JP7451505B2 - 透明導電性フィルムの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、透明導電性フィルムの製造方法に関する。
従来、透明な基材フィルムと透明な導電層（光透過性導電層）とを厚さ方向に順に備える透明導電性フィルムが知られている。光透過性導電層は、例えば、液晶ディスプレイ、タッチパネル、および光センサなどの各種デバイスにおける透明電極をパターン形成するための導体膜として用いられる。また、光透過性導電層は、デバイスが備える帯電防止層として用いられることもある。光透過性導電層は、例えば、スパッタリング法で基材フィルム上に導電性酸化物を成膜することによって、形成される。そのスパッタリング法では、従来、ターゲット（成膜材料供給材）に衝突してターゲット表面の原子を弾き出すためのスパッタリングガスとして、アルゴンなどの不活性ガスが用いられる。このような透明導電性フィルムに関する技術については、例えば下記の特許文献１に記載されている。
特開平５－３３４９２４号公報
透明導電性フィルムの光透過性導電層には、低抵抗であることが要求される。特に透明電極用途では、その要求が強い。
一方、透明導電性フィルムの製造過程、および、同フィルムを備えるデバイスの製造過程では、透明導電性フィルムは、加熱プロセス（昇温とその後の降温のプロセス）を経る場合がある。その場合、透明導電性フィルムにおける基材フィルムと光透過性導電層との寸法変化率差に起因して、光透過性導電層においてクラックが生じることがある。光透過性導電層におけるクラックの発生は、透明導電性フィルムの製造歩留りの観点、および、透明導電性フィルムを備えるデバイスの製造歩留りの観点から、好ましくない。
本発明は、クラックの発生が抑制された低抵抗の光透過性導電層を備える透明導電性フィルムを得るのに適した透明導電性フィルムの製造方法を提供する。
本発明［１］は、透明基材を用意する用意工程と、前記透明基材上に、スパッタリング法により光透過性導電材料を成膜して非晶質の光透過性導電層を形成する成膜工程と、を含み、前記成膜工程の前記スパッタリング法では、アルゴンより原子番号が大きな希ガスを含むスパッタリングガスを用い、且つ成膜気圧が０.０４Ｐａ以上０.９Ｐａ以下の条件で、前記光透過性導電材料を成膜する、透明導電性フィルムの製造方法を含む。
本発明［２］は、前記希ガスが、クリプトンおよび／またはキセノンである、上記［１］に記載の透明導電性フィルムの製造方法を含む。
本発明［３］は、前記スパッタリングガスにおけるクリプトンの含有割合が、５０体積％以上である、上記［１］または［２］に記載の透明導電性フィルムの製造方法を含む。
本発明［４］は、前記光透過性導電層が、１５５℃で１時間の加熱処理の後に２×１０－４Ω・ｃｍ以下の比抵抗を有する、上記［１］から［３］のいずれか一つに記載の透明導電性フィルムの製造方法を含む。
本発明［５］は、前記光透過性導電層を加熱して結晶化させる工程を更に含む、上記［１］から［４］のいずれか一つに記載の透明導電性フィルムの製造方法を含む。
本発明［６］は、前記光透過性導電層をパターニングする工程を更に含む、上記［１］から［５］のいずれか一つに記載の透明導電性フィルムの製造方法を含む。
本発明の透明導電性フィルムの製造方法では、成膜工程のスパッタリング法において、アルゴンより原子番号が大きな希ガスを含むスパッタリングガスが用いられ、且つ成膜気圧が０.０４Ｐａ以上０.９Ｐａ以下の条件で、光透過性導電材料が成膜されて非晶質の光透過性導電層が形成される。このような本製造方法は、クラックの発生が抑制された低抵抗な結晶質の光透過性導電層を備える透明導電性フィルムを得るのに適する。
本発明の透明導電性フィルムの製造方法の一実施形態の工程図であり、図１Ａは、透明基材を用意する工程を表し、図１Ｂは、透明基材上に光透過性導電層を形成する工程を表し、図１Ｃは、光透過性導電層を結晶化させる工程を表す。 図１Ｂに示す光透過性導電層を形成する工程の変形例を表す。 透明導電性フィルムの製造方法が光透過性導電層をパターニングする工程をさらに含む場合の当該パターニング工程を表す。 スパッタリング法により光透過性導電層を形成する際の酸素導入量と、形成される光透過性導電層の表面抵抗との関係を示すグラフである。
図１は、本発明の透明導電性フィルムの製造方法の一実施形態の工程図である。本製造方法は、本実施形態では、用意工程と、成膜工程と、結晶化工程とを含む。本製造方法は、好ましくは、ロールトゥロール方式で実施される。
まず、用意工程では、図１Ａに示すように、透明基材１０を用意する。
透明基材１０は、本実施形態では、透明樹脂フィルム１１と、機能層１２とを、厚さ方向Ｄの一方側に向かってこの順で備える。透明基材１０は、厚さ方向Ｄに直交する方向（面方向）に広がる形状を有する。本製造方法がロールトゥロール方式で実施される場合、透明基材１０は、長尺形状を有する。
透明樹脂フィルム１１は、可撓性を有する透明な樹脂フィルムである。透明樹脂フィルム１１の材料としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、およびポリスチレン樹脂が挙げられる。ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、およびポリエチレンナフタレートが挙げられる。ポリオレフィン樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、およびシクロオレフィンポリマーが挙げられる。アクリル樹脂としては、例えばポリメタクリレートが挙げられる。透明樹脂フィルム１１の材料としては、例えば透明性および強度の観点から、好ましくはポリエステル樹脂が用いられ、より好ましくはＰＥＴが用いられる。
透明樹脂フィルム１１における機能層１２側表面は、表面改質処理されていてもよい。表面改質処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、オゾン処理、プライマー処理、グロー処理、およびカップリング剤処理が挙げられる。
透明樹脂フィルム１１の厚さは、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、さらに好ましくは３０μｍ以上である。透明樹脂フィルム１１の厚さは、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下、特に好ましくは７５μｍ以下である。透明樹脂フィルム１１の厚さに関するこれら構成は、本製造方法によって製造される後記の透明導電性フィルムＸの取り扱い性を確保するのに適する。
