KR100824928B1 - 고전력 스퍼터링 작업을 위한 마찰 끼워 맞춤 타겟 조립체 - Google Patents

고전력 스퍼터링 작업을 위한 마찰 끼워 맞춤 타겟 조립체 Download PDF

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토소우 에스엠디, 인크
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Abstract

본 발명은 고전력 작업을 위한 신규의 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 조립체(10)와, 저온에서 상기 조립체(10)를 제작하는 방법에 관한 것이다. 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 조립체(10)는 상이한 열팽창계수를 갖는 타겟(12)들 및 백킹 플레이트(16)들을 포함한다. 합체된 타겟(12) 및 백킹 플레이트(16)가 상이한 열팽창 계수를 가질지라도, 그것들은 구부러지거나 휘지 않고 높은 스퍼터링 온도에서 함께 접합되어 사용될 수 있고, 특정 타겟 금속과 일반적으로 접합된 백킹 플레이트들(16)을 이용할 수 있다. 상기 제작 방법에 있어서, 다수의 수형 돌출부(16)는 다른 표면에 형성된 다수의 대응하는 암형 홈(32)과 조립체(10)의 하나의 부재에 형성된다. 조립체(10)는 수형 부분(26) 및 암형 부분(32)을 둘러싸는 환형 영역 주위에 종래 기술들에 의해 짝 맞춤된다. 그 결과, 조립체(10)는, 돌출부들이 암형 홈 내로 강제 끼워 맞춰지도록 저온에서 가압 합체된다.
타겟, 백킹 플레이트, 스퍼터, 수형 돌출부, 암형 홈

Description

고전력 스퍼터링 작업을 위한 마찰 끼워 맞춤 타겟 조립체{Friction fit target assembly for high power sputtering operation}
관련 발명과의 상호 참조
2000년 12월 15일 출원된 앞선 미국 임시 출원 제 60/256,110 호의 이익이 본 명세서에 주장된다.
발명의 분야
본 발명은 고전력 작업을 위한 타겟 및 백킹 플레이트(target/backing plate) 조립체를 스퍼터링하여, 조립체를 저온에서 제작하는 방법에 관한 것이다.
음극성 스퍼터링(cathodic sputtering)은 필요한 기판들 상에 박층의 재료를 침착하기 위해 널리 사용되고 있다. 기본적으로, 이러한 공정은 기판상에서 박막 또는 박층으로서 침착되는 재료로 형성된 면을 갖는 타겟의 가스 이온 충돌을 요구한다. 타겟의 이온 충돌은 타겟 재료의 원자들 또는 분자들이 스퍼터링되도록 할 뿐만 아니라 상당한 열 에너지를 그 타겟에 전달한다. 이러한 열은 타겟과 열 교환 관계로 위치되는 열 전도성 백킹 플레이트 아래 또는 그 주위에서 통상적으로 순환되는 냉각 유체의 사용에 의해 분산된다.
이러한 타겟은 불활성 가스, 바람직하게 아르곤을 수용하는 진공 챔버 내에 양극(애노드)과 함께 배치되는 음극(캐소드) 조립체의 일부를 형성한다. 고전압 전기장은 음극 및 양극에 걸쳐서 인가된다. 불활성 가스는 음극으로부터 방출된 전자들과 충돌하는 것에 의하여 이온화된다. 양전기로 하전된 가스 이온들은 음극으로 끌어 당겨져서, 타겟 표면과 충돌하여 타겟 재료를 제거한다. 제거된 타겟 재료들은 진공 봉입부(evacuated enclosure)를 가로지르고, 통상 양극 부근에 위치된 필요한 기판상에 박막으로서 침착된다.
전기장의 사용에 부가하여, 스퍼터링 속도를 증가시키는 것은, 전기장 위에 포개지고 타겟의 표면 위에서 폐루프 구성으로 형성되는 원호 형상의 자기장의 동시 사용에 의해 달성되었다. 이러한 방법들은 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering) 방법들로서 공지되어 있다. 원호 형상의 자기장은 타겟 표면에 인접한 환형 영역(annular region)에서 전자들을 포획하여, 상기 환형 영역에서의 양전기로 하전된 가스 이온들의 수를 증가시키도록 환형 영역에서 전자-가스 원자 충돌들의 수를 증가시키며, 양전기로 하전된 가스 이온들은 타겟 재료를 제거하도록 타겟을 때린다. 따라서, 타겟 재료는, 타겟 궤도(target raceway)로서 공지된, 타겟 면의 일반적인 환형 부분에서 부식된다(즉, 기판상의 후속하는 침착을 위해 소모된다).
통상적인 타겟 음극 조립체에 있어서, 타겟은 비자기성 백킹 플레이트에 부착된다. 백킹 플레이트는 일반적으로 타겟의 이온 충돌에 의해 발생된 열을 빼앗도록 물로 냉각된다. 통상적으로, 타겟의 노출된 면 주위에서 연장하는 루프 또는 터널의 형태로 상기 자기장을 형성하기 위하여, 자석들이 공지된 침착 방식으로 백킹 플레이트 밑에 배열된다.
타겟과 백킹 플레이트 사이에 양호한 열 및 전기 접촉을 달성하기 위해, 이러한 타겟과 백킹 플레이트는 일반적으로, 연납땜(soldering), 경납땜(brazing), 확산 결합(diffusion bonding), 클램핑(clamping) 수단, 및 에폭시 시멘트(epoxy cement) 등에 의해 서로 부착된다. 그러나, 이러한 방법들에 의해 접합된 스퍼터 타겟 조립체들은 특히 타겟 및 백킹 플레이트에 대한 열팽창의 계수 사이에 큰 차이가 존재할 때 높은 스퍼터링 온도에서 구부러지거나 휘어질 수 있다. 많은 경우들에 있어서, 높은 스퍼터링 상태에서 플레이트들의 구부러짐 및 휨을 최소화하기 위하여, 유사한 열팽창계수들을 갖는 타겟 및 백킹 플레이트들이 함께 짝 맞춤된다.
많은 경우에서, 타겟과 백킹 플레이트들은 확산 접합될 수 있다. 그러나, 열간 등방 가압 캔(hot isostaic pressing can, HIP can)에서 실행되는 확산 접합들과 관련하여 구체적으로 말하면, 열간 등방 가압 캔은 열간 등방 가압 공정 동안 누설될 수 있어서, 열간 등방 가압 캔 내의 오염물 또는 잔류 공기로 인하여 백킹 플레이트에 대한 금속 타겟 접합을 방해하거나 감소시킬 수 있다.
추가적으로, 상기 개시된 접합 방법들 중 일부와 관련될 수 있는 높은 온도는 타겟 금속에서의 불필요한 결정 성장(grain growth)이 따를 수 있다.
본 발명은 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 조립체들의 통합(consolidation)을 제공하는 저온 접합 방법에 관한 것이다. 이러한 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트는 상이한 열팽창계수들을 갖는 타겟 및 백킹 플레이트로 구성된다. 타겟 및 백킹 플레이트가 상이한 열팽창계수를 가질지라도, 상기 방법은 이러한 신규의 조립체들이 현저한 구부러짐 또는 휨 없이 높은 스퍼터링 온도에서 서로 접합되어 사용되도록 한다. 그 결과, 이러한 스퍼터 타겟 조립체들은 특정 타겟 금속과 대체로 관련된 종래의 백킹 플레이트보다 높은 열팽창계수 및 낮은 전기 전도성을 갖는 백킹 플레이트를 이용할 수 있다. 최근에, 이러한 방법은, 타겟 조립체가 저온에서의 통합으로 인해 타겟 금속에서 결정 성장을 최소화하도록 한다.
발명의 요약
본 발명에 있어서, 다수의 돌출부(projection) 및 홈(groove), 또는 다른 두드러진 표면 부분들을 가지도록 가공 또는 형성되는 타겟 및 백킹 플레이트가 제공된다. 주목할만하게, 돌출부들 또는 두드러진 부분들의 가공은 가장 단단한 표면을 갖는 타겟 또는 백킹 플레이트로 반드시 제한되지는 않는다. 이러한 돌출부들 또는 두드러진 부분들은 타겟 또는 백킹 플레이트의 안쪽 표면을 따라 형성된다. 돌출된 표면은 그런 다음 접합이 발생하는 타겟과 백킹 플레이트 경계면을 따라서 조립체의 다른 부재의 짝 맞춤 표면(적절하게 배치된 짝 맞춤 부재를 가지는) 쪽에 배치된다.
경계면의(interfacial) 표면 조립체의 주변 경계는 바람직하게 진공 하에서 전자 빔 용접(electron beam welding), TIG 용접, 마찰 용접, 연납땜, 경납땜 등과 같은 종래 수단에 의해 접합된다. 그 결과, 상기 조립체에서는 저온, 바람직하게 실온에서 압력이 가해진다.
타겟 또는 백킹 플레이트를 따라 형성된 돌출부들은 타겟 및 백킹 플레이트 경계면을 따라서 짝 맞춤 부재 내로 들어간다. 돌출부들은 마주하는 접합 표면상의 홈내로 들어간다. 들어간 후에 강제 또는 마찰 끼워 맞춤 접합이 형성되도록, 돌출부 및 홈은 서로 다른 크기들을 갖는다.
이러한 저온 접합 방법은 신규의 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 조립체들의 통합을 가능하게 한다. 이러한 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 조립체들은 조립체가 상이한 열팽창계수를 갖는 타겟 및 백킹 플레이트들 포함하는 한 신규한 것이다. 예를 들어, 타겟 및 백킹 플레이트의 열팽창계수(TEC) 사이의 차는 약 2.4㎛/m℃ 이상일 수 있고, 예비적인 데이터는, 4㎛/m℃ 이상의 TEC에서의 차이를 갖는 타겟 및 백킹 플레이트들이 또한 성공적으로 접합되어 20-30kw의 고전력 스퍼터링 공정에서 사용될 수 있다는 것을 제안한다. 이러한 공정에서, 타겟 온도는 약 200℃- 300℃에 도달할 수 있다. 선택적 금속 삽입체(insert)가 조립 공정 동안 타겟과 백킹 플레이트 사이에 배치될 수 있다.
Ti 타겟들에 관하여 구체적으로 말하면, 종래 기술의 확산 접합은 저온 전도성을 갖는 종래의 AL 6061 백킹 플레이트들에 제한되었다. 이와 대조적으로, 일시적인 방법에 의해 형성된 하나의 이러한 바람직한 조립체는 조립체의 주변 경계에 인접하여 배치된 신규의 Cu-1%Cr 백킹 플레이트와 Cu-Ni 삽입체를 갖는 Ti 또는 Ti 합금 타겟이다.
이러한 바람직한 신규의 조립체에 있어서, Ti 타겟 및 Cu-1%Cr 백킹 플레이트는 약 17.6㎛/m℃의 Cu-1%Cr 및 약 8.9㎛/m℃의 Ti의 상이한 다른 열팽창계수를 갖는다. 열팽창계수들이 상이할지라도, 접합된 조립체는 고전력 레벨의 스퍼터링 상태동안 실질적으로 분리 및/또는 구부러짐이 발생하지 않는다. 그 결과, 이러한 신규의 조립체는 종래의 AL 6061 백킹 플레이트보다 높은 열 전도성 및 낮은 전기 전도성을 갖는 Cu-1%Cr 백킹 플레이트를 이용할 수 있다.
추가적으로, 바람직한 조립체에서 사용되는 Cu-Ni 삽입체는 또한 와전류(eddy current)를 감소시키는 낮은 전기 전도성을 갖고, 고전력 응용물에서의 사용을 허용하는 적절한 높은 열전도성을 갖는다. 따라서, 이러한 Cu-Ni 삽입체는 또한 신규의 고전력 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 조립체를 형성하도록 본 명세서에 개시된 저온 방법 하에서 Ti 및 Ti 합금 타겟에 접합될 수 있는 백킹 플레이트로서 사용될 수 있다.
저온에서 성공적으로 접합될 수 있는 다른 고전력 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 결합들은 Cu-1%Cr 백킹 플레이트에 접합되는 Co 또는 Co 합금 타겟, 또는 Ti 또는 Ti 합금 백킹 플레이트에 접합되는 Ta 또는 Ta 합금 타겟을 포함하는 것을 알 수 있었다.
본 발명의 다른 목적들 및 장점들은 다음에 따르는 기술, 첨부 도면, 및 특허 청구 범위로부터 명확해질 것이다.
도 1은 원통형 구멍들로의 삽입체를 위해 준비한 원통형의 수형 돌출부(male projection)들의 형태로 마찰 끼워 맞춤 접합 메카니즘들을 도시하는 타겟 및 백킹 플레이트 조립체의 간략화된 단면도.
도 2는 하나의 부재에서 사각의 수형 돌출부들을 갖는 짝 맞춤 부재들의 또다른 실시예를 도시하는 개략적인 단면도.
도 3은 짝 맞춤 또는 접합 위치에서의 도 1에 도시된 조립체의 개략적인 단면도.
도 4는 짝 맞춤 또는 접합 위치에서의 도 2 에 도시된 조립체의 개략적인 단면도.
도 5는 접합 이전에 도 1의 조립체의 부분적으로 확대된 사시도.
도 6은 접합 이전에 도 2의 조립체의 부분적으로 확대된 사시도.
바람직한 실시예의 상세한 설명
먼저, 도 1을 참조하여, 타겟 및 백킹 플레이트 조립체(10)가 도시되어 있다. 종래의 스퍼터링 방법들에 따라서, 조립체(10)는 이온 충돌을 통해 타겟(12)으로부터 방출되어 필요한 기판(도시되지 않음)을 가로질러 기판을 코팅하는 금속 또는 금속 합금의 상부측(14)을 갖는 타겟(12)을 포함한다.
백킹 플레이트(16)는 타겟(12) 아래에 제공되며, 타겟(12)의 짝 맞춤 표면(18)은 계면의 표면 영역(22, 도 3 및 도 4)을 형성하도록 백킹 플레이트(16)의 짝 맞춤 표면(20)과 짝 맞춤되는데 적합하다. 일반적으로, 물과 같은 열 교환 유체(도시되지 않음)는 조립체(10)의 스퍼터링 작업 동안 조립체(10)를 냉각시키도록 백킹 플레이트(16)의 바닥측(24)에 인접하여 순환된다.
도 1의 실시예에 도시된 바와 같이, 다수의 원통형 수형 돌출부(26)들은 백킹 플레이트(16)의 짝 맞춤 표면(20)에 가공되고, 타겟 플레이트(12)의 짝 맞춤 표면(18)은 수형 돌출부(26)의 직경보다 작은 직경의 대응하는 원통형 암형 홈(32)들을 구비한다.
일부 경우에 있어서, 타겟(12) 및 백킹 플레이트(16) 사이에서 조립체(10)의 주변 경계(34)에 인접하여 링과 같은 형태를 하는 삽입체(33)를 제공하는 것이 바람직하다. 삽입체(32)는 백킹 플레이트(16)에 대한 타겟(12)의 접합을 향상시킨다.
조립체(10)는 먼저 주변 경계(34)에 인접한 환형 영역 또는 구역(36, 도 3 및 도 4)을 따라서 짝 맞춤된다. 조립체(10)의 환형의 구역(36)을 따르는 이러한 초기 접합은 진공 상태 하에서의 E-빔 용접, TIG 용접, 및 마찰 용접 등과 같은 종래 수단에 의해 달성될 수 있다. 바람직하게, 타겟(12)과 백킹 플레이트(16)의 주변 경계(34)의 접합은 진공 상태 하에서 E-빔 용접을 통해 실행된다.
주변 접합 후에, 조립체(10)는 바람직하게 실온 내지 약 38℃의 저온 조건 하에서 조립체에 대한 압력 적용을 통하여 약 50 톤-5,000 톤; 바람직하게 약 1,000 톤 미만의 압력으로 합체된다. 수형 돌출부(26)들은 대응하는 암형 홈(32)들 내로 마찰 끼워 맞춰진다. 그러므로, 본 발명의 잠금 접합(locking joint)은 수형 돌출부(26) 및 대응하는 암형 홈(32)들 사이에 형성된 마찰 끼워 맞춤 접합으로서 기술될 수 있다. 당업자는 가압 합체 후에 주변 접합이 발생할 수 있다는 것을 예측할 것이다.
저온 가압 합체 후에, 조립체(10)는 0.5 내지 4 시간 동안 실온 내지 400℃에서 행해지는 저온 풀림(annealing) 단계를 거친다. 이러한 풀림 단계는 가압 합체된 표면들의 적절한 접착을 보장하게 된다.
용어 "저온 가압 합체"는, 타겟 및 백킹 플레이트 중 저온 용융 부재의 용융 온도의 약 50% 보다 낮은 온도에서 발생할 수 있는 가압 합체를 뜻한다. 바람직하게, 이러한 온도는 약 200℃ 보다 낮으며; 가장 바람직하게 실온에서 약 38℃까지이다.
삭제
도 2를 참조하여, 타겟(12) 및 백킹 플레이트(16)가 저온 가압 합체에 의해 접합될 수 있는 본 발명의 또 다른 실시예가 도시되어 있다. 여기서, 수형 돌출부(26)들은 세장형 정사각의 단면의 부재들의 형태이며, 타겟(12)에 형성된 정사각 암형 홈(32)들 내로 강제 끼워 맞춰진다.
도 3 및 도 4는 짝 맞춤된 위치에 있는 도 1 및 도 2의 조립체를 각각 도시하고, 조립체들은 저온 가압 합체에 의해 수형 돌출부(26)들이 그 짝인 암형 홈(32)들 내로 자유롭게 마찰 끼워 맞춰져, 타겟(12)과 백킹 플레이트(16)가 긴밀하게 짝 맞춤된다.
도 5는 도 1의 실시예의 수형 돌출부(26)들과 암형 홈(32)들을 사시적으로 도시한다. 수형 돌출부(26)들은 원통형 암형 홈(32)들과 짝 맞춤하는데 적합한 원통형 못(dowel)과 같은 돌출부의 형태이다. 암형 홈(32)들은 수형 돌출부(26)들의 외경 보다 작은 내경을 갖는다. 도시된 바와 같이, 수형 돌출부(26)들과 암형 홈(32)들은 동심으로 배열된 환형 열들의 패턴으로 배열된다.
도 6은 도 2의 실시예에 도시된 수형 돌출부(26) 및 암형 홈(32)을 도시한다. 여기서, 수형 돌출부(26)들은 보다 작은 암형 홈(32) 내로의 수용되는데 적합한 세장형 정사각 단면의 지주(stud)의 형태이다.
이러한 접합 방법은 신규의 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 조립체(10)의 합체를 가능하게 한다. 이러한 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 조립체(10)는 조립체가 상이한 열팽창계수를 갖는 타겟(12)과 백킹 플레이트(16)를 포함하는 한 신규한 것이다. 선택적인 금속 삽입체(33)는 조립체(10)를 접합하는 것을 돕도록 타겟(12)과 백킹 플레이트(16) 사이에 배치될 수 있다. 합체된 타겟(12)과 백킹 플레이트(16)가 상이한 열팽창계수들을 가질지라도, 이러한 신규의 조립체(10)는 구부러짐 또는 휨 없이 높은 스퍼터링 온도에서 함께 접합되어 사용될 수 있다. 또한, 이러한 신규의 스퍼터 타겟 조립체(10)는 특정 타겟 금속(12)과 통상 관련된 종래 백킹 플레이트보다 높은 열전도성 및 낮은 전기 전도성을 갖는 백킹 플레이트들(16)을 이용할 수 있다.
추가적으로, 이러한 저온 방법이 타겟 금속(12)에 결정 성장을 최소한으로 유지하기 때문에, 본 발명은 또한 합체시에 보다 높은 온도를 요구하는 확산 접합 및 다른 접합 기술들 이상의 장점들을 제공한다.
본 발명은 본 발명에 대한 제한으로서 해석되지 않지만 대신 본 발명의 특정 실시예의 예시인 결과적인 예들과 관련하여 추가적으로 기술될 것이다.
예 1
신규의 스퍼터 타겟 조립체는 도 1 및 도 2 에 도시된 바와 같은 본 발명에 따라 접합되었다. 타겟은 고순도 Ti로 구성되었고, 백킹 플레이트는 Cu-1%Cr로 구성되었다. 타겟 및 백킹 플레이트의 열팽창계수는 각각 약 8.9㎛/m℃ 및 17.6㎛/m℃이다. 약 0.127㎝(0.05")의 높이를 갖는 수형 돌출부들이 백킹 플레이트에 제공된다. 바람직하게 1-50% Ni를 갖는 Cu-Ni로 구성되는 삽입체가 조립체의 주변 경계에 인접하여 배치되었다. 조립체의 주변 경계 주위의 환형 영역은 진공 하에서 E-빔 용접되었다. 그런 다음, 조립체는 전체 두께가 약 0.254㎝(0.1")만큼 감소되도록 실온에서 가압 합체되었다.
타겟 및 백킹 플레이트의 열팽창계수가 상이할지라도, 접합된 조립체가 고전력 레벨의 스퍼터링 상태 동안 분리 및/또는 구부러짐이 발생하지 않아서, 이러한 조립체는 Ti 또는 Ti 합금 타겟들을 이용하는 종래 조립체보다 높은 열 전도성 및 낮은 전기 전도성을 갖는 백킹 플레이트를 이용할 수 있다.
예 2
신규의 스퍼터 타겟 조립체는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 본 발명에 따라 접합되었다. 타겟은 고순도 Ti로 구성되고, 백킹 플레이트는 바람직하게 1-50% Ni를 갖는 Cu-Ni로 구성되었다. 수형 돌출부들이 백킹 플레이트에 제공되었으며, 각각의 돌출부는 약 0.254㎝(0.1")의 높이를 갖는다. 삽입체는 사용되지 않았다. 조립체의 주변 경계 주위의 환형 영역은 진공 하에서 E-빔 용접되었다. 그런 다음, 조립체의 전체 두께가 약 0.254㎝(0.1")만큼 감소되도록, 조립체는 실온에서 가압 합체되었다.
Cu-Ni 백킹 플레이트는 와전류를 감소시키는 낮은 전기 전도성을 갖고, 타겟이 Ti 또는 Ti 합금들로 구성된 고전력 애플리케이션들에서 사용되는 종래 백킹 플레이트들보다 높은 열 전도성을 가진다. 열팽창계수가 상이할지라도, 예 1과 유사한 접합된 조립체가 고전력 레벨 스퍼터링 상태 동안 분리 및/또는 구부러짐이 발생하지 않아서, 이러한 조립체는 Ti 또는 Ti 합금 타겟들을 사용하는 종래 조립체보다 높은 열 전도성 및 낮은 전기 전도성을 갖는 백킹 플레이트를 이용할 수 있다.
예 3
도 1 및 도 2에 도시되는 바와 같이 본 발명에 따라 접합될 수 있는 또 다른 신규의 스퍼터 타겟 조립체는 고순도 Co로 구성된 타겟과, Cu-1%Cr로 구성된 백킹 플레이트를 포함한다. 수형 돌출부들은 백킹 플레이트에서 제공되며, 각각의 돌출부는 약 0.254㎝(0.1")의 높이를 갖는다. NiV를 포함하는 삽입체는 조립체의 주변 경계에 인접하여 배치된다. 조립체의 주변 경계 주위의 환형 영역은 진공 하에서 E-빔 용접된다. 그런 다음, 조립체는 조립체의 전체 두께가 약 0.254㎝(0.1")만큼 감소되도록 실온에서 가압 합체된다.
열팽창계수가 상이할지라도, 접합된 조립체가 고전력 레벨 스퍼터링 상태동안 분리 및/또는 구부러짐이 발생하지 않아서, 이러한 조립체는 Co 또는 Co 합금 타겟들을 사용하는 종래 조립체보다 높은 열 전도성 및 낮은 전기 전도성을 갖는 백킹 플레이트를 이용할 수 있다.
예 4
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 본 발명에 따라 접합될 수 있는 다른 신규의 스퍼터 타겟 조립체는 고순도 Ta로 구성된 타겟과 Ti 또는 Ti 합금들로 구성된 백킹 플레이트를 포함한다. 수형 돌출부들이 백킹 플레이트에 제공되고, 각각의 돌출부는 약 0.254㎝(0.1")의 높이를 갖는다. 삽입체는 사용되지 않았다. 조립체 주변 경계 주위의 환형 영역은 진공 하에서 E-빔 용접된다. 그런 다음, 조립체는 조립체의 전체 두께가 약 0.254㎝(0.1")만큼 감소되도록 실온에서 가압 합체되었다.
다시, 상기 예들과 유사하게, 열팽창계수가 상이할지라도, 접합된 조립체가 고전력 레벨 스퍼터링 상태 동안 분리 및/또는 구부러짐이 발생하지 않아서, 이러한 조립체는 Ta 또는 Ta 합금 타겟들을 사용하는 종래 조립체보다 높은 열 전도성 및 낮은 전기 전도성을 갖는 백킹 플레이트를 이용할 수 있다.
본 명세서에 기술된 상기 방법들, 및 상기 방법들에 따라 생성된 타겟 및 백킹 플레이트 조립체들이 임의의 특정 형태들 및 그의 특정한 수정들과 함께 기술된 반면에, 폭넓은 다양한 수정들이 첨부된 특허 청구 범위에 규정된 바와 같은 본 발명의 범위 및 정신으로부터 벗어나지 않고도 이루어질 수 있다는 것을 이해할 것이다. 또한, 본 명세서에서의 금속 또는 금속 구성요소에 대한 기재는 상기 언급된 금속의 합금 성형물들에 대한 기재를 포함한다는 것을 유념해야 한다.

Claims (32)

  1. 스퍼터링될 금속 또는 합금으로 구성된 타겟과 하부 금속 백킹 플레이트 부재를 포함하는 접합 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 조립체를 준비하는 방법에서, 짝 맞춤 표면들을 따라서 상기 타겟과 백킹 플레이트를 접합하는 방법으로서,
    a) 상기 짝 맞춤 표면들중 하나 또는 양쪽에 다수의 수형 돌출부들을, 상기 짝 맞춤 표면들 중 다른 것에 다수의 암형 홈들을 형성하는 단계;
    b) Ti, Co, Ta, 및 그 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 구성되는 타겟과 CuCr, Ti, Ti 합금, Cu, 및 CuNi로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 구성되는 백킹 플레이트를 서로 인접하여 배치하는 단계로서, 상기 타겟 및 백킹 플레이트가 상기 짝 맞춤 표면들에 의해 규정된 경계면을 가지는, 상기 타겟 및 백킹 플레이트의 배치 단계;
    c) 조립체를 형성하도록 주변 경계에 인접하여 상기 타겟과 백킹 플레이트 사이에 용접 가능한 삽입체를 삽입하는 단계; 및
    d) 상기 수형 돌출부들이 상기 암형 홈들 내로 마찰 끼워 맞춰지도록, 저온 조건하에서 상기 조립체를 가압 합체하는 단계를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 조립체의 주변 경계 부근에서 상기 조립체를 접합하는 추가 단계 e)를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 단계 e)는 상기 단계 c) 이후 및 상기 단계 d) 이전에 실행되는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 단계 e)는 상기 조립체의 E-빔 용접(e-beam welding) 단계를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 단계 e)는 상기 주변 경계에 인접하여 위치된 환형 영역을 따라서 상기 타겟과 상기 백킹 플레이트를 E-빔 용접하는 단계를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 가압 합체된 조립체를 저온 풀림하는 단계 f)를 추가적으로 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 삽입체는 Cu-Ni로 구성되고 상기 타겟은 Ti로 구성되는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 삽입체는 1-50% Ni로 구성되는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 삽입체는 NiV로 구성되고 상기 타겟은 Co로 구성되는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 조립체의 상기 가압 합체 단계는 100℃ 보다 낮은 온도 조건하에서 실행되는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  11. 스퍼터링될 금속 또는 합금으로 구성된 타겟과 하부 금속 백킹 플레이트 부재를 포함하는 접합 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 조립체를 준비하는 방법에서, 짝 맞춤 표면들을 따라서 상기 타겟과 백킹 플레이트를 접합하는 방법으로서,
    a) 상기 짝 맞춤 표면중 하나 또는 양쪽에 다수의 수형 돌출부들을, 상기 짝 맞춤 표면들 중 다른 것에 다수의 암형 홈들을 형성하는 단계;
    b) 상기 짝 맞춤 표면들에 의해 규정된 경계면을 갖는 조립체를 형성하도록, Ti 및 Ti 합금으로 구성되는 타겟과 Cu-Ni로 구성되는 백킹 플레이트를 서로 인접하여 배치하는 단계; 및
    c) 상기 수형 돌출부들이 상기 암형 홈들 내로 마찰 끼워 맞춰지도록 저온 조건 하에서 상기 조립체를 가압 합체하는 단계를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 조립체의 주변 경계 부근에서 상기 조립체를 접합하는 추가 단계 d)를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 단계 d)는 상기 단계 b) 이후 및 상기 단계 c) 이전에 실행되는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 단계 d)는 상기 조립체의 E-빔 용접 단계를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 단계 d)는 상기 주변 경계에 인접하여 위치된 환형 영역을 따라서 상기 타겟과 상기 백킹 플레이트를 E-빔 용접하는 단계를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 가압 합체된 조립체를 저온 풀림하는 단계 e)를 추가적으로 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  17. 제 12 항에 있어서,
    상기 백킹 플레이트는 1-50% Ni를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  18. 제 12 항에 있어서,
    상기 조립체의 상기 가압 합체 단계는 100℃ 보다 낮은 온도 조건하에서 실행되는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  19. 스퍼터링될 금속 또는 합금으로 구성된 타겟과 하부 금속 백킹 플레이트 부재를 포함하는 접합 스퍼터 타겟 및 백킹 플레이트 조립체를 준비하는 방법에서, 짝 맞춤 표면들을 따라서 상기 타겟과 백킹 플레이트를 접합하는 방법으로서,
    a) 상기 짝 맞춤 표면들 중 하나 또는 양쪽에 다수의 수형 돌출부들을, 상기 짝 맞춤 표면들 중 다른 것에 다수의 암형 홈들을 형성하는 단계;
    b) 상기 짝 맞춤 표면들에 의해 규정된 경계면을 갖는 조립체를 형성하도록, Ta 및 Ta 합금들로 구성되는 타겟과 Ti 및 Ti 합금들의 그룹으로부터 선택된 재료로 구성되는 백킹 플레이트를 서로 인접하여 배치하는 단계; 및
    c) 상기 수형 돌출부들이 상기 암형 홈들 내로 마찰 끼워 맞춰지도록 저온 상태하에서 상기 조립체를 가압 합체하는 단계를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 조립체의 주변 경계 부근에서 상기 조립체를 접합하는 추가 단계 d)를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 단계 d)는 상기 단계 b) 이후 및 상기 단계 c) 이전에 실행되는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 단계 d)는 상기 조립체의 E-빔 용접 단계를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  23. 제 20 항에 있어서,
    상기 단계 d)는 상기 주변 경계에 인접하여 위치된 환형 영역을 따라서 상기 타겟과 상기 백킹 플레이트를 E-빔 용접하는 단계를 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  24. 제 20 항에 있어서,
    상기 가압 합체된 조립체를 저온 풀림하는 단계 e)를 추가적으로 포함하는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  25. 제 19 항에 있어서,
    상기 조립체의 상기 가압 합체 단계는 100℃ 보다 낮은 온도 조건하에서 실행되는, 타겟 및 백킹 플레이트 접합 방법.
