用該成膜方法的積層體基板的製造方法。

在手機、可擕式電子書設備、自動販賣機、汽車導航等電子設備所具備的平板顯示器(FPD)的表面設置“觸控面板”的技術開始普及。“觸控面板”可大致分為電阻型與靜電電容型，“電阻型”的觸控面板的主要部分以由樹脂膜構成的透明基板、設置於該基板上的X座標(或Y座標)檢測電極片及Y座標(或X座標)檢測電極片、以及設置於這些電極片之間的絕緣體間隔件所構成。

這些X座標檢測電極片及Y座標檢測電極片通常是藉由絕緣體間隔件而隔開，在用筆等點壓時兩座標檢測電極片在該部位電接觸。由此，能夠檢測出筆所點觸的位置(X座標、Y座標)，而形成只要使筆移動便隨時識別每一個座標而最終能夠進行文字輸入的機制。

另一方面，“靜電電容型”的觸控面板具有如下構造：X座標(或Y座標)檢測電極片與Y座標(或X座標)檢測電極片隔著絕緣片 而積層，進而在其上配置著玻璃等絕緣體。而且，成為如下機制：在將手指靠近該玻璃等絕緣體時，其附近的X座標檢測電極與Y座標檢測電極的電容發生變化，因此能夠進行位置檢測。

作為形成於所述電極片(也稱為電極基板膜)上的具有特定電路圖案的電極用導電材料，以往，廣泛使用如專利文獻1所公開的ITO(氧化銦-氧化錫)等的透明導電膜。另外，隨著觸控面板的大型化，也開始使用如專利文獻2及專利文獻3等所公開的由金屬製細線構成的網眼構造的金屬膜。

在將所述透明導電膜與金屬製細線(金屬膜)進行比較的情況下，透明導電膜由於在可見波長區域的透過性優異，所以具有幾乎不會視認到電極等的電路圖案的優點，但由於電阻值比金屬製細線(金屬膜)高，所以具有不利於觸控面板的大型化及回應速度的高速化的缺點。另一方面，金屬製細線(金屬膜)由於電阻值低，所以有利於觸控面板的大型化及回應速度的高速化，但由於在可見波長區域的反射率高，所以即使加工為微細的網眼構造，有時在高亮度照明下也會視認到電路圖案，而有使產品價值降低的缺點。

因此，在專利文獻4及專利文獻5中，為了發揮電阻值低的所述金屬製細線(金屬膜)的特性，提出如下方法：在由樹脂膜構成的透明基板與金屬製細線的金屬膜之間介置由金屬氧化物構成的金屬吸收層(也稱為黑化膜)，從而降低從透明基板側觀測的金屬製細線(金屬膜)的反射。

在具備該由金屬氧化物構成的金屬吸收層的電極片的製作 中，從謀求金屬氧化物的成膜效率的高效率化的觀點來講，通常進行如下操作，由此製作出成為電極基板膜的基材的積層體基板，所述操作為：藉由在反應性氣體環境下使用金屬靶材(金屬材料)進行反應性濺鍍，而在連續搬送的長條狀樹脂膜的表面連續形成金屬吸收層，然後通過在惰性氣體環境下使用銅等金屬靶材(金屬材料)進行濺鍍，而在所述金屬吸收層上連續形成金屬層。然後進行如下操作：通過利用氯化銅水溶液或氯化鐵水溶液等蝕刻液對由該等金屬吸收層及金屬層構成的積層膜進行蝕刻處理，而在該積層膜(金屬吸收層及金屬層)圖案化加工電極等的電路圖案。

因此，對於成為電極基板膜的基材的積層體基板要求如下特性：由金屬吸收層及金屬層構成的積層膜易於利用氯化銅水溶液或氯化鐵水溶液等蝕刻液而被蝕刻的特性、以及利用該蝕刻而被圖案化加工後的電極等的電路圖案在高亮度照明下不易被視認的特性。

[專利文獻1]日本特開2003-151358號公報

[專利文獻2]日本特開2011-018194號公報

[專利文獻3]日本特開2013-069261號公報

[專利文獻4]日本特開2014-142462號公報

[專利文獻5]日本特開2013-225276號公報

但是，在將積層膜製作於長條狀樹脂膜的兩面的情況下，會產生下段所述之問題；其中，該積層膜係藉由如下方法而積層者，該方法 為：如上述般藉由在含有氧氣的反應性氣體環境下使用Ni系的金屬靶材(金屬材料)進行反應性濺鍍而在長條狀樹脂膜的表面連續形成由金屬氧化物構成的金屬吸收層，然後藉由使用銅等金屬靶材(金屬材料)進行濺鍍而在該金屬吸收層上連續形成金屬層。

