JP6372745B2 - 電子部品を作製するために用いられる積層体、フィルムセンサおよびフィルムセンサを備えるタッチパネル装置 - Google Patents

Description

本発明は、フィルムセンサなどの電子部品を作製するために用いられる積層体に関する。また本発明は、フィルムセンサおよびフィルムセンサを備えるタッチパネル装置に関する。

今日、入力手段として、タッチパネル装置が広く用いられている。タッチパネル装置は、フィルムセンサ（タッチパネルセンサ）、フィルムセンサ上への接触位置を検出する制御回路、配線およびＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）を含んでいる。タッチパネル装置は、多くの場合、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の表示装置が組み込まれた種々の装置等（例えば、券売機、ＡＴＭ装置、携帯電話、ゲーム機）に対する入力手段として、表示装置とともに用いられている。このような装置においては、フィルムセンサが表示装置の表示面上に配置されており、これによって、表示装置に対する極めて直接的な入力が可能になっている。フィルムセンサのうち表示装置の表示領域に対面する領域は透明になっており、フィルムセンサのこの領域が、接触位置（接近位置）を検出し得るアクティブエリアを構成するようになる。

フィルムセンサなどの電子部品は一般に、光学的な特性を実現するための層や、電気的な特性を実現するための層など、複数の層から構成されている。このような電子部品を作製するための方法として、基材フィルムおよび透明導電層や、金属を含む遮光導電層などの複数の層を含む積層体をはじめに準備し、次に、この積層体の任意の層をフォトリソグラフィー法などによってパターニングするという方法が知られている。

積層体を製造する方法の１つとして、はじめに基材フィルムを準備し、次に、スパッタリング法やＥＢ蒸着法などの物理蒸着成膜法を用いて、基材フィルム上に透明導電層や遮光導電層を積層していく、という方法が知られている。例えば特許文献１において、基材フィルムの一方の側に、クッション層、機能層、透明導電層がこの順序で設けられた積層体を作製し、この積層体を用いて抵抗膜方式のタッチパネルセンサを製造することが開示されている。

特開２０１２−９１４０６号公報

近年、タッチパネルセンサなどの電子部品に求められる特性が益々高度なものとなっている。このため、電子部品の構造が複雑化しており、これに伴って、電子部品を作製するために用いられる積層体の層構成も複雑化している。電子部品の構造や積層体の層構成が複雑化することは、これに伴って製造工程が複雑化することを意味しており、この結果、製造工程において積層体の最表面を構成する層が損傷されてしまう機会が多くなることが考えられる。例えば、ローラーを用いて積層体を搬送する際に、ローラーと積層体との間に何らかの異物が挟まり、この結果、積層体の表面に、異物に起因した圧痕が形成されてしまうことがある。このような圧痕が形成されることを防ぐため、積層体には、積層体の表面に圧痕を残すことなく異物からの圧力を吸収できるような、適切な硬度を有する層が、基材フィルムの表面に設けられていることが好ましい。

一方、上述の特許文献１に開示されているような、抵抗膜方式のタッチパネルセンサを製造するために用いられる積層体は、一般に、圧痕の形成を防ぐことができる程度の適切な硬度を有するよう設計されたものではなかった。なぜなら、抵抗膜方式のタッチパネルセンサは、ペンや指から印加される圧力に基づいて接触位置を検出するものであり、従って、基材フィルムと透明導電層との間で基材フィルムの表面に設けられる層には、ある程度の柔軟性が求められるからである。例えば特許文献１には、積層体から透明導電層を剥離した場合の、機能層表面におけるマルテンス硬さが、１００Ｎ／ｍｍ^２以下であることが開示されている。

ところで近年は、光学的に明るいこと、意匠性があること、構造が容易であること、機能的にも優れていること等の理由から、容量結合方式のタッチパネルセンサが注目されている。容量結合方式のタッチパネルセンサは、外部導体が接触または接近することに起因して奇生容量が発生することを利用して接触位置を検出するものである。従って、容量結合方式のタッチパネルセンサには、抵抗膜方式のタッチパネルセンサの場合のような柔軟性は必要とされない。しかしながら、先に抵抗膜方式のタッチパネルセンサが普及し、それに遅れて容量結合方式のタッチパネルセンサが普及したという歴史的な経緯のため、容量結合方式のタッチパネルセンサを製造するための積層体として、従来、抵抗膜方式のタッチパネルセンサを製造するための積層体と同一または類似のものが主に用いられてきた。この場合、容量結合方式のタッチパネルセンサでは特に求められない特性である、積層体の内層の柔軟性のために、積層体の表面に圧痕が形成され易くなっていると言える。

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、圧痕の形成を防ぐことができるよう構成された積層体を提供することを目的とする。また本発明は、当該積層体をパターニングすることにより得られるフィルムセンサ、および当該フィルムセンサを備えるタッチパネル装置を提供することを目的とする。

本発明は、一方の側の面および他方の側の面を有する、タッチパネル用のフィルムセンサを作製するために用いられる積層体であって、基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側の面上に設けられた第１ハードコート層と、前記第１ハードコート層の一方の側の面上に設けられた第１表面層と、を備え、前記第１表面層の厚みは、１μｍよりも小さく、前記第１表面層の厚みおよび前記第１ハードコート層の厚みの合計は、１μｍよりも大きく、前記積層体の一方の側から前記積層体にビッカース圧子を押し込むことにより測定されるマルテンス硬さが、前記ビッカース圧子の最大押し込み量が１μｍである場合に２７０Ｎ／ｍｍ^２以上になっている、積層体である。

本発明による積層体において、前記第１表面層は、前記第１ハードコート層上に設けられた第１インデックスマッチング層を含んでいてもよい。この場合、前記第１表面層は、前記第１インデックスマッチング層の一方の側に設けられ、透光性および導電性を有する第１透明導電層をさらに含んでいてもよい。また、前記第１表面層は、前記第１インデックスマッチング層と前記第１透明導電層との間に設けられ、酸化珪素から構成された第１酸化珪素層をさらに含んでいてもよい。また、前記第１表面層は、前記第１透明導電層の一方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第１遮光導電層をさらに含んでいてもよい。

本発明による積層体において、前記第１表面層は、前記第１ハードコート層上に設けられ、酸化珪素から構成された第１酸化珪素層をさらに含んでいてもよい。この場合、前記第１表面層は、前記第１酸化珪素層の一方の側に設けられ、透光性および導電性を有する第１透明導電層をさらに含んでいてもよい。また、前記第１表面層は、前記第１透明導電層の一方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第１遮光導電層をさらに含んでいてもよい。