透明樹脂フィルム１１の全光線透過率（ＪＩＳ Ｋ ７３７５－２００８）は、好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上、さらに好ましくは８５％以上である。このような構成は、タッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ部材、電磁波シールド部材、照明装置、および画像表示装置などに透明導電性フィルムＸが備えられる場合に当該透明導電性フィルムＸに求められる透明性を確保するのに適する。透明樹脂フィルム１１の全光線透過率は、例えば１００％以下である。
機能層１２は、本実施形態では、透明樹脂フィルム１１における厚さ方向Ｄの一方面上に位置する。また、本実施形態では、機能層１２は、透明導電性フィルムＸが備える後記の光透過性導電層２０の表面（図１Ｂおよび図１Ｃでは上面）に擦り傷が形成されにくくするためのハードコート層である。
ハードコート層は、硬化性樹脂組成物の硬化物である。硬化性樹脂組成物が含有する樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、アミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、およびメラミン樹脂が挙げられる。また、硬化性樹脂組成物としては、例えば、紫外線硬化型の樹脂組成物、および、熱硬化型の樹脂組成物が挙げられる。高温加熱せずに硬化可能であるために透明導電性フィルムＸの製造効率向上に役立つ観点から、硬化性樹脂組成物としては、好ましくは、紫外線硬化型の樹脂組成物が用いられる。紫外線硬化型の脂組成物としては、具体的には、特開２０１６－１７９６８６号公報に記載のハードコート層形成用組成物が挙げられる。
ハードコート層としての機能層１２は、透明樹脂フィルム１１上に、硬化性樹脂組成物を塗布して塗膜を形成した後、この塗膜を硬化させることによって形成できる。硬化性樹脂組成物が紫外線化型樹脂を含有する場合には、紫外線照射によって前記塗膜を硬化させる。硬化性樹脂組成物が熱硬化型樹脂を含有する場合には、加熱によって前記塗膜を硬化させる。
機能層１２における露出面（図１Ａでは上面）は、表面改質処理されていてもよい。表面改質処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、オゾン処理、プライマー処理、グロー処理、およびカップリング剤処理が挙げられる。
ハードコート層としての機能層１２の厚さは、好ましくは０.１μｍ以上、より好ましくは０.５μｍ以上である。このような構成は、光透過性導電層２０において充分な耐擦過性を発現させるのに適する。ハードコート層としての機能層１２の厚さは、機能層１２の透明性を確保する観点からは、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下である。
透明基材１０の厚さは、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、さらに好ましくは１５μｍ以上、特に好ましくは３０μｍ以上である。透明基材１０の厚さは、好ましくは３１０μｍ以下、より好ましくは２１０μｍ以下、さらに好ましくは１１０μｍ以下、特に好ましくは８０μｍ以下である。透明基材１０の厚さに関するこれら構成は、透明導電性フィルムＸの取り扱い性を確保するのに適する。
透明基材１０の全光線透過率（ＪＩＳ Ｋ ７３７５－２００８）は、好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上、さらに好ましくは８５％以上である。このような構成は、タッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ部材、電磁波シールド部材、照明装置、および画像表示装置などに透明導電性フィルムＸが備えられる場合に当該透明導電性フィルムＸに求められる透明性を確保するのに適する。透明基材１０の全光線透過率は、例えば１００％以下である。
次に、成膜工程では、図１Ｂに示すように、スパッタリング法により、透明基材１０における機能層１２の厚さ方向Ｄの一方面上に、光透過性導電材料を成膜して非晶質の光透過性導電層２０を形成する。光透過性導電層２０は、透明基材１０上において面方向に広がる形状を有する。光透過性導電層２０は、光透過性と導電性とを兼ね備える。
スパッタリング法では、ロールトゥロール方式で成膜プロセスを実施できるスパッタ成膜装置を使用するのが好ましい。ロールトゥロール方式のスパッタ成膜装置を使用する場合、成膜工程では、長尺形状の透明基材１０を、装置が備える繰出しロールから巻取りロールまで走行させつつ、当該透明基材１０上に材料を成膜して光透過性導電層２０を形成する。また、当該スパッタリング法では、一つの成膜室を備えるスパッタ成膜装置を使用してもよいし、透明基材１０の走行経路に沿って順に配置された複数の成膜室を備えるスパッタ成膜装置を使用してもよい。
スパッタリング法では、具体的には、スパッタ成膜装置が備える成膜室内を真空排気した後、当該成膜室内にスパッタリングガス（不活性ガス）を導入しつつ、成膜室内のカソード上に配置されたターゲット（光透過性導電材料供給材）にマイナスの電圧を印加する。これにより、グロー放電を発生させてガス原子をイオン化し、当該ガスイオンを高速でターゲット表面に衝突させ、ターゲット表面からターゲット材料を弾き出し、弾き出たターゲット材料を透明基材１０における機能層１２上に光透過性導電材料として堆積させる。
スパッタリングガスとしては、アルゴン（Ａｒ）より原子番号が大きな希ガスを含む不活性ガスを用いる。Ａｒより原子番号が大きな希ガスとしては、例えば、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）、およびラドン（Ｒｎ）が挙げられ、好ましくは、Ｋｒおよび／またはＸｅが用いられる。透明導電性フィルムＸの製造コストの観点からは、スパッタリングガスとしては、Ｋｒを用いるのが好ましい。スパッタリングガスがＫｒを含有する場合、スパッタリングガスにおけるＫｒの含有割合は、例えば１体積％以上、好ましくは５０体積％以上、より好ましくは９９体積％以上、さらに好ましくは９９.５体積％以上、特に好ましくは９９.９体積％以上である。同含有割合は、例えば１００体積％以下である。また、スパッタリングガスは、Ａｒなどの他の不活性ガス（Ａｒより原子番号が大きな希ガス以外の不活性ガス）を含有してもよい。