即，為了提高與被積層的金屬的密合性，有時會在長條狀樹脂膜的兩面設置易接著層，在該情況下，如果首先於在長條狀樹脂膜的一面連續形成金屬吸收層及金屬層作為第1覆膜之後將其呈卷狀捲取，然後再將其捲出以便在長條狀樹脂膜的另一面形成第2覆膜，那麼以長條狀樹脂膜的寬度方向上的中央部與端部之間為界，在金屬層面上發現能夠通過目視確認的略微的色差。這種金屬層上的色差可能會造成積層體基板的外觀不良，而且如果在此狀態下直接藉由蝕刻圖案化加工為電極電路，那麼在所述顏色的交界部分會產生蝕刻速度差而造成蝕刻不良。

本發明是鑒於這種以往的問題點而完成，目的在於提供一種成膜方法，於在長條狀樹脂膜的兩面進行成膜而製作積層體基板時，能夠消除長條狀樹脂膜的寬度方向的色差而不易發生蝕刻不良。

為了達成所述目的，本發明所提供的成膜方法是利用乾式鍍敷法在以輥對輥方式搬送的長條狀樹脂膜的兩面分別形成第1覆膜及第2覆膜，其特徵在於：在第1次捲取與第2次捲取之間對所述第1覆膜的表面實施乾式蝕刻處理，所述第1次捲取是於將所述第1覆膜形成在所述長條狀樹脂膜的一面之後，所述第2次捲取是於將第2覆膜形成在已形成所述第1覆膜的長條狀樹脂膜的另一面之後。

根據本發明，在長條狀樹脂膜的兩面進行成膜而製作積層體基板時，能夠消除長條狀樹脂膜的寬度方向的色差，因此在使用氧化劑等化學液進行蝕刻加工時能夠消除該寬度方向的蝕刻加工性的差別。

F:長條狀樹脂膜

10:真空室

10a:間隔板

11:捲出輥

12a、12b、23:自由輥

13:冷卻輥

14、22:張力傳感輥

15:前進料輥

16:罐狀輥

17、18、19、20:磁控濺鍍陰極

21:後進料輥

24:捲取輥

25a．25b、26a．26b、27a．27b、28a．28b:氣體釋放管

29:乾式蝕刻手段

50:樹脂膜(透明基板)

51:金屬吸收層

52:利用乾式成膜法而形成的金屬層(銅層)

53:利用濕式成膜法而形成的金屬層(銅層)

54:第2金屬吸收層

51a:經圖案化加工的金屬吸收層

52a:經圖案化加工的、利用乾式成膜法而形成的金屬層(銅層)

53a:利用濕式成膜法而形成的金屬層(銅層)

54a:經圖案化加工的第2金屬吸收層

圖1是能夠適宜地實施本發明的成膜方法的成膜裝置(濺鍍捲繞鍍膜機(sputtering web coater))的示意前視圖。

圖2是示意性地表示利用以往的成膜方法而製作的積層體基板所產生的外觀上的缺陷的立體圖。

圖3是在透明基板的兩面具有第1層的金屬吸收層及第2層的金屬層的積層體基板的示意剖面圖，所述金屬吸收層及金屬層是利用本發明的成膜方法而製作。

圖4是具有經厚膜化的金屬層的積層體基板的示意剖面圖，所述經厚膜化的金屬層是藉由在圖3的金屬層之上進而利用濕式成膜法形成金屬層而獲得。

圖5是第2積層體基板的示意剖面圖，所述第2積層體基板是藉由在圖4的經厚膜化的金屬層之上進而利用乾式鍍敷法形成第3層的第2金屬吸收層而獲得。

圖6是在透明基板的兩面分別形成金屬製積層細線所得的電極基板膜的示意剖面圖。

以下，採用藉由濺鍍而進行的成膜方法作為本發明的成膜方法的一具體例，一邊參照圖1，一邊對能夠適宜地實施該成膜方法的成膜裝置進行說明。該圖1所示的成膜裝置也被稱為濺鍍捲繞鍍膜機，主要由如下者所構成：搬送手段，以輥對輥方式將長條狀樹脂膜F從捲出輥11經由罐狀輥16搬送至捲取輥24；成膜手段，在長條狀樹脂膜F已被捲繞於罐狀輥16的外周面時對其表面連續且高效地實施濺鍍成膜；以及真空室10，收納這些手段。

