TWI783440B

TWI783440B - 透明導電基板結構及其製造方法

Info

Publication number: TWI783440B
Application number: TW110113278A
Authority: TW
Inventors: 蔡沅南; 王晏羚; 金士捷; 蔡美慧
Original assignee: 國立勤益科技大學
Priority date: 2021-04-13
Filing date: 2021-04-13
Publication date: 2022-11-11
Also published as: TW202240364A

Abstract

本發明透明導電基板結構，應用於觸控裝置上，包含：以聚亞醯胺材料製成的透明基板；連接於透明基板，以含有矽氧烷材料所合成之聚亞醯胺複合物所製成的透明接著層；金屬電極層；以及位於金屬電極層及透明接著層之間的黑著層。黑著層具有由複數個層體所形成的漸變式薄膜結構。本發明透過將黑著層的每一層體改變成不同的氧化程度或是不同的材料混合比率，同時提升黑著層與金屬層之間或黑著層與透明基板之間的接著度，並同時讓黑著層能有效地減少金屬電極層的反光。

Description

透明導電基板結構及其製造方法

本發明涉及一種透明導電基板的結構及其製造方法，尤指用於觸控裝置及VR/AR穿戴式裝置上的透明導電基板結構及其製造方法。

以透明導電基板搭配感測/控制電路所製成的觸控面板被廣泛地應用於各種3C產品上。其中，依據金屬電極層的材料，透明導電基板的種類包含：以奈米銀線(silver nanowire,AgNW)所製成的金屬電極網的透明導電基板、以石墨烯(graphene)所製成的透明導電基板、以導電高分子(Conductive polymer)材料所製成的透明導電基板、以奈米碳管(Carbon nanotube)製成的透明導電基板或是應用銅金屬微線所製成透明導電基板等多種分類。

其中，在應用銅金屬微線的透明導電基板的製造方面，除了進行銅金屬微線的光刻製程(lithography process)時會因為銅的材料性質所產生金屬反光現象而導致製程良率不佳外，人們在使用該種電子產品之時仍有可能透過其反光而觀察到銅金屬微線電極的存在。為解決上述問題，目前生產銅金屬微線透明導電基板的製造商會在銅金屬微線電極的頂部、底部至少其中之一增設一層黑著層(或稱黑化層)來消除銅金屬微線電極產生的金屬反光。

習知黑著層的材料通常選自硫化銅化合物(Copper sulfide)群組中，例如Cu2s、CuS或CuS₂。然而，利用上述材料所製成而位於銅金屬微線與透明基板之間的黑著層，除了不易與銅金屬微線或透明基板黏合之外，硫化銅化合物本身的性質更會同時降低銅金屬微線的導電率。又，進行銅金屬微線的濕蝕刻時，硫化銅化合物所構成的黑著層會增強銅金屬微線的抗腐蝕特性，導致濕蝕刻效果不彰。作為妥協的結果，在某些產品中，覆有硫化銅黑著層的銅金屬微線，仍有可能看到來自銅微線的金屬反光。

本案發明人發現，在黑著層與透明基板兩者結合的部分，相對於未使用矽氧烷材料所合成的接著層，具矽氧烷材料所合成之聚亞醯胺複合物其與金屬(或黑著層)的附著度能大幅提升。

此外，在黑著層方面，本案發明人想到能透過漸變式薄膜結構，也就是改變層體內部及表面的各材料成分的比率，以便改變層體性質並提升層體間的接著度。

本發明之主要目的在於提供一種透明導電基板結構及其製造方法，該透明導電基板結構的黑著層與透明基板之間還設有一透明接著層，其透過在材料中採用具矽氧烷材料所合成之聚亞醯胺複合物提升與黑著層之間的附著度，且其連接於導電金屬材上的黑著層具有漸變式薄膜結構，透過改變靠黑著層與其他層體連接處的材料組成，提升黑著層與金屬層之間或黑著層與透明接著層之間的接著度。

為達到上述目的，本發明透明導電基板結構，包含：一透明基板、一透明接著層、一黑著層、一金屬電極層；該透明基板以聚亞醯胺材料製成；該透明接著層連接於該透明基板，其含有矽氧烷材料所合成之聚亞醯胺複合物；該黑著層連接於該透明接著層遠離該透明基板的一側，具有由複數個層體所堆疊而成的漸變式薄膜結構；該金屬電極層，連接該黑著層。

於不同類的實施例中，該黑著層是以材料的不同氧化程度或是以不同成份的不同混合比例的其中一種方式來構成該漸變式薄膜結構。

於採用氧化程度的不同來改變接著度的實施例中，該黑著層包含：一第一層體，具有一第一氧化程度；一第二層體，鄰接於該第一層體靠近透明接著層的一側，具有一氧化程度小於該第一氧化程度的第二氧化程度，而使該第二層體的遮光能力小於該第一層體，並使該第二層體與該透明接著層之間的接著度大於該第一層體與該透明接著層之間的接著度；一第三層體，鄰接於該第一層體靠近該金屬電極層的一側，具有一小於該第一氧化程度的第三氧化程度而使得該第三層體的遮光能力小於該第二層體，並使第三層體與該金屬電極層之間的接著度大於該第一層體與該金屬電極層之間的接著度。

其中，該黑著層的材料可選自Cu_XO_Y、Cu_XNi_YO_Z：、Ni_XCr_YO_Z的群組中的其中任一種。

於採用材料比率的不同來改變接著度的實施例中，該黑著層包含：一第一層體，具有由該第一樹脂、碳材及石墨所組成的第一混合比；一第二層體，鄰接於該第一層體靠近透明接著層的一側，具有由該第一樹脂、碳材及石墨所組成的第二混合比，該第二混合比中的該第一樹脂比率高於該第一混合比中該第一樹脂的比率而使該第二層體的遮光能力小於該第一層體，並使該第二層體與該透明接著層之間的接著度大於該第一層體與該透明接著層之間的接著度；一第三層體，鄰接於該第一層體靠近該金屬電極層的一側，具有由該第一樹脂、碳材及石墨所組成的第三混合比，該第三混合比中的該第一樹脂比率高於該第一混合比而使該第三層體的遮光能力小於該第一層體，並使該第三層體與該金屬電極層之間的接著度大於該第一層體與該金屬電極層之間的接著度。

其中，該黑著層含該石墨5~30%，該碳材5~30%，該第一樹脂40~90%，以及一第一添加劑5~30%；該第一樹脂可以為丙烯酸樹脂，矽酸鹽樹脂，環氧樹脂，胺基樹脂，酚醛樹脂的其中一種。

除此之外，於一類實施例中，該金屬電極層具有由複數個層體所堆疊而成的漸變式薄膜結構，該金屬電極層是以材料的不同氧化程度或是以不同成份的不同混合比例的其中一種方式來構成該漸變式薄膜結構。

於採用氧化程度的不同來改變接著度的實施例中，該金屬電極層包含：一第一金屬層體，鄰接於該黑著層，具有一第一金屬氧化程度；一第二金屬層體，鄰接於該第一金屬層體，具有一小於該第一金屬氧化程度的第二金屬氧化程度，使得該第二金屬層體的導電度大於該第一金屬層體，(且在材料性質上)該第一金屬層體與該黑著層之間的接著度大於該第二金屬層體與該黑著層之間的接著度。

其中，該金屬電極層為銅氧化物群組或銀氧化物群組的其中一種。

於採用材料比例的不同來改變接著度的實施例中，該金屬電極層包含：一第一金屬層體，鄰接於該黑著層，具有包含一金屬粉末、一第二樹脂的一第一金屬混合比；一第二金屬層體，鄰接於該第一金屬層體，具有包含該金屬粉末及該第二樹脂的第二金屬混合比，該第二金屬混合比中的該第二樹脂的比率小於該第一金屬混合比中該第二樹脂的比率，使得該第二金屬層體的導電度大於該第一金屬層體，且該第二金屬層體與該黑著層的接著度小於該第一金屬層體與該黑著層的接著度。

在一實施例中，該金屬電極層由一銅膏組成，該銅膏包含：銅粉50%-70%，氧化銅粉5-20%，第二樹脂10~45%，第二添加劑5~20%，其中，該第二樹脂可以為丙烯酸樹脂，矽酸鹽樹脂，環氧樹脂，胺基樹脂，酚醛樹脂的其中任一種。

在另一實施例中，該金屬電極層由一銀膠組成，該銀膠包含：銀粉70~85%，第三樹脂10~20%，第三添加劑5~20%，其中，該第三樹脂可以為丙烯酸樹脂，矽酸鹽樹脂，環氧樹脂，胺基樹脂，酚醛樹脂的其中任一種。

本發明一提供了一種透明導電基板的製造方法，用以製造前述透明導電基板，包含：一基板製成步驟：以一聚亞醯胺材料製成一透明基板；一接著層製成步驟：以一含有矽氧烷材料的聚亞醯胺複合物製成一連接於該透明基板的透明接著層；一黑著層製成步驟：將一黑著層成形於該透明接著層，該黑著層是由複數層體堆疊構成一漸變式薄膜；一金屬電極製成步驟：將一金屬電極層成形於該黑著層，使得該透明基板、該透明接著層、該黑著層以及該金屬電極層共同構成一透明導電基板。

同前述產品說明，其中，該漸變式薄膜由材料的不同氧化程度或是不同成份的不同混合比例的其中一種方式來構成該漸變式薄膜結構；該金屬電極層是由複數金屬層體堆疊構成一漸變式金屬薄膜。

在黑著層的製造方面，於採用氧化程度的不同來製造該黑著層的實施例中，該黑著層可採用共濺鍍系統進行薄膜沉積製成；在採用成分比例不同來製造該黑著層的實施例中，該黑著層可採用以漿料形式進行網印或噴墨塗佈的其中一種方式製成。

在金屬電極層的製造方面，在採用氧化程度的不同來製造該金屬電極層的實施例中，該金屬電極層可採用共濺鍍系統進行薄膜沉積製成；在採用成分比例不同來製造該金屬電極層的實施例中，該金屬電極層可採用以漿料形式進行網印或噴墨、塗佈的其中一種方式製成。

在黑著層及金屬電極層兩者皆採用成分比例不同製造的實施例中，該黑著層中所使用的樹脂與該金屬電極層中所使用的樹脂可以為同一種，也可以為不同種。

由以上說明可知，本發明的特點在於：黑著層與透明基板之間設有以具矽氧烷材料所合成之聚亞醯胺複合物製成的透明接著層來提升與黑著層之間的附著度。且其連接於導電金屬材上的黑著層具有漸變式薄膜結構，透過改變靠黑著層與其他層體連接處的材料組成，提升黑著層與金屬電極層之間或黑著層與透明接著層之間的接著度，並保持黑著層的遮光能力；且在一實施例中，金屬電極層也可以採用漸變式薄膜結構製成，以兼具與黑著層間的接著度及導電度。

1:透明導電基板結構

2:透明基板

3:透明接著層

4:黑著層

41:第一層體

42:第二層體

43:第三層體

5:金屬電極層

51:第一金屬層體

52:第二金屬層體

S1:基板製成步驟

S2:接著層製成步驟

S3:黑著層製成步驟

S4:金屬電極製成步驟

圖1為本發明透明導電基板結構於第一類實施例中的結構示意圖；圖2為本發明透明導電基板結構於第一類實施例中的製造方法的步驟示意圖。

茲為便於更進一步對本發明之構造、使用及其特徵有更深一層明確、詳實的認識與瞭解，爰舉出較佳實施例，配合圖式詳細說明如下：

[第一類實施例]

請參照圖1所示：於本發明一第一實施例中，本發明導電基板結構由以下構件組成：一透明基板2、一透明接著層3、一黑著層4以及一金屬電極層5。

在本實施例中，該透明基板2以聚亞醯胺材料(Polyimide,PI)製成；該透明接著層3，連接於該透明基板2一側，含有矽氧烷材料所合成之聚亞醯胺複合物；其中，相對於未使用矽氧烷材料合成，具矽氧烷材料所合成之聚亞醯胺複合物其與金屬的附著度具大幅的提升。

該黑著層4連接於該透明接著層3遠離該透明基板2的一側，在本實施例中該黑著層4具有由複數個依據材料的氧化程度的不同所形成的層體，透過堆疊的方式而形成的漸變式薄膜結構。

其中，在實際製作上，該黑著層4的材料可以選自Cu_XO_Y、Cu_XNi_YO_Z：、Ni_XCr_YO_Z的群組中的其中任一種；在各群組中的各原子百分比(atomicpercent,at.%)方面：當材料選為Cu_XO_Y時，5at.%≦x≦99.9at.%,0.1at.%≦y≦95at.%；當為Cu_XNi_YO_Z時，5at.%≦x≦95at.%,5at.%≦y≦95at.%,0.1at.%≦Z≦90at.%；當使用Ni_XCr_YO_Z時，5at.%≦x≦95at.%,5at.%≦y≦95at.%,0.1at.%≦Z≦90at.%。

其中，在結構上，該黑著層4由一第一層體41、一第二層體42及一第三層體43所組成，該第一層體41，具有一第一氧化程度；該第二層體42，鄰接於該第一層體41靠近透明接著層3的一側，具有一氧化程度小於該第一氧化程度的第二氧化程度，透過材料的氧化程度的不同，使該第二層體42對來自該金屬電極層5的反光的遮光能力小於該第一層體41，並同樣利用材料氧化程度的不同，在材料性質上使該第二層體42與該透明接著層3之間的接著度大於該第一層體41與該透明接著層3之間的接著度。

該第三層體43鄰接於該第一層體41靠近該金屬電極層5的一側，具有一小於該第一氧化程度的第三氧化程度而使得該第三層體43的遮光能力小於該第二層體42，並在材料性質上，使第三層體43與該金屬電極層5之間的接著度大於該第一層體41與該金屬電極層5之間的接著度。

藉此，該黑著層4透過漸變式薄膜結構，能兼顧對金屬電極層5所反射出來的光線的遮光能力，並兼顧黑著層4與上下層體(透明接著層3、金屬電極層5)之間的接著度。

其中，圖1中所繪製的第一、第二及第三層體41、42、43之間的樣態僅是參考示意圖，在實際實施時，可以透過在製造過程中連續性的逐漸改變形成層體的材料的氧化程度的方式來形成黑著層4的漸變式薄膜結構，讓黑著層4中的材料依據位置來連續性地改變其中材料的氧化程度，並連續性的改變其遮光能力(遮擋金屬電極層5的反光)以及連續性的改變與金屬電極層5、透明接著層3的接著度。

該金屬電極層5連接該黑著層4遠離該透明接著層3的一側，於本實施例中，該金屬電極層5亦具有漸變式薄膜結構，依據氧化程度可區分為一第一金屬層體51及一第二金屬層體52組成；該第一金屬層體51鄰接於該黑著層4，具有一第一金屬氧化程度；該第二金屬層體52，鄰接於該第一金屬層體51，具有一小於該第一金屬氧化程度的第二金屬氧化程度，透過氧化程度的不同，使得該第二金屬層體52的導電度大於該第一金屬層體51，且因氧化程度的不同，在材料性質上，該第一金屬層體51與該黑著層4之間的接著度大於該第二金屬層體52與該黑著層4之間的接著度。

藉此，該金屬電極層5透過漸變式薄膜結構，能兼顧導電能力，並兼顧金屬電極層5與黑著層4之間的接著度。

其中，關於該金屬電極層5的材料可以選自銅氧化物群組或銀氧化物群組的其中一種。

請參考圖2所示，關於前述實施例中透明導電基板的製造方法，請參考圖2所示，該透明導電基板結構1的製造方法，包含：一基板製成步驟S1、一接著層製成步驟S2、一黑著層製成步驟S3以及一金屬電極製成步驟S4。

於該基板製成步驟S1中以一聚亞醯胺材料製成一透明基板2；於該接著層製成步驟S2中，以一含有矽氧烷材料的聚亞醯胺複合物製成一連接於該透明基板2的透明接著層3。

於黑著層製成步驟S3中，將一黑著層4成形於該透明接著層3上，透過共濺鍍系統(Co-SputteringDepositionSystem)薄膜沉積形成前述漸變式薄膜結構。

於該金屬電極製成步驟S4中，將一金屬電極層5透過共濺鍍系統成形於該黑著層4，使得該透明基板2、該透明接著層3、該黑著層4以及該金屬電極層5共同構成該透明導電基板。

[第二類實施例]

在本發明的第二類實施例中，一樣包含該透明基板2、該透明接著層3、該黑著層4及該金屬電極層5，且其中該透明基板2、該透明接著層3與前類實施例相同。

但在該黑著層4方面，在本類實施例中，該黑著層4改由石墨、碳材、樹脂(下稱第一樹脂)及添加劑(下稱第一添加劑)的混合物所組成，並透過上述材料比率的不同形成前述第一層體41、第二層體42及第三層體43。其中，在本類實施例中，該石墨佔5~30%，該碳材佔5~30%，、該第一樹脂佔40~90%，而該第一添加劑佔5~30%。其中，該第一樹脂可以為丙烯酸樹脂，矽酸鹽樹脂，環氧樹脂，胺基樹脂，酚醛樹脂的其中任一種或其中任兩種以上的混合物。

藉此，透過採用讓該第一層體41所含的該第一樹脂的比率較該第二、第三層體43的樹脂含量低的方式，在兼顧黑著層4對該金屬電極層5的反光的遮光能力下，透過膠材含量較高的第二層體42、第三層體43來兼顧黑著層4與透明接著層3、金屬電極層5之間的接著度。

另外，在該金屬電極層5方面，在本類實施例中，該金屬電極層5可改用一銅膏或一銀膠組成，並一樣依據銅膏或銀膠於不同位置的成分的不同，透過其中樹脂與金屬粉末混合比的不同來製造前述第一金屬層體51及前述第二金屬層體52。

其中，在以銅膏製成該金屬電極層5的實施例中，該銅膏包含由銅粉50%-70%，氧化銅粉5-20%，樹脂(下稱第二樹脂)10~45%，添加劑(下稱第二添加劑)5~20%。該第二樹脂可以為丙烯酸樹脂，矽酸鹽樹脂，環氧樹脂，胺基樹脂，酚醛樹脂的其中任一種或其中任兩種以上的混合物。

其中，在以銀膠製成該金屬電極層5的實施例中，該銅膏由銀粉70~85%，樹脂(下稱第三樹脂)10~20%，添加劑(下稱第三添加劑)5~20%組成。其中，該第三樹脂可以為丙烯酸樹脂，矽酸鹽樹脂，環氧樹脂，胺基樹脂，酚醛樹脂的其中任一種或其中任兩種以上的混合物。

上述第一添加劑、第二添加劑及第三添加劑的種類可以採用習知材料，且在本第二類實施例的各實施例中，該第一、第二樹脂、或該第一、第三樹脂可以為同一種樹脂，也可以為不同種樹脂。

關於此類實施例的製造方法；雖在透明基板2及透明接著層3的製造方法於前述第一類實施例的製造方法相同，但在本類實施例製造該黑著層4及該金屬電極層5時，黑著層4可採用將材料製成漿料的形式，以網印或噴墨的方式來製造該黑著層4；而該金屬電極層5可採用以網印、噴墨的方式來製造。

前述第二類實施例與前述第一類實施例的差別在於製造時可在非真空環境下使用網印或噴墨方式製造該黑著層4及該金屬電極層4，且相對於共濺鍍系統，製程設備簡易，生產速度更快，成本也較低。

[第三類實施例]

在本類實施例中，相對於前述第二類實施例中金屬電極層5的漸變式薄膜結構，可以取消該金屬電極層5的漸變式薄膜結構，讓該金屬電極層5改以單層構成，其餘部分可參考前述第二類實施例之內容，在此不加以贅述。

上述所舉實施例，僅用為方便說明本發明並非加以限制，在不離本發明精神範疇，熟悉此一行業技藝人士依本發明申請專利範圍及發明說明所作之各種簡易變形與修飾，均仍應含括於以下申請專利範圍中。

1:透明導電基板結構 2:透明基板 3:透明接著層 4:黑著層 41:第一層體 42:第二層體 43:第三層體 5:金屬電極層 51:第一金屬層體 52:第二金屬層體

Claims

一種透明導電基板結構，包含：一透明基板，以聚亞醯胺材料製成；一透明接著層，連接於該透明基板，含有矽氧烷材料所合成之聚亞醯胺複合物；一黑著層，連接於該透明接著層遠離該透明基板的一側，該黑著層具有由複數個層體以材料的不同氧化程度的方式所堆疊而成的一漸變式薄膜結構，該黑著層包含一第一層體、一第二層體以及一第三層體，該第一層體具有一第一氧化程度，該第二層體具有一氧化程度小於該第一氧化程度的第二氧化程度來鄰接於該第一層體靠近透明接著層的一側，使該第二層體的遮光能力小於該第一層體以及該第二層體與該透明接著層之間的接著度大於該第一層體與該透明接著層之間的接著度，該第三層體具有一小於該第一氧化程度的第三氧化程度來鄰接於該第一層體靠近該金屬電極層的一側，使得該第三層體的遮光能力小於該第二層體以及第三層體與該金屬電極層之間的接著度大於該第一層體與該金屬電極層之間的接著度；一金屬電極層，連接該黑著層。
如請求項1所述透明導電基板結構，其中，該黑著層的材料選自Cu_XO_Y、Cu_XNi_YO_Z、Ni_XCr_YO_Z的群組中的其中任一種。
一種透明導電基板結構，包含：一透明基板，以聚亞醯胺材料製成；一透明接著層，連接於該透明基板，含有矽氧烷材料所合成之聚亞醯胺複合物；一黑著層，連接於該透明接著層遠離該透明基板的一側，該黑著層具有複數個層體以材料的不同成份的不同混合比例的方式所堆疊而成的一漸變式薄膜結構，該黑著層包含一第一層體、一第二層體以及一第三層體，該第一層體具有由一第一樹脂、碳材及石墨所組成的第一混合比，該第二層體具有由該第一樹脂、該碳材及該石墨所組成的第二混合比來鄰接於該第一層體靠近透明接著層的一側，該第二混合比中的該第一樹脂比率高於該第一混合比中該第一樹脂的比率而使該第二層體的遮光能力小於該第一層體，並使該第二層體與該透明接著層之間的接著度大於該第一層體與該透明接著層之間的接著度，該第三層體具有由該第一樹脂、該碳材及該石墨所組成的第三混合比來鄰接於該第一層體靠近該金屬電極層的一側，該第三混合比中的該第一樹脂比率高於該第一混合比而使該第三層體的遮光能力小於該第一層體，並使該第三層體與該金屬電極層之間的接著度大於該第一層體與該金屬電極層之間的接著度；一金屬電極層，連接該黑著層。
如請求項3所述透明導電基板結構，其中，該黑著層含該石墨5~30%，該碳材5~30%，該第一樹脂40~90%以及一第一添加劑5~30%。
如請求項3所述透明導電基板結構，其中，該第一樹脂可以為一丙烯酸樹脂，矽酸鹽樹脂，環氧樹脂，胺基樹脂，酚醛樹脂的其中一種。
如請求項1所述透明導電基板結構，其中，該金屬電極層具有由複數個層體所堆疊而成的一漸變式薄膜結構，該金屬電極層是以材料的不同氧化程度或是以不同成份的不同混合比例的其中一種方式來構成該漸變式薄膜結構。
如請求項6所述透明導電基板結構，其中，該金屬電極層包含：一第一金屬層體，鄰接於該黑著層，具有一第一金屬氧化程度；一第二金屬層體，鄰接於該第一金屬層體，具有一小於該第一金屬氧化程度的第二金屬氧化程度，使得該第二金屬層體的導電度大於該第一金屬層體，(且在材料性質上)該第一金屬層體與該黑著層之間的接著度大於該第二金屬層體與該黑著層之間的接著度。
如請求項7所述透明導電基板結構，其中，該金屬電極層為一銅氧化物群組或一銀氧化物群組的其中一種。