スパッタリング法は、好ましくは、反応性スパッタリング法である。反応性スパッタリング法では、スパッタリングガスに加えて反応性ガスが、成膜室内に導入される。光透過性導電材料として後記の導電性酸化物を用いる場合、反応性ガスとしては、好ましくは酸素が用いられる。反応性スパッタリング法に用いられるスパッタリングガス（不活性ガス）と反応性ガスとの総流量に対する、酸素などの反応性ガスの流量の割合は、好ましくは０.０１流量％以上、より好ましくは０.０５流量％以上、さらに好ましくは０.０８流量％以上である。同流量割合は、例えば１５流量％以下、好ましくは８流量％以下、より好ましくは６流量％以下、さらに好ましくは４流量％以下である。
真空排気された後にガス（反応性スパッタリング法ではスパッタリングガスおよび反応性ガス）が導入された成膜室内の気圧（成膜気圧）は、０.０４Ｐａ以上であり、好ましくは０.０８Ｐａ以上、より好ましくは０.１Ｐａ以上である。同成膜気圧は、０.９Ｐａ以下であり、好ましくは０.８Ｐａ以下、より好ましくは０.７Ｐａ以下である。
本工程における透明基材１０の温度（成膜温度）は、例えば１００℃以下、好ましくは５０℃以下、より好ましくは３０℃以下、さらに好ましくは２５℃以下、ことさらに好ましくは２０℃以下、特に好ましくは１５℃以下、一層好ましくは１０℃以下、最も好ましくは５℃以下であり、また、例えば－５０℃以上、好ましくは－２０℃以上、より好ましくは－１０℃以上、さらに好ましくは－７℃以上である。
ターゲットに対する電圧印加のための電源としては、例えば、ＤＣ電源、ＡＣ電源、ＭＦ電源、およびＲＦ電源が挙げられる。電源としては、ＤＣ電源とＲＦ電源とを併用してもよい。スパッタ成膜中の放電電圧の絶対値は、例えば５０Ｖ以上であり、また、例えば５００Ｖ以下である。ターゲット表面上の水平磁場強度は、例えば１０ｍＴ以上、好ましくは２０ｍＴ以上、より好ましくは３０ｍＴ以上、さらに好ましくは６０ｍＴ以上であり、また、例えば３００ｍＴ以下、好ましくは２５０ｍＴ以下である。このような構成は、光透過性導電層２０内の不純物量を抑制するのに好ましい。光透過性導電層２０内の不純物量の抑制は、光透過性導電層２０の低抵抗化に役立ち、また、光透過性導電層２０における加熱プロセスでのクラックの発生を抑制するのに役立つ。
光透過性導電材料としては、例えば導電性酸化物が挙げられる。導電性酸化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｗからなる群より選択される少なくとも一種類の金属または半金属を含有する金属酸化物が挙げられる。具体的には、導電性酸化物としては、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛複合酸化物（ＩＺＯ）、インジウムガリウム複合酸化物（ＩＧＯ）、インジウムガリウム亜鉛複合酸化物（ＩＧＺＯ）、およびアンチモンスズ複合酸化物（ＡＴＯ）が挙げられる。光透過性導電層２０において高い透明性と良好な電気伝導性とを実現する観点からは、導電性酸化物としては、好ましくは、ＩｎおよびＳｎの両方を含有するインジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）が用いられる。このＩＴＯは、ＩｎおよびＳｎ以外の金属または半金属を、ＩｎおよびＳｎのそれぞれの含有量より少ない量で含有してもよい。
導電性酸化物としてＩＴＯが用いられる場合、光透過性導電層２０における酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）および酸化スズ（ＳｎＯ２）の合計含有量に対する酸化スズの含有量の割合は、好ましくは１質量％以上、より好ましくは２質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上、特に好ましくは５質量％以上である。このような構成は、光透過性導電層２０の耐久性を確保するのに適する。また、加熱により結晶化しやすい結晶質の光透過性導電層２０を得る観点からは、酸化スズ含有量の上記割合は、好ましくは１５質量％以下、より好ましくは１３質量％以下、さらに好ましくは１２質量％以下である。酸化スズの上記含有割合は、スパッタリング法に用いられるＩＴＯ製ターゲットにおける酸化スズ濃度の調整により、調整できる。ＩＴＯにおけるインジウム原子数に対するスズ原子数の比率は、例えば、測定対象物について、Ｘ線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy）によってインジウム原子とスズ原子の存在比率を特定することにより、求められる。ＩＴＯにおける酸化スズの上記含有割合は、例えば、そのようにして特定されたインジウム原子とスズ原子の存在比率から、求められる。ＩＴＯにおける酸化スズの上記含有割合は、スパッタ成膜時に用いるＩＴＯターゲットの酸化スズ（ＳｎＯ２）含有割合から判断してもよい。
光透過性導電層２０における酸化スズ含有割合は、厚さ方向Ｄにおいて非一様でもよい。例えば、光透過性導電層２０は、図２に示すように、酸化スズ含有割合が相対的に大きな第１領域２１と、酸化スズ含有割合が相対的に小さな第２領域２２とを、透明基材１０側から順に備えてもよい。第１領域２１における酸化スズおよび酸化インジウムの合計含有量に対する酸化スズの含有量の割合は、好ましくは５質量％以上、より好ましくは７質量％以上、さらに好ましくは９質量％以上であり、また、好ましくは１５質量％以下、より好ましくは１３質量％以下、さらに好ましくは１２質量％以下である。第２領域２２における酸化スズおよび酸化インジウムの合計含有量に対する酸化スズの含有量の割合は、第１領域２１における上記酸化スズ含有割合より小さい限りにおいて、好ましくは１質量％以上、より好ましくは２質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上であり、また、好ましくは１３質量％以下、より好ましくは１２質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下である。このような第１領域２１および第２領域２２を光透過性導電層２０が有する構成は、後述の結晶化工程での光透過性導電層２０の結晶化のしやすさと、光透過性導電層２０の結晶化後の低抵抗化との両立の観点から好ましい。第１領域２１および第２領域２２を有する光透過性導電層２０は、例えば、二つの成膜室を備えるスパッタ成膜装置を使用し、且つ、両成膜室におけるスパッタリング法において酸化スズ濃度が互いに異なるＩＴＯ製ターゲットを用いることによって、形成できる。