具體地進行說明，在真空室10組裝有乾式泵、渦輪分子泵、低溫盤管(cryo coil)等各種裝置(未圖示)，在濺鍍成膜時將真空室10內的壓力降低到最終壓力10^-4Pa左右之後，通過導入濺鍍氣體，能夠將所述真空室10內的壓力調整至0.1~10Pa左右。濺鍍氣體使用氬氣等眾所周知的氣體，根據目的進而添加氧氣等氣體。真空室10的形狀及材質，只要能夠承受這種減壓狀態，就沒有特別限定，可使用各種形狀及材質。在真空室內設置著間隔板10a，以便從設置著搬送用輥群的空間隔離出用來進行濺鍍成膜的空間。

在從捲出輥11至罐狀輥16的搬送路徑上，依次配置著：自由輥12a、12b，導引長條狀樹脂膜F；冷卻輥13，捲繞長條狀樹脂膜F並進行冷卻；張力傳感輥14，對比罐狀輥16靠上游側的長條狀樹脂膜F的張力進行測定；以及馬達驅動的前進料輥15，其為了使將被送入至罐狀輥16的長條狀樹脂膜F密合於罐狀輥16的外周面而對罐狀輥16的圓周速度進 行調整。

關於罐狀輥16，其內部循環著已在真空室10的外部經調溫的冷媒，能夠在利用成膜手段對捲繞於外周面的長條狀樹脂膜F實施熱負載施加處理時使該長條狀樹脂膜F冷卻。關於冷卻輥13，其內部也循環著冷媒，能夠在利用與其外周面對向而配設的乾式蝕刻手段29對長條狀樹脂膜F實施熱負載施加處理時使該長條狀樹脂膜F冷卻。另外，在不啟動乾式蝕刻手段29的情況下，也可停止冷卻輥13內冷媒的循環。

在從罐狀輥16至捲取輥24的搬送路徑上，除了沒有與所述冷卻輥13及第2個自由輥12b對應的輥以外，其他與上文所述相同，依次配置著：馬達驅動的後進料輥21，對罐狀輥16的圓周速度進行調整；張力傳感輥22，對比罐狀輥16靠下游側的長條狀樹脂膜F的張力進行測定；以及自由輥23，導引長條狀樹脂膜F。

在所述捲出輥11及捲取輥24中，通過由粉末離合器等所實施的轉矩控制，而保持著長條狀樹脂膜F的張力平衡。另外，藉由馬達驅動的罐狀輥16的旋轉以及與該旋轉連動而旋轉的馬達驅動的前進料輥15及後進料輥21，從捲出輥11捲出的長條狀樹脂膜F在沿著由所述罐狀輥16等輥群所劃定的搬送路徑而搬送後，利用捲取輥24而被捲取。

在與罐狀輥16的外周面中捲繞長條狀樹脂膜F的區域相對向的位置，沿著罐狀輥16的搬送路徑依次設置著4個磁控濺鍍陰極17、18、19及20作為成膜手段，且在附近設置著能夠各自釋放反應性氣體的4對氣體釋放管25a．25b、26a．26b、27a．27b及28a．28b。另外，如果使用板狀的靶材，進行所述金屬吸收層及金屬層的濺鍍成膜，那麼有時會在該靶材上產生結 核(異物的生長)。如果這會造成問題，那麼優選使用不會產生結核且靶材的使用效率也高的圓筒形旋轉靶材。

所述4個磁控濺鍍陰極17~20之中，例如在最初兩個陰極17~18的靶上設置金屬吸收層形成用靶材，在剩下兩個陰極19~20的靶上設置金屬層用靶材，由此能夠在長條狀樹脂膜F的單面連續地形成由金屬氧化物構成的金屬吸收層及金屬層。在該金屬吸收層形成時，如果使用金屬氧化物靶材作為金屬吸收層的形成用靶材，那麼成膜速度變慢，不適於量產。因此，使用能夠高速成膜的Ni系的金屬靶材(金屬材料)，並且採用一邊控制含有氧氣的反應性氣體、一邊導入該反應性氣體的反應性濺鍍等反應成膜法。

作為控制所述反應性氣體的方法，已知如下4種方法：(1)釋放固定流量的反應性氣體的方法，(2)以使真空室內的壓力保持為固定壓力的方式釋放反應性氣體的方法，(3)以濺鍍陰極的阻抗固定的方式釋放反應性氣體的(阻抗控制)方法，以及(4)以濺鍍的電漿強度固定的方式釋放反應性氣體的(電漿發射控制)方法。

