DE4202211A1 - Sputteranlage mit wenigstens einer magnetron-kathode - Google Patents
Sputteranlage mit wenigstens einer magnetron-kathodeInfo
- Publication number
- DE4202211A1 DE4202211A1 DE19924202211 DE4202211A DE4202211A1 DE 4202211 A1 DE4202211 A1 DE 4202211A1 DE 19924202211 DE19924202211 DE 19924202211 DE 4202211 A DE4202211 A DE 4202211A DE 4202211 A1 DE4202211 A1 DE 4202211A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- potential
- vacuum chamber
- electrode
- plasma
- voltage source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Sputteranordnung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Auf zahlreichen Gebieten der Technik ist es erforderlich oder erwünscht, Gegenstände mit
dünnen Schichten bestimmter Stoffe zu versehen. Beispielsweise werden technische Pro
dukte, etwa Uhrengehäuse, die im wesentlichen aus weniger wertvollen oder weniger an
sehnlichen Metallen bestehen, oft einer dekorativen Oberflächenbehandlung unterworfen.
Die meisten der metallischen Oberflächen werden mit Farben, Lacken, Pulvern oder auf
elektrochemischem Weg oberflächenveredelt, wobei oft gleichzeitig ein Korrosionsschutz
erzielt werden soll oder muß.
In den letzten Jahren haben allerdings auch Vakuumbeschichtungsanlagen zunehmend an
Bedeutung gewonnen. Mit diesen Anlagen wird zumeist eine physikalische Dampfabschei
dung ("physical vapor deposition" = PVD) in Form eines Ionenplattierens vorgenommen.
Die mit der Dampfabscheidung erzielten Abscheideraten sind allerdings relativ klein im
Vergleich zu denen anderer Verfahren, z. B. der Galvanik. Deshalb werden die PVD-Ver
fahren nur bei der Herstellung sehr dünner Schichten in der Größenordnung von weniger
als 1 µm eingesetzt. Der Vorteil der PVD-Verfahren, insbesondere des Sputter- oder Zer
stäubungsverfahrens, besteht darin, daß es relativ leicht ist, Legierungen in ungewöhnli
cher Zusammensetzung abzuscheiden. Damit die physikalisch aufgebrachten Schichten
den üblichen Anforderungen hinsichtlich Verschleiß- und Korrosionsbeständigkeit genü
gen, müssen sie - neben erwünschten optischen Eigenschaften - chemisch beständig und
vor allem abriebbeständig sein. Hartstoffe wie Nitride, Karbide, Oxyde und deren Gemische
besitzen genau diese Eigenschaften und werden daher für dekorative Beschichtungen
eingesetzt. Die Herstellung derartiger Schichten erfolgt durch sogenannte reaktive Prozes
se, bei denen auf einem Substrat die chemische Reaktion zum Hartstoff erfolgt. Reaktive
Prozesse erfordern oft eine sehr starke Ionenunterstützung.
Ein Verfahren, das sich gerade für die Abscheidung von dekorativen harten Schichten als
besonders zweckmäßig und flexibel erwiesen hat, ist das sogenannte Sputter-Ionen-Plattie
ren. Hierbei wird das Beschichtungsmaterial durch Zerstäuben in die Gasphase überführt
und seine Kondensation unter ständigem Ionenbeschuß erreicht. Mit Hilfe des Sputter-Io
nen-Plattierens können Schichten mit unterschiedlicher Farbe und Eigenschaft hergestellt
werden, z. B. CrNx, TiNx, TiCxNy, TiAlCxNy, TiAlNx die metallisch, hellgelb-goldfarben
bzw. goldfarben-rotbraun aussehen.
