JP2007067137A - ウェハ温度調整装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】温調プレートの平面と、その上方で支持される半導体ウェハとの距離(ギャップ)を均一かつ小さくする。
【解決手段】支持体41は温調プレート3の平面3cにおいて設けられて突出し、メッキ層31で形成される。メッキ層31は平面3cの全面に設けられてもよい。その場合であっても、平面3cの全面に一旦メッキ層31を形成し、その後にマスキングにより部分的にメッキを行えば、突出した形状を有する支持体41を形成することができる。一般にメッキ層は1μm程度の精度で厚さを制御できるので、ギャップを従来の技術よりも精度よく縮めることができる。
【選択図】図2
【解決手段】支持体41は温調プレート3の平面3cにおいて設けられて突出し、メッキ層31で形成される。メッキ層31は平面3cの全面に設けられてもよい。その場合であっても、平面3cの全面に一旦メッキ層31を形成し、その後にマスキングにより部分的にメッキを行えば、突出した形状を有する支持体41を形成することができる。一般にメッキ層は1μm程度の精度で厚さを制御できるので、ギャップを従来の技術よりも精度よく縮めることができる。
【選択図】図2
Description
この発明は温度調整技術に関し、特にウェハ(例えば半導体ウェハ)を加熱、冷却する技術に関する。
半導体ウェハの処理の一工程である、リソグラフィー工程において、薬液の塗布、加熱、温度調整が繰り返される。そしてこれら加熱、冷却工程では温度管理が厳しく要求される。また、生産性向上のため、冷却、加熱に要する時間を短縮することも要求されている。
半導体ウェハの温度を調整する際、温度調整された平面を有する温調プレートに接触させると、半導体ウェハの微少な破片が発生したり、温調プレート上のゴミが半導体ウェハに付着したりする。あるいは更に、半導体ウェハのゴミが温調プレートに付着して他の半導体ウェハに付着して汚染が拡大する可能性がある。また、半導体ウェハは極く僅かながら歪んでいるので、温調プレートと接触する部分と接触しない部分との間で温度むらが発生する。
他方、温調プレートの平面と、その上方で支持される半導体ウェハとの距離(以下「ギャップ」と称す)を長くすると、温度調整を効率よく行いにくい。
かかる問題を回避するため、温調プレート上に小さな突起を設け、これで半導体ウェハを支持する技術が、例えば特許文献1〜3に記載されている。
特許文献1や特許文献2に記載された技術では、温調プレートに凹部を設け、これに球体状のスペーサを挿入し、接着剤や脱落防止部材でスペーサを固定する。このスペーサは凹部から出ているので、半導体ウェハが温調プレートの上方で支持される。
また特許文献3に記載された技術では、半導体ウェハを支持する突起部材として段差を有する部材を採用し、厚い部分で固定し、薄い部分で半導体ウェハを支持している。
しかし特許文献1や特許文献2に記載された技術では、スペーサの高さの調整精度が加工精度と組立精度に依存するため、ギャップを80μm以下にすることは困難であった。
特許文献3に記載された技術では、半導体ウェハを載置する薄い部分よりも外周側でしか厚い部分を設けることができない。よって外周付近以外を支持することが非常に困難であった。
その他、温調プレートの平面上に複数の突起を接着することも考えられるが、ギャップを均一にして半導体ウェハを支持するためには接着剤の厚さと突起の高さの合計を相互に揃える必要がある。しかしかかる調整は容易ではない。
接着剤の代わりに、厚さの管理が容易であるテープを採用して突起を粘着してもよいが、突起に載置される半導体ウェハは200℃を超える場合もあり、そのときは当該テープが剥離してしまう。
この発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、均一かつ小さなギャップを容易に実現できる技術を提供することを目的としている。
この発明にかかるウェハ温度調整装置(10)の第1の態様は、平面(3c)と、前記平面を所定の温度に設定する温度設定部(1,2)と、前記平面において設けられて突出し、前記平面の上方でウェハを支持する支持体(41,42,43)とを備える。そして前記支持体はメッキ層または気相成長層であることを特徴とする。
この発明にかかるウェハ温度調整装置の第2の態様は、その第1の態様であって、複数の前記支持体として、厚さが異なる複数の薄膜(41a,41b)が設けられる。
