KR101147961B1 - 반도체 제조설비의 정전척 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조에 이용되는 웨이퍼 고정용 정전척에 관한 것으로서, 웨이퍼 전반에 걸쳐 균일한 온도 분포를 유지할 수 있고 이를 통해 반도체 생산 수율을 향상시킬 수 있는 정전척을 제공하는데 그 목적이 있는 것이다. 상기한 목적을 달성하기 위해, 정전척 몸체의 가장자리 둘레를 따라 에지링이 설치된 반도체 제조설비의 정전척에 있어서, 공정 대상물인 웨이퍼의 직경에 비해 웨이퍼가 올려지는 상기 정전척 몸체의 상부면 직경이 크게 형성되고, 상기 에지링의 내주부분이 전 둘레에 걸쳐 내측으로 연장되게 형성되어, 내측으로 연장된 에지링의 내주부분이 정전척 몸체의 상부면 가장자리 부분을 덮는 구조로 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 정전척이 개시된다.

Description

반도체 제조설비의 정전척{ESC for semiconductor equipment}

본 발명은 반도체 제조설비의 정전척에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼 에지부분의 온도를 제어할 수 있도록 구성됨으로써 반도체 칩의 생산 수율을 향상시킬 수 있는 정전척(Electrostatic Chuck, ESC)에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 소자나 LCD 등의 제조 공정 중에 식각 공정을 위한 장비에는 챔버 내에서 웨이퍼를 정위치에 고정하기 위한 정전척이 포함되어 있다.

정전척에 웨이퍼를 정위치에 고정하는 이유는 웨이퍼에 대한 식각 공정 중 웨이퍼가 이동하지 않게 하기 위함이며, 정전척에 정전 전압을 공급하여 웨이퍼와 정전척 간에 정전력이 발생되도록 하고, 이때 발생된 정전력을 이용하여 웨이퍼를 고정하게 된다.

반도체 제조 공정 중 상기의 식각 공정은 정전척에 웨이퍼를 고정한 뒤 웨이퍼 위에 증착된 금속, poly-Si, 산화막 등의 막을 플라즈마 분위기에서 파내는(Etching) 공정을 말한다.

이러한 식각 공정 중에 웨이퍼의 전체 표면 온도가 불균일해지면 단위 시간당 식각률이 변화하게 되어 반도체 칩의 수율을 크게 저하시키게 된다.

따라서, 식각 공정에서는 웨이퍼의 온도 균일성이 매우 민감한 사항이며, 공정 중 온도감지센서를 통해 정전척의 온도를 항상 측정하고 있다.

또한 식각되는 막의 종류에 따라 웨이퍼의 온도가 각각 달라지므로 여러 온도에 대해 쉽고 빠르게 대응 가능한 정전척의 제작이 필요하다.

반도체 소자는 통상적으로 포토리소그래피 등을 이용하여 웨이퍼 표면에 도전층과 절연층을 패터닝하는 공정에 의해 전자회로소자를 구현함으로써 얻어지고, 웨이퍼 표면의 도전층과 절연층은 식각 또는 증착에 의해 패터닝된다.

상기 식각 또는 증착은 웨이퍼를 정전척에 정전력으로 고정한 뒤 공정 챔버 내에서 진행하며, 공정 챔버 내에서 플라즈마 분위기를 유지하여 식각 또는 증착을 행하게 된다.

이러한 플라즈마 공정시에는 정전척을 플라즈마 발생용 전극으로도 사용하기 때문에 플라즈마 히팅에 의해 정전척의 온도가 상승하게 된다.

다시 말해 플라즈마 등을 이용하는 건식 식각 공정 등에서 반도체 기판에는 음(-)의 바이어스 전압이 인가되고, 이에 따라 반도체 기판상에 입사되는 이온 등이 가속되어 물리적인 에칭 반응을 일으키게 되는바, 이때 반도체 기판에 입사되는 이온 등의 운동에너지가 대부분 열에너지로 전환되어 반도체 기판의 온도를 상승시키게 된다.

정전척의 온도가 상승하면 정전척의 상면에 고정된 웨이퍼에 열적 영향을 주게 되고, 이렇게 웨이퍼에 열적 변동이 발생하면 웨이퍼 내에서 한계 치수의 산포를 유발할 뿐만 아니라 웨이퍼들 사이의 한계 치수 변동을 유발시킨다.