Für die Durchführung des Sputter-Ionen-Plattierverfahrens ist bereits eine Doppelkatho
denanordnung bekannt, bei der die zu beschichtenden Objekte zwischen zwei sich gegenü
berstehenden Magnetronkathoden angeordnet sind (DE-C-31 07 914, US-A-44 26 267,
DE-C-35 45 636). Diese Magnetronkathoden erzeugen ein Plasma, welches die auf negati
vem Potential liegenden Objekte umgibt. Durch den Zerstäubungsprozeß an den Kathoden
wird bewirkt, daß das Targetmaterial stöchiometrisch abgetragen wird und gleichmäßig
über die Objekte hinweg unter ständigem Ionenbeschuß kondensiert. Die Folge ist eine
gleichmäßige Schichtverteilung mit konstanten Schichteigenschaften rund um das Objekt.
Um eine dünne Schicht möglichst fest und schnell auf einem Substrat aufzubringen, ist es
wichtig, daß unmittelbar vor dem zu beschichtenden Substrat eine hohe Ionisationsdichte
vorhanden ist.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, die Ionisationsdichte im Substrat
bereich bei Anlagen mit Magnetron-Kathoden zu erhöhen.
Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
Der mit der Erfindung erzielte Vorteil besteht insbesondere darin, daß eine Erhöhung der
Biasstromdichte gleichmäßig um das Substrat erzielt wird, wodurch eine dichtere, d. h.
feinkristallinere Struktur auf dem Substrat abgeschieden werden kann. Außerdem kann ei
ne verbesserte Beschichtung von dreidimensionalen Substraten erreicht werden. Ferner ist
es möglich, für dekorative Anwendungen hochbrillante Schichten abzuscheiden und eine
verbesserte farbliche Rundumverteilung zu erzielen.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im fol
genden näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine herkömmliche Doppelmagnetronkathodenanordnung, mit der Brillen
beschichtet werden;
Fig. 2 die Doppelmagnetronkathodenanordnung nach Fig. 1 in einem Schnitt A-A
mit Abschirmblechen, die das Plasma begrenzen und auf dem Potential eines
Rezipientengehäuses liegen;
Fig. 3 eine Doppelmagnetronkathodenanordnung, bei welcher die Abschirmbleche
gegenüber dem Rezipientengehäuse isoliert sind;
Fig. 4 eine Doppelmagnetronkathodenanordnung gemäß Fig. 3, bei welcher
zusätzliche Magneten an den Abschirmblechen vorgesehen sind;
In der Fig. 1 ist eine bekannte Doppelkathoden-Sputteranordnung 1 dargestellt, mit der
sich das Sputter-Ionen-Plattieren durchführen läßt. Die Vakuumkammer mit den Gaszu
führungen etc., in der sich die ganze Anordnung 1 befindet, ist nicht gezeigt. Mit 2 bzw. 3
sind zwei Kathodenwannen bezeichnet, die sich gegenüberliegen. In den Kathodenwan
nen 2, 3 ist jeweils ein dreipoliger Dauermagnet 4 bzw. 5 derart angeordnet, daß die
Magnetfelder seiner Pole cusp-förmig in den Raum 6 zwischen den beiden Kathodenwan
nen 2, 3 ragen. In diesem Raum sind vier Brillen 7 bis 10 auf einem Stab 11 angeordnet,
die in Richtung eines Pfeils 12 durch die Magnetfelder bewegt werden. Der Raum 6 zwi
schen den Kathodenwannen 2, 3 ist mit einem Plasma erfüllt, das sich bis zu den Brillen 7
bis 10 erstreckt. Dieses Plasma enthält neben Ladungsträgern atomare oder molekulare
Teilchen, die aus einem Target 13 bzw. 14 herausgeschlagen werden, das sich jeweils vor
den Kathodenwannen 2, 3 befindet. Seitlich neben den Kathodenwannen 2, 3 befinden sich
Isolatoren 15 bis 18, welche die elektrische Isolation der Kathodenwannen 2, 3 gegenüber
U-förmigen Teilen 19, 20 gewährleisten. Diese Teile 19, 20 sind in Richtung auf den Raum
6 offen und tragen dort Abschirmbleche 21, 22, 23, 24. Mit 19 ist ein Teil einer Rezipien
tenwand bezeichnet, in den die Kathodenwanne eingesetzt ist. Die Bezugszahl 20 bezeich
net dagegen einen Atmosphärenbehälter, in den eine Kathodenwanne eingebaut ist und der
sich im Inneren des Rezipienten befindet. Die metallischen Abschirmbleche 21 bis 24 sind
fest mit den ebenfalls metallischen Teilen 19, 20 verbunden (vgl. hierzu auch Fig. 1 der
DE-C-35 45 636). Die Kathodenwannen 2, 3 liegen an negativem Potential einer Gleich
spannungsquelle 25, 26, die mit ihrem positiven Pol an Masse liegt.