本発明による積層体において、好ましくは、前記第１ハードコート層の厚みは、０．８μｍ〜７．０μｍの範囲内になっている。

本発明による積層体において、前記第１表面層は、透光性および導電性を有する第１透明導電層を少なくとも含んでいてもよい。この場合、前記第１表面層は、前記第１透明導電層の一方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第１遮光導電層をさらに含んでいてもよい。

本発明による積層体は、前記基材フィルムの他方の側の面上に設けられた第２ハードコート層と、前記第２ハードコート層の他方の側の面上に設けられた第２表面層と、をさらに備えていてもよい。この場合、前記第２表面層の厚みは、１μｍよりも小さく、前記第２表面層の厚みおよび前記第２ハードコート層の厚みの合計は、１μｍよりも大きく、前記積層体の他方の側から前記積層体にビッカース圧子を押し込むことにより測定されるマルテンス硬さが、前記ビッカース圧子の最大押し込み量が１μｍである場合に２７０Ｎ／ｍｍ^２以上になっていてもよい。

本発明は、基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側の面上に設けられた第１ハードコート層と、第１ハードコート層の一方の側に所定のパターンで設けられ、透光性および導電性を有する第１透明導電パターンと、第１透明導電パターン上に所定のパターンで設けられ、遮光性および導電性を有する第１取出パターンと、を備え、前記第１透明導電パターンおよび前記取出パターンは、上記記載の積層体の前記第１透明導電層および前記第１遮光導電層をパターニングすることにより得られたものである、フィルムセンサである。

本発明は、フィルムセンサと、前記フィルムセンサ上への接触位置を検出する制御回路と、を含むタッチパネル装置であって、前記フィルムセンサが、上記記載のフィルムセンサを備える、タッチパネル装置である。

本発明によれば、積層体は、積層体の一方の側から積層体にビッカース圧子を押し込むことにより測定されるマルテンス硬さが、ビッカース圧子の最大押し込み量が１μｍである場合に２７０Ｎ／ｍｍ^２以上になるよう構成されている。このため、製造工程において積層体の表面に圧痕が形成されることを抑制することができる。

図１は、本発明の実施の形態における積層体製造装置を示す図。 図２は、図１に示す積層体製造装置の成膜装置を示す図。 図３は、図１に示す積層体製造装置の巻取装置を示す図。 図４は、本発明の実施の形態における積層体を示す断面図。 図５は、図４に示す積層体の変形例を示す断面図。 図６（ａ）（ｂ）は、積層体のマルテンス硬さを測定する方法を説明するための図。 図７は、ビッカース圧子の最大押し込み量が１μｍである場合のマルテンス硬さを算出する方法の一例を示す図。 図８は、図５に示す積層体をパターニングすることにより得られるフィルムセンサを示す平面図。 図９は、図８に示すフィルムセンサの線IX−IXに沿った断面図。 図１０は、積層体の一変形例を示す断面図。 図１１は、積層体の一変形例を示す断面図。 図１２は、積層体の一変形例を示す断面図。 図１３は、積層体の一変形例を示す断面図。 図１４は、積層体の一変形例を示す断面図。 図１５は、積層体の一変形例を示す断面図。 図１６は、積層体の一変形例を示す断面図。 図１７は、積層体の一変形例を示す断面図。 図１８は、積層体の一変形例を示す断面図。 図１９は、積層体の一変形例を示す断面図。 図２０（ａ）（ｂ）は、サンプルＡ１の積層体の表面に形成された圧痕を示す図。 図２１は、実施例の各サンプルにおけるマルテンス硬さおよび圧痕の密度の評価結果を示す図。

以下、図１乃至図７を参照して、本発明の実施の形態について説明する。はじめに図４を参照して、本実施の形態において製造される積層体１について説明する。

積層体
図４は、積層体１を示す断面図である。図４に示すように、積層体１は、基材フィルム２と、基材フィルム２の一方の側の面２ａ上に設けられた第１ハードコート層３ａと、第１ハードコート層３ａの一方の側の面上に設けられた第１表面層１２ａと、を備えている。以下、基材フィルム２、第１ハードコート層３ａおよび第１表面層１２ａについてそれぞれ説明する。

（基材フィルム）
基材フィルム２としては、十分な透光性を有するフィルムが用いられる。基材フィルム２を構成する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、環状オレフィン・コポリマー（ＣＯＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、（ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などが挙げられる。基材フィルム２の厚みは、例えば２５μｍ〜２００μｍの範囲内となっている。

（ハードコート層）
第１ハードコート層３ａは、擦り傷を防止するという目的や、層間の界面に低分子重合体（オリゴマー）が析出して白く濁ってみえることを防ぐという目的のために設けられる層である。第１ハードコート層３ａとしては、例えばアクリル樹脂などが用いられる。なお図４に示すように、第１ハードコート層３ａと同一の材料から構成された第２ハードコート層３ｂが、基材フィルム２の他方の面２ｂ上にさらに設けられていてもよい。

（表面層）
本実施の形態において、「表面層」とは、ハードコート層３ａ，３ｂよりも外側に設けられた層を一括して称するために用いられる用語である。例えば図４に示す例においては、第１ハードコート層３ａよりも外側にある複数の層、すなわち第１ハードコート層３ａの一方の側に設けられた複数の層が、一括して第１表面層１２ａと称される。また後述する図５に示すように、第２ハードコート層３ｂよりも外側、すなわち第２ハードコート層３ｂの他方の側にも複数の層が設けられる場合、それらの層は一括して第２表面層１２ｂと称される。

第１表面層１２ａは、図４に示すように、第１ハードコート層３ａの一方の側の面上に設けられた第１インデックスマッチング層１１ａと、第１インデックスマッチング層１１ａの一方の側の面上に設けられた第１酸化珪素層６ａと、第１酸化珪素層６ａの一方の側の面上に設けられた第１透明導電層７ａと、第１透明導電層７ａの一方の側の面上に設けられた第１遮光導電層８ａと、を含んでいる。以下、各層１１ａ，６ａ，７ａ，８ａについて説明する。