光透過性導電層２０が第１領域２１および第２領域２２を含む場合、第１領域２１と第２領域２２との合計厚さに対する第１領域２１の厚さの割合は、好ましくは５０％を超え、より好ましくは６０％以上、さらに好ましくは６４％以上である。同割合は、１００％未満である。また、第１領域２１と第２領域２２との合計厚さに対する第２領域２２の厚さの割合は、好ましくは５０％未満、より好ましくは４０％以下、さらに好ましくは３６％以下である。第１領域２１および第２領域２２のそれぞれの厚さの割合に関する当該構成は、結晶化後の光透過性導電層２０において低い比抵抗を実現する観点から好ましい。図２では、第１領域２１と第２領域２２との境界が仮想線によって描出されているものの、第１領域２１と第２領域２２との組成が大きくは異ならない場合などには、第１領域２１と第２領域２２との境界は明確には判別できないこともある。
或いは、光透過性導電層２０では、厚さ方向Ｄにおいて酸化スズ含有割合が次第に変化してもよい。例えば、光透過性導電層２０では、厚さ方向Ｄにおいて透明基材１０から遠ざかるほど酸化スズ含有割合が漸増または漸減してもよい。光透過性導電層２０では、厚さ方向Ｄにおいて、透明基材１０から遠ざかるほど酸化スズ含有割合が漸増する部分領域が透明基材１０側に位置し、且つ、透明基材１０から遠ざかるほど酸化スズ含有割合が漸減する部分領域が透明基材１０とは反対側に位置してもよい。光透過性導電層２０では、厚さ方向Ｄにおいて、透明基材１０から遠ざかるほどＫｒ含有割合が漸減する部分領域が透明基材１０側に位置し、且つ、透明基材１０から遠ざかるほどＫｒ含有割合が漸増する部分領域が透明基材１０とは反対側に位置してもよい。
光透過性導電層２０は、Ａｒより原子番号が大きな希ガス原子（スパッタリングガスとして用いられた、Ｋｒなどの希ガス原子）を含んでもよい。光透過性導電層２０は、Ａｒより原子番号が大きな希ガス原子（Ｋｒなど）の含有割合が、好ましくは１.０原子％以下、より好ましくは０.７原子％以下、さらに好ましくは０.５原子％以下、ことさらに好ましくは０.３原子％以下、とても好ましくは０.２原子％以下、特に好ましくは０.１原子％未満の領域を、厚さ方向Ｄの少なくとも一部に含む。当該領域の、Ａｒより原子番号が大きな希ガス原子の含有割合は、例えば０.０００１原子％以上である。好ましくは、光透過性導電層２０は、厚さ方向Ｄの全域において、Ａｒより原子番号が大きな希ガス原子の上記含有割合を充足する。具体的には、光透過性導電層２０における、Ａｒより原子番号が大きな希ガス原子（Ｋｒなど）の含有割合は、厚さ方向Ｄの全域において、好ましくは１.０原子％以下、より好ましくは０.７原子％以下、さらに好ましくは０.５原子％以下、ことさらに好ましくは０.３原子％以下、とても好ましくは０.２原子％以下、特に好ましくは０.１原子％未満である。これら構成は、光透過性導電層２０に対する結晶化のための加熱の時に良好な結晶成長を実現して大きな結晶粒を形成するのに適し、従って、低抵抗な結晶質の光透過性導電層２０を得るのに適する（結晶質の光透過性導電層２０内の結晶粒が大きいほど、当該光透過性導電層２０の抵抗は低い）。
光透過性導電層２０における希ガス原子の存否は、例えば、実施例に関して後述する蛍光Ｘ線分析によって同定される。また、光透過性導電層２０における希ガス原子の存否および含有量は、例えば、ラザフォード後方散乱分析（Rutherford Backscattering Spectrometry）によって同定される。光透過性導電層２０におけるＫｒなど希ガス原子の存否は、例えば、実施例に関して後述する蛍光Ｘ線分析によって同定される。分析対象の光透過性導電層において、ラザフォード後方散乱分析によると、希ガス原子含有量が検出限界値（下限値）以上でないために定量できず、且つ、蛍光Ｘ線分析によると、希ガス原子の存在が同定される場合、当該光透過性導電層は、Ｋｒなど希ガス原子の含有割合が０.０００１原子％以上である領域を含む、と判断することとする。
成膜工程では、上述のように、非晶質の光透過性導電層２０を形成する。成膜温度の調整、および／または、反応性ガスの流量割合の調整により、非晶質の光透過性導電層２０を形成できる。
光透過性導電層が非晶質であるか結晶質であるかは、例えば、次のようにして判断できる。まず、光透過性導電層（透明導電性フィルムＸでは、透明基材１０上の光透過性導電層２０）を、濃度５質量％の塩酸に、２０℃で１５分間、浸漬する（塩酸処理）。次に、光透過性導電層を、水洗した後、乾燥する。次に、光透過性導電層の露出平面（透明導電性フィルムＸでは、光透過性導電層２０における透明基材１０とは反対側の表面）において、離隔距離１５ｍｍの一対の端子の間の抵抗（端子間抵抗）を測定する。この測定において、端子間抵抗が１０ｋΩを超える場合、光透過性導電層は非晶質である（成膜工程後であって下記の結晶化工程後の光透過性導電層２０が非晶質であることは、当該基準に基づいて判断できる）。また、同測定において、端子間抵抗が１０ｋΩ以下である場合、光透過性導電層は結晶質である（下記の結晶化工程後の光透過性導電層２０が結晶質であることは、当該基準に基づいて判断できる）。
非晶質の光透過性導電層２０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上であり、好ましくは４０ｎｍ以上、より好ましくは４０ｎｍを超え、さらに好ましくは７０ｎｍ以上、ことさらに好ましくは１００ｎｍ以上、特に好ましくは１３０ｎｍ以上である。このような構成は、光透過性導電層２０の結晶化後の低抵抗化を図るのに適する。また、光透過性導電層２０の厚さは、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは２５０ｎｍ以下、さらに好ましくは２００ｎｍ以下、特に好ましくは１６０ｎｍ以下、最も好ましくは１５０ｎｍ未満である。このような構成は、製造される透明導電性フィルムＸにおいて、反りを抑制するのに適する。
非晶質の光透過性導電層２０の表面抵抗は、例えば８００Ω／□以下、好ましくは１００Ω／□以下、より好ましくは５０Ω／□以下、さらに好ましくは１５Ω／□以下、特に好ましくは１３Ω／□以下である。非晶質の光透過性導電層２０の表面抵抗は、例えば１Ω／□以上である。表面抵抗は、ＪＩＳ Ｋ７１９４に準拠した４端子法によって測定できる。非晶質の光透過性導電層２０の表面抵抗は、例えば、成膜工程における、成膜温度の調整、および／または、反応性ガスの流量割合の調整により、制御できる。