In der Fig. 2 ist die Anordnung der Fig. 1 noch einmal im Schnitt A-A dargestellt. Bei die
ser Darstellung sind jedoch die Brillen 7 bis 10 nicht gezeigt. Dafür ist jedoch der Plasma
raum 6 mit den beiden von den Elektroden 2, 3 ausgehenden Plasmaräumen 27, 28 hervor
gehoben. Man erkennt hierbei, daß sich die beiden Räume 27, 28 in einem Bereich 29
überlappen. Dieser Überlappungsbereich 29 ist derjenige, in den die zu beschichtenden
Objekte gebracht werden. Hierdurch ist es möglich, die Objekte von allen Seiten zu be
schichten. Der Überlappungsbereich 29 ist allerdings relativ schmal, weil die Abschirmble
che 21 bis 24 direkt an der Rezipientenwand angebracht sind, die ihrerseits auf Erdpotenti
al liegt. Dies führt dazu, daß im Plasma enthaltene Ladungsträger über die Abschirmblen
den zum Erdpotential abfließen können und für die Beschichtung verloren sind.
In der Fig. 3 ist eine erfindungsgemäße Anordnung dargestellt, welche im wesentlichen die
gleichen Bauteile enthält wie die Anordnung gemäß Fig. 2. Diese Bauteile sind deshalb
mit denselben Bezugszahlen versehen.
Die gesamte Anordnung ist hierbei von einem Gehäuse 30 umgeben, das an Masse 31
bzw. Erdpotential liegt in das Gehäuse 30 kann über eine Zuführung 32 Gas eingegeben
und über einen Abführstutzen 33 abgeführt werden. Innerhalb des Gehäuses 30 herrschen
Vakuumverhältnisse.
Wesentlich ist, daß die Abschirmbleche 21 bis 24 gegenüber dem geerdeten Gehäuse 30
elektrisch isoliert sind. Dies ist durch Isolatoren 34 bis 37 angedeutet.
Das zu beschichtende Objekt 38 befindet sich in der Überlappungszone 29 und liegt an ei
ner variablen Spannungsquelle 39. Dadurch, daß die Abschirmbleche 21 bis 24, die zur
Begrenzung der räumlichen Ausdehnung des Plasmas dienen, elektrisch isoliert angeordnet
sind, können keine Ladungsträger aus dem Plasma nach Erdpotential abfließen. Dies be
wirkt eine Erhöhung der Ionisationsdichte, was durch den größeren Überlappungsbereich
29 angedeutet ist. Die Abschirmbleche 21 bis 24 nehmen ein Potential an, das dem jeweili
gen Potential des Plasmas entspricht, d. h. sie floaten. Das Material, aus dem die Ab
schirmbleche 21 bis 24 bestehen, ist ein temperaturbeständiger unmagnetischer Werkstoff,
z. B. ein 2 mm starker Edelstahl.
In der Fig. 4 ist eine Variante der Erfindung dargestellt, bei welcher zusätzlich seitliche
Magnete 40 und 41 an den Abschirmblechen 21 bis 24 vorgesehen sind, die ein cusp-Feld
in den Plasmaraum 6 geben. Durch diese Maßnahme wird der Überlappungsbereich 29
noch einmal vergrößert. Die Abschirmbleche 21 bis 24 sind über elektrische Isolatoren 34
bis 37 mit der Innenwand des Rezipientengehäuses 56 verbunden.