在如上所述通過反應性濺鍍等而形成金屬吸收層時，形成濺鍍環境的反應性氣體為在氬氣等添加氧氣而形成的混合氣體。藉由如此地在含有氧氣的反應性氣體環境下使用Ni系的金屬靶材(金屬材料)進行反應性濺鍍，能夠形成NiO膜(並非完全氧化)等。反應性氣體中的適宜氧氣濃度會根據成膜裝置及金屬靶材(金屬材料)的種類而變化，只要將在金屬吸收層的反射率等光學特性及蝕刻液的蝕刻性考慮在內而適當設定即可，一般來講理想的是15體積%以下。

在如上所述使用兩個濺鍍陰極17及18來形成從作為透明基板的長條狀樹脂膜F側數起位於第1層的金屬吸收層時，從兩對氣體釋放管25a．25b及26a．26b導入反應性氣體。另外，在長條狀樹脂膜F的兩面分別形成金屬吸收層及金屬層的情況下，只要以如下方式進行操作即可：如圖1所示使捲出輥11及捲取輥24沿著中空箭頭所示的逆時針方向旋轉而在長條狀樹脂膜F的一面進行成膜，並將該長條狀樹脂膜F捲取至捲取輥24，然後將該捲取而成的捲筒從捲取輥24拆下，並安裝至捲出輥11，使捲出輥11沿著圖1的實心箭頭所示的順時針方向旋轉，並且從捲出輥11朝向自由輥12a而如虛線所示捲出長條狀樹脂膜F，由此在另一面進行成膜。

另外，在所述濺鍍成膜等乾式鍍敷中所使用的長條狀樹脂膜的表面，有時會形成易接著層以提高與鍍敷層的密合性。關於易接著層的形成方法，有通過塗佈矽烷化合物或異氰酸酯化合物等化合物而形成的化學形成法、或通過電暈放電等將表面的構成分子分解或將表面粗面化等而形成的機械形成法。如果在兩面設置著該易接著層的長條狀樹脂膜的一面先形成所述金屬吸收層及金屬層作為第1覆膜，然後再捲取長條狀樹脂膜，那麼會擔心第1覆膜與長條狀樹脂膜的另一未成膜側表面接觸，而使第1覆膜遭受該易接著層部分地轉印於第1覆膜等化學性影響。關於其過程，下文將進行詳細說明。

如果利用乾式鍍敷法在長條狀樹脂膜進行成膜，那麼其捲取也是在減壓環境下進行。因此，在捲取已形成第1覆膜的長條狀樹脂膜後，第1覆膜與長條狀樹脂膜的未成膜的表面之間幾乎不存在氣體分子地接觸。進而，已被捲取的長條狀樹脂膜以自身被捲取時的搬送張力而捲緊。 該情況下的搬送張力在長條狀樹脂膜的寬度方向上存在差異，寬度方向的兩端部的張力最弱，寬度方向的中央部最強。即，如果在成膜裝置內捲取僅形成有第1覆膜的長條狀樹脂膜，那麼第1覆膜的金屬面與易接著層相接的部分的接觸狀態根據長條狀樹脂膜的寬度方向的位置而不同，因此有時會如圖2所示在寬度方向上發現色差。另外，在形成第2覆膜後的捲取中，第2覆膜與第1覆膜相接，因此不會發生所述寬度方向的色差問題。

如果在第1覆膜的表面發現所述寬度方向的色差，那麼會擔心在利用氧化劑等化學液對第1覆膜實施化學蝕刻等加工時加工性產生差別。因此，在圖1的成膜裝置中，能夠在將形成有第2覆膜之後的長條狀樹脂膜F捲取之前，利用乾式蝕刻手段29對第1覆膜的表面進行乾式蝕刻處理。另外，雖然在圖1的成膜裝置中是先對第1覆膜進行乾式蝕刻處理，然後再進行第2覆膜的成膜，但也可先形成第2覆膜，然後再對第1覆膜進行乾式蝕刻處理。

藉由如上所述對第1覆膜進行乾式蝕刻處理，能夠將該第1覆膜的產生寬度方向的色差的表面部去除。由此，長條狀樹脂膜的寬度方向的蝕刻性不會產生差別。作為乾式蝕刻處理，可舉出使氬離子等撞擊第1覆膜的表面而進行的反濺鍍處理、電漿照射處理、離子束照射處理等。在這些處理之中，離子束照射處理由於指向性強，所以能夠高效地進行乾式蝕刻處理，因此較為理想。另外，只要將第1覆膜的產生寬度方向的色差的表面部去除，那麼即使是在第1覆膜的表面進而利用乾式鍍敷或濕式鍍敷形成覆膜的情況下，長條狀樹脂膜的寬度方向上也不易產生蝕刻性的差別，也可根據需要對設置於第1覆膜之上的覆膜實施乾式蝕刻處理。