この発明にかかるウェハ温度調整装置の第3の態様は、その第1の態様であって、前記支持体はメッキ層であり、前記メッキ層が設けられていない位置で前記平面は絶縁性保護膜(32)を有する。
この発明にかかるウェハ温度調整装置の第4の態様は、その第1の態様であって、前記平面(3c)は絶縁性保護膜(32)を有し、前記支持体は、前記絶縁性保護膜上に積層された無電解メッキ層(33)と、前記無電解メッキ層上に積層された電解メッキ層(34)とを有する。
この発明にかかるウェハ温度制御装置の第1の態様によれば、メッキ層または気相成長層によって支持体が形成されるので、1μm程度の精度で薄膜の厚さを制御し、支持されるウェハと平面との距離を精度よく縮めることができる。
この発明にかかるウェハ温度制御装置の第2の態様によれば、ウェハと平面との距離を異ならせた保持を容易に実現できる。
この発明にかかるウェハ温度制御装置の第3の態様によれば、メッキ層の形成を阻むことなく、平面が絶縁性保護膜で保護される。
この発明にかかるウェハ温度制御装置の第4の態様によれば、絶縁性保護膜で保護された平面上にも、支持体をメッキ層で形成することができる。
図1は本発明にかかるウェハ温度調整装置10の構成を、温度調整の対象となる半導体ウェハWと共に例示する、概念的な断面図である。ウェハ温度調整装置10は、冷却部1、熱電素子群2、温調プレート3を備えており、この順に積層されている。
熱電素子群2は少なくとも一つの熱電素子を有しており、ここでは4個の熱電素子21,22,23,24で構成されている場合が例示されている。熱電素子21〜24は図示されない電源に接続されており、その冷却部1側の面を放熱面とし、温調プレート3側の面を吸熱面として機能する。
冷却部1は熱電素子群2の放熱面を冷却する機能を果たす。冷却部1は冷媒の供給口1aと、排出口1bとを有している。冷媒としては例えば水が採用され、供給口1aには矢印M1で示されるように入水し、排出口1bからは矢印M2で示されるように出水する。
温調プレート3は熱伝導性の良好な材料、例えば金属で形成されており、平面3cと反対側から熱電素子群2によって吸熱される。上述のように熱電素子群2の放熱面は冷却部1によって冷却される。従って、冷却部1と熱電素子群2とを温度設定部として把握して、当該温度設定部によって温調プレート3の平面3cが、所定の温度に設定されると把握することができる。
温度センサ7は温度調整プレート3の温度を測定する。温度センサ7によって測定された温度に基づき、図示されない制御装置によって熱電素子群2に与えられる電圧が制御される。これにより温度調整プレート3の、特に平面3cの温度を所定の温度に設定することができる。
温調プレート3は、その上側に平面3cと、平面3cから突出する支持体41,42,43を有している。半導体ウェハWは支持体41,42,43によって下方から支持され、平面3cとの間にギャップdが保持される。よって半導体ウェハWと温度調整プレート3の平面3cとが接触することなく、半導体ウェハWの温度を制御することができる。
下記では支持体41〜43のうち、支持体41を例にとってその構造を説明するが、支持体42,43についても同様の構造を取ることができる。また支持体の個数は3個に限られることはない。但し一般に平面は、三角形を構成する3点でその位置が決定されることから、支持体は少なくとも、三角形を構成する3点において設けられることが望ましい。
図2は支持体41の第1の構成を例示する断面図である。支持体41は温調プレート3の平面3cにおいて設けられて突出し、メッキ層31で形成される。
メッキ層31は平面3cの全面に設けられてもよい。その場合であっても、平面3cの全面に一旦メッキ層31を形成し、その後にマスキングにより部分的にメッキを行えば、突出した形状を有する支持体41を形成することができる。
一般にメッキ層は1μm程度の精度で厚さを制御できるので、均一かつ小さなギャップd(図1参照)を容易に実現できる。
なお、メッキ層31の代わりに気相成長層で支持体41を形成してもよい。気相成長層は、化学的気相成長法によって形成される層であってもよいし、物理的気相成長法によって形成される層であってもよい。気相成長層も1μm程度以下の精度で厚さを制御できるので、均一かつ小さなギャップdを容易に実現できる。