Ebenso wie in der Fig. 3 liegen die Kathodenwannen 2, 3 über Dichtungen 44 bis 51 und
Isolatoren 52 bis 55 auf einem Rezipientengehäuse 56 auf. Diese Isolatoren entsprechen
funktionsmäßig den Isolatoren 15-18 gemäß Fig. 2. Das zu beschichtende Objekt oder Sub
strat 38 liegt wieder an negativem Potential der variablen Spannungsquelle 39. Die Ab
schirmbleche 21 bis 24 können im Bedarfsfall auf ein eigenes Potential gelegt werden, um
eine weitere Beeinflussung des Plasmas zu erreichen. Hierfür ist eine weitere Spannungs
quelle 60 vorgesehen.
Die Ausführungsbeispiele der Fig. 1 bis 4 zeigen zwar Doppelmagnetronkathodenanord
nungen, doch versteht es sich, daß die Erfindung ebensogut bei Einfachanordnungen ein
gesetzt werden kann.
Claims (12)
1. Vorrichtung für die Erzeugung eines Plasmas in einer auf einem ersten Potential liegen
den Vakuumkammer, insbesondere zum Beschichten von Substraten, wobei wenigstens ei
ne an einem zweiten elektrischen Potential liegende Elektrode in die Vakuumkammer hin
einragt, die von einem Abschirmblech umgeben ist, das zur Begrenzung der räumlichen
Ausdehnung des Plasmas dient, dadurch gekennzeichnet, daß das Abschirmblech (21 bis
24) von der Vakuumkammer (30, 56) elektrisch isoliert ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Potential, auf
dem die Vakuumkammer (30, 56) liegt, Erdpotential ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrode eine an ne
gativem Potential liegende Kathode (2) ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrode (2) mit ei
nem Target (13) versehen ist, das aus einem Material besteht, mit dem das Substrat (38)
beschichtet wird.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrode (2) mit ei
nem Magneten (4) versehen ist, dessen Magnetfeld kreisbogenförmig in die Vakuumkam
mer (30, 56) hineinragt, wodurch ein Magnetron gebildet wird.
6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Abschirmblech (21
bis 24) an einer Spannungsquelle (60) mit variabler Spannungsquelle liegt.
7. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (38) an einer
Spannungsquelle (39) mit variabler Spannung liegt.
8. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Abschirmblech (21
bis 24) aus einem nicht-ferromagnetischen, elektrisch gut leitenden Material besteht.
9. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an dem Abschirmblech
(21 bis 24) ein Magnet (40 bis 43) vorgesehen ist, dessen Magnetfeld sich kreisbogenför
mig in den Plasmaraum (6) hinein erstreckt.
10. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß zwei sich gegenüberliegende Magnetrons (2, 4; 3, 5) mit Targets (13,
14) aus gleichem Material vorgesehen sind, die jeweils zwei Abschirmbleche (21, 22; 23,
24) aufweisen, die vom Vakuumgehäuse (30, 56) elektrisch isoliert sind.
11. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannung der Span
nungsquelle (60) zwischen -50 V und +50 V variabel ist.
12. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Abschirmbleche et
wa 2 mm stark sind und aus Edelstahl bestehen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19924202211 DE4202211A1 (de) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | Sputteranlage mit wenigstens einer magnetron-kathode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19924202211 DE4202211A1 (de) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | Sputteranlage mit wenigstens einer magnetron-kathode |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4202211A1 true DE4202211A1 (de) | 1993-07-29 |
Family
ID=6450365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19924202211 Withdrawn DE4202211A1 (de) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | Sputteranlage mit wenigstens einer magnetron-kathode |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4202211A1 (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5753089A (en) * | 1995-06-28 | 1998-05-19 | Balzers Aktiengesellschaft | Sputter coating station |
DE19939040B4 (de) * | 1998-08-19 | 2005-12-29 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.), Kobe | Magnetronsputtergerät |
US20080197015A1 (en) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Terry Bluck | Multiple-magnetron sputtering source with plasma confinement |
EP2811507A1 (de) * | 2013-06-07 | 2014-12-10 | Soleras Advanced Coatings bvba | Magnetische Konfiguration für ein Magnetron-Sputterauftragungssystem |
RU2601725C1 (ru) * | 2015-06-01 | 2016-11-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Источник металлической плазмы (варианты) |
DE112013006746B4 (de) | 2013-02-28 | 2019-03-21 | Canon Anelva Corporation | Sputtergerät |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4392932A (en) * | 1981-11-12 | 1983-07-12 | Varian Associates, Inc. | Method for obtaining uniform etch by modulating bias on extension member around radio frequency etch table |
EP0095211A2 (de) * | 1982-05-21 | 1983-11-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Magnetron Kathodenzerstaübungssystem |
DE3441470A1 (de) * | 1983-11-14 | 1985-05-23 | GCA Corp., Bedford, Mass. | Anordnung zum aetzen von halbleiterscheiben |
DE3500328A1 (de) * | 1985-01-07 | 1986-07-10 | Nihon Shinku Gijutsu K.K., Chigasaki, Kanagawa | Zerstaeubungsaetzvorrichtung |
SU1279447A1 (ru) * | 1985-01-11 | 1987-08-07 | Объединенный Институт Ядерных Исследований | Источник ионов |
EP0282835A2 (de) * | 1987-03-20 | 1988-09-21 | Leybold Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der reaktiven Schichtabscheidung auf Substraten mittels Magnetronkatoden |
US4871434A (en) * | 1986-04-05 | 1989-10-03 | Leybold-Heraeus Gmbh | Process for equipment to coat tools for machining and forming techniques with mechanically resistant layers |
EP0447764A2 (de) * | 1990-03-22 | 1991-09-25 | Leybold Aktiengesellschaft | Vorrichtung zum Beschichten von Substraten durch Kathodenzerstäubung |
-
1992
- 1992-01-28 DE DE19924202211 patent/DE4202211A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4392932A (en) * | 1981-11-12 | 1983-07-12 | Varian Associates, Inc. | Method for obtaining uniform etch by modulating bias on extension member around radio frequency etch table |
EP0095211A2 (de) * | 1982-05-21 | 1983-11-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Magnetron Kathodenzerstaübungssystem |
DE3441470A1 (de) * | 1983-11-14 | 1985-05-23 | GCA Corp., Bedford, Mass. | Anordnung zum aetzen von halbleiterscheiben |
DE3500328A1 (de) * | 1985-01-07 | 1986-07-10 | Nihon Shinku Gijutsu K.K., Chigasaki, Kanagawa | Zerstaeubungsaetzvorrichtung |
SU1279447A1 (ru) * | 1985-01-11 | 1987-08-07 | Объединенный Институт Ядерных Исследований | Источник ионов |
US4871434A (en) * | 1986-04-05 | 1989-10-03 | Leybold-Heraeus Gmbh | Process for equipment to coat tools for machining and forming techniques with mechanically resistant layers |
EP0282835A2 (de) * | 1987-03-20 | 1988-09-21 | Leybold Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der reaktiven Schichtabscheidung auf Substraten mittels Magnetronkatoden |
EP0447764A2 (de) * | 1990-03-22 | 1991-09-25 | Leybold Aktiengesellschaft | Vorrichtung zum Beschichten von Substraten durch Kathodenzerstäubung |
Non-Patent Citations (7)
Title |
---|
DAVIES, K.E. * |