離子束處理是藉由從離子源對作為被處理物的長條狀樹脂膜照射離子而進行。作為用於離子束的氣體種類，可使用氧氣、氬氣、氮氣、二氧化碳、或水蒸氣，也可使用由兩種以上所述氣體的混合氣體。優選以大致呈直線狀照射離子束，且受到照射的有效寬度相當於接受處理的長條狀樹脂膜的寬度的方式，設置乾式蝕刻手段29。另外，離子束的照射時間取決於長條狀樹脂膜的搬送速度。向進行離子束處理的離子源供給的電力[W]會受成膜裝置的構造及第1覆膜的化學種類等所影響，因此只要將第1覆膜的加工性等考慮在內而適當設定即可。此時，優選基於由下述數學式1所定義的照射電力[W/(m．m/min)]來設定離子源的供給電力。

[數學式1]照射電力=離子源的供給電力[W]/(有效寬度[m]×搬送速度[m/min])

在對形成於長條狀樹脂膜F的第1覆膜的表面進行離子束處理時，理想的是使其相反側部分與冷卻輥13的外周面接觸而進行冷卻。其原因在於：離子束處理的指向性高，擔心長條狀樹脂膜F的離子束照射部會局部溫度變高而產生皺褶。另外，在離子束處理過度或冷卻輥13所進行的冷卻不充分的情況下也容易產生皺褶，因此理想的是適當調整離子束的供給電力及冷媒的溫度等。

利用所述成膜裝置，能夠在製作觸控面板用等的電極基板膜的基材所用的積層構造的積層體基板時，抑制品質的不均。該積層體基板例如由如下材料所構成：如圖3所示的由長條狀樹脂膜構成的透明基板50；及，金屬吸收層51及金屬層52，該等藉由所述成膜裝置而形成於該透明基板50的兩面。

作為應用於所述積層體基板的長條狀樹脂膜的材質，並不特別限定，適宜使用選自聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚碸(PES)、聚芳酯(PAR)、聚碳酸酯(PC)、聚烯烴(PO)、三乙醯纖維素(TAC)及降莰烯等樹脂材料的樹脂膜單質、或者選自所述樹脂材料的樹脂膜單質與覆蓋該單質的單面或兩面的丙烯酸系有機膜的複合體。關於降莰烯樹脂材料，作為代表性的材料可舉出日本瑞翁公司的ZEONOR(商品名)及JSR公司的ARTON(商品名)等。另外，使用本發明的積層體基板而製作的電極基板膜主要用於觸控面板，因此在所述樹脂膜之中，理想的是在可見波長區域透明性優異的樹脂膜。

所述金屬吸收層51優選為由金屬氧化物層構成的層，該金屬氧化物層係使用由Cu單質、Ni單質、或Ni系合金構成的金屬材料在含有氧氣的反應性氣體環境下利用反應成膜法進行成膜而獲得；其中，所述Ni系合金是在Ni中添加選自由Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu及Zn所組成的群中1種以上元素而形成。Ni系合金的情況下優選Ni-Cu合金。

另一方面，金屬層52能夠在一般的惰性氣體環境下形成，作為其構成材料，只要是電阻值低的金屬，並沒有特別限定，例如，可舉出Cu單質、或在Cu中添加選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag的1種以上元素而形成的Cu系合金、或者Ag單質、或在Ag中添加選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Cu的1種以上元素而形成的Ag系合金，在這些材料之中，從電路圖案的加工性及電阻值的觀點來講，理想的是Cu單質。

金屬吸收層51的膜厚優選15~30nm左右。金屬層的膜厚 會對電特性造成影響，因此並非僅根據光學要件而決定，優選設定為透過光無法測定的水準的膜厚。一般來講，優選將金屬層的膜厚設定為50~5000nm，從將金屬層加工成配線圖案的加工性的觀點來講，更優選3μm(3000nm)以下。

另外，也可在利用所述乾式鍍敷法而形成的金屬層52之上進而利用電鍍法等濕式鍍敷法形成金屬層，而進行厚膜化。即，也可如圖4所示，利用乾式鍍敷法在由長條狀樹脂膜構成的透明基板50的兩面形成金屬吸收層51及金屬層52之後，在該金屬層52之上利用濕式鍍敷法形成金屬層53。