図3は支持体41の第2の構成を例示する断面図である。支持体41は温調プレート3の平面3cにおいて設けられて突出し、メッキ層31で形成された複数の薄膜41a,41bを有している。薄膜41a,41bは互いにその厚さが異なる。これらの薄膜41a,41bも図2の支持体41と同様に、メッキ層31で形成することができるし、気相成長層で形成してもよい。
このように厚さが異なる複数の薄膜41a,41bを支持体41として採用することにより、ギャップdを異ならせた半導体ウェハWの保持を容易に実現できる。
図4は支持体41の第3の構成を例示する断面図である。支持体41は温調プレート3の平面3cにおいて設けられて突出し、メッキ層31で形成される。但し、メッキ層31が設けられていない位置で平面3cは絶縁性保護膜、例えばアルマイト被膜32を有する。かかる構造によれば、メッキ層31の形成を阻むことなく、平面3cをアルマイト被膜32で保護できる。
具体的には例えば、温調プレート3の少なくとも平面3c側をアルミニウムあるいはその合金で構成する。そして所定位置を除いて平面3cをアルマイト処理してアルマイト被膜32を形成する。その後、当該所定位置において電解メッキを施してメッキ層31を形成する。
図5は支持体41の第4の構成を例示する断面図である。平面3cはアルマイト被膜32を有し、支持体41はアルマイト被膜32上に積層された無電解メッキ層33と、無電解メッキ層33上に積層された電解メッキ層34とを有する。
無電解メッキ層33はアルマイト被膜32上にも形成できる。そして無電解メッキ層33に通電して、電解メッキ層34が形成できる。よって、アルマイト被膜32で保護された平面3cにおいても支持体41をメッキ層で形成できる。
1 冷却部
2 熱電素子群
3 温調プレート
31 メッキ層
32 アルマイト被膜
33 無電解メッキ層
34 電解メッキ層
3c 平面
41,42,43 支持体
41a,41b 薄膜
2 熱電素子群
3 温調プレート
31 メッキ層
32 アルマイト被膜
33 無電解メッキ層
34 電解メッキ層
3c 平面
41,42,43 支持体
41a,41b 薄膜
Claims (4)
- 平面(3c)と、
前記平面を所定の温度に設定する温度設定部(1,2)と、
前記平面において設けられて突出し、前記平面の上方でウェハを支持する支持体(41,42,43)と
を備え、
前記支持体はメッキ層または気相成長層であることを特徴とするウェハ温度調整装置(10)。 - 複数の前記支持体として、厚さが異なる複数の薄膜(41a,41b)が設けられる、請求項1記載のウェハ温度調整装置。
- 前記支持体はメッキ層であり、前記メッキ層が設けられていない位置で前記平面は絶縁性保護膜(32)を有する、請求項1記載のウェハ温度調整装置。
- 前記平面(3c)は絶縁性保護膜(32)を有し、
前記支持体は、前記絶縁性保護膜上に積層された無電解メッキ層(33)と、前記無電解メッキ層上に積層された電解メッキ層(34)とを有する、請求項1記載のウェハ温度調整装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005250698A JP2007067137A (ja) | 2005-08-31 | 2005-08-31 | ウェハ温度調整装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005250698A JP2007067137A (ja) | 2005-08-31 | 2005-08-31 | ウェハ温度調整装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007067137A true JP2007067137A (ja) | 2007-03-15 |
Family
ID=37928982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005250698A Pending JP2007067137A (ja) | 2005-08-31 | 2005-08-31 | ウェハ温度調整装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2007067137A (ja) |
-
2005
- 2005-08-31 JP JP2005250698A patent/JP2007067137A/ja active Pending
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