非晶質の光透過性導電層２０の比抵抗は、４×１０－４Ω・ｃｍ以上であり、好ましくは４.５×１０－４Ω・ｃｍ以上、より好ましくは４.８×１０－４Ω・ｃｍ以上、さらに好ましくは５×１０－４Ω・ｃｍ以上、特に好ましくは５.２×１０－４Ω・ｃｍ以上である。非晶質の光透過性導電層２０の比抵抗は、好ましくは１２×１０－４Ω・ｃｍ以下、より好ましくは１１×１０－４Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは１０.５×１０－４Ω・ｃｍ以下である。比抵抗に関するこのような構成は、光透過性導電層２０の結晶化後の低抵抗化を図るのに適する。比抵抗は、表面抵抗に厚さを乗じて求められる。
非晶質の光透過性導電層２０の、１５５℃で１時間の加熱処理後の比抵抗は、好ましくは２.２×１０－４Ω・ｃｍ以下、より好ましくは２.０×１０－４Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは１.９×１０－４Ω・ｃｍ以下である。このような構成は、タッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ部材、電磁波シールド部材、照明装置、および画像表示装置などに、透明導電性フィルムＸが備えられる場合に、透明導電性フィルムＸの光透過性導電層２０に求められる低抵抗性を確保するのに適する。また、非晶質の光透過性導電層２０の、１５５℃で１時間の加熱処理後の比抵抗は、例えば０.１×１０－４Ω・ｃｍ以上、好ましくは０.５×１０－４Ω・ｃｍ以上、より好ましくは１×１０－４Ω・ｃｍ以上である。
非晶質の光透過性導電層２０の全光線透過率（ＪＩＳ Ｋ ７３７５－２００８）は、好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上、さらに好ましくは８５％以上である。このような構成は、光透過性導電層２０の結晶化後の透明性を確保するのに適する。また、非晶質の光透過性導電層２０の全光線透過率は、例えば１００％以下である。
次に、結晶化工程では、図１Ｃに示すように、加熱によって光透過性導電層２０を非晶質から結晶質へと転化（結晶化）させる。加熱の手段としては、例えば、赤外線ヒーターおよびオーブンが挙げられる。加熱温度は、高い結晶化速度を確保する観点からは、例えば１００℃以上であり、好ましくは１２０℃以上である。加熱温度は、透明基材１０への加熱の影響を抑制する観点から、例えば２００℃以下であり、好ましくは１８０℃以下、より好ましくは１７０℃以下、さらに好ましくは１６５℃以下である。加熱時間は、例えば１２０分未満、好ましくは９０分以下、より好ましくは６０分以下であり、また、例えば１分以上、好ましくは５分以上である。
以上のようにして、透明導電性フィルムＸが製造される。透明導電性フィルムＸは、透明基材１０と、光透過性および導電性を兼ね備えた光透過性導電層２０とを、厚さ方向Ｄの一方側に向かってこの順で備える。透明導電性フィルムＸは、タッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ部材、電磁波シールド部材、照明装置、および画像表示装置などに備えられる一要素である。
透明導電性フィルムＸにおいて、結晶化後の（即ち、結晶質の）光透過性導電層２０の厚さは、例えば、非晶質の光透過性導電層２０の厚さと同様であり、例えば１０ｎｍ以上であり、好ましくは４０ｎｍを超え、より好ましくは７０ｎｍ以上、さらに好ましくは１００ｎｍ以上、特に好ましくは１３０ｎｍ以上である。このような構成は、透明導電性フィルムＸにおいて、光透過性導電層２０の低抵抗化を図るのに適する。また、結晶質の光透過性導電層２０の厚さは、例えば、非晶質の光透過性導電層２０と同様であり、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは２５０ｎｍ以下、さらに好ましくは２００ｎｍ以下、特に好ましくは１６０ｎｍ以下である。このような構成は、透明導電性フィルムＸにおいて、反りを抑制するのに適する。
結晶質の光透過性導電層２０の表面抵抗は、例えば２００Ω／□以下、好ましくは１００Ω／□以下、より好ましくは８０Ω／□以下、さらに好ましくは３０Ω／□以下、特に好ましくは２０Ω／□以下である。このような構成は、タッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ部材、電磁波シールド部材、照明装置、および画像表示装置などに透明導電性フィルムＸが備えられる場合に、当該透明導電性フィルムＸの光透過性導電層２０に求められる低抵抗性を確保するのに適する。結晶質の光透過性導電層２０の表面抵抗は、例えば０.１Ω／□以上である。
結晶質の光透過性導電層２０の比抵抗は、好ましくは２.２×１０－４Ω・ｃｍ以下、より好ましくは２×１０－４Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは１.９×１０－４Ω・ｃｍ以下である。このような構成は、タッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ部材、電磁波シールド部材、照明装置、および画像表示装置などに透明導電性フィルムＸが備えられる場合に、当該透明導電性フィルムＸの光透過性導電層２０に求められる低抵抗性を確保するのに適する。結晶質の光透過性導電層２０の比抵抗は、例えば０.１×１０－４Ω・ｃｍ以上、好ましくは０.５×１０－４Ω・ｃｍ以上、より好ましくは１×１０－４Ω・ｃｍ以上である。
結晶質の光透過性導電層２０の全光線透過率（ＪＩＳ Ｋ ７３７５－２００８）は、好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上、さらに好ましくは８５％以上である。このような構成は、タッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ部材、電磁波シールド部材、照明装置、および画像表示装置などに透明導電性フィルムＸが備えられる場合に、当該透明導電性フィルムＸに求められる透明性を確保するのに適する。結晶質の光透過性導電層２０の全光線透過率は、例えば１００％以下である。