〔インデックスマッチング層〕
第１インデックスマッチング層１１ａは、反射率や透過率などの、積層体１の光学的な特性を調整するために設けられる層である。例えば後述するように積層体１の第１透明導電層７ａがパターニングされてフィルムセンサの透明導電パターンとなる場合に、第１インデックスマッチング層１１ａは、透明導電パターンが設けられている領域と設けられていない領域との間の光の透過率および反射率の差を小さくするよう機能する。積層体１の光学的な特性を調整することができる限りにおいて、第１インデックスマッチング層１１ａの具体的な構成は特には限られないが、例えば第１インデックスマッチング層１１ａは、第１高屈折率層４ａと、第１高屈折率層４ａの一方の側に設けられた第１低屈折率層５ａと、を含んでいる。また、第１インデックスマッチング層１１ａの厚みは例えば１００ｎｍとなっている。

第１高屈折率層４ａは、第１インデックスマッチング層１１ａの他方の側すなわち基材フィルム２側で第１インデックスマッチング層１１ａに接する層を構成する材料よりも高い屈折率を有する材料から構成される層である。本実施の形態においては、第１高屈折率層４ａは、第１ハードコート層３ａを構成する材料よりも高い屈折率を有する材料から構成される層である。第１高屈折率層４ａの材料としては、例えば酸化ニオブや酸化ジルコニウムなどの高屈折率材料が用いられる。高屈折率材料を用いて第１高屈折率層４ａを構成する具体的な方法が特に限られることはない。例えば第１高屈折率層４ａは、高屈折率材料単体によって構成される膜であってもよく、若しくは、有機樹脂と、有機樹脂内に分散された高屈折率材料の粒子と、から構成されていてもよい。有機樹脂を用いることは、第１高屈折率層４ａの生産効率を高める上で有効である。

第１低屈折率層５ａは、第１インデックスマッチング層１１ａの他方の側すなわち基材フィルム２側で第１インデックスマッチング層１１ａに接する層を構成する材料よりも低い屈折率を有する材料から構成される層である。本実施の形態においては、第１低屈折率層５ａは、第１ハードコート層３ａを構成する材料よりも低い屈折率を有する材料から構成される層である。第１低屈折率層５ａの材料としては、例えば酸化珪素やＭｇＦ（フッ化マグネシウム）などの低屈折率材料が用いられる。低屈折率材料を用いて第１低屈折率層５ａを構成する具体的な方法が特に限られることはない。例えば第１低屈折率層５ａは、低屈折率材料単体によって構成される膜であってもよく、若しくは、有機樹脂と、有機樹脂内に分散された低屈折率材料の粒子と、から構成されていてもよい。例えば、有機樹脂および低屈折率材料の粒子を含む塗布液を、コーターを用いてコーティングすることによって、第１低屈折率層５ａを形成することができ、生産効率を高めることができる。

〔酸化珪素層〕
第１酸化珪素層６ａは、酸化珪素の膜として形成される層である。第１酸化珪素層６ａに含まれる酸化珪素の組成が特に限られることはなく、ＳｉＯ_ｘ（ｘは任意の数）の組成を有する様々な酸化珪素が用いられるが、例えばｘ＝１．８となっている。第１酸化珪素層６ａの厚みは、例えば５ｎｍとなっている。

第１酸化珪素層６ａは、スパッタリング法や真空蒸着法などの物理的気相成長法によって形成される。このため、第１酸化珪素層６ａの表面粗さは、コーティングによって形成される場合の第１低屈折率層５ａの表面粗さよりも小さくなっている。従って、このような第１酸化珪素層６ａを第１低屈折率層５ａと第１透明導電層７ａとの間に設けることにより、第１透明導電層７ａを安定に保持することができる。

第１酸化珪素層６ａを構成する酸化珪素の屈折率は、アクリル樹脂などから構成される第１ハードコート層３ａの屈折率よりも低い。すなわち、第１酸化珪素層６ａの屈折率は、第１低屈折率層５ａと同様に、第１ハードコート層３ａよりも低くなっている。この場合、第１低屈折率層５ａの屈折率と第１酸化珪素層６ａの屈折率との間の差を十分に小さくすることにより、第１低屈折率層５ａおよび第１酸化珪素層６ａが、第１ハードコート層３ａよりも低い屈折率を有する層として光学的に一体的に機能することができる。

なお本実施の形態においては、第１表面層１２ａが上述の第１高屈折率層４ａ、第１低屈折率層５ａおよび第１酸化珪素層６ａを含む例について説明するが、しかしながら、第１高屈折率層４ａ、第１低屈折率層５ａおよび第１酸化珪素層６ａは必ずしも設けられていなくてもよい。従って、第１ハードコート層３ａの一方の側の面に直接的に接するよう第１透明導電層７ａが設けられることもある。また本実施の形態においては、第１透明導電層７ａの一方の側に第１遮光導電層８ａが設けられる例について説明するが、これに限られることはなく、第１透明導電層７ａの一方の側に第１遮光導電層８ａが設けられていなくてもよい。

〔透明導電層〕
第１透明導電層７ａを構成する材料としては、導電性を有しながら透光性を示す材料が用いられ、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの金属酸化物が用いられる。第１透明導電層７ａの厚みは、例えば２０ｎｍとなっている。

〔遮光導電層〕
第１遮光導電層８ａは、後述するように、タッチパネルなどの電子部品において、信号を外部に取り出すための取出パターンや電極を形成するために用いられる層である。すなわち、第１遮光導電層８ａは、いわゆる配線材料や電極材料として用いられる層である。従って、第１遮光導電層８ａを構成する材料としては、高い導電性および遮光性を有する金属材料が用いられる。具体的には、銀を主成分とするとともに銅およびパラジウムを含む、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ系の銀合金、いわゆるＡＰＣ合金が用いられる。第１遮光導電層８ａの厚みは、例えば１００〜２５０ｎｍの範囲内となっており、より具体的には１５０ｎｍとなっている。

ところで上述のように、積層体１の製造工程または積層体１を用いた電子部品の製造工程においては、積層体１の表面が何らかの異物によって押圧されることがある。この場合、積層体１の表面には、異物からの押圧力や、積層体１の力学的特性に応じて、異物の形状に応じた変形が生じる。このときの変形の程度が、積層体１の第１表面層１２ａにおける塑性変形領域に到達している場合、積層体１の第１表面層１２ａの表面に圧痕が形成されてしまうことになる。

