KR101949175B1 - 정전척, 그를 가지는 기판처리장치, 및 정전척의 제조방법 - Google Patents

정전척, 그를 가지는 기판처리장치, 및 정전척의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 정전기력에 의하여 기판을 흡착고정한 상태에서 증착, 식각 등 기판처리를 수행하는 기판처리장치의 정전척, 그를 가지는 기판처리장치 및 정전척의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 평면형상이 직사각형이고 금속재질을 가지며 가장자리에 단차가 형성된 모재와; 상기 모재에 용사에 의하여 형성되는 제1절연층과; 상기 제1절연층 상에 형성되어 전원인가에 의하여 정전기력을 발생시키는 도전체층과; 상기 도전체층 상에 용사에 의하여 형성되는 제2절연층을 포함하며, 상기 모재에 형성된 단차에는, 상기 모재의 저면을 제외한 모든 면에 상기 제1절연층 및 상기 제2절연층 중 적어도 하나가 형성된 후 절연재질의 실드부재가 탈착가능하게 설치되며, 상기 모재의 단차의 측면에 상기 제1절연층이 형성되기 전에 절연재질의 하나 이상의 측면보조실드부재가 설치되거나, 상기 모재의 단차의 측면에 상기 제1절연층이 형성된 후 상기 제2절연층이 형성되기 전에 절연재질의 하나 이상의 측면보조실드부재가 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 정전척을 개시한다.

Description

정전척, 그를 가지는 기판처리장치, 및 정전척의 제조방법 {Electrostatic chuck, substrate processing apparatus, and method for manufacturing the same}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 정전기력에 의하여 기판을 흡착고정한 상태에서 증착, 식각 등 기판처리를 수행하는 기판처리장치의 정전척, 그를 가지는 기판처리장치 및 정전척의 제조방법에 관한 것이다.
기판처리장치란, 공정챔버와 같이 밀폐된 처리공간 내에서 플라즈마 현상 등 물리적 또는 화학적 반응을 이용하여 LCD 패널용 유리기판, AMOLED 패널용 기판, 반도체기판, 태양전지 기판 등을 식각, 증착 등 소정의 기판처리를 수행하는 장치를 말한다.
종래의 기판처리장치는, 밀폐된 처리공간을 형성하며 기판의 입출을 위한 게이트가 형성된 공정챔버와, 공정챔버 내에 설치되어 기판처리시 기판을 지지하는 기판지지대를 포함한다.
그리고 상기 기판지지대는, 기판처리시 소정의 진공압이 처리공간 내에 형성됨을 고려하여 진공상태에서도 기판의 흡착고정이 가능한 정전척이 설치된다.
그리고 상기 정전척은 금속재질의 모재와, 모재에 순차적으로 형성되는 제1절연층, DC전원의 인가에 의하여 정전기력을 발생시키는 도전체층 및 제2절연층을 포함하여 구성된다.
한편 종래의 기판처리장치에 사용되는 정전척은, 금속재질의 모재와, 제1절연층 및 제2절연층 사이의 열팽창률 차이, 제조상의 결함 등으로 인한 크랙 등으로 인하여 금속재질의 모재가 외부로 노출될 수 있다.
그런데 금속재질의 모재가 외부로 노출되는 경우, 플라즈마 등을 이용한 기판처리시 아킹이 발생하여 양호한 기판처리가 불가능한 한편 상대적으로 고가인 정전척이 손상되어 교체 등 수리를 요하는 문제점이 있다.
따라서 종래의 기판처리장치에 사용되는 정전척은, 플라즈마 등 기판처리시 기판이 안착된 상태에서 상측으로 노출되는 부분의 보호를 위하여, 가장자리를 따라서 단차가 형성되고, 정전척에 형성된 단차에는 절연재질의 실드부재가 설치된다.
그러나 상기 실드부재는, 기판이 안착된 상태에서 상측으로 노출되는 부분에 대한 보호만 가능하여, 실드부재 및 정전척 중 단차가 형성된 부분의 측면 사이에는 상호 조립의 한계로 인하여 틈이 형성되며 정전척의 측면부분에서 크랙 등이 있는 경우 플라즈마 등에 노출되어 여전히 아킹이 발생되는 문제점이 있다.