또한 웨이퍼의 온도는 식각 및 증착 속도, 막의 두께 및 균일도에 영향을 미치는 중요한 공정변수이므로, 반도체 소자의 제조 공정에서는 공정이 진행 중인 챔버 내 웨이퍼의 온도 제어가 중요한 요소가 된다.

따라서, 이러한 웨이퍼의 온도 불균형을 방지하기 위하여 통상적으로 정전척은 냉각시스템을 갖도록 구성되며, 이러한 냉각시스템으로는 웨이퍼의 표면온도를 조절하기 위해 웨이퍼가 올려지는 정전척의 내부에 냉각통로를 마련하여 이 통로를 통해 냉각수나 냉각가스 등을 통과시키는 방법이 적용된다.

그러나, 공정 중 웨이퍼 전체 면적에 대하여 온도의 균일성을 확보하는 것이 무엇보다 중요한데, 웨이퍼의 온도에 따라 식각 및 증착되는 속도가 다름에도 불구하고 특히 종래에는 웨이퍼 에지부분의 온도를 제어할 수 없는 구조이므로 웨이퍼 에지부분 내에 있는 대부분의 반도체 칩 소자에 불량이 발생할 수밖에 없고, 이로 인해 생산 수율이 크게 떨어지는 문제가 있었다.

도 1은 종래의 반도체 제조용 정전척(10)을 나타내는 개략적인 단면도로서, 종래기술에 따른 문제점을 설명하기 위한 도면이다.

도시된 바와 같이, 알루미늄 등의 재질로 제작된 정전척 몸체(11)의 최상부에는 정전절연막(12)이 형성된다.

상기 정전절연막(12)은 정전력을 크게 하기 위해 가능한 한 유전율이 높은 재료를 사용(예컨대, Al₂O₃를 사용)하여 형성하며, 구조로 구분할 때 단층막과 3중막 등을 들 수 있다.

단층막으로는 세라믹 막 및 폴리이미드 막 등이 있고, 3중막으로는 세라믹-금속-세라믹으로 구성된 막이 있으나, 웨이퍼의 온도 균일성에는 크게 관계되지 않는다.

상기 3중막(도 1 참조)은 정전척 몸체(11) 위에 절연막(세라믹 막)(13)이 형성되고, 이 절연막(13) 위에 고전압이 인가되는 전극(D/C electrode) 부분으로 도전막(금속 막)(14)이 형성되며, 이 도전막(14) 위에 웨이퍼(1) 등이 안착되는 부분으로 유전막(세라믹 막)(15)이 형성된 구조로 되어 있다.

단층막에서는 웨이퍼의 정전 전압과 정전척 몸체에 공급된 정전 전압 간에 정전력이 형성되며, 3중막의 경우에는 웨이퍼(1)의 정전 전압과 정전척 몸체(11)의 하부를 통해 도전막(14)에 공급된 정전 전압 간에 정전력이 형성된다.

또한 상기 정전척 몸체(11)의 상부 가장자리 전 둘레를 따라서는 에지링(edge ring, 포커스링(focus ring)이라고도 함)(16)이 조립되고, 정전척 몸체(11)의 내부에는 냉각통로(17)를 마련하여, 이 냉각통로(17)를 통해 냉각수를 통과시킴으로써 웨이퍼(1)의 온도를 제어하게 된다.

그러나, 상기와 같은 종래의 정전척(10)에서는 웨이퍼 에지부분에서 냉각 효율이 급격히 감소하는 문제점이 있다.

보다 상세히 설명하면, 식각 공정에서는 상부면(정전척 몸체의 상부면)이 식각되어 파이지 않도록 통상 웨이퍼 사이즈보다 작은 사이즈를 갖는 정전척이 사용되는데, 정전척 몸체(11)의 상부면에 웨이퍼(1)가 올려져 고정되면 정전척 몸체(11)의 상부면이 노출되지 않으므로 정전척이 파이는 문제가 발생하지 않는다.

예컨대, 웨이퍼(1)의 사이즈가 직경 300mm라면 정전척(10)의 상부면(정전척 몸체의 상부면)은 직경 296mm로 적용하는 것이 일반적이나, 이 경우 정전척에 고정된 웨이퍼는 도면상 좌우 양쪽의 웨이퍼 에지부분에서 약 2mm 정도가 정전척의 상부면으로부터 반경방향으로 돌출된 구조가 된다.