也可在所述金屬層53之上進而形成第2金屬吸收層。即，也可如圖5所示，利用乾式鍍敷法在由長條狀樹脂膜構成的透明基板50的兩面形成例如膜厚為15~30nm的金屬吸收層51及例如膜厚為50~1000nm的金屬層52之後，利用濕式鍍敷法形成金屬層53，然後在該金屬層53之上利用乾式鍍敷法形成例如膜厚為15~30nm的第2金屬吸收層54。該第2金屬吸收層與所述金屬吸收層51相同，是藉由使用由Cu單質、Ni單質、或Ni系合金構成的金屬材料在含有氧氣的反應性氣體環境下利用反應成膜法進行成膜而獲得，所述Ni系合金是在Ni中添加選自Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、Zn的1種以上元素而形成。

通過如此地在利用乾式鍍敷法及濕式鍍敷法而厚膜化後的金屬層的兩面形成金屬吸收層，能夠在將使用該積層體基板而製作的電極基板膜組裝至觸控面板時不易通過反射看見由金屬製積層細線構成的網眼構造的電路圖案。另外，即使是於使用僅在由長條狀樹脂膜構成的透明基 板的單面形成金屬吸收層及金屬層而獲得的積層體基板，來製作電極基板膜的情況下，也能夠不易從該透明基板看見電路圖案。

另外，如果構成利用反應成膜法而成膜的金屬吸收層的金屬氧化物過度氧化，那麼金屬吸收層會變為透明，因此理想的是將氧化水準抑制在視覺上成為黑化膜的程度。如果利用反應成膜法形成金屬吸收層，那麼各金屬元素會與氧原子形成非化學計量的化合物，藉由這種非化學計量的氧化物，而在視覺上呈現為黑色。

作為所述反應成膜法，除了使用如圖1所示的磁控濺鍍陰極17~20的濺鍍法以外，還有離子束濺鍍、真空蒸鍍、離子鍍覆、CVD等乾式鍍敷法。金屬吸收層在各波長下的光學常數(折射率、消光係數)較大程度上受反應的程度即氧化度所影響，而並非僅由Ni系合金構成的金屬材料所決定。另外，在為Ni-Cu合金的情況下，根據Ni與Cu的調配比率，有時即使是不使用反應成膜法的方法(即不使用反應性氣體的成膜法)，也會形成被視認為黑色膜的金屬吸收層。

藉由對利用所述方法而製作的積層體基板的積層膜進行圖案化加工而形成線寬為例如20μm以下的金屬製積層細線，能夠獲得電極基板膜。具體來講，藉由下述蝕刻處理等對圖5所示的積層體膜的積層膜進行圖案化加工，由此能夠獲得如圖6所示的電極基板膜。該圖6所示的電極基板膜具有網眼構造的電路圖案，所述電路圖案設置於由樹脂膜構成的透明基板50的兩面，且由例如線寬為20μm以下的金屬製積層細線構成，該金屬製積層細線由從透明基板50側數起為第1層的金屬吸收層51a、為第2層的金屬層52a、53a及為第3層的第2金屬吸收層54a所構成。

藉由如此地將電極基板膜的電極(配線)圖案形成為條紋狀或格子狀，能夠將其用於觸控面板。被以此方式配線加工為電極(配線)圖案的金屬製積層細線由於維持著積層體基板的積層構造，所以具有即使是在高亮度照明下也極難視認設置於透明基板的電極等的電路圖案的特徵。即，如果在氬氣中添加氧氣而獲得的反應性氣體環境下進行反應性濺鍍成膜，那麼由於會獲得作為金屬吸收層之黑色膜，所以在被照射時能夠將光的反射率抑制得較低，由此，對金屬吸收層進行蝕刻加工而獲得的電極等的電路圖案在高亮度照明下不易被視認。

作為對所述積層體基板進行圖案化加工而形成電極基板膜的方法，可舉出眾所周知的減成法。減成法是如下方法：在積層體基板的積層膜表面形成光阻膜，對於欲形成電極圖案的部位以保留光阻膜的方式進行曝光及顯影處理，藉由化學蝕刻將從光阻劑膜露出的積層膜部分去除，而形成電極圖案。作為所述化學蝕刻的蝕刻液，可使用氯化鐵水溶液或氯化銅水溶液。

以上，對本發明的一具體例的電極基板膜用積層體基板的製造方法進行了說明，積層體基板的用途並不限定於觸控面板用電極基板膜，也可用於軟性配線基板等。在將積層體基板用於軟性配線基板的情況下，積層體基板是第1覆膜及第2覆膜各自為至少兩層的積層構造，例如優選第1層是Ni系合金層，且第2層由以銅層形成的金屬層所構成，所述Ni系合金層是在Ni中添加選自由Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu及Zn所組成的群中1種以上元素而形成。