한편 기판처리 중 SiOx막을 에칭하는 경우 a-Si, SiN막과는 기판처리장치를 구성하는 진공챔버 등에 달리 높은 파워를 인가하여야 하는데, 진공챔버에 높은 파워가 인가되는 경우 절연층이 상대적으로 얇게 형성된 부분, 특히 정전척의 측면부분이 절연층이 얇게 형성되어 아킹이 발생될 수 있는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은, 기판처리장치에 사용되는 실드부재의 설치를 위하여 정전척에 단차가 형성된 부분에서 아킹이 발생되는 것을 방지할 수 있는 구조를 가지는 정전척 및 그를 가지는 기판처리장치, 정전척의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 평면형상이 직사각형이고 금속재질을 가지며 가장자리에 단차가 형성된 모재와; 상기 모재에 용사에 의하여 형성되는 제1절연층과; 상기 제1절연층 상에 형성되어 전원인가에 의하여 정전기력을 발생시키는 도전체층과; 상기 도전체층 상에 용사에 의하여 형성되는 제2절연층을 포함하며, 상기 모재에 형성된 단차에는, 상기 모재의 저면을 제외한 모든 면에 상기 제1절연층 및 상기 제2절연층 중 적어도 하나가 형성된 후 절연재질의 실드부재가 탈착가능하게 설치되며, 상기 모재의 단차의 측면에 상기 제1절연층이 형성되기 전에 절연재질의 하나 이상의 측면보조실드부재가 설치되거나, 상기 모재의 단차의 측면에 상기 제1절연층이 형성된 후 상기 제2절연층이 형성되기 전에 절연재질의 하나 이상의 측면보조실드부재가 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 정전척을 개시한다.
상기 측면보조실드부재는 복수 개로 설치되며, 상기 모재의 상하방향을 Z축방향이라 하고, 상기 모재의 측면을 향하는 방향을 X축방향 및 Y축방향이라고 할 때, 상기 복수 개의 측면보조실드부재들이 연결되는 제1연결부위는, 서로 인접하는 면에서 X축방향 또는 Y축방향, 및 Z축방향 중 적어도 어느 하나의 방향으로 하나 이상의 단차가 형성될 수 있다.
상기 측면보조실드부재 및 상기 실드부재는 복수 개로 설치되며, 상기 복수 개의 측면보조실드부재들이 연결되는 제1연결부위는, 상기 모재의 측면을 향하는 방향으로 보았을 때, 상기 복수 개의 실드부재들이 연결되는 제2연결부위와 서로 중첩되지 않게 위치될 수 있다.
상기 모재의 상하방향을 Z축방향이라 하고, 상기 모재의 측면을 향하는 방향을 X축방향 및 Y축방향이라고 할 때, 상기 제1연결부위는, 서로 인접하는 면에서 X축방향 또는 Y축방향으로 하나 이상의 단차가 형성되고, 상기 제2연결부위는, 서로 인접하는 면에서 Z축방향으로 하나 이상의 단차가 형성될 수 있다.
상기 제1절연층, 상기 제2절연층, 상기 측면보조실드부재 및 상기 실드부재는 각각 Al2O3, ZrO3, AlN 및 Y2O3로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 발명은 또한 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버 내에 설치되어 기판처리시 기판을 지지하는 기판지지대와; 상기 처리공간의 상측에 설치되어 기판처리시 가스를 분사하는 가스분사부를 포함하며, 상기 기판지지대는 상기와 같은 구성을 가지는 정전척이 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.
본 발명은 또한 평면형상이 직사각형인 모재를 준비하는 모재준비단계와; 상기 직사각형의 모재에 가장자리를 따라서 단차를 형성하는 단차형상단계와; 상기 모재에 제1절연층, 도전체층 및 제2절연층을 순차적으로 형성하는 층형성단계를 포함하며, 상기 층형성단계는, 상기 모재의 단차의 측면에, 상기 제1절연층이 형성되기 전에 절연재질의 하나 이상의 측면보조실드부재를 설치하거나, 상기 모재의 단차의 측면에 상기 제1절연층이 형성된 후 상기 제2절연층이 형성되기 전에 절연재질의 하나 이상의 측면보조실드부재를 설치하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 정전척의 제조방법을 개시한다.
