JPH0227433B2 - - Google Patents
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- JPH0227433B2 JPH0227433B2 JP58087822A JP8782283A JPH0227433B2 JP H0227433 B2 JPH0227433 B2 JP H0227433B2 JP 58087822 A JP58087822 A JP 58087822A JP 8782283 A JP8782283 A JP 8782283A JP H0227433 B2 JPH0227433 B2 JP H0227433B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
Landscapes
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- Analytical Chemistry (AREA)
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- Microwave Tubes (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
発明の関連する分野
本発明は、エンベロープと、少くとも表面がス
パツタすべき材料より成る平坦なカソード板と、
前記カソード板と同軸を成すほぼ環状のアノード
と、前記カソード板の前記アノードとは反対側に
配置され、カソード表面の1部分上に1つの電子
捕獲を形成する磁力線のトンネル状閉曲線を少く
とも1つ発生する磁気装置とを具えるマグネトロ
ン形カソードスパツタ装置に関するものである。
パツタすべき材料より成る平坦なカソード板と、
前記カソード板と同軸を成すほぼ環状のアノード
と、前記カソード板の前記アノードとは反対側に
配置され、カソード表面の1部分上に1つの電子
捕獲を形成する磁力線のトンネル状閉曲線を少く
とも1つ発生する磁気装置とを具えるマグネトロ
ン形カソードスパツタ装置に関するものである。
従来技術
かかるマグネトロン形カソードスパツタ装置
は、基板上に或る材料(例えば金属)の薄膜を設
けるためにしばしば使用される。スパツタ装置の
作動中、被膜すべき基板をガス充填エンベロープ
内に置き、アノード及びカソード間に十分な高電
圧を印加すると、ガス放電が起り、ガスイオンが
カソード上に高速で衝突し、そこから蒸着物質
(主として原子)を放出する。このスパツタされ
た蒸着物質は基板に捕集される。カソードの前面
にこれから放出した電子を捕獲する磁力線の1個
以上のトンネル状閉曲線を設けることにより、一
層多くのイオンが形成され、従つてスパツタ処理
が増強されるようになる。この結果、所望する被
膜が急速に基板上に形成されるようになる。カソ
ード平板は、例えば正方形、矩形、或いは円板状
とすることができる。ほど環状のアノードはこの
カソードの形状に適合させるようにする。かかる
マグネトロン形カソードスパツタ装置は、
「Vaccum」、vol.28,No.4,1978年から既知であ
る。この論文には、マグネトロン修正形カソード
スパツタ装置が記載されている。この装置では、
金属棒を円板状カソードの中央から延在させると
共にこれにより磁気装置の1方の細長ポールシユ
ーを形成する。前記磁気装置の他のポールシユー
は、これによつて円板状のカソードを囲むと共に
これに同軸状に配設する。これらポールシユー間
の磁場によつていわゆる電子捕獲を形成する。前
記スパツタ装置に使用される円板状カソード直径
は100mm以下である。
は、基板上に或る材料(例えば金属)の薄膜を設
けるためにしばしば使用される。スパツタ装置の
作動中、被膜すべき基板をガス充填エンベロープ
内に置き、アノード及びカソード間に十分な高電
圧を印加すると、ガス放電が起り、ガスイオンが
カソード上に高速で衝突し、そこから蒸着物質
(主として原子)を放出する。このスパツタされ
た蒸着物質は基板に捕集される。カソードの前面
にこれから放出した電子を捕獲する磁力線の1個
以上のトンネル状閉曲線を設けることにより、一
層多くのイオンが形成され、従つてスパツタ処理
が増強されるようになる。この結果、所望する被
膜が急速に基板上に形成されるようになる。カソ
ード平板は、例えば正方形、矩形、或いは円板状
とすることができる。ほど環状のアノードはこの
カソードの形状に適合させるようにする。かかる
マグネトロン形カソードスパツタ装置は、
「Vaccum」、vol.28,No.4,1978年から既知であ
る。この論文には、マグネトロン修正形カソード
スパツタ装置が記載されている。この装置では、
金属棒を円板状カソードの中央から延在させると
共にこれにより磁気装置の1方の細長ポールシユ
ーを形成する。前記磁気装置の他のポールシユー
は、これによつて円板状のカソードを囲むと共に
これに同軸状に配設する。これらポールシユー間
の磁場によつていわゆる電子捕獲を形成する。前
記スパツタ装置に使用される円板状カソード直径