  26. Ti, Co, 및 그의 합금들로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료로 구성되는 타겟과, Cu-1%Cr로 구성되는 백킹 플레이트를 포함하는 조합체로서,
    상기 타겟 및 백킹 플레이트는 각각의 짝 맞춤 표면들에 의해 규정된 평면을 따라서 짝 맞춤되고, 다수의 수형 돌출부들이 상기 짝 맞춤 표면들 중 하나에 형성되고, 다수의 대응하는 암형 홈들이 상기 짝 맞춤 표면들 중 다른 것에 형성되고, 상기 타겟 및 백킹 플레이트는, 상기 짝 맞춤 표면들을 따라서 형성되고 상기 수형 돌출부들 및 상기 암형 홈들을 둘러싸는 주변 경계를 추가적으로 포함하고, 접합 가능한 삽입체 재료가 상기 주변 경계에 배치되며, 상기 수형 돌출부들은 상기 암형 홈들에 강제적으로 끼워 맞춰지는, 조합체.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 삽입체는 Cu-Ni로 구성되고 상기 타겟은 Ti로 구성되는, 조합체.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 삽입체는 1-50% Ni로 구성되는, 조합체.
  29. 제 26 항에 있어서,
    상기 삽입체는 NiV로 구성되고 상기 타겟은 Co로 구성되는, 조합체.
  30. Ti 및 Ti 합금으로 구성되는 타겟과, Cu-Ni로 구성되는 백킹 플레이트를 포함하는 조합체로서,
    상기 타겟과 백킹 플레이트는 각각의 짝 맞춤 표면들에 의해 규정된 평면을 따라서 짝 맞춤되고, 다수의 수형 돌출부들이 상기 짝 맞춤 표면들 중 하나에 형성되고, 다수의 대응하는 암형 홈들이 상기 짝 맞춤 표면들 중 다른 것에 형성되며, 상기 수형 돌출부들은 상기 암형 홈들에 강제적으로 끼워 맞춰지는, 조합체.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 백킹 플레이트는 1-50% Ni로 구성되는, 조합체.
  32. Ta 및 Ta 합금으로 구성되는 타겟과, Ti-Cu 및 Ti 합금들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 구성되는 백킹 플레이트를 포함하는 조합체로서,
    상기 타겟과 백킹 플레이트는 각각의 짝 맞춤 표면들에 의해 규정된 평면을 따라서 짝 맞춤되고, 다수의 수형 돌출부들이 상기 짝 맞춤 표면들 중 하나에 형성되고, 다수의 대응하는 암형 홈들이 상기 짝 맞춤 표면들 중 다른 것에 형성되며, 상기 수형 돌출부들은 상기 암형 홈들에 강제적으로 끼워 맞춰지는, 조합체.
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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6848608B2 (en) * 2002-10-01 2005-02-01 Cabot Corporation Method of bonding sputtering target materials
EP1556526B1 (en) * 2002-10-21 2009-03-11 Cabot Corporation Method of forming a sputtering target assembly and assembly made therefrom
JP4422975B2 (ja) * 2003-04-03 2010-03-03 株式会社コベルコ科研 スパッタリングターゲットおよびその製造方法
US6992261B2 (en) 2003-07-15 2006-01-31 Cabot Corporation Sputtering target assemblies using resistance welding
US20050061857A1 (en) * 2003-09-24 2005-03-24 Hunt Thomas J. Method for bonding a sputter target to a backing plate and the assembly thereof
US7431195B2 (en) * 2003-09-26 2008-10-07 Praxair S.T. Technology, Inc. Method for centering a sputter target onto a backing plate and the assembly thereof
EP1715077A4 (en) * 2003-12-25 2010-09-29 Nippon Mining Co ARRANGEMENT OF COPPER OR COPPER ALLOY STARGET AND COPPER ALLOY CARRIER PLATE
US7504008B2 (en) * 2004-03-12 2009-03-17 Applied Materials, Inc. Refurbishment of sputtering targets
US20060021870A1 (en) * 2004-07-27 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Profile detection and refurbishment of deposition targets
US20060081459A1 (en) * 2004-10-18 2006-04-20 Applied Materials, Inc. In-situ monitoring of target erosion
CA2584851C (en) * 2004-11-04 2015-04-07 Microchips, Inc. Compression and cold weld sealing methods and devices
WO2007084114A2 (en) * 2005-01-12 2007-07-26 New York University System and method for processing nanowires with holographic optical tweezers
US20060289305A1 (en) * 2005-06-27 2006-12-28 Applied Materials, Inc. Centering mechanism for aligning sputtering target tiles
CN101313083A (zh) * 2005-09-28 2008-11-26 卡伯特公司 形成溅射靶组件的惯性结合方法及由此制成的组件
US9127362B2 (en) 2005-10-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Process kit and target for substrate processing chamber
US8647484B2 (en) * 2005-11-25 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Target for sputtering chamber
US8968536B2 (en) * 2007-06-18 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Sputtering target having increased life and sputtering uniformity
US8702919B2 (en) * 2007-08-13 2014-04-22 Honeywell International Inc. Target designs and related methods for coupled target assemblies, methods of production and uses thereof
US7901552B2 (en) 2007-10-05 2011-03-08 Applied Materials, Inc. Sputtering target with grooves and intersecting channels
US8514476B2 (en) 2008-06-25 2013-08-20 View, Inc. Multi-pane dynamic window and method for making same