ここで、どのような場合に、変形の程度が第１表面層１２ａにおける塑性変形領域に到達するかという点について検討する。上述のように、第１表面層１２ａを構成する層の数は数層程度であり、また、各層の厚みは最大でも百数十ｎｍ程度である。従って、第１表面層１２ａ全体の厚みは、最大でも１μｍよりも小さく、通常は０．５μｍよりも小さくなっている。この場合、第１表面層１２ａ全体の厚みに匹敵する、若しくは第１表面層１２ａ全体の厚みを超える寸法を有する異物によって積層体１の表面が押圧されると、積層体１の表面が異物の形状に応じて変形して塑性変形領域に到達することが考えられる。例えば、数μｍ程度の異物が積層体１の表面とローラーとの間に挟まると、積層体１の表面に圧痕が形成され易いと考えられる。また、このような微小な異物を、異物が積層体１に接触するよりも前に検出したり除去したりすることは一般に困難である。従って、積層体１の表面に圧痕が形成されることを防ぐためには、数μｍ程度の異物によって積層体１の表面が押圧された場合であっても第１表面層１２ａの変形が塑性変形領域に到達しないよう、積層体１を構成することが重要になる。

ここで本件発明者は、上述の第１ハードコート層３ａに着目した。上述のように、第１ハードコート層３ａは元々、基材フィルム２に擦り傷を防止することや、低分子重合体（オリゴマー）が析出して白く濁ってみえることを防止することのために設けられている層である。本件発明者は、以下に説明するように、この第１ハードコート層３ａの厚みなどを適切に調整することによって、表面に圧痕が形成されることを抑制することができる積層体１を実現した。

本実施の形態において、第１ハードコート層３ａは、第１表面層１２ａの厚みおよび第１ハードコート層３ａの厚みの合計が１μｍよりも大きくなるよう設計されている。例えば第１ハードコート層３ａの厚みは、０．８μｍ〜７．０μｍの範囲内になっている。第１ハードコート層３ａの厚みを０．８μｍ以上とすることにより、積層体１の一方の側の表面１ａに圧痕が形成されることを効果的に抑制することができる。また、第１ハードコート層３ａの厚みを７．０μｍ以下とすることにより、積層体１が巻き取られるときなどに第１ハードコート層３ａにクラックが発生してしまうことを抑制することができる。一方、上述のように、第１表面層１２ａ全体の厚みは、最大でも１μｍよりも小さく、通常は０．５μｍよりも小さくなっている。また第１ハードコート層３ａは、アクリル樹脂などの合成樹脂から構成されており、このため第１ハードコート層３ａの硬度は、第１表面層１２ａ全体の硬度よりも一般に低い。この場合、数μｍ程度の異物、例えば１μｍの異物によって積層体１の表面が押圧された場合の、積層体１の変形の程度は、主に第１ハードコート層３ａの特性に応じて決定されることになる。

ここで本件発明者は、鋭意研究を重ねることにより、後述する実施例によって支持されるように、積層体１の一方の側から積層体１にビッカース圧子を押し込むことにより測定されるマルテンス硬さが、ビッカース圧子の最大押し込み量が１μｍである場合に２７０Ｎ／ｍｍ^２以上になるよう、第１ハードコート層３ａを設計することにより、積層体１の表面に圧痕が形成されることを効果的に抑制できることを発見した。なお、積層体１の一方の表面１ａから１μｍの位置には第１ハードコート層３ａが存在しているので、ビッカース圧子の最大押し込み量が１μｍである場合のマルテンス硬さは、主に第１ハードコート層３ａの硬度によって決定される。このようなマルテンス硬さを有する積層体１においては、数μｍ程度の異物によって積層体１の一方の側の表面１ａが押圧された場合であっても、第１表面層１２ａの変形が塑性変形領域に到達することを第１ハードコート層３ａによって抑制することができる。このことにより、積層体１の一方の側の表面１ａに圧痕が形成されることを抑制することができる。すなわち本実施の形態によれば、従来から設けられている第１ハードコート層３ａを利用することにより、圧痕の形成を抑制することができる。このため、積層体１の層数や作製コストは従来とほぼ同一のままで、積層体１や積層体１から得られる電子部品の歩留りを向上させることができる。

以下、積層体１のマルテンス硬さを測定する方法の一例について、図６（ａ）（ｂ）および図７を参照して説明する。

まず図６（ａ）に示すように、基材フィルム２と、基材フィルム２の一方の側の面上に設けられた第１ハードコート層３ａと、第１ハードコート層３ａの一方の側の面上に設けられた第１表面層１２ａと、を備える積層体１を準備する。また、積層体１の一方の側の表面１ａに対して押し込むためのビッカース圧子７０を準備する。

次に図６（ｂ）に示すように、積層体１の一方の側の表面１ａにビッカース圧子７０を押し込む。この際、ビッカース圧子７０の最大押し込み量ｈを１μｍにするのに要した荷重Ｆを測定することにより、積層体１の表面１ａのマルテンス硬度を算出することができる。例えば、マルテンス硬さＨＭは以下の式によって算出される。
Ｆは、ビッカース圧子に負荷した試験力（荷重、単位はＮ）であり、ｈは、積層体１の一方の側の表面１ａに対してビッカース圧子が押し込まれた深さ（押し込み量、単位はｍｍ）である。

なお、ビッカース圧子７０の最大押し込み量が１μｍである場合の積層体１のマルテンス硬さを算出する方法として、試験の際のビッカース圧子７０の最大押し込み量を実際に１μｍにする例を説明したが、これに限られることはない。例えば図７に示すように、ビッカース圧子７０の最大押し込み量を様々に変化させて積層体１のマルテンス硬さを測定し、その結果に基づいて、ビッカース圧子７０の最大押し込み量が１μｍである場合の積層体１のマルテンス硬さＨＭ（１）を推測してもよい。