透明導電性フィルムＸにおける光透過性導電層２０は、図３に模式的に示すように、パターニングされてもよい（パターニング工程）。所定のエッチングマスクを介して光透過性導電層２０をエッチング処理することにより、光透過性導電層２０をパターニングできる。パターニングされた光透過性導電層２０は、例えば、配線パターンとして機能する。パターニング工程は、上述の結晶化工程より前に実施されてもよい。その場合、光透過性導電層２０は、パターニング工程より後に、加熱によって結晶化される。
本製造方法における成膜工程では、図１Ｂを参照して上述したように、スパッタリング法において、アルゴンより原子番号が大きな希ガスを含む不活性ガスがスパッタリングガスとして用いられ、且つ、成膜気圧が０.０４Ｐａ以上０.９Ｐａ以下（好ましくは０.０８Ｐａ以上、より好ましくは０.１Ｐａ以上であり、また、好ましくは０.８Ｐａ以下、より好ましくは０.７Ｐａ以下）の条件で、光透過性導電材料が成膜されて非晶質の光透過性導電層２０が形成される。このような本製造方法は、クラックの発生が抑制された低抵抗な結晶質の光透過性導電層２０を備える透明導電性フィルムＸを得るのに適する。具体的には、後記の実施例および比較例をもって示すとおりである。
成膜工程におけるスパッタリングガスとしては、上述のように、好ましくは、Ｋｒおよび／またはＸｅが用いられる。スパッタリングガスがＫｒを含有する場合、スパッタリングガスにおけるＫｒの含有割合は、上述のように、好ましくは５０体積％以上、より好ましくは９９体積％以上、さらに好ましくは９９.５体積％以上、特に好ましくは９９.９体積％以上である。スパッタリングガスに関するこれら構成は、非晶質の光透過性導電層２０から、クラックの発生が抑制された低抵抗な結晶質の光透過性導電層２０を形成するのに適する。
透明導電性フィルムＸにおいて、機能層１２は、透明基材１０に対する光透過性導電層２０の高い密着性を実現するための密着性向上層であってもよい。機能層１２が密着性向上層である構成は、透明基材１０と光透過性導電層２０との間の密着力を確保するのに適する。
機能層１２は、透明基材１０の表面（厚さ方向Ｄの一方面）の反射率を調整するための屈折率調整層（index-matching layer）であってもよい。機能層１２が屈折率調整層である構成は、透明基材１０上の光透過性導電層２０がパターニングされている場合に、当該光透過性導電層２０のパターン形状を視認されにくくするのに適する。
機能層１２は、透明基材１０から光透過性導電層２０を実用的に剥離可能にするための剥離機能層であってもよい。機能層１２が剥離機能層である構成は、透明基材１０から光透過性導電層２０を剥離して、当該光透過性導電層２０を他の部材に転写するのに適する。
機能層１２は、複数の層が厚さ方向Ｄに連なる複合層であってもよい。複合層は、好ましくは、ハードコート層、密着性向上層、屈折率調整層、および剥離機能層からなる群より選択される２以上の層を含む。このような構成は、選択される各層の上述の機能を、機能層１２において複合的に発現するのに適する。好ましい一形態では、機能層１２は、透明樹脂フィルム１１上において、密着性向上層と、ハードコート層と、屈折率調整層とを、厚さ方向Ｄの一方側に向かってこの順で備える。好ましい他の形態では、機能層１２は、透明樹脂フィルム１１上において、剥離機能層と、ハードコート層と、屈折率調整層とを、厚さ方向Ｄの一方側に向かってこの順で備える。
透明導電性フィルムＸは、物品に対して貼り合わされ、且つ必要に応じて光透過性導電層２０がパターニングされた状態で、利用される。透明導電性フィルムＸは、例えば固着機能層を介して、物品に対して貼り合わされる。
物品としては、例えば、素子、部材、および装置が挙げられる。すなわち、透明導電性フィルム付き物品としては、例えば、透明導電性フィルム付き素子、透明導電性フィルム付き部材、および透明導電性フィルム付き装置が挙げられる。
素子としては、例えば、調光素子および光電変換素子が挙げられる。調光素子としては、例えば、電流駆動型調光素子および電界駆動型調光素子が挙げられる。電流駆動型調光素子としては、例えば、エレクトロクロミック（ＥＣ）調光素子が挙げられる。電界駆動型調光素子としては、例えば、ＰＤＬＣ（polymer dispersed liquid crystal）調光素子、ＰＮＬＣ（polymer network liquid crystal）調光素子、および、ＳＰＤ（suspended particle device）調光素子が挙げられる。光電変換素子としては、例えば太陽電池などが挙げられる。太陽電池としては、例えば、有機薄膜太陽電池および色素増感太陽電池が挙げられる。部材としては、例えば、電磁波シールド部材、熱線制御部材、ヒーター部材、およびアンテナ部材が挙げられる。装置としては、例えば、タッチセンサ装置、照明装置、および画像表示装置が挙げられる。
上述の固着機能層としては、例えば、粘着層および接着層が挙げられる。固着機能層の材料としては、透明性を有し且つ固着機能を発揮する材料であれば、特に制限なく用いられる。固着機能層は、好ましくは、樹脂から形成されている。樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリビニルエーテル樹脂、酢酸ビニル／塩化ビニルコポリマー、変性ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、天然ゴム、および合成ゴムが挙げられる。凝集性、接着性、適度な濡れ性などの粘着特性を示すこと、透明性に優れること、並びに、耐候性および耐熱性に優れることから、前記樹脂としては、アクリル樹脂が好ましい。
固着機能層（固着機能層を形成する樹脂）には、光透過性導電層２０の腐食抑制のために、腐食防止剤を配合してもよい。固着機能層（固着機能層を形成する樹脂）には、光透過性導電層２０のマイグレーション抑制のために、マイグレーション防止剤（例えば、特開２０１５－０２２３９７号に開示の材料）を配合してもよい。また、固着機能層（固着機能層を形成する樹脂）には、物品の屋外使用時の劣化を抑制するために、紫外線吸収剤を配合してもよい。紫外線吸収剤としては、例えば、ベンゾフェノン化合物、ベンゾトリアゾール化合物、サリチル酸化合物、シュウ酸アニリド化合物、シアノアクリレート化合物、および、トリアジン化合物が挙げられる。