は100mm以下である。
かかるマグネトロン形カソードスパツタ装置
は、特に半導体装置の製造に用いられると共に情
報が多数の孔(ビツト)の形態で存在する薄い合
成プラスチツク或いはガラス円板からなる基板に
薄い反射金属膜を被覆する光学記録担体の製造に
使用される。かかる記録担体は、フイリツプステ
クニカルレビユー、第33巻、178〜180ページ、
1973年、第7号に記載されているエヌ・ベー・フ
イリツプス・フルーイランペンフアブリケン社の
ビデオロングプレイシステム、即ちVLP system
(商標)に使用されている。かかる円板はその直
径が約30cmであり、著しく平坦に被覆する必要が
ある。この円板は著しく加熱してはならず、しか
も著しい電子衝撃にさらしてはならない。その理
由は、加熱或いは電子衝撃によつて円板を損傷す
るからである。加熱及び電子衝撃による損傷は、
かかるスパツタ装置を用いて半導体装置を製造す
る場合にも不所望である。
は、特に半導体装置の製造に用いられると共に情
報が多数の孔(ビツト)の形態で存在する薄い合
成プラスチツク或いはガラス円板からなる基板に
薄い反射金属膜を被覆する光学記録担体の製造に
使用される。かかる記録担体は、フイリツプステ
クニカルレビユー、第33巻、178〜180ページ、
1973年、第7号に記載されているエヌ・ベー・フ
イリツプス・フルーイランペンフアブリケン社の
ビデオロングプレイシステム、即ちVLP system
(商標)に使用されている。かかる円板はその直
径が約30cmであり、著しく平坦に被覆する必要が
ある。この円板は著しく加熱してはならず、しか
も著しい電子衝撃にさらしてはならない。その理
由は、加熱或いは電子衝撃によつて円板を損傷す
るからである。加熱及び電子衝撃による損傷は、
かかるスパツタ装置を用いて半導体装置を製造す
る場合にも不所望である。
発明の開示
本発明の目的は、スパツタ装置内で発生する電
子のうちの僅かな電子だけが、被覆すべき基板に
当り、これにより基板の損傷を減少或いは防止し
得るようにしたマグネトロン形カソードスパツタ
装置を提供することにある。
子のうちの僅かな電子だけが、被覆すべき基板に
当り、これにより基板の損傷を減少或いは防止し
得るようにしたマグネトロン形カソードスパツタ
装置を提供することにある。
この目的のため、エンベロープと、少くとも表
面がスパツタすべき材料より成る平坦なカソード
板と、前記カソード板と同軸を成すほぼ環状のア
ノードと、前記カソード板の前記アノードとは反
対側に配置され、カソード表面の1部分上に1つ
の電子捕獲を形成する磁力線のトンネル状閉曲線
を少くとも1つ発生する磁気装置とを具えるマグ
ネトロン形カソードスパツタ装置において、前記
電子捕獲によつて囲まれ、且つこれから離間さ
れ、前記カソード板の中心から同心状に延在する
棒状電極と、管状断面を有し、前記カソード板と
同軸を成し、前記カソード板の周縁付近から延在
する補助電極を具え、これら前記棒状電極及び前
記補助電極は、前記カソード板表面の前記電子捕
獲の存在しない区域から延在させ、前記補助電極
の開口及び少くとも前記カソード板により近い前
記アノードの端部の開口並びに前記カソード板の
周縁及び前記棒状電極の周縁は互いに平行に配置
し、装置の作動中前記棒状電極を、材料をスパツ
タすべき基板から適宜離間して、電子がアノード
方向に指向されるようにしたことを特徴とする。
面がスパツタすべき材料より成る平坦なカソード
板と、前記カソード板と同軸を成すほぼ環状のア
ノードと、前記カソード板の前記アノードとは反
対側に配置され、カソード表面の1部分上に1つ
の電子捕獲を形成する磁力線のトンネル状閉曲線
を少くとも1つ発生する磁気装置とを具えるマグ
ネトロン形カソードスパツタ装置において、前記
電子捕獲によつて囲まれ、且つこれから離間さ
れ、前記カソード板の中心から同心状に延在する
棒状電極と、管状断面を有し、前記カソード板と
同軸を成し、前記カソード板の周縁付近から延在
する補助電極を具え、これら前記棒状電極及び前
記補助電極は、前記カソード板表面の前記電子捕
獲の存在しない区域から延在させ、前記補助電極
の開口及び少くとも前記カソード板により近い前
記アノードの端部の開口並びに前記カソード板の
周縁及び前記棒状電極の周縁は互いに平行に配置
し、装置の作動中前記棒状電極を、材料をスパツ
タすべき基板から適宜離間して、電子がアノード
方向に指向されるようにしたことを特徴とする。
カソード板は、円形、矩形、或いは正多角形と
することができる。
することができる。
2個以上の電子捕獲を使用する場合には、カソ
ード表面から延在する同軸円筒状補助電極を前記
電子捕獲間にも設けることができる。従つてカソ
ード及びアノード間の電場がこの補助電極の影響
をうけるため、より多くの電子が基板に衝突せ
ず、アノードに向つて移動するようになる。かよ
うに補助電極によつてカソードに対する電場を適
宜修正して、電子捕獲で捕捉されない電子が基板
でなくてアノードで終端する通路内を移動し得る
ようにする。スパツタ処理中、補助電極はカソー