也可在該第2層的金屬層之上進而設置著第3層，該第3 層優選由第2Ni系合金層構成，所述第2Ni系合金層例如是在Ni中添加選自由Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu、及Zn所組成的群的1種以上元素而形成。這些第1及第2Ni合金層理想的是Ni-Cr系合金，其膜厚適宜為3~50nm。另外，銅層的膜厚優選50nm以上，更優選15μm以下。作為長條狀樹脂膜，除了電極基板膜用積層體膜中所使用的“構成透明基板的樹脂膜”以外，在不要求透明性的情況下也可使用經著色的膜。例如，可使用聚醯亞胺膜等樹脂膜。

[實施例]

使用如圖1所示的成膜裝置(濺鍍捲繞鍍膜機)，在含有氧氣的反應性氣體環境下進行反應濺鍍，由此在長條狀樹脂膜F的兩面分別形成第1覆膜及第2覆膜。具體地進行說明，罐狀輥16使用外徑為600mm、寬度為750mm的不銹鋼製圓筒構件，並對其表面實施硬鉻鍍敷。前進料輥15與後進料輥21均使用外徑為150mm、寬度為750mm的不銹鋼製圓筒構件，並對其表面實施硬鉻鍍敷。在磁控濺鍍陰極17、18安裝金屬吸收層用Ni-Cu靶材，在磁控濺鍍陰極19、20安裝金屬層用Cu靶材。

構成透明基板的長條狀樹脂膜F使用寬度為600mm、長度為1200m的PET膜。將該長條狀樹脂膜F設置於捲出輥11，並將其前端部經過各種輥群而捲繞於捲取輥24。在罐狀輥16內循環的冷媒的溫度控制為0℃。在該狀態下，通過多台乾式泵將真空室10內排氣至5Pa，然後再使用多台渦輪分子泵及低溫盤管排氣至1×10^-4Pa。然後，以2m/min的搬送速度搬送長條狀樹脂膜F而進行濺鍍成膜。

濺鍍成膜時，在進行金屬吸收層的成膜的磁控濺鍍陰極 17、18中，從分別配設於其附近的氣體釋放管25a．25b、26a．26b以300sccm的流量導入氬氣，以15sccm的流量導入氧氣，並以可獲得膜厚為30nm的Ni-Cu氧化層的方式進行電力控制。另一方面，在進行金屬層(銅層)的成膜的磁控濺鍍陰極19、20中，從分別配設於其附近的氣體釋放管27a．27b、28a．28b以300sccm的流量導入氬氣，並以可獲得膜厚為80nm的Cu層的方式進行電力控制。

在長條狀樹脂膜F的單面完成第1覆膜的成膜之後，向真空室10導入大氣，將已被捲取的長條狀樹脂膜從捲取輥24拆下並設置於捲出輥11。然後，在利用與第1覆膜的成膜的情況相同的方法進行真空排氣之後，以2m/min的搬送速度搬送長條狀樹脂膜F，除了進行下述離子束處理以外按照與所述第1覆膜的成膜的情況相同的步驟進行第2覆膜的成膜。

即，在該第2覆膜的成膜中，與所述第1覆膜的成膜的情況不同，一邊利用循環著溫度被控制為0℃的冷媒的冷卻輥13對長條狀樹脂膜F進行冷卻，一邊啟動作為乾式蝕刻手段29的離子源，以100sccm的離子束用氣體供給量對第1覆膜的成膜面側實施離子束處理。另外，為了調查改變了乾式蝕刻處理條件時的效果，每隔固定時間便改變對離子源的供給電力及離子束用供給氣體的種類而進行離子束處理。另外，為了進行比較，在停止離子源並且不供給離子束用供給氣體的條件下進行第2覆膜的成膜。

在第2覆膜的成膜完成後，在大氣中將已被捲取的積層體基板捲出，通過目視確認第1覆膜的寬度方向的兩端的色差。其次，對於第1覆膜及第2覆膜兩者通過電鍍以銅厚成為1μm的方式進行成膜，再次通 過成膜裝置，利用與所述相同的方法，在第1覆膜及第2覆膜之上形成膜厚為30nm的第2金屬吸收層。另外，在該第2金屬吸收層的成膜時未進行離子束處理。以此方式，製造出在透明基板的兩面積層下述積層膜而形成的試樣1~7的積層體基板，所述積層膜包含從該透明基板數起為第1層的作為金屬吸收層的Ni-Cu氧化膜、為第2層的作為金屬層的Cu膜及為第3層的作為第2金屬吸收層的Ni-Cu氧化膜。

對於所獲得的試樣1~7的各積層體基板，在開始成膜後對100m、500m及900m的位置進行取樣，使用氯化鐵水溶液作為蝕刻液而進行蝕刻，由此進行蝕刻性的評價。作為評價基準，如果寬度方向的中央部與距離端部50mm的部分的蝕刻速度差未達3秒，那麼判斷為“合格”，如果該速度差為3秒以上，那麼判斷為“不合格”。另外，通過目視確認有無產生皺褶。將這些評價結果與所述通過目視而得出的色差的評價及使用數學式1由離子源的供給電力和該值而算出的照射電力一起示於下述表1。

根據所述表1，可知：在對第1覆膜的成膜面側實施了離子 束處理的試樣1~6中，均不具有色差，另外，蝕刻性也良好。與此相對地，在未實施離子束處理的試樣7中，雖然與試樣1~6一樣未發現皺褶的產生，但在第1覆膜的兩端部發現了色差。另外，在蝕刻性的評價中，試樣7的所有樣本均不合格。

F:長條狀樹脂膜

10:真空室

10a:間隔板

11:捲出輥

12a、12b、23:自由輥

13:冷卻輥

14、22:張力傳感輥

15:前進料輥

16:罐狀輥

17、18、19、20:磁控濺鍍陰極

21:後進料輥

24:捲取輥

25a、25b、26a、26b、27a、27b、28a、28b:氣體釋放管

29:乾式蝕刻手段

Claims (10)

1. 一種成膜方法，利用乾式鍍敷法在以輥對輥方式搬送的長條狀樹脂膜的兩面分別形成第1覆膜及第2覆膜，其特徵在於：在第1次捲取與第2次捲取之間對上述第1覆膜的表面實施乾式蝕刻處理，上述第1次捲取是於將上述第1覆膜形成在上述長條狀樹脂膜的一面之後，上述第2次捲取是於將第2覆膜形成在已形成上述第1覆膜的長條狀樹脂膜的另一面之後。
2. 如申請專利範圍第1項的成膜方法，其中，上述乾式蝕刻處理是離子束照射。
3. 如申請專利範圍第1或2項的成膜方法，其中，在實施上述乾式蝕刻處理時，使其相反側部分與冷卻輥接觸。
4. 如申請專利範圍第1或2項的成膜方法，其中，上述乾式鍍敷法是濺鍍法。
5. 如申請專利範圍第3項的成膜方法，其中，上述乾式鍍敷法是濺鍍法。
6. 一種積層體基板的製造方法，係在長條狀樹脂膜的兩面分別形成第1覆膜及第2覆膜，其特徵在於：上述第1覆膜及第2覆膜各自具有至少兩層的積層構造，利用申請專利範圍第1至5項中任一項的成膜方法而形成該等第1覆膜及第2覆膜。
7. 如申請專利範圍第6項的積層體基板的製造方法，其中，上述積層構造如下：從長條狀樹脂膜數起，第1層是Ni系合金層，第2層是銅層，上述Ni系合金層是在Ni中添加選自由Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、 Ag、Mo、Cu及Zn所組成的群中1種以上元素而成者。
8. 如申請專利範圍第7項的積層體基板的製造方法，其中，在上述第2層之上進而設置第2 Ni系合金層作為第3層，上述第2 Ni系合金層是在Ni中添加選自由Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu及Zn所組成的群中1種以上元素而成者。
9. 如申請專利範圍第6項的積層體基板的製造方法，其中，上述積層構造如下：從長條狀樹脂膜數起，第1層是使用由Cu單質、Ni單質、或Ni系合金構成的金屬材料在含有氧氣的反應性氣體環境下利用反應成膜法而形成的金屬吸收層，第2層是在惰性氣體環境下形成的銅層，上述Ni系合金是在Ni中添加選自由Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu及Zn所組成的群中1種以上元素而成者。
10. 如申請專利範圍第9項的積層體基板的製造方法，其中，在上述第2層之上進而設置使用由Cu單質、Ni單質、或Ni系合金構成的金屬材料在含有氧氣的反應性氣體環境下利用反應成膜法而形成的第2金屬吸收層作為第3層，上述Ni系合金是在Ni中添加選自由Ti、Al、V、W、Ta、Si、Cr、Ag、Mo、Cu及Zn所組成的群中1種以上元素而成者。

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