et.al.: Formation of ba-ferrite films with perpedicular magentization by tragets- facing type of sputtering. In: IEEE Transactions on Magnetics, Vol. MAG-18, Nov.1982, S.1119-1121 * |
HORWITZ, C.M.: Diode and hollow cathode etching in CF¶4¶. In: J.Vac.Sci.Technol. A7 (4), Jul/Aug. 1989,S.2705-2708 * |
MASAHIKO NAOE: Sputter depositionof Co-Cr thin-film media on high-speed rotating disk. In: J.Vac.Sci. Technol. A5(2), Mar/Apr. 1987S.191-195 * |
MATSUCKA, M. * |
MÜNZ,Wolf-Dieter:Titanium aluminum nitride films: A new alternative to TiN coatings. In: J.Vac. Sci.Technol.A 4 (6), Nov./Dec. 1986, S.2717-2725 * |
YOSHIRO MIIMURA * |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5753089A (en) * | 1995-06-28 | 1998-05-19 | Balzers Aktiengesellschaft | Sputter coating station |
DE19939040B4 (de) * | 1998-08-19 | 2005-12-29 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.), Kobe | Magnetronsputtergerät |
US20080197015A1 (en) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Terry Bluck | Multiple-magnetron sputtering source with plasma confinement |
DE112013006746B4 (de) | 2013-02-28 | 2019-03-21 | Canon Anelva Corporation | Sputtergerät |
EP2811507A1 (de) * | 2013-06-07 | 2014-12-10 | Soleras Advanced Coatings bvba | Magnetische Konfiguration für ein Magnetron-Sputterauftragungssystem |
WO2014195517A1 (en) | 2013-06-07 | 2014-12-11 | Soleras Advanced Coatings Bvba | Magnetic configuration for a magnetron sputter deposition system |
RU2601725C1 (ru) * | 2015-06-01 | 2016-11-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Источник металлической плазмы (варианты) |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0205028B1 (de) | Vorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten auf ein Substrat | |
DE3920835C2 (de) | Einrichtung zum Beschichten von Substraten | |
EP0439561B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur beschichtung von substraten | |
EP2100322B1 (de) | Vakuumbeschichtungsanlage zur homogenen pvd-beschichtung | |
DE102006020004B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur homogenen PVD-Beschichtung | |
EP0958195B1 (de) | Verfahren zur sputterbeschichtung von oberflächen | |
DE69329161T2 (de) | Verbesserungen von Verfahren der physikalischen Dampfphasen-Abscheidung | |
DE19902146C2 (de) | Verfahren und Einrichtung zur gepulsten Plasmaaktivierung | |
DE102007058356A1 (de) | PVD-Verfahren und PVD-Vorrichtung zur Erzeugung von reibungsarmen, verschleißbeständigen Funktionsschichten und damit hergestellte Beschichtungen | |
EP0422323B1 (de) | Verwendung von Helium als Prozessgas bei der Beschichtung von Substraten aus Polymethylmethacrylat mit einer dünnen Schicht Aluminium | |
WO1986007391A1 (en) | An apparatus for coating substrates by plasma discharge | |
DE10018015A1 (de) | Anordnung zur Durchführung eines plasmabasierten Verfahrens | |
DE19939040B4 (de) | Magnetronsputtergerät | |
EP1144714A1 (de) | Verfahren und einrichtung zum beschichten von substraten mittels bipolarer puls-magnetron-zerstäubung und deren anwendung | |
DE3919145A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum beschichten eines substrats mit elektrisch leitenden werkstoffen | |
DE69017555T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Sputterauftragen von Filmen. | |
DE4202211A1 (de) | Sputteranlage mit wenigstens einer magnetron-kathode | |
DE102007004760A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten von plattenförmigen oder bandförmigen metallischen Substraten | |
DE3442208C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen harter Kohlenstoffschichten | |
DE102008022145B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Hochleistungs-Puls-Gasfluß-Sputtern | |
DE4239511A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Substraten | |
EP0776987A1 (de) | Vakuumbeschichtungsanlage mit einem in der Vakuumkammer angeordneten Tiegel zur Aufnahme von zu verdampfendem Material | |
EP0563609B1 (de) | Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmas mittels Kathodenzerstäubung und Mikrowelleneinstrahlung | |
DE4030900A1 (de) | Verfahren und einrichtung zum beschichten von teilen | |
EP1397526A2 (de) | Modifizierter dlc-schichtaufbau |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: BALZERS UND LEYBOLD DEUTSCHLAND HOLDING AG, 63450 |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |