NL8200902A - Magnetron-kathodesputtersysteem. - Google Patents

Magnetron-kathodesputtersysteem. Download PDF

Info

Publication number
NL8200902A
NL8200902A NL8200902A NL8200902A NL8200902A NL 8200902 A NL8200902 A NL 8200902A NL 8200902 A NL8200902 A NL 8200902A NL 8200902 A NL8200902 A NL 8200902A NL 8200902 A NL8200902 A NL 8200902A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
plate
support plate
sputtered
microwave
cathode
Prior art date
Application number
NL8200902A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8200902A priority Critical patent/NL8200902A/nl
Priority to US06/369,948 priority patent/US4392939A/en
Priority to EP83200273A priority patent/EP0088463B1/en
Priority to AT83200273T priority patent/ATE22752T1/de
Priority to DE8383200273T priority patent/DE3366772D1/de
Priority to JP58032998A priority patent/JPS58164783A/ja
Priority to CA000422768A priority patent/CA1192318A/en
Priority to ES520264A priority patent/ES8401678A1/es
Priority to AU12032/83A priority patent/AU560381B2/en
Publication of NL8200902A publication Critical patent/NL8200902A/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3497—Temperature of target
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Microwave Tubes (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)
  • Resistance Welding (AREA)

Description

* t , #»_ % EHN 10.289 1 N.V. PHILIPS' GIOEILAMPENFABRIEKEN TE EINDHOVEN.
"Magnetron-kathodesputtersysteera"
De uitvinding heeft betrekking op een magnetron-kathode-sputtersysteem bevattende in een omhulling een anode en een vlakke kathode samengesteld uit een plaat van het te sputteren materiaal (tar- :. get), welke plaat tegen een draagplaat (backing plate) is bevestigd, 5 achter welke draagplaat middelen zijn aangebracht voor het vormen van een magnetisch veld voor de genoende plaat in de omhulling.
Dergelijke systemen worden veel gebruikt voor het aanbrengen van dunne films van een materiaal qp substraten. Tijdens het bedrijven van het magnetron-kathodesputtersysteem wordt het substraat in de omhulling ge-10 plaatst, welke omhulling gevuld is met een gas. Door het aanleggen Van een voldoende hoge potentiaal tussen de anode en de kathode ontstaat er een gasontlading waarin gasionen met grote snelheid de plaat uit het te sputteren materiaal (het z.g. "target") treffen en daaruit materiaal vrijmaken (voornamelijk atanen). Dit gesputterde materiaal wordt vervol-15 gens door het substraat opgevangen. Door tunnels van magnetische veld-lijnen voor de plaat van het te sputteren materiaal aan te brengen welke elektronen invangen, worden meer ionen gevormd en daardoor het sputter-proces geïntensiveerd. Daardoor ontstaat qp het substraat sneller de gewenste laag. Bij dergelijke systemen moet de plaat van het te sput-20 teren materiaal zeer goed gekoeld worden cm te voorkomen dat de plaat smelt en om te voorkomen dat de plaat te veel stralingswarxnte afgeeft.
Een magnetron-kathodesputtersysteem van de in de eerste alinea genoemde soort is bekend uit het Amerikaans octrooi 4.204.936. De plaat uit het te sputteren materiaal wordt volgens de in dit octrooischrift beschreven 25 uitvinding met een of meer magneten tegen de draagplaat gekierd, welke magneten met achter de draagplaat gelegen magneten samenwerken. Eten nadeel van een dergelijke inrichting is , dat de klemkracht per oppervlakte eenheid laag is. Bovendien wordt het magnetisch veld voor de plaat op ongunstige wijze beïnvloed.
30 Dergelijke sputtersystemen worden gebruikt voor het vervaardigen van optische informatiedragers, waarbij een substraat bestaande uit een dunne plastic of glazen schijf waarin zich de informatie in de vorm van een 8200902
^ V
.> '-V
* % ΕΗΝ 10.289 2 --groot aantal putjes bevindt, met een dunne metaalfilm wordt bedekt. ......—
Tot nu toe werden de platen van het te sputteren materiaal ook wel via een soldeerverbinding aan de draagplaten bevestigd cm een goed mechanisch en thermisch contact te bewerkstelligen. Als de plaat echter aan 5 de draagplaat is vastgesöldeerd en de plaat door afsputtering versleten is, is het zeer moeilijk de plaat en draagplaat van elkaar te scheiden, zodat de draagplaat weer opnieuw gebruikt kan worden. Bovendien is het moeilijk bij grote afmetingen van beide platen over het gehele oppervlak een hcmogene soldeerverbinding te realiseren.
10 In het Britse octrooischrift 1.311.042 is een hoogfrequent kathodesput-tersysteem beschreven waarin een plaat van het te sputteren materiaal met behulp van een vastgeschroefde kleuring tegen de draagplaat is bevestigd. Tussen de plaat en de draagplaat is een goed warmtegeleidend materiaal aangebracht, bijvoorbeeld een vloeibaar metaal of een me-15 taalpasta. Ook bij een dergelijke koeling is het ónmogelijk gebleken een zeer homogeen warmtecontact tussen de plaat en de draagplaat te bewerkstelligen dat voor een magnetrcn-kathodesputtersysteem nodig is. Bovendien moeten afdichtingen worden aangebracht om te voorkomen dat het vloeibaar metaal in de omhulling terecht komt.
20 De uitvinding beoogt een magnetron-kathodesputtersysteem aan te geven waarbij het warmtecontact tussen de plaat van het te sputteren materiaal en de draagplaat zeer homogeen is en waarbij de plaat op zeer eenvoudige wijze tegen de draagplaat bevestigd kan worden en later weer verwijderd kan worden.
25 Een magnetron-kathodesputter systeem van de in de eerste alinea genoemde soort wordt volgens de uitvinding gekenmerkt, doordat de rand van de plaat uit het te sputteren materiaal tegen de rand van een opening in de omhulling op gasdichte wijze is bevestigd, welke draagplaat van een aantal kanalen is voorzien welke in het raakvlak van plaat en draagplaat 30 uitmonden en de draagplaat tegen de plaat door vacuumaanzuiging via de genoemde kanalen is bevestigd.
Omdat in de omhulling gedurende het sputterproces een relatief lage druk (0,001 Torr) heerst, is het nodig cm de rand van de plaat op de rand van de opening in de omhulling te laten rusten. Door vacuumaanzui-35 ging via de genoemde kanalen wordt de draagplaat ten gevolge van de atmosferische druk voortdurend tegen de plaat uit het te sputteren materiaal gedrukt. Omdat de uitmondingen van de kanalen regelmatig verdeeld 8200902 EHN 10.289 3 ·?* „ f * -----kunnen warden over het raakvlak van de plaat uit het te sputteren ma- - teriaal en de draagplaat, wordt een zeer homogene aandrukking nodig voor een homogene warmteoverdracht verkregen. De warmteoverdracht kan nog verbeterd warden door het raakvlak van plaat en draagplaat van een dunne 5 laag soldeermateriaal te voorzien, welk soldeermateriaal niet aan de genoemde plaat, maar wel aan de draagplaat hecht, welk soldeermateriaal een smelttemperatuur heeft, welke enkele tot enkele tientallen graden boven de bedrijfstemperatuur van de kathode is gelegen. Door tijdens de bevestiging van de draagplaat kokend water door de koelkanalen te laten 10 lopen, smelt het soldeermateriaal en hecht na afkoeling aan de draagplaat Verder vult het door de homogene en Continue aandrukking de eventuele ruimte tussen de plaat en de draagplaat geheel op, waardoor een zeer goede warmteoverdracht tussen de plaat en de draagplaat wordt verkregen, welke 8 a 10 maal groter is dan de warmteoverdracht bij toepassing van 15 b.v. een warmtegeleidende pasta. Een geschikt soldeermateriaal is bijvoorbeeld Bi 50 Pb 26.7 Sn 13.3 Cd 10 of Bi 49 Pb 18 Sn 12 In 21 of Bi 34 In 66.
In het genoemde Amerikaanse octrooischrift 4.204.936 is beschreven dat ter bevordering van het warmtetransport een laag soldeermateriaal tus-20 sen de plaat en draagplaat wordt aangebracht. De draagplaat is bedekt met een dunne laag nikkel, zodat het soldeer niet aan de draagplaat hecht. Deze nikkellaag vormt echter een storende kortsluiting van het' magneetveld. Bovendien moet bij deze methode steeds weer nieuw soldeermateriaal warden toegepast, daar het soldeermateriaal aan de plaat uit 25 het te sputteren materiaal hecht.
De uitvinding wordt nu verder bij wijze van voorbeeld nader toegelicht aan de hand van een tekening, waarin figuur 1 schematisch een magnetron-kathodesputtersysteem volgens de uitvinding in een doorsnede is getoond en in 30 figuur 2 een detail van figuur 1 in een doorsnede is weerge geven.
Het magnetron-kathodesputtersysteem, zoals schematisch weergegeven in figuur 1, bevat in een omhulling 1 een ringvormige anode 2 en een kathodesysteem 3. De omhulling 1 kan via de potpleiding 4 worden 35 geëvacueerd en met een gas worden gevuld (b.v. met argon).
De omhulling is verder voorzien Van een sluis 5, waaraan een houder 6 voor het te besputteren substraat 7 is bevestigd. Het substraat is \
«V
« , 8200902 * PHN 10.289 4 o*» ‘ » ------ bijvoorbeeld een plastic schijf vormige informatiedrager zoals wordt toegepast in het video-long-play (V.L.P.) systeem Van de N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken hetgeen o.a.. beschreven is in Philips Tech. Rev.
33/ 178-180/ 1973/ no. 7. Het kathodesysteem 3 bestaat bijvoorbeeld uit 5 een 1 cm. dikke aluminium' plaat 8 welke het te sputteren materiaal vormt. De rand 9 van plaat 8 is met behulp van een af dichtende ring 10 uit een isolatiemateriaal tegen de rand 11 van opening 12 in de omhulling 1 bevestigd. Tegen plaat 8 is de draagplaat 13 bevestigd welke van een koelleiding 14 is voorzien waardoor koelvloeistof stroomt om de van 10 plaat 8 afkomstige warmte af te. voeren. Tegen de draagplaat 13 zijn een aantal magneten 15 bevestigd welke voor het oppervlak van plaat 8 tunnels van magnetische veldlijnen 16 opwekken. In deze tunnels worden de van de kathode afkomstige elektronen gevangen, welke dan dicht bij de kathode het gas in de omhulling ioniseren. Cmdat er nu meer ionen ge-15 vormd worden die op plaat 8 botsen wordt het sputterproces geïntensiveerd. Hierdoor wordt plaat 8 heter dan zonder toepassing van de magneten.
In figuur 2 is een detail van figuur 1 in een doorsnede weergegeven, De draagplaat 13 bevat een groot aantal kanalen 17 welke in 20 het raakvlak 18 van plaat 8 en draagplaat 13 uitmonden. Door nu volgens de uitvinding de kanalen 17 te evacueren wordt draagplaat 13 door aanzuiging in homogeen contact gebracht met plaat 8, waardoor over het gehele raakvlak een zeer goede warmteoverdracht wordt verkregen. Dit contact kan nog warden verbeterd door zoals reeds beschreven tussen..
25 de plaat 8 en de draagplaat 13 een laag soldeermateriaal aan te brengen die uitsluitend aan de draagplaat 13 hecht.
In figuur 1 bevinden zich voor de plaat 8 in de omhulling twee ringvormige tunnels van veldlijnen 16. Er kunnen natuurlijk ook meer ringvormige tunnels of slechts één ringvormige tunnel warden toegepast.
30 De tunnel kan ook een andere vorm hebben. De veldlijnen kunnen zich ook evenwijdig aan het oppervlak van plaat 8 uitstrekken en een scherm van magnetische veldlijnen vormen. De plaat en draagplaat zijn bij voorkeur rond, maar ze kunnen ook een vierkante, rechthoekige of elke andere gewenste vorm hebben.
35 8200902

Claims (3)

  1. 2. Hagnetron-kathodesputtersysteem volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het raakvlak van plaat en draagplaat van een dunne laag soldeermateriaal is voorzien, welk soldeermateriaal niet aan de genoem- 15 de plaat, maar wel aan de draagplaat hecht en welk soldeermateriaal een smelttenperatuur heeft, welke enkele tot enkele tientallen graden boven de bedrijfstemperatuur van de kathode is gelegen.
  2. 3. Magnetron-kathodesputtersysteem volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat de smeltterrperatuur van het soldeermateriaal tussen de 70 20 en 10Q°C is gelegen.
  3. 4. Magnetron-kathodesputtersysteem volgens conclusie 1, 2 of 3, met het kenmerk, dat het een systeem is voor het bedekken van schijf-vormige informatiedragers met een lichtreflekterende film. 25 30 35 8200902
NL8200902A 1982-03-05 1982-03-05 Magnetron-kathodesputtersysteem. NL8200902A (nl)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8200902A NL8200902A (nl) 1982-03-05 1982-03-05 Magnetron-kathodesputtersysteem.
US06/369,948 US4392939A (en) 1982-03-05 1982-04-19 Magnetron cathode sputtering system
EP83200273A EP0088463B1 (en) 1982-03-05 1983-02-23 Magnetron cathode sputtering system
AT83200273T ATE22752T1 (de) 1982-03-05 1983-02-23 Magnetron kathodisches zerstaeubungssystem.
DE8383200273T DE3366772D1 (en) 1982-03-05 1983-02-23 Magnetron cathode sputtering system
JP58032998A JPS58164783A (ja) 1982-03-05 1983-03-02 マグネトロン形陰極スパツタ装置
CA000422768A CA1192318A (en) 1982-03-05 1983-03-03 Magnetron cathode sputtering system
ES520264A ES8401678A1 (es) 1982-03-05 1983-03-03 Un sistema de pulverizacion catodica para magnetron.
AU12032/83A AU560381B2 (en) 1982-03-05 1983-03-03 Magnetron cathode sputtering system

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8200902 1982-03-05
NL8200902A NL8200902A (nl) 1982-03-05 1982-03-05 Magnetron-kathodesputtersysteem.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8200902A true NL8200902A (nl) 1983-10-03

Family

ID=19839373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8200902A NL8200902A (nl) 1982-03-05 1982-03-05 Magnetron-kathodesputtersysteem.

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4392939A (nl)
EP (1) EP0088463B1 (nl)
JP (1) JPS58164783A (nl)
AT (1) ATE22752T1 (nl)
AU (1) AU560381B2 (nl)
CA (1) CA1192318A (nl)
DE (1) DE3366772D1 (nl)
ES (1) ES8401678A1 (nl)
NL (1) NL8200902A (nl)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4657654A (en) * 1984-05-17 1987-04-14 Varian Associates, Inc. Targets for magnetron sputter device having separate confining magnetic fields to separate targets subject to separate discharges
US4606806A (en) * 1984-05-17 1986-08-19 Varian Associates, Inc. Magnetron sputter device having planar and curved targets
US4595482A (en) * 1984-05-17 1986-06-17 Varian Associates, Inc. Apparatus for and the method of controlling magnetron sputter device having separate confining magnetic fields to separate targets subject to separate discharges
US4569746A (en) * 1984-05-17 1986-02-11 Varian Associates, Inc. Magnetron sputter device using the same pole piece for coupling separate confining magnetic fields to separate targets subject to separate discharges
US5215639A (en) * 1984-10-09 1993-06-01 Genus, Inc. Composite sputtering target structures and process for producing such structures
US4597847A (en) * 1984-10-09 1986-07-01 Iodep, Inc. Non-magnetic sputtering target
JP2934711B2 (ja) * 1989-12-07 1999-08-16 カシオ計算機株式会社 スパッタ装置
KR950000906B1 (ko) * 1991-08-02 1995-02-03 니찌덴 아넬바 가부시기가이샤 스퍼터링장치
US5458759A (en) * 1991-08-02 1995-10-17 Anelva Corporation Magnetron sputtering cathode apparatus
US5374343A (en) * 1992-05-15 1994-12-20 Anelva Corporation Magnetron cathode assembly
US5286361A (en) * 1992-10-19 1994-02-15 Regents Of The University Of California Magnetically attached sputter targets
US5414588A (en) * 1993-09-20 1995-05-09 The Regents Of The University Of California High performance capacitors using nano-structure multilayer materials fabrication
US6033483A (en) * 1994-06-30 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Electrically insulating sealing structure and its method of use in a high vacuum physical vapor deposition apparatus
ES2142008T3 (es) * 1996-01-31 2000-04-01 Leybold Materials Gmbh Blanco para proyeccion ionica constituido por estaño o una aleacion a base de estaño.
EP0787818A1 (de) * 1996-01-31 1997-08-06 LEYBOLD MATERIALS GmbH Sputtertarget aus einer Zinn- oder Zinn-Basislegierung
JP2000133693A (ja) * 1998-08-19 2000-05-12 Shibaura Mechatronics Corp 真空装置用駆動機構および真空装置
JP3568845B2 (ja) * 1999-11-09 2004-09-22 株式会社日鉱マテリアルズ スパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体の矯正方法及び同矯正装置
DE10216671A1 (de) * 2002-04-15 2003-12-18 Applied Films Gmbh & Co Kg Beschichtungsanlage
US20050145487A1 (en) * 2002-04-15 2005-07-07 Michael Geisler Coating installation
US20080067058A1 (en) * 2006-09-15 2008-03-20 Stimson Bradley O Monolithic target for flat panel application
KR100899355B1 (ko) * 2007-11-15 2009-05-27 한국과학기술연구원 플라스마 증착 장치 및 방법
KR20130017314A (ko) * 2011-08-10 2013-02-20 삼성디스플레이 주식회사 스퍼터링 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR846557A (fr) * 1938-04-14 1939-09-20 Procédé pour métalliser des articles métalliques par pulvérisation cathodique
US3616449A (en) * 1970-03-30 1971-10-26 Bendix Corp Sputtering anode
US4204936A (en) * 1979-03-29 1980-05-27 The Perkin-Elmer Corporation Method and apparatus for attaching a target to the cathode of a sputtering system
US4297190A (en) * 1979-05-14 1981-10-27 Western Electric Co., Inc. Method for removing heat from a workpiece during processing in a vacuum chamber
US4274476A (en) * 1979-05-14 1981-06-23 Western Electric Company, Inc. Method and apparatus for removing heat from a workpiece during processing in a vacuum chamber
US4272355A (en) * 1980-02-26 1981-06-09 International Business Machines Corporation Process of bonding sputtering targets to target electrodes
US4341810A (en) * 1981-08-27 1982-07-27 Dynagel Incorporated Gelled gelatin food product prepared from non-gelled aqueous gelatin compositions