US8992747B2 (en) * 2010-03-12 2015-03-31 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for improved darkspace gap design in RF sputtering chamber
EP3431628A1 (en) 2011-04-21 2019-01-23 View, Inc. Lithium sputter targets
US9831072B2 (en) 2011-06-30 2017-11-28 View, Inc. Sputter target and sputtering methods
US11635666B2 (en) 2012-03-13 2023-04-25 View, Inc Methods of controlling multi-zone tintable windows
US9341912B2 (en) 2012-03-13 2016-05-17 View, Inc. Multi-zone EC windows
US10315279B2 (en) 2014-08-08 2019-06-11 Siemens Aktiengesellschaft Hot isostatic pressing system for the assembly of modular components usable in a turbine engine
WO2016095086A1 (en) * 2014-12-15 2016-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for texturing a chamber component and chamber components having a textured surface
US10183358B2 (en) * 2014-12-27 2019-01-22 Cooler Master Co., Ltd. Bonded functionally graded material structure for heat transfer
KR102635620B1 (ko) * 2015-07-13 2024-02-08 알베마를 코포레이션 고체 리튬을 금속 기재에 저압 냉간 본딩하는 방법
WO2020023174A1 (en) 2018-07-23 2020-01-30 Applied Materials, Inc. Pre-conditioned chamber components
CN109807453B (zh) * 2019-03-18 2020-10-02 东莞市欧莱溅射靶材有限公司 一种高纯铜旋转靶的焊接方法
CN110883540A (zh) * 2019-11-27 2020-03-17 西安长峰机电研究所 一种发动机薄壁喷管壳体焊接装配工艺
CN113043219A (zh) * 2021-03-19 2021-06-29 哈尔滨工业大学 一种用于惯性约束聚变自动换靶的安装装置
CN114959618A (zh) * 2022-06-29 2022-08-30 浙江最成半导体科技有限公司 一种溅射靶材及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5143590A (en) 1991-07-10 1992-09-01 Johnson Matthey Inc. Method of manufacturing sputtering target assembly
US5269899A (en) 1992-04-29 1993-12-14 Tosoh Smd, Inc. Cathode assembly for cathodic sputtering apparatus
US5487822A (en) 1993-11-24 1996-01-30 Applied Materials, Inc. Integrated sputtering target assembly
WO1996033294A1 (en) * 1995-04-21 1996-10-24 Materials Research Corporation Method of making sputter target/backing plate assembly
US6073830A (en) 1995-04-21 2000-06-13 Praxair S.T. Technology, Inc. Sputter target/backing plate assembly and method of making same

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5693203A (en) 1992-09-29 1997-12-02 Japan Energy Corporation Sputtering target assembly having solid-phase bonded interface
TW234767B (ko) * 1992-09-29 1994-11-21 Nippon En Kk
US5799860A (en) * 1995-08-07 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Preparation and bonding of workpieces to form sputtering targets and other assemblies
EP0800890A1 (en) * 1996-04-08 1997-10-15 Tousui Ltd Heat sink
JP3198284B2 (ja) * 1996-04-08 2001-08-13 有限会社刀水企画 押し出し材同志の結合方法及び液冷ヒートシンク
DE69930859T2 (de) * 1998-09-11 2007-05-16 Tosoh SMD, Inc., Grove City Verbindungsverfahren für ein niedrigtemperatursputtertarget und so hergestelltes niedrigtemperatursputtertarget
US6749103B1 (en) * 1998-09-11 2004-06-15 Tosoh Smd, Inc. Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby
TW483793B (en) * 1999-07-12 2002-04-21 Tosoh Smd Inc Friction fit target assembly
US6725522B1 (en) * 2000-07-12 2004-04-27 Tosoh Smd, Inc. Method of assembling target and backing plates

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5143590A (en) 1991-07-10 1992-09-01 Johnson Matthey Inc. Method of manufacturing sputtering target assembly
US5269899A (en) 1992-04-29 1993-12-14 Tosoh Smd, Inc. Cathode assembly for cathodic sputtering apparatus
US5487822A (en) 1993-11-24 1996-01-30 Applied Materials, Inc. Integrated sputtering target assembly
WO1996033294A1 (en) * 1995-04-21 1996-10-24 Materials Research Corporation Method of making sputter target/backing plate assembly
US5836506A (en) 1995-04-21 1998-11-17 Sony Corporation Sputter target/backing plate assembly and method of making same
US6073830A (en) 1995-04-21 2000-06-13 Praxair S.T. Technology, Inc. Sputter target/backing plate assembly and method of making same

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