なお図５に示すように、積層体１は、第２ハードコート層３ｂの他方の側の面上に設けられた第２表面層１２ｂをさらに備えていてもよい。第２表面層１２ｂは、第１表面層１２ａと同様に、第２ハードコート層３ｂの他方の側の面上に設けられた第２インデックスマッチング層１１ｂと、第２インデックスマッチング層１１ｂの他方の側の面上に設けられた第２酸化珪素層６ｂと、第２酸化珪素層６ｂの他方の側の面上に設けられた第２透明導電層７ｂと、第２透明導電層７ｂの他方の側の面上に設けられた第２遮光導電層８ｂと、を含んでいる。第２インデックスマッチング層１１ｂは、第１インデックスマッチング層１１ａと同様に、第２高屈折率層４ｂと、第２高屈折率層４ｂの他方の側に設けられた第２低屈折率層５ｂと、を含んでいる。第２高屈折率層４ｂ、第２低屈折率層５ｂ、第２酸化珪素層６ｂ、第２透明導電層７ｂおよび第２遮光導電層８ｂを構成する材料は、第１高屈折率層４ａ、第１低屈折率層５ａ、第１酸化珪素層６ａ、第１透明導電層７ａおよび第１遮光導電層８ａを構成する材料と同一であるので、詳細な説明を省略する。

図５に示す例において、第２表面層１２ｂの厚みは、第１表面層１２ａの場合と同様に、１μｍよりも小さくなっている。また第２ハードコート層３ｂは、第２表面層１２ｂの厚みおよび第２ハードコート層３ｂの厚みの合計が１μｍよりも大きくなるよう設計されている。例えば第２ハードコート層３ｂの厚みは、０．８μｍ〜７．０μｍの範囲内になっている。また第２ハードコート層３ｂは、積層体１の他方の側から積層体１にビッカース圧子を押し込むことにより測定されるマルテンス硬さが、ビッカース圧子の最大押し込み量が１μｍである場合に２７０Ｎ／ｍｍ^２以上になるよう、設計されている。このため、異物によって積層体１の他方の側の表面１ｂが押圧された場合であっても、第２表面層１２ｂの変形が塑性変形領域に到達することを第２ハードコート層３ｂによって抑制することができる。このことにより、積層体１の他方の側の表面１ｂに圧痕が形成されることを抑制することができる。

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用および効果について説明する。ここでは、はじめに、積層体製造装置１５を用いて積層体１を製造する方法の一例について、図１乃至図３を参照して説明する。次に、積層体１をパターニングすることにより得られるフィルムセンサ６０について、図８および図９を参照して説明する。

積層体の製造方法
はじめに基材フィルム２を準備する。次に、アクリル樹脂を含む塗布液を、コーターを用いて基材フィルム２の両側にコーティングする。これによって、基材フィルム２の両側にハードコート層３ａ，３ｂが形成される。次に、有機樹脂および有機樹脂内に分散された高屈折率材料の粒子、例えば酸化ジルコニウムの粒子を含む塗布液を、コーターを用いて第１ハードコート層３ａの一方の側の面上にコーティングする。これによって、第１ハードコート層３ａ上に第１高屈折率層４ａが形成される。その後、有機樹脂および有機樹脂内に分散された低屈折率材料の粒子、例えば酸化珪素の粒子を含む塗布液を、コーターを用いて第１高屈折率層４ａの一方の側の面上にコーティングする。これによって、第１高屈折率層４ａ上に第１低屈折率層５ａが形成される。その後、スパッタリング法などの真空成膜法を用いて、第１低屈折率層５ａ上に第１酸化珪素層６ａを形成する。同様に、スパッタリング法などの真空成膜法を用いて、第１酸化珪素層６ａ上に第１透明導電層７ａを形成する。なお、このようにして得られた、基材フィルム２、ハードコート層３ａ，３ｂ、第１高屈折率層４ａ、第１低屈折率層５ａ、第１酸化珪素層６ａおよび第１透明導電層７ａを含む積層体を、中間積層体１０（図４参照）と称することもある。

次に図１に示すように、巻出装置２０において、中間積層体１０が巻回されたシャフト２１を準備し、次に、成膜装置３０に向けて中間積層体１０を巻き出す。

次に、成膜装置３０を用いて、中間積層体１０の一方の側に第１遮光導電層８ａを設ける成膜工程を実施する。成膜工程においては、はじめに排気手段３１ａによって第１領域３１の内部の気体を外部に排出し、これによって、第１領域３１内を真空状態とする。この際、第２領域３３および第３領域３５も、排気手段３３ａおよび排気手段３５ａを用いることによって真空状態とされる。次に、不活性ガス供給装置（図示せず）によって第１領域３１内にアルゴンなどの不活性ガスを導入し、その後、放電装置によってターゲット３２ａに放電電力を印加する。これによって生じるスパッタリング現象によって、ターゲット３２ａを構成するＡＰＣ合金からなる第１遮光導電層８ａを、中間積層体１０の第１透明導電層７ａ上に設けることができる。なお、スパッタリングの際の放電電力や放電時間、不活性ガスの分圧などの条件は、所望の膜厚や搬送ドラム３８の回転速度などに応じて適宜設定される。

その後、巻取装置５０において、中間積層体１０と、中間積層体１０上に形成された第１遮光導電層８ａと、を含む積層体１が、シャフト５１によって巻き取られる。これによって、積層体１の巻回体が得られる。

ところで図２および図３に示すように、成膜装置３０において成膜された第１遮光導電層８ａの表面は、積層体１がシャフト５１によって巻き取られるまでの間に、ガイドローラー３９，５９に接触する。この場合、積層体１とガイドローラー３９，５９との間に異物が挟まっていると、積層体１の表面１ａ、すなわち第１遮光導電層８ａの表面が異物によって押圧される。ここで本実施の形態によれば、第１表面層１２ａの厚みおよび第１ハードコート層３ａの厚みの合計は、１μｍよりも大きく、なっており、かつ、積層体１の一方の側から積層体１にビッカース圧子７０を押し込むことにより測定されるマルテンス硬さが、ビッカース圧子７０の最大押し込み量が１μｍである場合に２７０Ｎ／ｍｍ^２以上になっている。このため、第１表面層１２ａの変形が塑性変形領域に到達することを第１ハードコート層３ａによって抑制することができる。このことにより、積層体１の一方の側の表面１ａに圧痕が形成されることを抑制することができる。

なお、上述のようにして得られた積層体１の他方の側に、上述の第２表面層１２ｂをさらに設け、これによって、図５に示す積層体１を製造してもよい。この場合、既に第１遮光導電層８ａが形成されている積層体の表裏を反転させた上で当該積層体を再び積層体製造装置１５に搬入し、これによって第２遮光導電層８ｂを形成してもよい。この場合、既に形成されている第１遮光導電層８ａは、製造工程の間に、搬送ドラム３８、ガイドローラー５９やニアローラー５３に接触することになる。従って、図５に示す積層体１を製造する工程においては、図４に示す積層体１を製造する工程の場合に比べて、第１遮光導電層８ａの表面が異物によって押圧される機会が増大する。この場合であっても、本実施の形態によれば、第１ハードコート層３ａの厚みなどを適切に調整することにより、第１遮光導電層８ａの表面に圧痕が形成されることを抑制することができる。なおニアローラー５３とは、シャフト５１に巻き取られている積層体１の最外面と、ニアローラー５３のうちシャフト５１に対向する面との間の距離が、積層体１の厚みよりもわずかに大きくなるよう移動可能に構成されたローラーのことである。

タッチパネルセンサの製造方法
次に、積層体１の用途の一例として、積層体１をパターニングすることにより得られるフィルムセンサ（タッチパネルセンサ）６０について説明する。フィルムセンサ６０は、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルなどの表示パネルの観察者側に設けられ、人体などの被検出体の接触位置を検出するための透明導電パターンなどを含むセンサである。フィルムセンサ６０としては、被検出体からの圧力に基づいてタッチ箇所を検出する抵抗膜方式のフィルムセンサや、人体などの被検出体からの静電気に基づいてタッチ箇所を検出する静電容量方式のフィルムセンサなど様々なタイプのものが知られているが、ここでは、積層体１をパターニングすることによって静電容量方式のフィルムセンサ６０を形成する例について、図８および図９を参照して説明する。図８は、フィルムセンサ６０を示す平面図であり、図９は、図８に示すフィルムセンサ６０の線IX−IXに沿った断面図である。なお図８および図９においては、図５に示す、第１表面層１２ａおよび第２表面層１２ｂを備える積層体１を用いることにより、フィルムセンサ６０が作製されている。

図８に示すように、フィルムセンサ６０は、指などの外部導体の接近に起因する静電容量の変化を検出するための透明導電パターン６２ａ，６２ｂを備えている。透明導電パターン６２ａ，６２ｂは、基材フィルム２の一方の側に配置され、図８の横方向に延びる第１透明導電パターン６２ａと、基材フィルム２の他方の側に配置され、図８の縦方向に延びる第２透明導電パターン６２ｂと、からなっている。またフィルムセンサ６０は、第１透明導電パターン６２ａに接続された第１取出パターン６４ａと、第２透明導電パターン６２ｂに接続された第２取出パターン６４ｂと、をさらに備えている。また、各取出パターン６４ａ，６４ｂに接続され、各透明導電パターン６２ａ，６２ｂからの信号を外部へ取り出すための端子部６５ａ，６５ｂがさらに設けられていてもよい。

図９に示すように、透明導電パターン６２ａ，６２ｂは、積層体１の透明導電層７ａ、７ｂをパターニングすることにより得られるものである。同様に、第１取出パターン６４ａは、積層体１の第１遮光導電層８ａをパターニングすることにより得られるものである。また図９には示されていないが、第１端子部６５ａも、積層体１の第１遮光導電層８ａをパターニングすることにより得られるものであり、また第２取出パターン６４ｂおよび第２端子部６５ｂは、積層体１の第２遮光導電層８ｂをパターニングすることにより得られるものである。透明導電層７ａ，７ｂおよび遮光導電層８ａ，８ｂをパターニングする方法としては、例えばフォトリソグラフィー法が用いられる。なお図９に示すように、積層体１の酸化珪素層６ａ，６ｂは、透明導電パターン６２ａ，６２ｂや取出パターン６４ａ，６４ｂに対応したパターンを有するようパターニングされていてもよい。

本実施の形態によれば、積層体１の表面１ａおよび表面１ｂから積層体１にビッカース圧子７０を押し込むことにより測定されるマルテンス硬さが、ビッカース圧子７０の最大押し込み量が１μｍである場合に２７０Ｎ／ｍｍ^２以上になるよう、第１ハードコート層３ａおよび第２ハードコート層３ｂが設計されている。このため、積層体１をパターニングする工程の間に遮光導電層８ａ，８ｂの表面に圧痕が形成されてしまうことを抑制することができる。このことにより、フィルムセンサ６０の歩留まりを向上させることができる。なおフィルムセンサ６０は、図示はしないが、遮光導電層８ａ，８ｂをパターニングすることにより得られた取出パターン６４ａ，６４ｂを保護するためのオーバーコート層をさらに備えていてもよい。
なお、上述のマルテンス硬さが大きくなりすぎると、ハードコート層３ａ，３ｂと表面層１２ａ，１２ｂとの間の密着性が不十分になってしまったり、ハードコート層３ａ，３ｂにクラックが生じ易くなってしまったりすることが考えられる。従って、上述のようにして測定されるマルテンス硬さが所定の上限値以下となるよう、ハードコート層３ａ，３ｂが設計されていることが好ましい。上限値としては、例えば５００Ｎ／ｍｍ^２を挙げることができる。

（積層体の層構成の変形例）
上述の本実施の形態においては、電子部品を作製するために用いられる積層体のうち、第１透明導電層７ａや第１遮光導電層８ａを含む最終的な形態の積層体１に関して、第１ハードコート層３ａの厚みなどを適切に調整することにより、積層体１の表面１ａに圧痕が形成されることが抑制される例を示した。しかしながら、本実施の形態による上述の第１ハードコート層３ａによって得られる、圧痕の形成を抑制するという効果は、第１ハードコート層３ａの一方の側に設けられる層すなわち第１表面層１２ａの構成に特に依存するものではない。すなわち、第１ハードコート層３ａの一方の側に設けられる第１表面層１２ａが少なくとも１つの何らかの層を含む限りにおいて、第１表面層１２ａによって構成される積層体１の表面１ａに圧痕が形成されることを、第１ハードコート層３ａによって抑制することができる。

以下、圧痕の形成を抑制するという第１ハードコート層３ａの効果が実現され得る積層体１の第１表面層１２ａの層構成について例示する。なお、第１表面層１２ａの層構成が、以下に示す例に限られることはない。

図１０に示すように、積層体１において第１ハードコート層３ａの一方の側に設けられる第１表面層１２ａは、第１インデックスマッチング層１１ａを含み、その他の第１酸化珪素層６ａ、第１透明導電層７ａ、第１遮光導電層８ａなどを含んでいなくてもよい。図１０においては、第１インデックスマッチング層１１ａが、第１高屈折率層４ａを含み、第１低屈折率層５ａを含まない例が示されている。しかしながら、第１インデックスマッチング層１１ａの構成が特に限られることはなく、図１１に示すように、第１インデックスマッチング層１１ａは、第１低屈折率層５ａを含み、第１高屈折率層４ａを含まないものであってもよい。また図１２に示すように、第１インデックスマッチング層１１ａは、第１高屈折率層４ａと、第１高屈折率層４ａの一方の側に設けられた第１低屈折率層５ａと、を含むものであってもよい。