본 발명에 따른 정전척, 그를 가지는 기판처리장치, 및 정전척의 제조방법은 기판처리시 플라즈마 등에 노출되는 것을 방지하는 실드부재의 설치를 위한 단차의 형성에 있어, 모재에 단차를 형성한 후 제1절연층 및 제2절연층 중 적어도 어느 하나를 형성할 때 모재 중 단차가 형성된 부분의 측면에 절연재질의 측면보조실드부재를 추가로 설치함으로써, 측면방향으로의 전체 절연층의 두께를 증가시켜 상대적으로 높은 파워의 전원이 인가됨에도 불구하고 아킹이 발생되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
더 나아가 본 발명에 따른 정전척, 그를 가지는 기판처리장치, 및 정전척의 제조방법은, 상기와 같은 구성에 의하여 측면방향으로의 전체 절연층의 두께를 증가시켜 열팽창률의 차이 등으로 인한 크랙의 형성에도 불구하고 모재가 플라즈마 등에 노출되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
또한 본 발명에 따른 정전척, 그를 가지는 기판처리장치, 및 정전척의 제조방법은, 모재에 단차를 형성한 후 제1절연층 및 제2절연층 중 적어도 어느 하나를 형성할 때 모재 중 단차가 형성된 부분의 측면에 절연재질의 측면보조실드부재를 추가로 설치하고, 복수 개의 실드부재의 연결부분과 복수 개의 측면보조실드부재의 연결부분을 서로 중첩되지 않게 함으로써, 정전척의 가장자리를 보호하는 실드부재를 복수 개로 설치하는 경우 그 연결부분에서 수직방향 및 수평방향 모두에 단차를 두는 등 복잡한 구조를 이루어야 하는 종래의 정전척에 비하여, 연결부분의 구조를 단순화할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판처리장치의 정전척을 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 1에서 A부분을 확대한 확대단면도이다.
도 4는 도 1에서 복수 개의 측면보조실드부재들의 조립상태의 일예를 보여주는 사시도이다.
도 5a 및 도 5b는 도 1에서 복수 개의 측면보조실드부재들의 조립상태의 다른 예를 보여주는 사시도이다.
도 6은 도 5a 및 도 5b의 측면보조실드부재들의 결합구조를 보여주는 일부 사시도이다.
이하 본 발명에 따른 정전척, 그를 가지는 기판처리장치, 및 정전척의 제조방법에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 공정챔버(100)에 의하여 형성되는 밀폐된 처리공간(S)에 가스를 주입하면서 기판(10)의 표면을 식각하거나 표면에 소정의 특성을 가지는 박막을 형성하는 등 진공처리공정을 수행하는 장치로서, 다양한 구성이 가능하다.
상기 공정챔버(100)는, 서로 탈착가능하게 결합되어 처리공간(S)을 형성하는 챔버본체(110) 및 상부리드(120)를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 챔버본체(110)는, 설계 및 디자인에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 기판(10)이 직접 입출 되거나, 기판(10)이 안착된 트레이(20)가 입출될 수 있도록 게이트밸브(미도시)에 의하여 개폐되는 적어도 하나의 게이트(111)가 형성된다.
한편, 상기 상부리드(120)는, 가스공급장치(미도시)로부터 공급받아 처리공간(S)으로 처리가스를 분사하는 가스공급부(140) 및 기판(10)이 안착되는 기판지지대(130), 처리공간(S) 내의 압력조절 및 배기를 위한 배기시스템과 연결되는 배기관(미도시) 등 진공처리공정을 수행하기 위한 장치들이 설치될 수 있다.
상기 기판지지대(130)는, 처리공간(S)에서 공정 수행을 위한 플라즈마 형성 등 진공처리를 위한 반응이 일어날 수 있도록 전원이 인가되는 하부전극(미도시)이 설치된다.
여기서 상기 하부전극은, 전원인가 방식에 따라서 챔버본체(110) 및 가스공급부(140)를 접지시키고 하나 또는 두 개의 RF전원이 인가되거나, 하부전극은 접지되고 챔버본체(110) 및 가스공급부(140)에 RF전원이 인가되거나, 하부전극에 제1의 RF전원이 인가되고 챔버본체(110) 및 가스공급부(140)에 제2의 RF전원이 인가되는 등 다양한 형태로 전원이 인가될 수 있다.
한편 상기 기판지지대(130)는, 반송로봇과 같은 트레이이송부(미도시)에 의하여 기판(10)을 인출할 수 있도록 기판(10)를 상하로 승강시키는 다수개의 리프트핀 등의 승강장치가 설치될 수 있다.
또한 상기 기판지지대(130)는, 플라즈마에 의한 기판처리를 위해 온도를 높이거나 처리공정에서 발생하는 열을 냉각할 수 있도록, 후술하는 정전척(200)의 하측에 결합되어 온도 제어를 위한 전열유체가 흐르는 유로가 형성된 쿨링 플레이트(cooling plate; 132)를 더 포함할 수 있다.
또한 상기 기판지지대(130)는 챔버본체(110)가 접지되어 구성될 수 있는바, 정전척(200)이 챔버본체(110)와 절연될 수 있도록 정전척(200)과 챔버본체(110) 사이에 절연부재(131)가 추가로 설치될 수 있다.
상기 절연부재는 상술한 바와 같이 쿨링 플레이트(132)가 설치되는 경우, 쿨링 플레이트(132)의 하측에 결합되는 것이 바람직하다.
또한 상기 기판지지대(130)는 절연부재(131)의 하측에 결합되고 챔버본체(110)의 저면에 설치된 복수의 플랜지(160)에 의해 지지되는 베이스 플레이트(미도시)를 더 포함할 수 있다.
또한 상기 기판지지대(130)는 정전척(200), 쿨링 플레이트(132) 등이 플라즈마에 의하여 손상되는 것을 방지하기 위하여 측면실드부재(280)가 설치된다.
또한 상기 기판지지대(130)는 정전기력을 이용하여 기판(10)를 흡착 고정하는 정전척(200)을 설치된다.
상기 정전척(200)은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 평면형상이 직사각형이며 모재(210)와; 모재(210)에 용사에 의하여 형성되는 제1절연층(220)과; 제1절연층(220) 상에 형성되어 DC전원과 연결되어 전원인가에 의하여 정전기력을 발생시키는 도전체층(230)과; 도전체층(230) 상에 용사에 형성되는 제2절연층(240)을 포함한다.
상기 모재(210)는 평면형상이 직사각형을 이룸과 아울러, 접지되거나 RF전극이 인가되어 전원인가부의 하부전극으로 기능할 수 있도록 금속재질, 예를 들면 알루미늄, 알루미늄합금, Ti 및 스테인리스강 (SUS 또는 STS)이 사용될 수 있다.
상기 제1절연층(220) 및 제2절연층(240)은 정전척으로서의 기능을 수행하기 위하여 소정의 유전율을 가지도록 다양한 재질이 사용될 수 있으며, 절연재질인 Al2O3, ZrO3, AlN 및 Y2O3 등의 세라믹 재질이 사용될 수 있다.
여기서 상기 제2절연층(240)은 기판(10)을 지지하고 온도 제어를 위해 기판(10)과 제2절연층(240) 사이에 열을 전달하는 헬륨(He) 등의 전열가스가 충진될 수 있도록 돌출 형성된 다수개의 돌기부(241)들이 형성될 수 있다.
또한 상기 제2절연층(240)은 그 가장자리에 기판(10)의 가장자리부분의 지지하는 댐(dam; 242)이 형성될 수 있다.
상기 도전체층(230)은 DC전원과 연결되어 제2절연층(240)과 함께 정전력을 발생시켜 제2절연층(240) 상에 안착된 기판(10)을 흡착고정하기 위한 구성으로서, 텅스텐(W)과 같은 재질이 사용될 수 있다.
그리고 상기 도전체층(230)은 정전기력을 신속하게 발생시키고 전압차가 생기지 않도록 복수 개로 분할 형성될 수 있다.
상기 제1절연층(220), 도전체층(230) 및 제2절연층(240)은 다양한 방법에 의하여 형성이 가능하며, 예로서, 플라즈마 용사에 의하여 형성될 수 있다.
한편 상기와 같은 구성을 가지는 정전척(200)은, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 실드부재(250)가 설치될 수 있도록 가장자리에 단차(212)가 형성된다.
그리고, 상기 모재(210)에 형성된 단차(212)에는 모재(210)의 저면을 제외한 모든 면에 제1절연층(220) 및 제2절연층(240) 중 적어도 하나가 형성된 후 절연재질의 실드부재(250)가 탈착가능하게 설치된다.
상기 실드부재(250)는, 기판지지대(130), 즉 정전척(200)에 기판(10)이 안착된 상태에서, 정전척(200) 중 상측으로 노출된 부분을 플라즈마로부터 보호하기 위한 구성으로서, 플라즈마에 강한 재질인 절연재질인 Al2O3, ZrO3, AlN 및 Y2O3 등의 세라믹 재질, 폴리카보네이트, 테프론 등으로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한 상기 실드부재(250)는, 대형의 정전척(200)에 사용가능하도록 복수 개의 부재들로 구성될 수 있으며, 각 부재들의 연결부분에서 플라즈마의 침입을 방지하기 위하여, 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같은 구조를 이룰 수 있다.
한편 상기 모재(210)의 단차(211)의 측면에는, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제1절연층(220)이 형성되기 전에 절연재질의 하나 이상의 측면보조실드부재(260)가 설치되거나, 다른 예로서, 모재(210)의 단차의 측면에는 제1절연층(220)이 형성된 후 제2절연층(240)이 형성되기 전에 절연재질의 하나 이상의 측면보조실드부재(260)가 추가로 설치된다.
상기 측면보조실드부재(260)는, 모재(210)에 형성된 단차(211)의 측면에 설치됨으로써, 단차(211)의 측면에서 크랙 등으로 인하여 모재(210)가 외부로 노출되는 것을 방지하기 위한 구성으로서, 플라즈마에 강한 재질인 절연재질인 Al2O3, ZrO3, AlN 및 Y2O3 등의 세라믹 재질, 폴리카보네이트, 테프론 등으로 이루어지는 것이 바람직하다.
그리고 상기 측면보조실드부재(260)는, 실드부재(250)와 유사한 구성으로서 대형의 정전척(200)에 사용가능하도록 복수 개의 부재들로 구성될 수 있으며, 각 부재들의 연결부분에서 플라즈마의 침입을 방지하기 위하여, 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같은 구조를 이룰 수 있다.
예로서, 상기 모재(210)의 상하방향을 Z축방향이라 하고, 모재(210)의 측면을 향하는 방향을 X축방향 및 Y축방향이라고 할 때, 상기 복수 개의 측면보조실드부재(260)들이 연결되는 제1연결부위는, 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 서로 인접하는 면에서, X축방향 또는 Y축방향, 및 Z축방향 중 어느 하나의 방향으로 하나 이상의 단차(261 및 262, 263 및 264)가 형성될 수 있다.
구체적으로 상기 복수 개의 측면보조실드부재(260)들이 연결되는 제1연결부위는, 도 4에 도시된 바와 같이, 각 부재에 서로 면접하도록 Z축방향으로 단차(261 및 262)가 형성되고, X축 또는 Y축방향으로 단차(263 및 264)가 형성될 수 있다.
또 다른 예로서, 상기 복수 개의 측면보조실드부재(260)들은, 도 5a 및 도 5b, 및 도 6에 도시된 바와 같이, 직사각형의 각 변을 이루도록 4개로 구성되고, 측면보조실드부재(260)들이 연결되는 제1연결부위는, 제1부재의 끝단에 Z축방향으로 단차(261 및 262)가 형성되고, 제2부재의 끝단에 제1부재의 결합방향으로 일부 절개된 절개부(263)의 형성과 함께 제1부재의 단차(261 및 262)에 면접하는 단차(261 및 262)가 형성될 수 있다.
그리고 상기 복수 개의 측면보조실드부재(260)들의 연결에 있어, 절개부(263)가 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 각 부재에 번갈아 가면서 형성되거나, 도 6에 도시된 바와 같이, 하나의 부재에만 형성될 수 있다.
한편 도 4 내지 도 6에 도시된 측면보조실드부재(260)의 구조는 앞서 설명한 복수 개의 실드부재(250)들의 결합구조에도 적용될 수 있음은 물론이다.
또한 상기 복수 개의 측면보조실드부재(260)들이 연결되는 제1연결부위는, 모재(210)의 측면을 향하는 방향(X축방향 또는 Y축방향)으로 보았을 때, 복수 개의 실드부재(260)들이 연결되는 제2연결부위와 서로 중첩되지 않게 위치되는 것이 바람직하다.
상기와 같이, 제1연결부위와 제2연결부위가 서로 중첩되지 않게 위치되면, 실드부재(260)들이 연결되는 제2연결부위를 통하여 플라즈마가 침입하더라도 측면보조실드부재(260)들이 연결되는 제1연결부위와 어긋나 있으므로 모재(210)의 측면을 향하는 방향(X축방향 또는 Y축방향)으로의 측면방향의 침입을 방지할 수 있게 된다.
특히 상기 제1연결부위 및 제2연결부위의 위차가 서로 어긋나게 설치되면, 제1연결부위는, X축 또는 Y축방향으로 하나의 단차(263 및 264)가 형성되고, 제2연결부위는, 서로 인접하는 면에서 Z축방향으로 하나의 단차(261 및 262)가 형성되는 간단한 구조에 의하여 플라즈마가 모재(210)로 침입하여 아킹이 발생되는 것을 방지할 수 있게 된다.
상기와 같은 구성을 가지는 정전척은 다음과 같은 제조방법에 의하여 제조될 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 정전척의 제조방법은, 평면형상이 직사각형인 모재(210)를 준비하는 모재준비단계(S10)와, 직사각형의 모재(210)에 가장자리를 따라서 단차(211)를 형성하는 단차형상단계(S20)와; 모재(210)에 제1절연층(220), 도전체층(230) 및 제2절연층(240)을 순차적으로 형성하는 층형성단계(S30)를 포함한다.
상기 모재준비단계(S10) 및 단차형상단계(S20)는 금속재질의 모재(210)를 직사각형 형상으로 준비하고, 가장자리를 따라서 단차(211)를 형성하는 단계로서 다양한 가공방법에 의하여 수행될 수 있다.
상기 층형성단계(S30)는 모재(210)에 제1절연층(220), 도전체층(230) 및 제2절연층(240)을 순차적으로 형성하는 단계로서, 제1절연층(220) 및 제2절연층(240)은 세라믹 재질로서 용사에 의하여 형성되며, 도전체층(230)은 전극으로서 텅스텐과 같은 금속재질이 용사 등에 의하여 형성될 수 있다.
한편 상기 층형성단계(S30)에 있어서, 제1절연층(220) 및 제2절연층(240) 중 적어도 어느 하나의 형성시 모재(210)의 저면을 제외한 모든 면에 형성되어 모재(210)가 플라즈마에 직접 노출되는 것을 방지한다.
아울러, 상기 층형성단계(S30)에 있어서, 모재(210)에 형성된 단차(211)에 측면보조실드부재(260)를 설치한 상태에서 제1절연층(220) 및 제2절연층(240) 중 적어도 어느 하나는 모재(210)의 저면을 제외한 모든 면에 형성될 수 있다.
즉, 상기 층형성단계(S30)는 제1절연층(220)의 형성 전에,모재(210)에 형성된 단차(211)에, 즉 모재(210)의 단차(211)의 측면에 측면보조실드부재(260)를 설치한 상태에서 측면보조실드부재(260)를 포함하여 모재(210)의 저면을 제외한 모든 면에 제1절연층(220)을 형성할 수 있다.
이때 상기 제2절연층(240)은 측면보조실드부재(260)를 포함하여 모재(210)의 저면을 제외한 모든 면에 형성되거나, 최 상면에만 형성될 수 있다.
또한 상기 층형성단계(S30)는 제1절연층(220)을 형성한 후, 모재(210)에 형성된 단차(211)에, 즉 모재(210)의 단차(211)의 측면에 측면보조실드부재(260)를 설치하고, 측면보조실드부재(260)를 포함하여 모재(210)의 저면을 제외한 모든 면에 제2절연층(240)을 형성할 수 있다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
100 : 공정챔버 130 : 기판지지대
200 : 정전척
210 : 제1절연층 220 : 도전체층
240 : 제2절연층 250 : 실드부재
260 : 측면보조실드부재

Claims (8)

  1. 평면형상이 직사각형이고 금속재질을 가지며 가장자리에 단차가 형성된 모재와; 상기 모재에 용사에 의하여 형성되는 제1절연층과; 상기 제1절연층 상에 형성되어 전원인가에 의하여 정전기력을 발생시키는 도전체층과; 상기 도전체층 상에 용사에 의하여 형성되는 제2절연층을 포함하며,
    상기 모재에 형성된 단차에는, 상기 모재의 저면을 제외한 모든 면에 상기 제1절연층 및 상기 제2절연층 중 적어도 하나가 형성된 후 절연재질의 실드부재가 탈착가능하게 설치되며,
    상기 모재의 단차의 측면에 상기 제1절연층이 형성되기 전에 절연재질의 하나 이상의 측면보조실드부재가 설치되거나, 상기 모재의 단차의 측면에 상기 제1절연층이 형성된 후 상기 제2절연층이 형성되기 전에 절연재질의 하나 이상의 측면보조실드부재가 설치되며,
    상기 측면보조실드부재 및 상기 실드부재는 복수 개로 설치되며,
    상기 복수 개의 측면보조실드부재들이 연결되는 제1연결부위는, 상기 모재의 측면을 향하는 방향으로 보았을 때, 상기 복수 개의 실드부재들이 연결되는 제2연결부위와 서로 중첩되지 않게 위치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 정전척.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 측면보조실드부재는 복수 개로 설치되며,
    상기 모재의 상하방향을 Z축방향이라 하고, 상기 모재의 측면을 향하는 방향을 X축방향 및 Y축방향이라고 할 때,
    상기 복수 개의 측면보조실드부재들이 연결되는 제1연결부위는,
    서로 인접하는 면에서 X축방향 또는 Y축방향, 및 Z축방향 중 적어도 어느 하나의 방향으로 하나 이상의 단차가 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 정전척.
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 모재의 상하방향을 Z축방향이라 하고, 상기 모재의 측면을 향하는 방향을 X축방향 및 Y축방향이라고 할 때,
    상기 제1연결부위는, 서로 인접하는 면에서 X축방향 또는 Y축방향으로 하나 이상의 단차가 형성되고,
    상기 제2연결부위는, 서로 인접하는 면에서 Z축방향으로 하나 이상의 단차가 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 정전척.
  5. 청구항 1 내지 청구항 2 및 청구항 4 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 제1절연층, 상기 제2절연층, 상기 측면보조실드부재 및 상기 실드부재는 각각 Al2O3, ZrO3, AlN 및 Y2O3로 이루어진 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 정전척.
  6. 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와;
    상기 공정챔버 내에 설치되어 기판처리시 기판을 지지하는 기판지지대와;
    상기 처리공간의 상측에 설치되어 기판처리시 가스를 분사하는 가스분사부를 포함하며,
    상기 기판지지대는 청구항 1 내지 청구항 2 및 청구항 4 중 어느 하나의 항에 따른 정전척이 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1절연층, 상기 제2절연층, 상기 측면보조실드부재 및 상기 실드부재는 각각 Al2O3, ZrO3, AlN 및 Y2O3로 이루어진 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 삭제
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