이렇게 정전척 바깥쪽으로 돌출된 웨이퍼 에지부분(도 1 참조)은 온도가 조절될 수 없는 부분이 되며, 더욱이 정전척 몸체(11)의 내부에서 가장자리 부분이 아닌 안쪽의 센터측에 냉각통로(17)가 형성되어 이를 통해 냉각수가 통과하므로 웨이퍼 에지부분에 대해서는 냉각수에 의한 냉각이 거의 작용하지 못하게 된다.

웨이퍼(1)의 온도에 따라 식각 및 증착되는 속도가 다르므로 가능한 한 웨이퍼 전체 면적에 대해 균일한 온도 제어가 필요함을 고려할 때, 웨이퍼 에지부분에서 냉각수의 영향을 받지 못하여 온도 제어가 제대로 이루어지지 못하고 다른 부분에 비해 냉각 효율이 떨어지게 되면, 공정 중 플라즈마에 의한 국부적인 온도 상승(에지부분의 온도 상승)이 발생하게 된다.

결국 온도 편차로 인한 오버에치(Over-Etch), 언에치(Un-Etch) 등으로 수율에 심각한 영향을 끼치는 문제점이 있다.

예컨대, 온도 제어가 불가한 좌우 양쪽 웨이퍼 에지부분의 약 2mm 정도를 포함하여 그로부터 영향을 받게 되는 약 8mm 내에 있는 대부분의 소자에서 불량이 발생하게 된다(도 1에서 웨이퍼 에지부분의 좌우 양쪽 10mm씩 총 20mm 구간의 웨이퍼 면적에서 소자의 불량이 발생함).

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 발명한 것으로서, 웨이퍼 전반에 걸쳐 균일한 온도 분포를 유지할 수 있고, 이를 통해 반도체 생산 수율을 향상시킬 수 있는 정전척을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 정전척 몸체의 가장자리 둘레를 따라 에지링이 설치된 반도체 제조설비의 정전척에 있어서, 공정 대상물인 웨이퍼의 직경에 비해 웨이퍼가 올려지는 상기 정전척 몸체의 상부면 직경이 크게 형성되고, 상기 에지링의 내주부분이 전 둘레에 걸쳐 내측으로 연장되게 형성되어, 내측으로 연장된 에지링의 내주부분이 정전척 몸체의 상부면 가장자리 부분을 덮는 구조로 된 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 에지링의 내주부분 끝면이 경사면으로 형성되어, 에지링 내주부분 끝면의 하부가 웨이퍼 에지부분 아래로 넣어져 위치될 수 있도록 된 것을 특징으로 한다.

또한 상기 에지링과 웨이퍼 간의 경계부위에 해당하는 정전척 몸체의 상부면 위치에 교체용 갭링이 설치되는 것을 특징으로 한다.

또한 상기 정전척 몸체와 교체용 갭링의 상호 간 접합면은 원활한 열전달을 위해 열전도성 접착제가 개재되어 접착되는 것을 특징으로 한다.

또한 상기 정전척 몸체의 상부면에 장착홈이 형성되고, 상기 장착홈의 내측으로 교체용 갭링이 삽입되어 설치되는 것을 특징으로 한다.

또한 상기 정전척 몸체의 내부에서 웨이퍼 에지부분의 하측으로 위치되는 냉각통로가 추가로 설치되는 것을 특징으로 한다.

이에 따라, 본 발명의 정전척에서는 다음과 같은 장점이 있게 된다.

첫째, 정전척 상부면의 사이즈를 웨이퍼보다 크게 하여 웨이퍼 전체가 정전척 상부면에 올려져 고정될 수 있도록 함으로써 웨이퍼에서 온도 제어가 불가한 부분(기존의 웨이퍼 에지부분)을 없앨 수 있는 동시에 웨이퍼 에지부분에서의 온도 제어가 가능해지게 되고, 이를 통해 웨이퍼 에지부분의 소자 불량 감소 및 수율 향상을 도모할 수 있게 된다.

둘째, 웨이퍼 에지부분에 근접되어 있는 에지용 냉각통로를 통해 냉각매체를 공급하여 웨이퍼 에지부분을 냉각시킴으로써 웨이퍼 중앙부분과 에지부분의 온도편차를 줄일 수 있고, 이에 웨이퍼 전반에 걸쳐 균일한 온도 분포를 유지할 수 있는 장점이 있다.

셋째, 본 발명에서는 웨이퍼 전체가 정전척 상부면에 올려지도록 하면서도 정전척 표면이 노출되지 않도록 에지링의 내주부분을 안쪽의 정전척 상부면 위로 돌출 연장시키는 동시에 갭링을 설치하여, 정전척의 식각 손상을 최소화할 수 있고, 수명을 연장시킬 수 있게 된다.

도 1은 종래의 정전척 구조를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 정전척 구조를 나타내는 단면도이다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명하기로 한다.

본 발명은 반도체 소자의 제조에 이용되는 웨이퍼 고정용 정전척(Electrostatic Chuck, ESC)에 관한 것으로서, 웨이퍼 전반에 걸쳐 균일한 온도 분포를 유지할 수 있고, 이를 통해 반도체 생산 수율을 향상시킬 수 있는 정전척에 관한 것이다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 정전척(10)을 나타내는 개략적인 단면도로서, 정전척 몸체(11)의 상면에 걸쳐 3중막 구조의 정전절연막(12)이 형성됨을 볼 수 있는데, 이 3중막 구조의 정전절연막(12)은 세라믹-금속-세라믹 구조로 형성될 수 있다.

즉 정전척 몸체(11) 위에 절연막(세라믹 막)(13)이 형성되고, 이 절연막(13) 위에 고전압이 인가되는 전극(D/C electrode) 부분으로 도전막(금속 막)(14)이 형성되며, 이 도전막(14) 위에 웨이퍼(1) 등이 안착되는 부분으로 유전막(세라믹)(15)이 형성된 구조인 것이다.

또한 정전척 몸체(11)의 상부 가장자리 전 둘레를 따라서는 에지링(edge ring)(16)이 조립되고, 정전척 몸체(11)의 내부에는 냉각통로(17)를 마련하여, 이 냉각통로(17)를 통해 냉각매체(냉각수)를 통과시킴으로써 웨이퍼(1)의 온도를 제어하게 된다.

이러한 구조에서 본 발명은 도시된 바와 같이 웨이퍼 에지부분이 상부면에서 반경방향으로 돌출되지 않도록 큰 직경을 갖는 정전척(Wide Body Ceramic ESC) 구조에 주된 특징이 있는 것이다.

종래의 경우 도 1에 나타낸 바와 같이 식각 공정에서 정전척(10) 상부면(정전척 몸체의 상부면)이 식각되어 파이지 않도록 공정 대상물인 웨이퍼(1)의 직경에 비해 정전척(10) 상부면의 직경을 작게 적용하였으나, 이는 공정 대상물인 웨이퍼(1)가 정전척(10) 상부면을 모두 덮게 되는 이점은 있지만, 웨이퍼 에지부분이 정전척(10) 상부면으로부터 반경방향으로 돌출되는 구조가 되어, 웨이퍼 에지부분에서 냉각 효율이 급격히 감소하는 문제점이 있다.

즉 공정 중 웨이퍼 에지부분에서는 온도 제어가 불가하여 온도가 크게 상승하게 되고, 이러한 온도 편차로 인해 심각한 수율 감소(오버에치/언에치 발생)의 문제가 있게 되는 것이다.

이러한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 정전척(10)은 도 2에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(1)가 올려지는 상부면, 보다 명확히는 정전척 몸체(11)의 상부면이 웨이퍼(1)의 직경에 비해 큰 직경을 가지도록 대직경의 정전척 몸체 구조로 구성된다.

예컨대, 웨이퍼(1)의 직경이 300mm라면 정전척 몸체(11)의 상부면 직경은 324mm로 하는 것이다.

이 경우 정전척(10)에 고정된 웨이퍼(1)의 전체 면적이 정전척(10) 상부면 위에 올려질 수 있게 되고, 따라서 종래와 같이 온도 제어가 어려운 부분(기존의 웨이퍼 에지부분)이 없어지게 된다.

특히 웨이퍼(1) 전체가 정전척(10) 외부로 돌출되는 부분 없이 정전척 상부면 위에 접하여 올려지므로 종래와 같이 온도가 상대적으로 높은 부분(기존의 웨이퍼 에지부분)이 없어지게 되고, 정전척 내 냉각시스템만을 이용하더라도 웨이퍼(1) 전체 면적의 온도 분포를 최대한 균일하게 유지시킬 수 있게 된다.

무엇보다 공정 중 플라즈마에 의한 온도 상승이 일어나는 웨이퍼 부분(기존의 웨이퍼 에지부분)이 없어지고, 웨이퍼 전체 면적에 대한 균일한 온도 제어가 가능하게 되면서, 반도체 칩의 수율을 크게 높일 수 있게 된다(웨이퍼 에지부분의 소자 불량이 없어짐).

한편, 상기와 같이 정전척(10) 상부면의 직경을 웨이퍼(1)의 직경에 비해 크게 할 경우 정전척(10) 상부면의 가장자리 부분이 웨이퍼(1)에 의해 덮여지지 않게 되면서 노출되어 공정 중 식각될 수 있다.

이를 막기 위해, 본 발명에서는 에지링(16)의 내주(內週)부분(16a)을 내측으로 돌출 연장되게 형성시켜, 내측으로 연장된 에지링(16)의 내주부분(16a)이 전 둘레에 걸쳐 정전척(10) 상부면의 가장자리부분을 덮을 수 있도록 한다.

이때 에지링(16)과 웨이퍼(1) 간의 간극을 최소화하여 정천척(10) 상부면의 표면 식각을 최소화하는 것이 필요한데, 이를 위해서는 웨이퍼(1)가 고정된 정전척(10)을 상측에서 내려다보았을 때 에지링(16)과 웨이퍼(1)에 의해 정전척(10) 상부면이 완전히 가려져 보이지 않도록 하는 것이 필요하다.

이에 에지링 내주부분(16a)과 웨이퍼 에지부분 간의 간극이 최대한 발생하지 않도록 해야 하는바, 바람직하게는 에지링 내주부분(16a) 끝면을 하향 경사진 경사면(16b)으로 형성하는 것이 적용될 수 있다.

이와 같이 에지링 안쪽 끝면을 경사면(16b)으로 형성하되, 경사면(16b)의 각도를 조절할 경우, 도 2에 나타낸 바와 같이 에지링 내주부분(16a) 끝면의 하부가 웨이퍼 에지부분 아래로 넣어져 위치되며, 결국 상측에서 볼 때 정전척(10) 상부면이 완전히 가려져 보이지 않게 되고, 이에 공정 중 정전척(10) 상부면이 파이는 현상을 막을 수 있다.

또한 본 발명의 바람직한 실시예에서 도 2에 나타낸 바와 같이 에지링(16)과 웨이퍼(1) 간의 경계부위에 해당하는 정전척(10) 상부면 위치에 식각에 강한 교체용 갭링(gap ring)(21)을 설치하는 것이 실시 가능하다.

상기 갭링(21)을 설치함에 있어서 정전척 몸체(11)의 상부면에 원주방향을 따라 원형의 장착홈(11a)을 길게 형성한 뒤 상기 장착홈(11a)에 갭링(21)을 삽입하여 설치하며, 이때 정전척 몸체(11)의 표면과 갭링(21) 사이의 간극이 존재하게 되면 열전도가 불량해지므로 최대한 간극 없이 설치하는 것이 필요하다.

바람직하게는 정전척(10)(정전척 몸체)과 갭링(21)의 접합면, 즉 장착홈(11a)의 내측면과 이에 접하는 갭링(21)의 외측면 사이에 열전도성 접착제(22)를 사용하여 접착함으로써 갭링(21)을 고정하는 것이 가능하며, 접착제(22)를 통해 갭링(21)과 정전척(10) 간의 열전달이 원활히 이루어지도록 한다.

상기와 같이 설치되는 갭링(21)은 공정의 반복 후에 그 표면이 일정 수준 이상으로 식각되면 탈거하여 새로운 갭링으로 교체할 수 있으며, 이에 정전척 전체를 교체할 필요가 없게 되고, 표면 손상이 없는 상태로 정전척을 장기간 사용하는 것이 가능해진다.

상기 갭링(21)은 공정 중 식각에 강하면서, 즉 식각이 잘 발생하지 않으면서 열전도율이 우수한 재질을 사용하여 제작될 수 있는데, 예컨대 AlN을 사용하여 제작되거나, 열전도율이 우수한 알루미늄 등의 금속으로 링 모양을 제작한 뒤 그 표면에 Al₂O₃ 등을 코팅하여 제작될 수 있다.