図１３に示すように、第１表面層１２ａは、第１インデックスマッチング層１１ａに加えて、第１インデックスマッチング層１１ａの一方の側に設けられた第１透明導電層７ａをさらに含んでいてもよい。なお図１３においては、第１インデックスマッチング層１１ａが第１高屈折率層４ａおよび第１低屈折率層５ａの両方を含む例を示したが、これに限られることはなく、図１０および図１１の場合と同様に、第１インデックスマッチング層１１ａは、第１高屈折率層４ａまたは第１低屈折率層５ａの少なくとも一方を含んでいればよい。以下の図１４〜図１６に示す積層体１の第１表面層１２ａにおいても同様に、第１インデックスマッチング層１１ａの具体的な構成が特に限られることはない。

また図１４に示すように、第１表面層１２ａは、図１３に示す第１表面層１２ａの各層に加えて、第１インデックスマッチング層１１ａと第１透明導電層７ａとの間に設けられた第１酸化珪素層６ａをさらに含んでいてもよい。

また図１５に示すように、第１表面層１２ａは、図１４に示す第１表面層１２ａの各層に加えて、第１透明導電層７ａの一方の側に設けられた第１遮光導電層８ａをさらに含んでいてもよい。

また図１６に示すように、第１表面層１２ａは、図１３に示す第１表面層１２ａの各層に加えて、第１透明導電層７ａの一方の側に設けられた第１遮光導電層８ａをさらに含んでいてもよい。

また図１７に示すように、積層体１において第１ハードコート層３ａの一方の側に設けられる第１表面層１２ａは、第１酸化珪素層６ａを含み、その他の第１インデックスマッチング層１１ａ、第１透明導電層７ａ、第１遮光導電層８ａなどを含んでいなくてもよい。

また図１８に示すように、第１表面層１２ａは、図１７に示す第１酸化珪素層６ａに加えて、第１酸化珪素層６ａの一方の側に設けられた第１透明導電層７ａをさらに含んでいてもよい。

また図１９に示すように、第１表面層１２ａは、図１８に示す第１表面層１２ａの各層に加えて、第１透明導電層７ａの一方の側に設けられた第１遮光導電層８ａをさらに含んでいてもよい。

図１０〜図１９に示す積層体１のいずれにおいても、本実施の形態による上述の第１ハードコート層３ａを基材フィルム２の一方の側に設けることにより、積層体１の表面１ａに圧痕が形成されることを抑制することができる。なお図示はしないが、図１０〜図１９に示す積層体１においても、図５に示す積層体１と同様に、第１表面層１２ａと同様の層構成を有する第２表面層１２ｂが第２ハードコート層３ｂの他方の側に設けられていてもよい。なお、第２ハードコート層３ｂの他方の側に設けられる第２表面層１２ｂの構成は、第１ハードコート層３ａの一方の側に設けられる第１表面層１２ａと同一の層構成を有していてもよく、若しくは、異なる層構成を有していてもよい。例えば、第２表面層１２ｂは、上述の本実施の形態または変形例で説明した第１表面層１２ａの様々な層構成のいずれかを有することができる。

次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。

（サンプルＡ１）
基材フィルムと、基材フィルムの一方の側および他方の側に順に設けられたハードコート層、高屈折率層、低屈折率層、酸化珪素層、透明導電層および遮光導電層と、を備えた積層体を作製した。基材フィルム、ハードコート層、高屈折率層、低屈折率層、酸化珪素層、透明導電層および遮光導電層の厚みはそれぞれ１８８μｍ、１．５μｎｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、５ｎｍ、３０ｎｍおよび１５０ｎｍであった。

〔評価１ マルテンス硬さ〕
図６（ａ）（ｂ）を参照して説明した方法を用いて、ビッカース圧子の最大押し込み量が１μｍである場合の、積層体のマルテンス硬さを測定した。結果、マルテンス硬さは２５０Ｎ／ｍｍ^２であった。

〔評価２ 圧痕〕
積層体に印加される張力を１２５Ｎとした条件の下で、ガイドロールを用いてシート状の積層体を搬送し、このときに積層体の表面に圧痕が形成されるかどうかを評価した。結果、積層体の表面に４０個／ｍ^２の密度で圧痕が確認された。参考として、圧痕が形成された表面をデジタルカメラで撮影した結果を図２０（ａ）（ｂ）に示す。図２０（ａ）は、圧痕が形成された積層体の遮光導電層の表面の写真を示しており、図２０（ｂ）は、図２０（ａ）に示す積層体から遮光導電層を剥離させた後の表面の写真を示している。

（サンプルＡ２）
酸化珪素層の厚みが７ｎｍである点を除いてサンプルＡ１と同一の積層体について、サンプルＡ１の場合と同様にして、マルテンス硬さの測定を測定し、また、積層体の表面に圧痕が形成されるかどうかを評価した。結果、マルテンス硬さは２５５Ｎ／ｍｍ^２であった。また、積層体の表面に３９個／ｍ^２の密度で圧痕が確認された。

（サンプルＢ１）
基材フィルム、ハードコート層、高屈折率層、酸化珪素層、透明導電層および遮光導電層を含み、各層の厚みがそれぞれ１８８μｍ、４．５μｍ、４５ｎｍ、４５ｎｍ、３０ｎｍおよび１５０ｎｍである積層体について、サンプルＡ１の場合と同様にして、マルテンス硬さの測定を測定し、また、積層体の表面に圧痕が形成されるかどうかを評価した。結果、マルテンス硬さは２９５Ｎ／ｍｍ^２であった。また、積層体の表面に圧痕は確認されなかった。

（サンプルＢ２）
基材フィルム、ハードコート層、高屈折率層、低屈折率層、酸化珪素層、透明導電層および遮光導電層を含み、各層の厚みがそれぞれ１８８μｍ、４．５μｍ、４５ｎｍ、４０ｎｍ、５ｎｍ、３０ｎｍおよび１５０ｎｍである積層体について、サンプルＡ１の場合と同様にして、マルテンス硬さの測定を測定し、また、積層体の表面に圧痕が形成されるかどうかを評価した。結果、マルテンス硬さは２９０Ｎ／ｍｍ^２であった。また、積層体の表面に圧痕は確認されなかった。

（さらなるサンプル）
サンプルＡ１、Ａ２，Ｂ１およびＢ２におけるマルテンス硬さおよび圧痕の密度の評価結果を、図２１に示す。また、サンプルＡ１、Ａ２，Ｂ１およびＢ２の積層体を構成する各層の厚みを併せて図２１に示す。さらに、様々な層構成を有する積層体を準備し、それら各積層体について、サンプルＡ１の場合と同様にして、マルテンス硬さの測定を測定し、また、積層体の表面に圧痕が形成されるかどうかを評価した。結果を併せて図２１に示す。図２１に示される各サンプルのうち、サンプルＢ３〜Ｂ１７は、２．０μｍ以上の厚みを有するハードコート層を含み、かつ、マルテンス硬さの測定結果が２７０Ｎ／ｍｍ^２以上になったサンプルである。一方、サンプルＡ３〜Ａ１７は、０．７μｍの厚みを有するハードコート層を含み、かつ、マルテンス硬さの測定結果が２３５Ｎ／ｍｍ^２以下になったサンプルである。

サンプルＡ１〜Ａ１７とサンプルＢ１〜Ｂ１７との比較から分かるように、積層体のマルテンス硬さが２７０Ｎ／ｍｍ^２以上、より好ましくは２９０Ｎ／ｍｍ^２以上となるようにハードコート層を設計することにより、積層体の表面に圧痕が形成されることを防ぐまたは抑制することができた。

１ 積層体
２ 基材フィルム
３ａ，３ｂ ハードコート層
４ａ，４ｂ 高屈折率層
５ａ，５ｂ 低屈折率層
６ａ，６ｂ 酸化珪素層
７ａ，７ｂ 透明導電層
８ａ，８ｂ 遮光導電層
１０ 中間積層体
１１ａ，１１ｂ インデックスマッチング層
１２ａ、１２ｂ 表面層
１５ 積層体製造装置
２０ 巻出装置
３０ 成膜装置
３８ 搬送ドラム
５０ 巻取装置
６０ タッチパネルセンサ
６２ａ，６２ｂ 透明導電パターン
６４ａ，６４ｂ 取出パターン
６５ａ，６５ｂ 端子部
７０ ビッカース圧子

Claims (15)

1. 一方の側の面および他方の側の面を有する、タッチパネル用のフィルムセンサを作製するために用いられる積層体であって、
   基材フィルムと、
   前記基材フィルムの一方の側の面上に設けられた第１ハードコート層と、
   前記第１ハードコート層の一方の側の面上に設けられた第１表面層と、を備え、
   前記第１表面層の厚みは、１μｍよりも小さく、
   前記第１表面層の厚みおよび前記第１ハードコート層の厚みの合計は、１μｍよりも大きく、
   前記積層体の一方の側から前記積層体にビッカース圧子を押し込むことにより測定されるマルテンス硬さが、前記ビッカース圧子の最大押し込み量が１μｍである場合に２７０Ｎ／ｍｍ^２以上５００Ｎ／ｍｍ ^２ 以下になっている、積層体。
2. 前記第１表面層は、前記第１ハードコート層上に設けられた第１インデックスマッチング層を含む、請求項１に記載の積層体。
3. 前記第１表面層は、前記第１インデックスマッチング層の一方の側に設けられ、透光性および導電性を有する第１透明導電層をさらに含む、請求項２に記載の積層体。
4. 前記第１表面層は、前記第１インデックスマッチング層と前記第１透明導電層との間に設けられ、酸化珪素から構成された第１酸化珪素層をさらに含む、請求項３に記載の積層体。
5. 前記第１表面層は、前記第１透明導電層の一方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第１遮光導電層をさらに含む、請求項４に記載の積層体。
6. 前記第１表面層は、前記第１透明導電層の一方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第１遮光導電層をさらに含む、請求項３に記載の積層体。
7. 前記第１表面層は、前記第１ハードコート層上に設けられ、酸化珪素から構成された第１酸化珪素層をさらに含む、請求項１に記載の積層体。
8. 前記第１表面層は、前記第１酸化珪素層の一方の側に設けられ、透光性および導電性を有する第１透明導電層をさらに含む、請求項７に記載の積層体。
9. 前記第１表面層は、前記第１透明導電層の一方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第１遮光導電層をさらに含む、請求項８に記載の積層体。
10. 前記第１ハードコート層の厚みは、０．８μｍ〜７．０μｍの範囲内になっている、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の積層体。
11. 前記第１表面層は、透光性および導電性を有する第１透明導電層を少なくとも含む、請求項１に記載の積層体。
12. 前記第１表面層は、前記第１透明導電層の一方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第１遮光導電層をさらに含む、請求項１１に記載の積層体。
13. 前記基材フィルムの他方の側の面上に設けられた第２ハードコート層と、
    前記第２ハードコート層の他方の側の面上に設けられた第２表面層と、をさらに備え、
    前記第２表面層の厚みは、１μｍよりも小さく、
    前記第２表面層の厚みおよび前記第２ハードコート層の厚みの合計は、１μｍよりも大きく、
    前記積層体の他方の側から前記積層体にビッカース圧子を押し込むことにより測定されるマルテンス硬さが、前記ビッカース圧子の最大押し込み量が１μｍである場合に２７０Ｎ／ｍｍ^２以上になっている、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の積層体。
14. 基材フィルムと、
    前記基材フィルムの一方の側の面上に設けられた第１ハードコート層と、
    第１ハードコート層の一方の側に所定のパターンで設けられ、透光性および導電性を有する第１透明導電パターンと、
    第１透明導電パターン上に所定のパターンで設けられ、遮光性および導電性を有する第１取出パターンと、を備え、
    前記第１透明導電パターンおよび前記第１取出パターンは、請求項５、９または１２に記載の積層体の前記第１透明導電層および前記第１遮光導電層をパターニングすることにより得られたものである、フィルムセンサ。
15. フィルムセンサと、前記フィルムセンサ上への接触位置を検出する制御回路と、を含むタッチパネル装置であって、
    前記フィルムセンサが、請求項１４に記載のフィルムセンサを備える、タッチパネル装置。