また、透明導電性フィルムＸの透明基材１０を、物品に対して固着機能層を介して固定した場合、透明導電性フィルムＸにおいて光透過性導電層２０（パターニング後の光透過性導電層２０を含む）は露出する。このような場合、光透過性導電層２０の当該露出面にカバー層を配置してもよい。カバー層は、光透過性導電層２０を被覆する層であり、光透過性導電層２０の信頼性を向上させ、また、光透過性導電層２０の受傷による機能劣化を抑制できる。そのようなカバー層は、好ましくは、誘電体材料から形成されており、より好ましくは、樹脂と無機材料との複合材料から形成されている。樹脂としては、例えば、固着機能層に関して上記した樹脂が挙げられる。無機材料としては、例えば、無機酸化物およびフッ化物が挙げられる。無機酸化物としては、例えば、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、および酸化カルシウムが挙げられる。フッ化物としては、例えばフッ化マグネシウムが挙げられる。また、カバー層（樹脂および無機材料の混合物）には、上記の腐食防止剤、マイグレーション防止剤、および紫外線吸収剤を配合してもよい。
本発明について、以下に実施例を示して具体的に説明する。本発明は実施例に限定されない。また、以下に記載されている配合量（含有量）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上述の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合量（含有量）、物性値、パラメータなどの上限（「以下」または「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」または「超える」として定義されている数値）に代替することができる。
〔実施例１〕
透明樹脂フィルムとしての長尺のＰＥＴフィルム（厚さ５０μｍ，三菱ケミカル社製）の一方の面に、アクリル樹脂を含有する紫外線硬化性樹脂を塗布して塗膜を形成した。次に、紫外線照射によって当該塗膜を硬化させてハードコート層（厚さ２μｍ）を形成した。このようにして、透明樹脂フィルムと機能層としてのハードコート層とを備える透明基材を作製した。
次に、反応性スパッタリング法により、透明基材におけるハードコート層上に光透過性導電層を形成した。反応性スパッタリング法では、ロールトゥロール方式で成膜プロセスを実施できるスパッタ成膜装置を使用した。このスパッタ成膜装置は、透明基材の走行経路に沿って順に配置された第１成膜室（上流側の成膜室）および第２成膜室（下流側の成膜室）を備えるＤＣマグネトロンスパッタリング装置である。第１成膜室での反応性スパッタリング法による成膜（第１スパッタ成膜）により、透明基材上に光透過性導電層の第１領域を形成し、第２成膜室での反応性スパッタリング法による成膜（第２スパッタ成膜）により、光透過性導電層の第２領域を第１領域上に形成した。
第１スパッタ成膜の条件は、次のとおりである。ターゲットとしては、酸化インジウムと酸化スズとの焼結体（酸化スズ濃度１０質量％のＩＴＯ）である第１ターゲットを用いた。ターゲットに対する電圧印加のための電源は、ＤＣ電源である。ターゲット上の水平磁場強度は、９０ｍＴとした。成膜温度（光透過性導電層が積層される透明基材の温度）は－５℃とした。また、第１成膜室内の到達真空度が０.９×１０－４Ｐａに至るまで第１成膜室内を真空排気した後、第１成膜室内に、スパッタリングガスとしてのＫｒと、反応性ガスとしての酸素とを導入し、第１成膜室内の気圧を０.１Ｐａとした。成膜室に導入されるＫｒおよび酸素の合計導入量に対する酸素導入量の割合は約１.５流量％である。その酸素導入量は、図４に示すように、表面抵抗－酸素導入量曲線の領域Ｒ内であって、形成される膜の表面抵抗の値が５０Ω／□になるように調整した。図４に示す表面抵抗－酸素導入量曲線は、酸素導入量以外の条件は上記と同じ条件で光透過性導電層を反応性スパッタリング法で形成した場合の、光透過性導電層の表面抵抗の酸素導入量依存性を、予め調べて作成できる。
第２スパッタ成膜では、ターゲットとして、酸化インジウムと酸化スズとの焼結体（酸化スズ濃度３質量％のＩＴＯ）である第２ターゲットを用いた。第２スパッタ成膜における他の条件は、第１スパッタ成膜と同じである。
以上のようにして、実施例１の透明導電性フィルムを作製した。実施例１の透明導電性フィルムの光透過性導電層（厚さ１００ｎｍ，非晶質）は、Ｋｒ含有ＩＴＯ（酸化スズ濃度１０質量％）からなる第１領域（厚さ９５ｎｍ）と、Ｋｒ含有ＩＴＯ（酸化スズ濃度３質量％）からなる第２領域（厚さ５ｎｍ）とを、透明基材側から順に有する。
〔実施例２～５〕
第１および第２スパッタ成膜において、各成膜室内の気圧を０.１Ｐａに代えて０.２Ｐａ（実施例２）、０.４Ｐａ（実施例３）、０.６Ｐａ（実施例４）、または０.８Ｐａ（実施例５）としたこと以外は、実施例１の透明導電性フィルムと同様にして、実施例２～５の各透明導電性フィルムを作製した。
〔実施例６〕
第１スパッタ成膜において、気圧を０.１Ｐａに代えて０.２Ｐａとし、且つ、形成される第１領域の厚さを９５ｎｍに代えて１４２ｎｍとしたこと、および、第２スパッタ成膜において、気圧を０.１Ｐａに代えて０.２Ｐａとし、且つ、形成される第２領域の厚さを５ｎｍに代えて８ｎｍとしたこと以外は、実施例１の透明導電性フィルムと同様にして、実施例６の透明導電性フィルムを作製した。この透明導電性フィルムの光透過性導電層の総厚さは、１５０ｎｍである。
〔実施例７〕
第１スパッタ成膜において、気圧を０.１Ｐａに代えて０.２Ｐａとし、且つ、形成される第１領域の厚さを９５ｎｍに代えて３８ｎｍとしたこと、および、第２スパッタ成膜において、気圧を０.１Ｐａに代えて０.２Ｐａとし、且つ、形成される第２領域の厚さを５ｎｍに代えて２ｎｍとしたこと以外は、実施例１の透明導電性フィルムと同様にして、実施例７の透明導電性フィルムを作製した。この透明導電性フィルムの光透過性導電層の総厚さは、４０ｎｍである。
〔実施例８〕
第２スパッタ成膜において、スパッタリングガスとしてＫｒに代えてＡｒを用いたこと、第２ターゲットに代えて上記の第１ターゲット（酸化スズ濃度１０質量％のＩＴＯ）を用いたこと以外は、実施例２の透明導電性フィルムと同様にして、実施例８の透明導電性フィルムを作製した。
〔実施例９〕
第１および第２スパッタ成膜において、スパッタリングガスとしてＫｒに代えて、ＫｒとＡｒの混合ガス（混合ガスの体積比は、Ｋｒ：Ａｒ＝９５：５）を用いたこと以外は、実施例２の透明導電性フィルムと同様にして、実施例９の透明導電性フィルムを作製した。
〔比較例１〕
第１および第２スパッタ成膜において、各成膜室内の気圧を０.１Ｐａに代えて１.０Ｐａとしたこと以外は、実施例１の透明導電性フィルムと同様にして、比較例１の透明導電性フィルムを作製した。
〔比較例２～４〕
第１および第２スパッタ成膜において、スパッタリングガスとしてＫｒに代えてＡｒを用いたこと以外は、実施例２の透明導電性フィルムと同様にして比較例２の透明導電性フィルムを作製し、実施例５の透明導電性フィルムと同様にして比較例３の透明導電性フィルムを作製し、比較例１の透明導電性フィルムと同様にして比較例４の透明導電性フィルムを作製した。
〈光透過性導電層の厚さ〉
実施例１～９および比較例１～４における各光透過性導電層の厚さを、ＦＥ－ＴＥＭ観察により測定した。具体的には、まず、ＦＩＢマイクロサンプリング法により、実施例１～９および比較例１～４における各光透過性導電層の断面観察用サンプルを作製した。ＦＩＢマイクロサンプリング法では、ＦＩＢ装置（商品名「ＦＢ２２００」，Ｈｉｔａｃｈｉ製）を使用し、加速電圧を１０ｋＶとした。次に、断面観察用サンプルにおける光透過性導電層の厚さを、ＦＥ－ＴＥＭ観察によって測定した。ＦＥ－ＴＥＭ観察では、ＦＥ－ＴＥＭ装置（商品名「ＪＥＭ－２８００」，ＪＥＯＬ製）を使用し、加速電圧を２００ｋＶとした。
また、各光透過性導電層の第１領域の厚さは、当該第１領域の上に第２領域を形成する前の中間作製物から断面観察用サンプルを作製し、当該サンプルのＦＥ－ＴＥＭ観察により測定した。各光透過性導電層の第２領域の厚さは、光透過性導電層の総合厚から第１領域の厚さを差し引いて求めた。
〈表面抵抗および比抵抗〉
実施例１～９および比較例１～４における各光透過性導電層について、熱風オーブン内での加熱処理の後の比抵抗を調べた。加熱処理において、加熱温度は１５５℃とし、加熱時間は１時間とした。ＪＩＳ Ｋ ７１９４（１９９４年）に準拠した四端子法により、光透過性導電層の表面抵抗（表面抵抗Ｒ１）を測定した後、表面抵抗値と光透過性導電層の総厚さとを乗じることにより、比抵抗（比抵抗Ｒ２）を求めた。各光透過性導電層の表面抵抗Ｒ１（Ω／□）および比抵抗Ｒ２（Ω・ｃｍ）の値を、表１に掲げる（比較例１における光透過性導電層については、多数のクラックが発生しているために正確な抵抗値を求められなかった）。
〈クラックの抑制の評価〉
実施例１～９および比較例１～４の各透明導電性フィルムについて、加熱処理を経た場合に光透過性導電層にクラックが発生する程度を調べた。具体的には、まず、長辺５０ｃｍ×短辺５ｃｍのサイズの透明導電性フィルムを３枚用意し、各フィルムの両短辺を、耐熱テープによって鉄板表面に固定した。次に、熱風オーブン内で鉄板上の各透明導電性フィルムを加熱処理した。加熱処理において、加熱温度は１４０℃とし、加熱時間は１時間とした。次に、加熱処理を経た透明導電性フィルムを５ｃｍ×５ｃｍのサイズに細分化し、３０枚の観察用のサンプルを得た。次に、サンプルごとに、光学顕微鏡によって観察してクラックの有無を調べた。そして、透明導電性フィルムにおけるクラックの発生の抑制に関し、光透過性導電層にクラックが確認されたサンプルの数が、１５枚以下である場合を“○”と評価し、１６～２５枚である場合を“△”と評価し、２６枚以上である場合を“×”と評価した。加熱処理における加熱温度を１４０℃に代えて１５５℃または１６５℃としたこと以外は、以上の操作および評価と同様の操作および評価を実施した。これら評価結果を表１に掲げる。
〈光透過性導電層内のＫｒ原子の確認〉
実施例１～９および比較例１～４における各光透過性導電層がＫｒ原子およびＡｒ原子を含有することは、次のようにして確認した。まず、走査型蛍光Ｘ線分析装置（商品名「ＺＳＸ ＰｒｉｍｕｓＩＶ」，リガク社製）を使用して、下記の測定条件にて蛍光Ｘ線分析測定を５回繰り返し、各走査角度の平均値を算出し、Ｘ線スペクトルを作成した。作成されたＸ線スペクトルにおいて、走査角度２８.２°近傍にピークが出ていることを確認することにより、光透過性導電層にＫｒ原子が含有されることを確認した。
＜測定条件＞
スペクトル；Ｋｒ－ＫＡ
測定径：３０ｍｍ
雰囲気：真空
ターゲット：Ｒｈ
管電圧：５０ｋＶ
管電流：６０ｍＡ
１次フィルタ：Ｎｉ４０
走査角度(deg)：２７.０～２９.５
ステップ(deg)：０.０２０
速度(deg/分)：０.７５
アッテネータ：１／１
スリット：Ｓ２
分光結晶：ＬｉＦ（２００）
検出器：ＳＣ
ＰＨＡ：１００－３００
Figure 0007451505000001
本発明によって製造される透明導電性フィルムは、例えば、液晶ディスプレイ、タッチパネル、および光センサなどの各種デバイスにおける透明電極をパターン形成するための導体膜の供給材として用いることができる。
Ｘ 透明導電性フィルム
Ｄ 厚さ方向
１０ 透明基材
１１ 透明樹脂フィルム
１２ 機能層
２０ 光透過性導電層
２１ 第１領域
２２ 第２領域

Claims (6)

  1. 透明基材を用意する用意工程と、
    前記透明基材上に、スパッタリング法により光透過性導電材料を成膜して、比抵抗４.５×１０ －４ Ω・ｃｍ以上１２×１０ －４ Ω・ｃｍ以下の非晶質の光透過性導電層を形成する成膜工程と、を含み、
    前記成膜工程の前記スパッタリング法では、アルゴンより原子番号が大きな希ガスを含むスパッタリングガスと、反応性ガスとを用い、反応性ガス割合が１５流量％以下で且つ成膜気圧が０.０４Ｐａ以上０.９Ｐａ以下の条件で、前記光透過性導電材料を成膜する、透明導電性フィルムの製造方法。
  2. 前記希ガスが、クリプトンおよび／またはキセノンである、請求項１に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
  3. 前記スパッタリングガスにおけるクリプトンの含有割合が、５０体積％以上である、請求項１または２に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
  4. 前記光透過性導電層が、１５５℃で１時間の加熱処理の後に２.２×１０－４Ω・ｃｍ以下の比抵抗を有する、請求項１から３のいずれか一つに記載の透明導電性フィルムの製造方法。
  5. 前記光透過性導電層を加熱して結晶化させる工程を更に含む、請求項１から４のいずれか一つに記載の透明導電性フィルムの製造方法。
  6. 前記光透過性導電層をパターニングする工程を更に含む、請求項１から５のいずれか一つに記載の透明導電性フィルムの製造方法。
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