Also Published As

Publication number Publication date
EP0088463B1 (en) 1986-10-08
CA1192318A (en) 1985-08-20
EP0088463A1 (en) 1983-09-14
ES520264A0 (es) 1983-12-01
AU560381B2 (en) 1987-04-02
ATE22752T1 (de) 1986-10-15
JPS58164783A (ja) 1983-09-29
US4392939A (en) 1983-07-12
ES8401678A1 (es) 1983-12-01
JPH0214425B2 (nl) 1990-04-09
DE3366772D1 (en) 1986-11-13
AU1203283A (en) 1983-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8200902A (nl) Magnetron-kathodesputtersysteem.
EP0095211B1 (en) Magnetron cathode sputtering system
US5428882A (en) Process for the fabrication of aluminum metallized pyrolytic graphite sputtering targets
KR100824928B1 (ko) 고전력 스퍼터링 작업을 위한 마찰 끼워 맞춤 타겟 조립체
KR100642034B1 (ko) 저온 스퍼터 타겟 접착방법 및 이 방법으로 제조된 타겟조립체
US2984759A (en) Photoconductive pick-up tube and method of manufacture
CN108022819A (zh) 一种高增益、高分辨力、大口径像增强管的制作方法
JPH10121232A (ja) スパッタリングターゲット
US4795390A (en) Method of manufacturing a photomultiplier tube having a proximity multiplier element
US3159442A (en) Production of thin films
US3788892A (en) Method of producing a window device
US5159231A (en) Conductively cooled microchannel plates
US3344505A (en) Method of bonding a boron nitride body to a refractory metal
US3838031A (en) Means and method for depositing recrystallized ferroelectric material
US3271608A (en) X-ray vidicon target assembly
JP2000149791A (ja) 封止容器及び封止方法及び封止装置及び画像形成装置
US2175691A (en) Photovoltaic target
US2289921A (en) Photosensitive electrode
JP2745145B2 (ja) スパッタ用ターゲットの接合方法
JPH02254164A (ja) 分割スパッタリングターゲット
JPS6018749B2 (ja) スパツタリング用タ−ゲツト
US2158640A (en) Electron discharge device
JPS6353265A (ja) イオンビ−ムスパツタリング装置
US3128531A (en) Dynodes for electron discharge tubes and methods of making same
US2241215A (en) Luminescent screen

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
A85 Still pending on 85-01-01
BV The patent application has lapsed