如請求項6所述透明導電基板結構，其中，該金屬電極層包含：一第一金屬層體，鄰接於該黑著層，具有包含一金屬粉末、一第二樹脂的一第一金屬混合比；一第二金屬層體，鄰接於該第一金屬層體，具有包含該金屬粉末及該第二樹脂的該第二金屬混合比，該第二金屬混合比中的該第二樹脂的比率小於該第一金屬混合比中該第二樹脂的比率，使得該第二金屬層體的導電度大於該第一金屬層體，且該第二金屬層體與該黑著層的接著度小於該第一金屬層體與該黑著層的接著度。
如請求項9所述透明導電基板結構，其中，該金屬電極層由一銅膏組成，該銅膏包含：一銅粉50%-70%，氧化銅粉5-20%，第二樹脂10~45%，第二添加劑5~20%，其中，該第二樹脂可以為丙烯酸樹脂，矽酸鹽樹脂，環氧樹脂，胺基樹脂，酚醛樹脂的其中任一種。
如請求項9所述透明導電基板結構，其中，該金屬電極層由一銀膠組成，該銀膠包含：銀粉70~85%，第三樹脂10~20%，第三添加劑5~20%，其中，該第三樹脂可以為丙烯酸樹脂，矽酸鹽樹脂，環氧樹脂，胺基樹脂，酚醛樹脂的其中任一種。
一種透明導電基板的製造方法，包含：一基板製成步驟：以一聚亞醯胺材料製成一透明基板；一接著層製成步驟：以一含有矽氧烷材料的聚亞醯胺複合物製成一連接於該透明基板的透明接著層；一黑著層製成步驟：將一黑著層成形於該透明接著層，該黑著層是由複數層體以材料的不同氧化程度的方式堆疊構成一漸變式薄膜，該黑著層包含一第一層體、一第二層體以及一第三層體，該第一層體具有一第一氧化程度，該第二層體具有一氧化程度小於該第一氧化程度的第二氧化程度來鄰接於該第一層體靠近透明接著層的一側，使該第二層體的遮光能力小於該第一層體以及該第二層體與該透明接著層之間的接著度大於該第一層體與該透明接著層之間的接著度，該第三層體具有一小於該第一氧化程度的第三氧化程度來鄰接於該第一層體靠近該金屬電極層的一側，使得該第三層體的遮光能力小於該第二層體以及第三層體與該金屬電極層之間的接著度大於該第一層體與該金屬電極層之間的接著度；一金屬電極製成步驟：將一金屬電極層成形於該黑著層，使得該透明基板、該透明接著層、該黑著層以及該金屬電極層共同構成一透明導電基板。
一種透明導電基板的製造方法，包含：一基板製成步驟：以一聚亞醯胺材料製成一透明基板；一接著層製成步驟：以一含有矽氧烷材料的聚亞醯胺複合物製成一連接於該透明基板的透明接著層；一黑著層製成步驟：將一黑著層成形於該透明接著層，該黑著層是由該複數層體以材料的不同成份的不同混合比例的方式來構成一漸變式薄膜結構，該黑著層包含一第一層體、一第二層體以及一第三層體，該第一層體具有由一第一樹脂、碳材及石墨所組成的第一混合比，該第二層體具有由該第一樹脂、該碳材及該石墨所組成的第二混合比來鄰接於該第一層體靠近透明接著層的一側，該第二混合比中的該第一樹脂比率高於該第一混合比中該第一樹脂的比率而使該第二層體的遮光能力小於該第一層體，並使該第二層體與該透明接著層之間的接著度大於該第一層體與該透明接著層之間的接著度，該第三層體具有由該第一樹脂、該碳材及該石墨所組成的第三混合比來鄰接於該第一層體靠近該金屬電極層的一側，該第三混合比中的該第一樹脂比率高於該第一混合比而使該第三層體的遮光能力小於該第一層體，並使該第三層體與該金屬電極層之間的接著度大於該第一層體與該金屬電極層之間的接著度；一金屬電極製成步驟：將一金屬電極層成形於該黑著層，使得該透明基板、該透明接著層、該黑著層以及該金屬電極層共同構成一透明導電基板。
如請求項12所述透明導電基板的製造方法，其中，該金屬電極層是由複數金屬層體堆疊透成一漸變式金屬薄膜。