ドと同一電位とすることができる。従つて、カソ
ードのスパツタは電子捕獲の下側のカソード表面
のみに生じるようになるため、補助電極をスパツ
タ装置すべき材料で造る必要はない。
ード表面から延在する同軸円筒状補助電極を前記
電子捕獲間にも設けることができる。従つてカソ
ード及びアノード間の電場がこの補助電極の影響
をうけるため、より多くの電子が基板に衝突せ
ず、アノードに向つて移動するようになる。かよ
うに補助電極によつてカソードに対する電場を適
宜修正して、電子捕獲で捕捉されない電子が基板
でなくてアノードで終端する通路内を移動し得る
ようにする。スパツタ処理中、補助電極はカソー
ドと同一電位とすることができる。従つて、カソ
ードのスパツタは電子捕獲の下側のカソード表面
のみに生じるようになるため、補助電極をスパツ
タ装置すべき材料で造る必要はない。
1個以上の補助電極を、カソードに対して電気
的に絶縁されるように配設する場合には、これら
電極の電位を適宜変化させて、より多くの電子を
基板からアノードに向かつて誘導させるようにす
ることができる。
的に絶縁されるように配設する場合には、これら
電極の電位を適宜変化させて、より多くの電子を
基板からアノードに向かつて誘導させるようにす
ることができる。
上述したVLP systemの記録担体では、基板の
中央部を被覆しないままとするため、棒状補助電
極の端部に半径方向に延在するフランジ或いは円
板を設けることができる。これがため電場を一層
好適に修正することができる。
中央部を被覆しないままとするため、棒状補助電
極の端部に半径方向に延在するフランジ或いは円
板を設けることができる。これがため電場を一層
好適に修正することができる。
発明の実施例
図面を参照して、本発明の実施例を説明する。
第1図に示すマグネトロン形カソードスパツタ
装置は、エンベロープ1、円板状カソード2及び
カソード2と同軸をなすほぼ環状のアノード3を
具える。エンベロープ1は、排気すると共に排気
管4を介して、ガス(例えばアルゴン)を充填し
得るようにする。更にエンベロープ1は扉5を具
え、これにスパツタすべき基板7の支持体6を連
結する。この場合には、基板7をVLP system用
の合成プラスチツク製円板状記憶担体とする。カ
ソード2は、厚さ1cmの蒸着すべき材料(例えば
アルミニウム)の板で構成する。カソード2の主
表面の周縁8を、電気絶縁材料製のガスケツト9
を介して、エンベロープ2内の開口11を囲む環
状のフランジ10に連結する。カソード支持板1
2はカソード2のアノード3とは反対側の主表面
に当接し、多数のマグネツト13は、カソード支
持板12の裏面に固着すると共にカソード2の表
面でトンネル状の磁力線14の閉曲線を発生し得
るようにする。カソード2から生ずる電子を前記
トンネル状磁力線内に捕獲し、これにより、カソ
ード表面近くのエンベロープ1内のガスをイオン
化する。カソード2から放出された電子の1部分
を電子捕獲で捕捉することによつて、前記電子捕
獲を使用しない場合より一層多くのイオンがつく
られ、従つてスパツタ処理が増強されるようにな
る。カソードから放出された電子の1部分が捕獲
されないで基板7に当るようになるため、前記基
板7の加熱及び損傷を防止する手段を講ずる必要
がある。これがため本発明によれば同心円筒状の
補助電極15をアノード及びカソード間のカソー
ド2の周縁8近くに設け、棒状の補助電極16を
カソードの中央に設けるようにする。円筒状の補
助電極15及び棒状補助電極16の双方はカソー
ドの電子捕獲のおこらない部分17及び18の近
くに設けるようにする。第2図につき説明するよ
うに、棒状の補助電極からスパツタすべき基板7
までの距離を適宜選定して、部分17及び18か
ら放出される電子とカソードの電子捕獲間に位置
する部分19から放出される電子の双方がアノー
ド3にできるだけ誘導されるようにする。
装置は、エンベロープ1、円板状カソード2及び
カソード2と同軸をなすほぼ環状のアノード3を
具える。エンベロープ1は、排気すると共に排気
管4を介して、ガス(例えばアルゴン)を充填し
得るようにする。更にエンベロープ1は扉5を具
え、これにスパツタすべき基板7の支持体6を連
結する。この場合には、基板7をVLP system用
の合成プラスチツク製円板状記憶担体とする。カ
ソード2は、厚さ1cmの蒸着すべき材料(例えば
アルミニウム)の板で構成する。カソード2の主
表面の周縁8を、電気絶縁材料製のガスケツト9
を介して、エンベロープ2内の開口11を囲む環
状のフランジ10に連結する。カソード支持板1
2はカソード2のアノード3とは反対側の主表面
に当接し、多数のマグネツト13は、カソード支
持板12の裏面に固着すると共にカソード2の表
面でトンネル状の磁力線14の閉曲線を発生し得
るようにする。カソード2から生ずる電子を前記
トンネル状磁力線内に捕獲し、これにより、カソ
ード表面近くのエンベロープ1内のガスをイオン
化する。カソード2から放出された電子の1部分
を電子捕獲で捕捉することによつて、前記電子捕
獲を使用しない場合より一層多くのイオンがつく