또한 본 발명의 바람직한 실시예에서 도 2에 나타낸 바와 같이 정전척 몸체(11)의 내부에 냉각매체(냉각수)가 통과하도록 형성된 냉각통로(17)가 형성되는데, 정전척 몸체(11) 내부에서 에지링(16)의 내주부분(16a)과 웨이퍼 에지부분, 그리고 갭링(21)의 하측으로 위치되는 냉각통로(18)가 추가로 설치된다.

상기 냉각통로(18)는 웨이퍼 에지부분을 냉각시키기 위한 것으로, 이하 본 명세서에서는 에지용 냉각통로라 칭하기로 하며, 더불어 정전척 몸체(1) 내에 위치되는 기존의 냉각통로(17)를 센터용 냉각통로라 칭하기로 한다.

결국 본 발명에서는 기존의 센터용 냉각통로(17)와 더불어 에지용 냉각통로(17)가 새로이 추가됨으로써 에지용 냉각통로(18)를 통해 흐르는 냉각매체(냉각수)에 의해 웨이퍼 에지부분에 대한 냉각 효율을 좋게 할 수 있다.

즉 상부면(웨이퍼가 올려지는 부분)의 직경이 웨이퍼(1)의 직경보다 큰 정전척(10)을 채용하여 웨이퍼 에지부분까지 모두 정전척 위에 올려지도록 하면서, 센터용 냉각통로(17)의 냉각수에 의한 웨이퍼 안쪽 부분의 냉각과 더불어, 에지용 냉각통로(18)의 냉각수에 의해 웨이퍼 에지부분의 냉각이 이루어지도록 구성됨으로써, 웨이퍼 에지부분의 온도 제어가 가능해지고, 에지용 냉각통로(17) 및 냉각기(냉각수 공급 및 순환용)에 의해 에지링(16)과 웨이퍼 에지부분의 온도를 별도로 관리할 수 있게 된다.

이와 같이 하여, 본 발명에서는 정전척(10) 상부면의 사이즈를 웨이퍼(1)보다 크게 하여 기존에 온도 제어가 불가하였던 웨이퍼 에지부분에서 온도 제어가 가능하도록 하는바, 이를 통해 소자의 불량 감소 및 수율 향상을 도모할 수 있게 된다.

이상으로 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명하였는바, 본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 다음의 특허청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 포함된다.

1 : 웨이퍼 10 : 정전척
11 : 정전척 몸체 11a : 장착홈
12 : 정전절연막 16 : 에지링
16a : 에지링 내주부분 16b : 경사면
17 : 냉각통로 18 : 냉각통로
21 : 갭링 22 : 접착제

Claims (6)

1. 정전척 몸체(11)의 가장자리 둘레를 따라 에지링(16)이 설치된 반도체 제조설비의 정전척(10)에 있어서,
   공정 대상물인 웨이퍼(1)의 직경에 비해 웨이퍼가 올려지는 상기 정전척 몸체(11)의 상부면 직경이 크게 형성되고, 상기 에지링(16)의 내주부분(16a)이 전 둘레에 걸쳐 내측으로 연장되게 형성되어, 내측으로 연장된 에지링(16)의 내주부분(16a)이 정전척 몸체(11)의 상부면 가장자리 부분을 덮는 구조로 이루어지고,
   상기 에지링(16)과 웨이퍼(1) 간의 경계부위에 해당하는 정전척 몸체(1)의 상부면 위치에 교체용 갭링(21)이 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 정전척.
   
2. 청구항 1에 있어서,
   상기 에지링(16)의 내주부분(16a) 끝면이 경사면(16b)으로 형성되어, 에지링 내주부분(16b) 끝면의 하부가 웨이퍼 에지부분 아래로 넣어져 위치될 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 정전척.
   
3. 삭제
4. 청구항 1에 있어서,
   상기 정전척 몸체(11)와 교체용 갭링(21)의 상호 간 접합면은 원활한 열전달을 위해 열전도성 접착제(22)가 개재되어 접착되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 정전척.
   
5. 청구항 1에 있어서,
   상기 정전척 몸체(11)의 상부면에 장착홈(11a)이 형성되고, 상기 장착홈(11a)의 내측으로 교체용 갭링(21)이 삽입되어 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 정전척.
   
6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
   상기 정전척 몸체(11)의 내부에서 웨이퍼 에지부분의 하측으로 위치되는 냉각통로(18)가 추가로 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 정전척.

Images