られ、従つてスパツタ処理が増強されるようにな
る。カソードから放出された電子の1部分が捕獲
されないで基板7に当るようになるため、前記基
板7の加熱及び損傷を防止する手段を講ずる必要
がある。これがため本発明によれば同心円筒状の
補助電極15をアノード及びカソード間のカソー
ド2の周縁8近くに設け、棒状の補助電極16を
カソードの中央に設けるようにする。円筒状の補
助電極15及び棒状補助電極16の双方はカソー
ドの電子捕獲のおこらない部分17及び18の近
くに設けるようにする。第2図につき説明するよ
うに、棒状の補助電極からスパツタすべき基板7
までの距離を適宜選定して、部分17及び18か
ら放出される電子とカソードの電子捕獲間に位置
する部分19から放出される電子の双方がアノー
ド3にできるだけ誘導されるようにする。
1個以上の電子捕獲を使用する場合には電子捕
獲間(第1図のカソード表面の部分19)に円筒
状の補助電極を設けることができる。1例とし
て、円筒状の補助電極20を第1図に破線で示
す。
獲間(第1図のカソード表面の部分19)に円筒
状の補助電極を設けることができる。1例とし
て、円筒状の補助電極20を第1図に破線で示
す。
1個以上の円筒状電極15及び20と棒状補助
電極16とをカソード2に対し電気的に絶縁した
状態で配設し、これら電極の電位を変化させるこ
とができるため、より一層多くの電子を基板7で
なくアノード3に指向させることができる。棒状
の補助電極16の端部21に半径方向に延在する
円板22を設けることにより、電場をより一層好
適に修正することができる。
電極16とをカソード2に対し電気的に絶縁した
状態で配設し、これら電極の電位を変化させるこ
とができるため、より一層多くの電子を基板7で
なくアノード3に指向させることができる。棒状
の補助電極16の端部21に半径方向に延在する
円板22を設けることにより、電場をより一層好
適に修正することができる。
基板7の直径を約30cmとする場合には、円板2
2から基板7までの距離は約2〜3cmとするのが
好適である。この場合棒状電極16はその長さを
約10cm、直径を約3cmとする。
2から基板7までの距離は約2〜3cmとするのが
好適である。この場合棒状電極16はその長さを
約10cm、直径を約3cmとする。
マグネトロン形カソードスパツタ装置のカソー
ドの浸食は、カソードの表面全体にわたつて同一
ではなく、電子捕獲の中央部23に集中し、この
中央部において長時間の作動の後孔が形成される
ようになる。これがためカソード支持板12によ
り機械的な力をうけるようにする必要があり、従
つて支持板12は厚くする必要がある。しかし、
カソード保持部12のマグネツト13の区域は、
比較的薄くなるように選定してエンベロープ1内
の磁場の強さをできるだけ小さくし得るようにす
る。これがためカソード表面の磁場が強くなり、
これにより電子捕獲の電子が良好に発生するため
基板7上に到達する電子は僅かとなる。
ドの浸食は、カソードの表面全体にわたつて同一
ではなく、電子捕獲の中央部23に集中し、この
中央部において長時間の作動の後孔が形成される
ようになる。これがためカソード支持板12によ
り機械的な力をうけるようにする必要があり、従
つて支持板12は厚くする必要がある。しかし、
カソード保持部12のマグネツト13の区域は、
比較的薄くなるように選定してエンベロープ1内
の磁場の強さをできるだけ小さくし得るようにす
る。これがためカソード表面の磁場が強くなり、
これにより電子捕獲の電子が良好に発生するため
基板7上に到達する電子は僅かとなる。
第2図は第1図の半部を詳細に示す断面図であ
る。図中カソード表面の部分17,18及び19
から発生する電子の通路24を破線で示す。カソ
ード2の前方に多量ののイオン化ガスから成る2
個の円形区域25(断面のみで示す。)が形成さ
れ、これにより2個の電子捕獲が形成されるよう
になる。円筒状補助電極15及び棒状電極16を
設けることにより、基板7に到達する電子の数を
著しく減少させることができ、その結果、基板7
は加熱及び電子衝撃による損傷をほとんど受けな
くなる。円筒状補助電極15及び20と棒状補助
電極16とは、カソードの電子捕獲は発生しない
が磁力線が残存する部分17,18及び19の近
くに設けられている。
る。図中カソード表面の部分17,18及び19
から発生する電子の通路24を破線で示す。カソ
ード2の前方に多量ののイオン化ガスから成る2
個の円形区域25(断面のみで示す。)が形成さ
れ、これにより2個の電子捕獲が形成されるよう
になる。円筒状補助電極15及び棒状電極16を
設けることにより、基板7に到達する電子の数を
著しく減少させることができ、その結果、基板7
は加熱及び電子衝撃による損傷をほとんど受けな
くなる。円筒状補助電極15及び20と棒状補助
電極16とは、カソードの電子捕獲は発生しない
が磁力線が残存する部分17,18及び19の近
くに設けられている。
本発明は、円形のカソード及び環状のアノード
を有するマグネトロン形カソードスパツタ装置に
限定されるものではなく、矩形及び正方形のカソ
ードを有するスパツタ装置とすることもできるこ
とは勿論である。従つてこの場合には環状アノー
ドを矩形状或いは正方形状とする。このようなス
パツタ装置では、円筒状補助電極及び棒状補助電
極も正方形又は矩形状断面とする。棒状補助電極
16から基板までの距離も上述した実施例の場合
より大きくすることができるが、この場合スパツ
タ処理の効果は減少するようになる。
を有するマグネトロン形カソードスパツタ装置に
限定されるものではなく、矩形及び正方形のカソ
ードを有するスパツタ装置とすることもできるこ
とは勿論である。従つてこの場合には環状アノー
ドを矩形状或いは正方形状とする。このようなス
パツタ装置では、円筒状補助電極及び棒状補助電
極も正方形又は矩形状断面とする。棒状補助電極
16から基板までの距離も上述した実施例の場合
より大きくすることができるが、この場合スパツ
タ処理の効果は減少するようになる。
第1図は本発明マグネトロン形カソードスパツ
タ装置の構成を示す断面図、第2図は前記マグネ
トロン形カソードスパツタ装置の多数の電子通路
を示す断面図である。 1……エンベロープ、2……円板状カソード、
3……アノード、4……排気管、5……扉、7…
…基板、8……カソード周縁部、9……ガスケツ
ト、10……フランジ、11……開口、12……
カソード支持板、13……マグネツト、14……
磁力線、15,20……同心円筒状補助電極、1
6……棒状補助電極、22……半径方向に延在す
る板。
タ装置の構成を示す断面図、第2図は前記マグネ
トロン形カソードスパツタ装置の多数の電子通路
を示す断面図である。 1……エンベロープ、2……円板状カソード、
3……アノード、4……排気管、5……扉、7…
…基板、8……カソード周縁部、9……ガスケツ
ト、10……フランジ、11……開口、12……
カソード支持板、13……マグネツト、14……
磁力線、15,20……同心円筒状補助電極、1
6……棒状補助電極、22……半径方向に延在す
る板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 エンベロープと、少くとも表面がスパツタす
べき材料より成る平坦なカソード板と、前記カソ
ード板と同軸を成すほぼ環状のアノードと、前記
カソード板の前記アノードとは反対側に配置さ
れ、カソード表面の1部分上に1つの電子捕獲を
形成する磁力線のトンネル状閉曲線を少くとも1
つ発生する磁気装置とを具えるマグネトロン形カ
ソードスパツタ装置において、前記電子捕獲によ
つて囲まれ、且つこれから離間され、前記カソー
ド板の中心から同心状に延在する棒状電極と、管
状断面を有し、前記カソード板と同軸を成し、前
記カソード板の周縁付近から延在する補助電極を
具え、これら前記棒状電極及び前記補助電極は、
前記カソード板表面の前記電子捕獲の存在しない
区域から延在させ、前記補助電極の開口及び少く
とも前記カソード板により近い前記アノードの端
部の開口並びに前記カソード板の周縁及び前記棒
状電極の周縁は互いに平行に配置し、装置の作動
中前記棒状電極を、材料をスパツタすべき基板か
ら適宜離間して、電子がアノード方向に指向され
るようにしたことを特徴とするマグネトロン形カ
ソードスパツタ装置。 2 カソード板を円板,正方形,或いは正多角形
の形状としたことを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載のマグネトロン形カソードスパツタ装
置。 3 カソード表面に対し少くとも2個の電子捕獲
を生ぜしめ、管状断面を有する同心補助電極は、
これら電子捕獲の間においてカソード表面から延
在させるようにしたことを特徴とする特許請求の
範囲第1項又は第2項記載のマグネトロン形カソ
ードスパツタ装置。 4 補助電極の少くとも1個をカソードに対して
電気的に絶縁されるように配設したことを特徴と
する特許請求の範囲第1項、第2項又は第3項記
載のマグネトロン形カソードスパツタ装置。 5 棒状補助電極にはその端部に半径方向に延在
するフランジ或いは円板を設けるようにしたこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項、第2項、第
3項又は第4項記載のマグネトロン形カソードス
パツタ装置。
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---|---|
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US4508612A (en) * | 1984-03-07 | 1985-04-02 | International Business Machines Corporation | Shield for improved magnetron sputter deposition into surface recesses |
US4606806A (en) * | 1984-05-17 | 1986-08-19 | Varian Associates, Inc. | Magnetron sputter device having planar and curved targets |
DE3569434D1 (en) * | 1984-05-17 | 1989-05-18 | Varian Associates | Sputter coating source having plural target rings |
JPS62287073A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-12 | Sony Corp | マグネトロンスパツタリング用カソ−ド装置 |
US4728406A (en) * | 1986-08-18 | 1988-03-01 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method for plasma - coating a semiconductor body |
US4738761A (en) * | 1986-10-06 | 1988-04-19 | Microelectronics Center Of North Carolina | Shared current loop, multiple field apparatus and process for plasma processing |
DE3634710A1 (de) * | 1986-10-11 | 1988-04-21 | Ver Glaswerke Gmbh | Vorrichtung zum vakuumbeschichten einer glasscheibe durch reaktive kathodenzerstaeubung |
DE3721373A1 (de) * | 1987-06-29 | 1989-01-12 | Leybold Ag | Beschichtungsvorrichtung |
DE3738845A1 (de) * | 1987-11-16 | 1989-05-24 | Leybold Ag | Zerstaeubungskatode nach dem magnetronprinzip |
KR970002340B1 (ko) * | 1988-07-15 | 1997-03-03 | 미쓰비시 가세이 가부시끼가이샤 | 자기 기록 매체의 제조방법 |
JP2934711B2 (ja) * | 1989-12-07 | 1999-08-16 | カシオ計算機株式会社 | スパッタ装置 |
US5298720A (en) * | 1990-04-25 | 1994-03-29 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for contamination control in processing apparatus containing voltage driven electrode |
US5045166A (en) * | 1990-05-21 | 1991-09-03 | Mcnc | Magnetron method and apparatus for producing high density ionic gas discharge |
US5080772A (en) * | 1990-08-24 | 1992-01-14 | Materials Research Corporation | Method of improving ion flux distribution uniformity on a substrate |
DE4221930C2 (de) * | 1991-11-21 | 2001-04-05 | Leybold Ag | Vorrichtung zur haftfesten Beschichtung eines Kunststoffsubstrats |
JP2570594Y2 (ja) * | 1991-12-17 | 1998-05-06 | 日新電機株式会社 | 薄膜形成装置 |
DE4202211A1 (de) * | 1992-01-28 | 1993-07-29 | Leybold Ag | Sputteranlage mit wenigstens einer magnetron-kathode |
NL1000139C2 (nl) * | 1995-04-13 | 1996-10-15 | Od & Me Bv | Magnetronsputtersysteem. |
CH691643A5 (de) * | 1995-10-06 | 2001-08-31 | Unaxis Balzers Ag | Magnetronzerstäubungsquelle und deren Verwendung. |
US5863399A (en) * | 1996-04-13 | 1999-01-26 | Singulus Technologies Gmbh | Device for cathode sputtering |
DE19614595A1 (de) * | 1996-04-13 | 1997-10-16 | Singulus Technologies Gmbh | Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung |
DE19614599A1 (de) * | 1996-04-13 | 1997-10-16 | Singulus Technologies Gmbh | Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung |
DE19947932C1 (de) * | 1999-09-28 | 2001-04-26 | Fraunhofer Ges Forschung | Einrichtung zum Magnetronzerstäuben |
US6783638B2 (en) * | 2001-09-07 | 2004-08-31 | Sputtered Films, Inc. | Flat magnetron |
JP4563629B2 (ja) * | 2001-11-19 | 2010-10-13 | 株式会社エフ・ティ・エスコーポレーション | 対向ターゲット式スパッタ装置 |
US8038850B2 (en) * | 2006-06-23 | 2011-10-18 | Qimonda Ag | Sputter deposition method for forming integrated circuit |
US20080083611A1 (en) * | 2006-10-06 | 2008-04-10 | Tegal Corporation | High-adhesive backside metallization |
US8808513B2 (en) * | 2008-03-25 | 2014-08-19 | Oem Group, Inc | Stress adjustment in reactive sputtering |
US20090246385A1 (en) * | 2008-03-25 | 2009-10-01 | Tegal Corporation | Control of crystal orientation and stress in sputter deposited thin films |
ES2374775B1 (es) * | 2009-04-03 | 2013-01-03 | Universidad De Castilla La Mancha | Unidad de pulverización catódica de blancos circulares. |
US8482375B2 (en) * | 2009-05-24 | 2013-07-09 | Oem Group, Inc. | Sputter deposition of cermet resistor films with low temperature coefficient of resistance |
US9127356B2 (en) * | 2011-08-18 | 2015-09-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Sputtering target with reverse erosion profile surface and sputtering system and method using the same |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3330752A (en) * | 1964-12-31 | 1967-07-11 | Ibm | Method and apparatus for cathode sputtering including suppressing temperature rise adjacent the anode using a localized magnetic field |
US3897325A (en) * | 1972-10-20 | 1975-07-29 | Nippon Electric Varian Ltd | Low temperature sputtering device |
US4198283A (en) * | 1978-11-06 | 1980-04-15 | Materials Research Corporation | Magnetron sputtering target and cathode assembly |
JPS5585672A (en) * | 1978-12-25 | 1980-06-27 | Nec Corp | Sputtering apparatus |
HU179482B (en) * | 1979-02-19 | 1982-10-28 | Mikroelektronikai Valalat | Penning pulverizel source |
-
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